JP3195060B2 - Ｔａｂテープの製造方法 - Google Patents
Ｔａｂテープの製造方法Info
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- JP3195060B2 JP3195060B2 JP20748292A JP20748292A JP3195060B2 JP 3195060 B2 JP3195060 B2 JP 3195060B2 JP 20748292 A JP20748292 A JP 20748292A JP 20748292 A JP20748292 A JP 20748292A JP 3195060 B2 JP3195060 B2 JP 3195060B2
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- Japan
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- base film
- tab tape
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢテープの製造方法
に関し、更に詳細には絶縁性を有するベースフィルム上
に形成された導体パターンの先端部が、前記ベースフィ
ルムに開口されたデバイスホール内に搭載される半導体
チップとボンディングされるように、前記デバイスホー
ルの内縁から突出するＴＡＢテープの製造方法に関す
る。
に関し、更に詳細には絶縁性を有するベースフィルム上
に形成された導体パターンの先端部が、前記ベースフィ
ルムに開口されたデバイスホール内に搭載される半導体
チップとボンディングされるように、前記デバイスホー
ルの内縁から突出するＴＡＢテープの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢテープ(Tape Automated Bonding)
は、半導体チップの電極と外部接続用リード等の外部導
体回路とをワイヤボンディングすることなく電気的に直
接接続することができ、微細な導体パターンを形成し得
ることから、ワイヤボンディングを必要とする場合より
も多ピンの接続が可能となる。かかるＴＡＢテープの平
面図を図３に示す。図３に示すＴＡＢテープ１００は、
ポリイミド樹脂フィルム（以下、ベースフィルムと称す
ることがある）１０６に開口されたデバイスホール１０
２を囲むように、導体パターン１０８、１０８・・・が
形成されている。この導体パターン１０８の各々の一端
部（以下、先端部と称する）は、デバイスホール１０２
の内縁から突出し、半導体チップの電極とボンディング
される部分である。また、導体パターン１０８の各々の
他端部は四方に開口されたウインドホール１０４を跨ぐ
ように形成されている。このウインドホール１０４を跨
ぐ部分が外部接続用リード等の外部導体回路と接続され
る部分である。
は、半導体チップの電極と外部接続用リード等の外部導
体回路とをワイヤボンディングすることなく電気的に直
接接続することができ、微細な導体パターンを形成し得
ることから、ワイヤボンディングを必要とする場合より
も多ピンの接続が可能となる。かかるＴＡＢテープの平
面図を図３に示す。図３に示すＴＡＢテープ１００は、
ポリイミド樹脂フィルム（以下、ベースフィルムと称す
ることがある）１０６に開口されたデバイスホール１０
２を囲むように、導体パターン１０８、１０８・・・が
形成されている。この導体パターン１０８の各々の一端
部（以下、先端部と称する）は、デバイスホール１０２
の内縁から突出し、半導体チップの電極とボンディング
される部分である。また、導体パターン１０８の各々の
他端部は四方に開口されたウインドホール１０４を跨ぐ
ように形成されている。このウインドホール１０４を跨
ぐ部分が外部接続用リード等の外部導体回路と接続され
る部分である。
【０００３】図３に示すＴＡＢテープ１００は、通常、
図４に示す方法で製造される。先ず、片面に接着剤層１
０１が形成されたベースフィルム１０６に、デバイスホ
ール１０２やウインドホール１０４等を開口する〔図４
(a)(b)〕。次いで、デバイスホール１０２等が開口され
たベースフィルム１０６の片面上に、加熱・キュアを施
しつつ銅箔１０７を貼着する〔図４(c) 〕。更に、銅箔
１０７の銅箔面及びベースフィルム１０６のフィルム面
にレジストをローラー等で塗布してレジスト層１１０、
１１２を形成した後〔図４(d) 〕、銅箔１０７側に形成
されたレジスト層１１０をパターニングし、銅箔１０７
をエッチングして導体パターン１０８・・・を形成す
