JP2811888B2 - キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置Info
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- JP2811888B2 JP2811888B2 JP7867490A JP7867490A JP2811888B2 JP 2811888 B2 JP2811888 B2 JP 2811888B2 JP 7867490 A JP7867490 A JP 7867490A JP 7867490 A JP7867490 A JP 7867490A JP 2811888 B2 JP2811888 B2 JP 2811888B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、キャリアフィルム及びキャリアフィルムに
半導体素子を接続してなる半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
半導体素子を接続してなる半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
［従来の技術］ 最近の電子機器は、小型軽量化、高機能化が進んでお
り、このためこれに搭載する半導体装置も小型化、薄形
化、高密度実装化が要請されている。このような要請に
応えるべく、キャリアフィルムに半導体素子を接続した
テープキャリア形（以下TAB形という）の半導体装置が
多用されている。
り、このためこれに搭載する半導体装置も小型化、薄形
化、高密度実装化が要請されている。このような要請に
応えるべく、キャリアフィルムに半導体素子を接続した
テープキャリア形（以下TAB形という）の半導体装置が
多用されている。
第６図はTAB形半導体装置の一例を示す半導体装置の
平面図、第７図はそのＡ−Ａ断面図である。図におい
て、（１）はポリイミドフィルムの如き絶縁フィルム
（厚さ75〜125μｍ程度）からなる長尺のキャリアフィ
ルムで、所定の間隔でデバイスホール（２），（2a），
（2b）が設けられている。（３）はデバイスホール
（２）〜（2b）の周囲に銅箔等によって形成された薄い
（例えば厚さ35μｍ）回路パターンで、一端はデバイス
ホール（２）〜（2b）内に突出してインナリード（４）
が形成され、他端にはアウタリード（4a）が形成されて
いる。（５）はキャリアフィルム（１）の両側に設けら
れ、キャリアフィルム（１）を搬送するためのスプロケ
ット穴である。（６），（6a），（6b）は半導体素子
で、デバイスホール（２）〜（2b）内に配置され、その
電極に回路パターン（３）の各インナリード（４）が接
続される。
平面図、第７図はそのＡ−Ａ断面図である。図におい
て、（１）はポリイミドフィルムの如き絶縁フィルム
（厚さ75〜125μｍ程度）からなる長尺のキャリアフィ
ルムで、所定の間隔でデバイスホール（２），（2a），
（2b）が設けられている。（３）はデバイスホール
（２）〜（2b）の周囲に銅箔等によって形成された薄い
（例えば厚さ35μｍ）回路パターンで、一端はデバイス
ホール（２）〜（2b）内に突出してインナリード（４）
が形成され、他端にはアウタリード（4a）が形成されて
いる。（５）はキャリアフィルム（１）の両側に設けら
れ、キャリアフィルム（１）を搬送するためのスプロケ
ット穴である。（６），（6a），（6b）は半導体素子
で、デバイスホール（２）〜（2b）内に配置され、その
電極に回路パターン（３）の各インナリード（４）が接
続される。
上記のようにして半導体素子（６）〜（6b）が接続さ
れたキャリアフィルム（１）は、長尺のままで各種の電
気特性等を検査したのち、各半導体素子（６）〜（6b）
の外周で切断され、第７図に示すようなTAB形半導体装
置が得られる。そして、この半導体装置は基板等に設け
た各端子にそれぞれアウタリード（4a）を当接し、ヒー
タを内蔵したボンディングヘッドで加熱かつ加圧して両
者を接着し、実装している。
れたキャリアフィルム（１）は、長尺のままで各種の電
気特性等を検査したのち、各半導体素子（６）〜（6b）
の外周で切断され、第７図に示すようなTAB形半導体装
置が得られる。そして、この半導体装置は基板等に設け
た各端子にそれぞれアウタリード（4a）を当接し、ヒー
タを内蔵したボンディングヘッドで加熱かつ加圧して両
者を接着し、実装している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなTAB型半導体装置においては、アウタリ
ード（4a）の基板等と接続する部分は、強度の低下を防
止するためキャリアフィルム（１）と一体化されたまま
実装しているが、キャリアフィルム（１）は比較的厚い
ため（例えば75〜125μｍ）体積が大きく、ボンディン
グの際の加熱、加圧により伸びを生じ、このためアウタ
リード（4a）のピッチも変化し、第８図に示すように基
板（７）に設けた端子（８）のピッチとの間にずれを生
じる。即ち、第８図において、図の左方のアウタリード
（4a）を端子（８）に整合させてボンディングすると、
熱加圧によってキャリアフィルム（１）が伸びてアウタ
リード（4a）のピッチが大きくなるため、右方になるに
したがって端子（８）とアウタリード（4a）とのずれが
大きくなる。そして右端ではアウタリード（4a）の一部
のみが端子（８）と重なり、大部分は端子（８）から外
れて接合面積が少なくなるため両者を確実に接合するこ
とができなくなり、信頼性が低下するばかりでなく、と
きとして、アウタリード（4a）が端子（８）から外れて
接合できなくなることもある。
ード（4a）の基板等と接続する部分は、強度の低下を防
止するためキャリアフィルム（１）と一体化されたまま
実装しているが、キャリアフィルム（１）は比較的厚い
ため（例えば75〜125μｍ）体積が大きく、ボンディン
グの際の加熱、加圧により伸びを生じ、このためアウタ
リード（4a）のピッチも変化し、第８図に示すように基
板（７）に設けた端子（８）のピッチとの間にずれを生
じる。即ち、第８図において、図の左方のアウタリード
（4a）を端子（８）に整合させてボンディングすると、
熱加圧によってキャリアフィルム（１）が伸びてアウタ
リード（4a）のピッチが大きくなるため、右方になるに
したがって端子（８）とアウタリード（4a）とのずれが
大きくなる。そして右端ではアウタリード（4a）の一部
のみが端子（８）と重なり、大部分は端子（８）から外
れて接合面積が少なくなるため両者を確実に接合するこ
とができなくなり、信頼性が低下するばかりでなく、と
きとして、アウタリード（4a）が端子（８）から外れて
接合できなくなることもある。
また、例えば図の中央部の端子（８）と回路パターン
（３）とを整合させてボンディングすると、左右両側に
なるほどずれが大きくなり、両者を確実に接続できなく
なる。
（３）とを整合させてボンディングすると、左右両側に
なるほどずれが大きくなり、両者を確実に接続できなく
なる。
本発明は上記の課題を解決すべくなされたもので、キ
ャリアフィルムの伸び、したがって回路パターンのピッ
チの変化の少ないキャリアフィルム及び半導体装置を得
ることを目的としたものである。
ャリアフィルムの伸び、したがって回路パターンのピッ
チの変化の少ないキャリアフィルム及び半導体装置を得
ることを目的としたものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係るキャリアフィルムは、平面状をなし所望
の位置に開口部を有するフィルムと、一方に前記開口部
内へ突出して第１の接続部に相当する部位を有するとと
もに他方に前記フィルム上に位置して第２の接続部に相
当する部位を有する回路パターンと、を有するキャリア
フィルムであって、前記第２の接続部及び前記第２の接
続部側の端部までを含む位置に相当するフィルムの厚み
は、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けられて
なることを特徴とする。
の位置に開口部を有するフィルムと、一方に前記開口部
内へ突出して第１の接続部に相当する部位を有するとと
もに他方に前記フィルム上に位置して第２の接続部に相
当する部位を有する回路パターンと、を有するキャリア
フィルムであって、前記第２の接続部及び前記第２の接
続部側の端部までを含む位置に相当するフィルムの厚み
は、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けられて
なることを特徴とする。
更に、前記第２の接続部の位置するフィルムの厚み
は、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設
けられてなることを特徴とする。