る。尚、レジスト層１１２は、エッチング液によるベー
スフィルム１０６のフィルム面側からのエッチングを防
止するための裏止めレジスト層である。
図４に示す方法で製造される。先ず、片面に接着剤層１
０１が形成されたベースフィルム１０６に、デバイスホ
ール１０２やウインドホール１０４等を開口する〔図４
(a)(b)〕。次いで、デバイスホール１０２等が開口され
たベースフィルム１０６の片面上に、加熱・キュアを施
しつつ銅箔１０７を貼着する〔図４(c) 〕。更に、銅箔
１０７の銅箔面及びベースフィルム１０６のフィルム面
にレジストをローラー等で塗布してレジスト層１１０、
１１２を形成した後〔図４(d) 〕、銅箔１０７側に形成
されたレジスト層１１０をパターニングし、銅箔１０７
をエッチングして導体パターン１０８・・・を形成す
る。尚、レジスト層１１２は、エッチング液によるベー
スフィルム１０６のフィルム面側からのエッチングを防
止するための裏止めレジスト層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すＴＡＢテー
プの製造法によれば、所定の導体パターンが形成された
ＴＡＢテープを容易に製造できる。ところで、最近、半
導体装置の薄肉化等の要請に因る半導体チップの大型化
に伴い、ＴＡＢテープのデバイスホールの面積の拡大が
必要となってきた。しかしながら、デバイスホールの面
積を拡大するに伴い、最終的に得られる導体パターンの
寸法精度が低下し易いことが判明した。そこで、本発明
の目的は、デバイスホールの面積を拡大しても、良好な
寸法精度の導体パターンが形成されたＴＡＢテープを製
造できるＴＡＢテープの製造方法を提案することにあ
る。
プの製造法によれば、所定の導体パターンが形成された
ＴＡＢテープを容易に製造できる。ところで、最近、半
導体装置の薄肉化等の要請に因る半導体チップの大型化
に伴い、ＴＡＢテープのデバイスホールの面積の拡大が
必要となってきた。しかしながら、デバイスホールの面
積を拡大するに伴い、最終的に得られる導体パターンの
寸法精度が低下し易いことが判明した。そこで、本発明
の目的は、デバイスホールの面積を拡大しても、良好な
寸法精度の導体パターンが形成されたＴＡＢテープを製
造できるＴＡＢテープの製造方法を提案することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく、ＴＡＢテープの製造工程を詳細に観察した
ところ、面積を拡大したデバイスホールが開口されたベ
ースフィルム上に、加熱・キュアを施して銅箔１０７を
貼着すると、図５（イ）に示す如く、デバイスホール１
０２の開口部を覆う銅箔部分に反りが発生することを知
った。反りが発生している銅箔１０７にレジストをロー
ラーにより塗布すると、図５（ロ）に示す如く、レジス
ト層１１０に厚み斑が発生し易いため、エッチングして
得られる導体パターンの寸法精度が低下する。また、デ
バイスホールの面積が拡大するに伴い、ベースフィルム
のフィルム面に形成された裏止めレジスト層１１２がエ
ッチング中に欠落し、導体パターン先端部のエッチング
が促進されて導体パターン先端部の先細り現象が発生し
易いことも知った。本発明者は、これらの知見から最終
的に得られるＴＡＢテープを構成する導体パターンの寸
法精度向上のためには、ベースフィルム上に銅箔を貼着
した際に、銅箔の反りを防止すること、及び裏止めレジ
スト層の欠落防止が大切であると考え検討した結果、本
発明に到達した。
達成すべく、ＴＡＢテープの製造工程を詳細に観察した
ところ、面積を拡大したデバイスホールが開口されたベ
ースフィルム上に、加熱・キュアを施して銅箔１０７を
貼着すると、図５（イ）に示す如く、デバイスホール１
０２の開口部を覆う銅箔部分に反りが発生することを知
った。反りが発生している銅箔１０７にレジストをロー
ラーにより塗布すると、図５（ロ）に示す如く、レジス
ト層１１０に厚み斑が発生し易いため、エッチングして
得られる導体パターンの寸法精度が低下する。また、デ
バイスホールの面積が拡大するに伴い、ベースフィルム
のフィルム面に形成された裏止めレジスト層１１２がエ
ッチング中に欠落し、導体パターン先端部のエッチング
が促進されて導体パターン先端部の先細り現象が発生し
易いことも知った。本発明者は、これらの知見から最終
的に得られるＴＡＢテープを構成する導体パターンの寸
法精度向上のためには、ベースフィルム上に銅箔を貼着
した際に、銅箔の反りを防止すること、及び裏止めレジ
スト層の欠落防止が大切であると考え検討した結果、本
発明に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、絶縁性を有するベー