は、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設
けられてなることを特徴とする。
更に、前記第２の接続部の位置するフィルムの厚みを
10μｍ〜50μｍとし、前記他の全ての箇所のフィルムの
厚みを50μｍ〜125μｍとすることを特徴とする。
10μｍ〜50μｍとし、前記他の全ての箇所のフィルムの
厚みを50μｍ〜125μｍとすることを特徴とする。
更に、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みを75μｍ
〜125μｍとすることを特徴とする。
〜125μｍとすることを特徴とする。
更に上記いずれかの構成において、前記第１の接続部
は半導体素子が接続されるインナリード部とし、前記第
２の接続部は外部との接続に用いられるアウターリード
部とすることを特徴とする。
は半導体素子が接続されるインナリード部とし、前記第
２の接続部は外部との接続に用いられるアウターリード
部とすることを特徴とする。
また、前記フィルムのうちで前記第２の接続部に位置
するフィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異
ならせて設ける他の手段としては、前記フィルムは一定
の平面状態を維持した第１及び第２のフィルムを有し、
前記第１のフィルムにおける一方の面上には前記第２の
接続部を含む前記回路パターンが形成され、前記第１の
フィルムにおける他方の面上には前記第２の接続部を除
く領域に前記第２のフィルムが形成されてなることを特
徴とする。
するフィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異
ならせて設ける他の手段としては、前記フィルムは一定
の平面状態を維持した第１及び第２のフィルムを有し、
前記第１のフィルムにおける一方の面上には前記第２の
接続部を含む前記回路パターンが形成され、前記第１の
フィルムにおける他方の面上には前記第２の接続部を除
く領域に前記第２のフィルムが形成されてなることを特
徴とする。
この場合には、前記第１のフィルムの厚みを10μｍ〜
50μｍとし、前記第２のフィルムの厚みを75μｍ〜125
μｍとすることを特徴とする。
50μｍとし、前記第２のフィルムの厚みを75μｍ〜125
μｍとすることを特徴とする。
本発明に係るフィルムキャリアの製造方法としては、
所望の位置に開口部を有し、一方が前記開口部内に突出
した第１の接続部であり他方が前記フィルム上に位置し
て第２の接続部である回路パターンを有するキャリアフ
ィルムの製造方法であって、一定の平面状態を維持した
第１のフィルムにおける一方の面上に前記第２の接続部
を含む前記回路パターンを形成する工程と、前記第１の
フィルムにおける前記回路パターンの形成された面の反
対面となる他方の面上の前記第２の接続部を除く領域に
前記第１のフィルムよりも厚い第２のフィルムを貼付け
る工程と、を含んでなることを特徴とする。
所望の位置に開口部を有し、一方が前記開口部内に突出
した第１の接続部であり他方が前記フィルム上に位置し
て第２の接続部である回路パターンを有するキャリアフ
ィルムの製造方法であって、一定の平面状態を維持した
第１のフィルムにおける一方の面上に前記第２の接続部
を含む前記回路パターンを形成する工程と、前記第１の
フィルムにおける前記回路パターンの形成された面の反
対面となる他方の面上の前記第２の接続部を除く領域に
前記第１のフィルムよりも厚い第２のフィルムを貼付け
る工程と、を含んでなることを特徴とする。
また、本発明に係るフィルムキャリアの他の製造方法
としては、所望の位置に開口部を有し、一方が前記開口
部内に突出した第１の接続部であり他方が前記フィルム
上に位置して第２の接続部である回路パターンを有する
キャリアフィルムの製造方法であって、前記第２の接続
部及び前記第２の接続部側の端部までを含む位置に相当
するフィルムをエッチングにて一部削り、前記位置のフ
ィルムを他の箇所のフィルムよりも薄く形成する工程を
含んでなることを特徴とする。
としては、所望の位置に開口部を有し、一方が前記開口
部内に突出した第１の接続部であり他方が前記フィルム
上に位置して第２の接続部である回路パターンを有する
キャリアフィルムの製造方法であって、前記第２の接続
部及び前記第２の接続部側の端部までを含む位置に相当