スフィルム上に形成された導体パターンの先端部が、前
記ベースフィルムに開口されたデバイスホール内に搭載
される半導体チップと電気的に接続されるように、前記
デバイスホール内に延出するＴＡＢテープを製造するに
際し、該ベースフィルムに連結部を介して連結された補
助部を、前記デバイスホールを形成するデバイスホール
形成部内に形成し、且つ前記導体パターンの先端部が延
出するための開口部を形成した後、前記開口部が形成さ
れたベースフィルムの片面に貼着した金属箔を、先端部
が前記開口部内に延出する導体パターンに形成し、次い
で、前記デバイスホール形成部から補助部を除去してデ
バイスホールとすることを特徴とするＴＡＢテープの製
造方法にある。かかる本発明において、補助部を連結部
と共にデバイスホール形成部から除去することが好まし
い。
スフィルム上に形成された導体パターンの先端部が、前
記ベースフィルムに開口されたデバイスホール内に搭載
される半導体チップと電気的に接続されるように、前記
デバイスホール内に延出するＴＡＢテープを製造するに
際し、該ベースフィルムに連結部を介して連結された補
助部を、前記デバイスホールを形成するデバイスホール
形成部内に形成し、且つ前記導体パターンの先端部が延
出するための開口部を形成した後、前記開口部が形成さ
れたベースフィルムの片面に貼着した金属箔を、先端部
が前記開口部内に延出する導体パターンに形成し、次い
で、前記デバイスホール形成部から補助部を除去してデ
バイスホールとすることを特徴とするＴＡＢテープの製
造方法にある。かかる本発明において、補助部を連結部
と共にデバイスホール形成部から除去することが好まし
い。
【０００７】
【作用】銅箔等の金属箔の熱膨張率が、ポリイミド樹脂
フィルム等のベースフィルムの熱膨張率よりも大の場合
がある。この場合、デバイスホールが開口されたベース
フィルムと前記ベースフィルム上に貼着された金属箔と
が同時に加熱されると、金属箔がベースフィルムよりも
伸長されて貼着される。この際、デバイスホールを覆う
デバイスホール金属箔はベースフィルムに規制されるこ
となく自由に伸長できる。かかるデバイスホール金属箔
の伸長は、デバイスホールの面積の拡大に伴い大とな
り、デバイスホール金属箔の反りとして顕在化する。
尚、ベースフィルムの種類によっては、加熱によって収
縮するものがあり、このような種類のベースフィルムを
使用した場合も、前述した金属箔の熱膨張率がベースフ
ィルムの熱膨張率よりも大の場合と同様に、デバイスホ
ール金属箔の反りが発現する。また、デバイスホールの
面積を拡大したとき、エッチング中に発生する裏止めレ
ジストの欠落は、ベースフィルムの裏止めレジストに対
する保持力が低下するためである。この点、本発明で
は、ベースフィルムのデバイスホール形成部において、
デバイスホール内に突出する導体パターンの先端部を形
成する部分に、一部に補助部を残留しつつ小面積の開口
部を開口した後、金属箔を貼着する。このため、金属箔
を貼着する際に、ベースフィルムに開口された開口部の
開口部面積を可及的に小面積にでき、前記開口部を覆う
開口部の金属箔の加熱に因る自由伸長を少なくし且つベ
ースフィルムの裏止めレジストに対する保持力を向上で
きるため、開口部の金属箔の反り発生及びエッチング中
に発生する裏止めレジストの欠落を防止できる。
フィルム等のベースフィルムの熱膨張率よりも大の場合
がある。この場合、デバイスホールが開口されたベース
フィルムと前記ベースフィルム上に貼着された金属箔と
が同時に加熱されると、金属箔がベースフィルムよりも
伸長されて貼着される。この際、デバイスホールを覆う
デバイスホール金属箔はベースフィルムに規制されるこ
となく自由に伸長できる。かかるデバイスホール金属箔
の伸長は、デバイスホールの面積の拡大に伴い大とな
り、デバイスホール金属箔の反りとして顕在化する。
尚、ベースフィルムの種類によっては、加熱によって収
縮するものがあり、このような種類のベースフィルムを
使用した場合も、前述した金属箔の熱膨張率がベースフ
ィルムの熱膨張率よりも大の場合と同様に、デバイスホ
ール金属箔の反りが発現する。また、デバイスホールの
面積を拡大したとき、エッチング中に発生する裏止めレ
ジストの欠落は、ベースフィルムの裏止めレジストに対
する保持力が低下するためである。この点、本発明で
は、ベースフィルムのデバイスホール形成部において、
デバイスホール内に突出する導体パターンの先端部を形
成する部分に、一部に補助部を残留しつつ小面積の開口
部を開口した後、金属箔を貼着する。このため、金属箔