するフィルムをエッチングにて一部削り、前記位置のフ
ィルムを他の箇所のフィルムよりも薄く形成する工程を
含んでなることを特徴とする。
また、上記フィルムキャリアを用いた半導体装置とし
ては、平面状をなし所望の位置に開口部を有するフィル
ムと、一方が前記開口部内に突出した第１の接続部であ
り他方が前記フィルム上に位置して第２の接続部である
回路パターンとを有し、前記第２の接続部及び前記第２
の接続部側の端部までを含む位置に相当するフィルムの
厚みが、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けら
れてなるキャリアフィルムと、前記キャリアフィルムの
前記第１の接続部に接続された半導体素子と、を有する
ことを特徴とする。
ては、平面状をなし所望の位置に開口部を有するフィル
ムと、一方が前記開口部内に突出した第１の接続部であ
り他方が前記フィルム上に位置して第２の接続部である
回路パターンとを有し、前記第２の接続部及び前記第２
の接続部側の端部までを含む位置に相当するフィルムの
厚みが、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けら
れてなるキャリアフィルムと、前記キャリアフィルムの
前記第１の接続部に接続された半導体素子と、を有する
ことを特徴とする。
更に上記構成において、前記第２の接続部及び前記第
２の接続部側の端部までを含む位置に相当するフィルム
の厚みは、前記他の箇所のフィルムの厚みよりも薄く形
成されてなることを特徴とする。
２の接続部側の端部までを含む位置に相当するフィルム
の厚みは、前記他の箇所のフィルムの厚みよりも薄く形
成されてなることを特徴とする。
［作 用］ 本発明に係るキャリアフィルムは、フィルム上に設け
られる第２の接続部に相当するフィルムの厚みを、他の
箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けることで、第２
の接続部でのフィルムの伸縮状態に応じた一定の回路パ
ターンピッチを得ることができる。
られる第２の接続部に相当するフィルムの厚みを、他の
箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けることで、第２
の接続部でのフィルムの伸縮状態に応じた一定の回路パ
ターンピッチを得ることができる。
特に、前記第２の接続部の位置するフィルムの厚み
は、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設
けることが好ましく、例えば、前記第２の接続部の位置
するフィルムの厚みを10μｍ〜50μｍとし、前記他の全
ての箇所のフィルムの厚みを50μｍ〜125μｍとするこ
とが好ましい。なお更に、前記他の全ての箇所のフィル
ムの厚みは75μｍ〜125μｍとすることが最も好まし
い。上記厚みを適用すれば、搬送等に必要となるある程
度のテープ強度が維持されながらも回路パターンピッチ
も狂わな適当な範囲におさめられる。
は、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設
けることが好ましく、例えば、前記第２の接続部の位置
するフィルムの厚みを10μｍ〜50μｍとし、前記他の全
ての箇所のフィルムの厚みを50μｍ〜125μｍとするこ
とが好ましい。なお更に、前記他の全ての箇所のフィル
ムの厚みは75μｍ〜125μｍとすることが最も好まし
い。上記厚みを適用すれば、搬送等に必要となるある程
度のテープ強度が維持されながらも回路パターンピッチ
も狂わな適当な範囲におさめられる。
また、前記フィルムのうちで前記第２の接続部に位置
するフィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異
ならせて設ける他の手段としては、前記フィルムは一定
の平面状態を維持した第１及び第２のフィルムを有し、
前記第１のフィルムにおける一方の面上には前記第２の
接続部を含む前記回路パターンが形成され、前記第１の
フィルムにおける他方の面上には前記第２の接続部を除
く領域に前記第２のフィルムが形成されていてもよい。
この場合には、第１のフィルムと異なる第２のフィルム
を用いるので、後から第２のフィルムを付け加えること
もでき、選択的にフィルムを用いることができる。な
お、この場合も、前記第１のフィルムの厚みを10μｍ〜
50μｍとし、前記第２のフィルムの厚みを75μｍ〜125
μｍとすることが好ましい。
するフィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異
ならせて設ける他の手段としては、前記フィルムは一定
の平面状態を維持した第１及び第２のフィルムを有し、
前記第１のフィルムにおける一方の面上には前記第２の
接続部を含む前記回路パターンが形成され、前記第１の
フィルムにおける他方の面上には前記第２の接続部を除
く領域に前記第２のフィルムが形成されていてもよい。
この場合には、第１のフィルムと異なる第２のフィルム
を用いるので、後から第２のフィルムを付け加えること
もでき、選択的にフィルムを用いることができる。な
お、この場合も、前記第１のフィルムの厚みを10μｍ〜
50μｍとし、前記第２のフィルムの厚みを75μｍ〜125
μｍとすることが好ましい。
また、一定の平面状態を維持した第１のフィルムにお
ける一方の面上に前記第２の接続部を含む前記回路パタ
ーンを形成する工程と、前記第１のフィルムにおける前
記回路パターンの形成された面の反対面となる他方の面
上の前記第２の接続部を除く領域に前記第１のフィルム
よりも厚い第２のフィルムを貼付ける工程と、を含むた
め、適当なタイミングに応じて第２のフィルムを設ける
ことができる、またフィルムを貼付けるだけでよいた
め、簡易に取り付け可能となる。
ける一方の面上に前記第２の接続部を含む前記回路パタ
ーンを形成する工程と、前記第１のフィルムにおける前
記回路パターンの形成された面の反対面となる他方の面
上の前記第２の接続部を除く領域に前記第１のフィルム
よりも厚い第２のフィルムを貼付ける工程と、を含むた
め、適当なタイミングに応じて第２のフィルムを設ける
ことができる、またフィルムを貼付けるだけでよいた
め、簡易に取り付け可能となる。
また本発明に係るフィルムキャリアの他の製造方法と
しては、前記第２の接続部に位置するフィルムをエッチ
ングにて一部削ることで、前記位置のフィルムを他の箇
所のフィルムよりも薄く形成してもよい。
しては、前記第２の接続部に位置するフィルムをエッチ
ングにて一部削ることで、前記位置のフィルムを他の箇
所のフィルムよりも薄く形成してもよい。
また上記フィルムキャリアを用いた半導体装置は、外
部、例えば基板等の端子と第２の接続部を介して接続す
る際にピッチが狂うことなく接続できるため、接続にお
ける高信頼性を得ることができる。
部、例えば基板等の端子と第２の接続部を介して接続す
る際にピッチが狂うことなく接続できるため、接続にお
ける高信頼性を得ることができる。
［実施例］ 本発明の発明者は、上記の課題を解決すべく多くの試
験を行ない研究を重ねた。
験を行ない研究を重ねた。
例えば、第３図に示すように基板の端子（８）の幅W1
が40μｍ、端子（８）の間隔g1が60μｍ、半導体装置の
アウタリード（4a）の幅W2が20μｍ、アウタリード（4
a）の間隔g2が80μｍで、両者のピッチＰが100μｍの場
合、キャリアフィルム（１）の伸びにより端部のアウタ
リードのピッチＰが20μｍ以上（したがって端子（８）
の幅の２分の１以上）ずれると、両者の接合面積が少な
くなり、接合の信頼性が得られないことがわかった。
が40μｍ、端子（８）の間隔g1が60μｍ、半導体装置の
アウタリード（4a）の幅W2が20μｍ、アウタリード（4
a）の間隔g2が80μｍで、両者のピッチＰが100μｍの場
合、キャリアフィルム（１）の伸びにより端部のアウタ
リードのピッチＰが20μｍ以上（したがって端子（８）
の幅の２分の１以上）ずれると、両者の接合面積が少な
くなり、接合の信頼性が得られないことがわかった。
同様にして、第４図に示すように端子（８）の幅W1が
80μｍ、間隔g1が120μｍ、アウタリード（4a）の幅W2
が40μｍ、間隔g2が160μｍで、ピッチＰが200μｍの場
合、アウタリード（4a）のピッチＰが40μｍ（したがっ
て端子（８）の幅の２分の１）以上ずれると、信頼性の
ある接合が得られないことがわかった。このように、キ
ャリアフィルム（１）の伸びによるアウタリード（4a）
のずれは、基板の端子（８）の幅の２分の１以下でなけ
ればならないことがわかった。
80μｍ、間隔g1が120μｍ、アウタリード（4a）の幅W2
が40μｍ、間隔g2が160μｍで、ピッチＰが200μｍの場
合、アウタリード（4a）のピッチＰが40μｍ（したがっ