を貼着する際に、ベースフィルムに開口された開口部の
開口部面積を可及的に小面積にでき、前記開口部を覆う
開口部の金属箔の加熱に因る自由伸長を少なくし且つベ
ースフィルムの裏止めレジストに対する保持力を向上で
きるため、開口部の金属箔の反り発生及びエッチング中
に発生する裏止めレジストの欠落を防止できる。
【０００８】
【実施例】本発明を図面を用いて更に説明する。図１
は、本発明の一実施例を示す工程図であり、片面に接着
剤層１２が形成されたポリイミド樹脂フィルム（ベース
フィルム）１０のデバイスホール形成部分に、開口部１
４を複数開口する〔図１（ａ）（ｂ）〕。この複数の開
口部１４は、その合計面積が形成されるデバイスホール
の面積よりも小面積であり、デバイスホール内に突出す
る導体パターンの先端部が形成される開口部である。
尚、複数の開口部１４で囲まれる残留部分は、後述する
補助部１１であり、連結部によってベースフィルム本体
１０と連結されている。次いで、ベースフィルム１０の
接着剤層１２上に銅箔１６を積層し加熱貼着する〔図１
（ｃ）〕。この加熱貼着の際に、銅箔１６の自由伸長が
可能となる開口部１４の面積が小面積であるため、開口
部１４を覆う銅箔の自由伸長を抑制することができ、開
口部の銅箔に反りが顕在化することを防止できる。
は、本発明の一実施例を示す工程図であり、片面に接着
剤層１２が形成されたポリイミド樹脂フィルム（ベース
フィルム）１０のデバイスホール形成部分に、開口部１
４を複数開口する〔図１（ａ）（ｂ）〕。この複数の開
口部１４は、その合計面積が形成されるデバイスホール
の面積よりも小面積であり、デバイスホール内に突出す
る導体パターンの先端部が形成される開口部である。
尚、複数の開口部１４で囲まれる残留部分は、後述する
補助部１１であり、連結部によってベースフィルム本体
１０と連結されている。次いで、ベースフィルム１０の
接着剤層１２上に銅箔１６を積層し加熱貼着する〔図１
（ｃ）〕。この加熱貼着の際に、銅箔１６の自由伸長が
可能となる開口部１４の面積が小面積であるため、開口
部１４を覆う銅箔の自由伸長を抑制することができ、開
口部の銅箔に反りが顕在化することを防止できる。
【０００９】更に、貼着した銅箔１６の上面に導体パタ
ーン形成用レジスト層１８を形成すると共に、ベースフ
ィルム本体１０及び補助部分１１の下面に裏止めレジス
ト層２０を形成する〔図１（ｄ）〕。かかる導体パター
ン形成用レジスト層１８及び裏止めレジスト層２０は、
レジストのローラー塗布等によって形成でき、開口部の
銅箔等に反りが顕在化しておらず均一厚さのレジスト層
を形成できる。その後、導体パターン形成用レジスト層
１８をパターンニングし、銅箔１６にエッチングを施し
て所定の導体パターンを形成する。本実施例において
は、ベースフィルムの裏止めレジスト層２０に対する保
持力が、予め所定のデバイスホールが開口されたベース
フィルムの裏止めレジスト層２０に対する保持力よりも
向上されている。このため、エッチングの際に、裏止め
レジスト層２０が欠落して発生するエッチング液の循環
性向上に因る導体パターンの先端部の先細り現象を防止
できる。しかも、導体パターン形成用レジスト層１８を
均一厚さに形成でき、導体パターンの寸法精度を前記先
細り現象の防止と相俟って著しく向上できる。
ーン形成用レジスト層１８を形成すると共に、ベースフ
ィルム本体１０及び補助部分１１の下面に裏止めレジス
ト層２０を形成する〔図１（ｄ）〕。かかる導体パター
ン形成用レジスト層１８及び裏止めレジスト層２０は、
レジストのローラー塗布等によって形成でき、開口部の
銅箔等に反りが顕在化しておらず均一厚さのレジスト層
を形成できる。その後、導体パターン形成用レジスト層
１８をパターンニングし、銅箔１６にエッチングを施し
て所定の導体パターンを形成する。本実施例において
は、ベースフィルムの裏止めレジスト層２０に対する保
持力が、予め所定のデバイスホールが開口されたベース
フィルムの裏止めレジスト層２０に対する保持力よりも
向上されている。このため、エッチングの際に、裏止め
レジスト層２０が欠落して発生するエッチング液の循環
性向上に因る導体パターンの先端部の先細り現象を防止
できる。しかも、導体パターン形成用レジスト層１８を
均一厚さに形成でき、導体パターンの寸法精度を前記先
細り現象の防止と相俟って著しく向上できる。
【００１０】エッチングが完了した後、導体パターン形
成用レジスト層１８及び裏止めレジスト層２０を除去す
る。かかるレジスト層を除去して得られた中間製品を図
２に示す。図２において、デバイスホールを形成するデ
バイスホール形成部分の中央部に矩形の補助部分１１が
残留する。この補助部分１１は、その各角部に形成され
た連結部２４によってベースフィルム本体１０に連結さ
れている。かかる補助部分１１の各片に沿って開口部１
４が形成され、開口部１４中に銅箔１６をエッチングし
て形成された導体パターン２２・・・の先端部が突出し
ている。また、図２に示す中間製品には、開口部１４・
・・の外方にウインドホール２１・・・が開口され、導
体パターン２２・・・が跨がっている。このウインドホ
ール２０を跨ぐ部分が外部接続用リード等の外部導体回
路と接続される部分である。尚、ウインドホール２１
は、デバイスホールのように半導体チップ等の大型化等
によって開口面積が拡大することがなく、金属箔１６を
貼着する際にウインドホール２０が開口されていても、
得られる導体パターン２２の寸法精度を低下させること
はない。この様な図２に示す中間製品において、補助部
１１を連結する連結部２４・・・を切断することによっ
て、補助部１１を除去し所定面積のデバイスホールを開
口でき、図３に示すＴＡＢテープを得ることができる。
尚、本実施例において、補助部１１を支承する連結部２
４を補助部１１の四隅に設けているが、補助部１１を二
箇所に設けた連結部２４によって支承してもよい。
成用レジスト層１８及び裏止めレジスト層２０を除去す
る。かかるレジスト層を除去して得られた中間製品を図
２に示す。図２において、デバイスホールを形成するデ
バイスホール形成部分の中央部に矩形の補助部分１１が
残留する。この補助部分１１は、その各角部に形成され
た連結部２４によってベースフィルム本体１０に連結さ
れている。かかる補助部分１１の各片に沿って開口部１
４が形成され、開口部１４中に銅箔１６をエッチングし
て形成された導体パターン２２・・・の先端部が突出し
ている。また、図２に示す中間製品には、開口部１４・
・・の外方にウインドホール２１・・・が開口され、導
体パターン２２・・・が跨がっている。このウインドホ
ール２０を跨ぐ部分が外部接続用リード等の外部導体回
路と接続される部分である。尚、ウインドホール２１
は、デバイスホールのように半導体チップ等の大型化等
によって開口面積が拡大することがなく、金属箔１６を
貼着する際にウインドホール２０が開口されていても、
得られる導体パターン２２の寸法精度を低下させること
はない。この様な図２に示す中間製品において、補助部
１１を連結する連結部２４・・・を切断することによっ
て、補助部１１を除去し所定面積のデバイスホールを開
口でき、図３に示すＴＡＢテープを得ることができる。
尚、本実施例において、補助部１１を支承する連結部２
４を補助部１１の四隅に設けているが、補助部１１を二
箇所に設けた連結部２４によって支承してもよい。
【００１１】ここで、一辺が１５ｍｍの矩形のデバイス
ホールが開口されたＴＡＢテープを図１に示す本実施例
の方法で製造し、デバイスホール内に突出する導体パタ
ーン２２・・・の先端部幅のバラツキ（３σ）につい
て、ベースフィルム本体１０上の導体パターン幅のバラ
ツキ（３σ）と比較した。その結果、ベースフィルム本
体１０上の導体パターン幅のバラツキ（３σ）を１００
（指数）とすると、デバイスホール内に突出する導体パ
ターン２２・・・の先端部幅のバラツキ（３σ）は１０
８（指数）であった。このように、本実施例の製造方法
によれば、デバイスホール内に突出する導体パターン２
２・・・の先端部をベースフィルム本体１０上の導体パ
ターンの寸法精度と同一精度で形成できる。一方、図４
に示す従来の方法で一片が１５ｍｍの矩形のデバイスホ
ールが開口されたＴＡＢテープを製造し、同様に導体パ
ターン幅のバラツキ（３σ）を調査したところ、ベース
フィルム本体上の導体パターン幅のバラツキ（３σ）を
１００（指数）とすると、デバイスホール内に突出する
導体パターンの先端部幅のバラツキ（３σ）は１３３
（指数）であった。
ホールが開口されたＴＡＢテープを図１に示す本実施例
の方法で製造し、デバイスホール内に突出する導体パタ
ーン２２・・・の先端部幅のバラツキ（３σ）につい
て、ベースフィルム本体１０上の導体パターン幅のバラ
ツキ（３σ）と比較した。その結果、ベースフィルム本
体１０上の導体パターン幅のバラツキ（３σ）を１００
（指数）とすると、デバイスホール内に突出する導体パ
ターン２２・・・の先端部幅のバラツキ（３σ）は１０
８（指数）であった。このように、本実施例の製造方法
によれば、デバイスホール内に突出する導体パターン２
２・・・の先端部をベースフィルム本体１０上の導体パ
ターンの寸法精度と同一精度で形成できる。一方、図４
に示す従来の方法で一片が１５ｍｍの矩形のデバイスホ
ールが開口されたＴＡＢテープを製造し、同様に導体パ
ターン幅のバラツキ（３σ）を調査したところ、ベース
フィルム本体上の導体パターン幅のバラツキ（３σ）を
１００（指数）とすると、デバイスホール内に突出する
導体パターンの先端部幅のバラツキ（３σ）は１３３
（指数）であった。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、デバイスホールの面積
が拡大されても、デバイスホール内に突出する導体パタ
ーンの先端部を精度良く製造することができ、半導体チ
ップの大型化等に対応できるＴＡＢテープを製造でき
る。
が拡大されても、デバイスホール内に突出する導体パタ
ーンの先端部を精度良く製造することができ、半導体チ
ップの大型化等に対応できるＴＡＢテープを製造でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明する工程図である。
【図２】図１に示す工程で得られる中間製品の正面図で
ある。
ある。
【図３】最終的に得られるＴＡＢテープの正面図であ
る。
る。
【図４】従来のＴＡＢテープの製造法を説明する工程図
である。
である。
【図５】図４に示す従来のＴＡＢテープの製造法におけ
る中間製品の状態を説明する説明図である。
る中間製品の状態を説明する説明図である。
１０ ベースフィルム １２ 接着剤層 １４ 開口部 １６ 銅箔（金属箔） １８、２０ レジスト層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−35380（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−211742（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−144146（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−187937（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−1551（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−249354（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−41412（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性を有するベースフィルム上に形成
された導体パターンの先端部が、前記ベースフィルムに
開口されたデバイスホール内に搭載される半導体チップ
と電気的に接続されるように、前記デバイスホール内に
延出するＴＡＢテープを製造するに際し、該ベ ースフィルムに連結部を介して連結された補助部
を、前記デバイスホールを形成するデバイスホール形成
部内に形成し、且つ前記導体パターンの先端部が延出す
るための開口部を形成した後、 前記開口部が形成されたベースフィルムの片面に貼着し
た金属箔を、先端部が前記開口部内に延出する導体パタ
ーンに形成し、 次いで、前記デバイスホール形成部から補助部を除去し
てデバイスホールとすることを特徴とするＴＡＢテープ
の製造方法。 - 【請求項２】 補助部を、連結部と共にデバイスホール
形成部から除去する請求項１記載のＴＡＢテープの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20748292A JP3195060B2 (ja) | 1992-07-11 | 1992-07-11 | Ｔａｂテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20748292A JP3195060B2 (ja) | 1992-07-11 | 1992-07-11 | Ｔａｂテープの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629351A JPH0629351A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3195060B2 true JP3195060B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16540481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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