て端子（８）の幅の２分の１）以上ずれると、信頼性の
ある接合が得られないことがわかった。このように、キ
ャリアフィルム（１）の伸びによるアウタリード（4a）
のずれは、基板の端子（８）の幅の２分の１以下でなけ
ればならないことがわかった。
そこで、幅が11.9mmで、厚さが10μｍ、50μｍ、75μ
ｍ及び125μｍの各種のキャリアフィルム（１）の伸び
を求めたところ、表１の通りであった。
ｍ及び125μｍの各種のキャリアフィルム（１）の伸び
を求めたところ、表１の通りであった。
上記の伸び率をキャリアフィルム（１）の各種の幅に
つき、厚さ10μｍ、50μｍ、75μｍ、125μｍの場合に
ついて計算し、プロットした結果を第５図に示す。第５
図において、縦軸は基板の端子（８）とアウタリード
（4a）とのずれ量（μｍ）、換言すればキャリアフィル
ム（１）の伸び量、横軸はキャリアフィルム（１）のア
ウタリード（4a）が設けられている部分の幅（以下アウ
タリード部という）である。
つき、厚さ10μｍ、50μｍ、75μｍ、125μｍの場合に
ついて計算し、プロットした結果を第５図に示す。第５
図において、縦軸は基板の端子（８）とアウタリード
（4a）とのずれ量（μｍ）、換言すればキャリアフィル
ム（１）の伸び量、横軸はキャリアフィルム（１）のア
ウタリード（4a）が設けられている部分の幅（以下アウ
タリード部という）である。
第５図において、ずれ量の限界をピッチ100μｍの場
合20μｍ、200μｍの場合40μｍとすれば、厚さ125μｍ
のキャリアフィルムにおいては、使用できるキャリアフ
ィルムのアウタリード部の幅は、ピッチ100μｍの場合
は約12mm以下、ピッチ200μｍの場合は約17mm以下であ
る。同様にして厚さ75μｍのキャリアフィルムの場合は
約14.5mm以下又は約21μｍ以下、厚さ50μｍのキャリア
フィルムの場合は約18mm以下又は約26mm以下であり、厚
さ10μｍのキャリアフィルムの場合は、ピッチ100μｍ
の場合は約41mm以下、ピッチ200μｍの場合はさらに広
く使用できることがわかる。
合20μｍ、200μｍの場合40μｍとすれば、厚さ125μｍ
のキャリアフィルムにおいては、使用できるキャリアフ
ィルムのアウタリード部の幅は、ピッチ100μｍの場合
は約12mm以下、ピッチ200μｍの場合は約17mm以下であ
る。同様にして厚さ75μｍのキャリアフィルムの場合は
約14.5mm以下又は約21μｍ以下、厚さ50μｍのキャリア
フィルムの場合は約18mm以下又は約26mm以下であり、厚
さ10μｍのキャリアフィルムの場合は、ピッチ100μｍ
の場合は約41mm以下、ピッチ200μｍの場合はさらに広
く使用できることがわかる。
このように、第５図から狭ピッチになればキヤリアフ
ィルム（１）のアウタリード部の幅は狭くなり、アウタ
リード部の幅を広くするためには薄いキャリアフィルム
（１）を使用すればよいことが明らかになった。したが
って、薄い（例えば厚さ10μｍ）キャリアフィルム
（１）を使用すれば、アウタリード（4a）のずれが少な
く、多リードの半導体装置を得ることができる。
ィルム（１）のアウタリード部の幅は狭くなり、アウタ
リード部の幅を広くするためには薄いキャリアフィルム
（１）を使用すればよいことが明らかになった。したが
って、薄い（例えば厚さ10μｍ）キャリアフィルム
（１）を使用すれば、アウタリード（4a）のずれが少な
く、多リードの半導体装置を得ることができる。
しかしながら、キャリアフィルム（１）を薄くすると
機械的強度が低下して搬送が困難になるため、この面か
ら50μｍ〜125μｍの厚さのテープキャリア、更に好ま
しくは従来通り75μｍ〜125μｍの厚さのキャリアテー
プを使用することが望ましい。
機械的強度が低下して搬送が困難になるため、この面か
ら50μｍ〜125μｍの厚さのテープキャリア、更に好ま
しくは従来通り75μｍ〜125μｍの厚さのキャリアテー
プを使用することが望ましい。
本発明は、上記の相反する要件を踏えてなされたもの
で、以下図面によりこれを説明する。
で、以下図面によりこれを説明する。
第１図は本発明実施例の模式図である。（１）は母体
に平面上をなし所望の位置に開口部を有するフィルムを
含み、通常の厚さ（例えば75μｍ〜125μｍ）のキャリ
アフィルムで、その一方の面には銅箔等により回路パタ
ーン（３）が設けられており、一端に第１の接続部とし
てインナリード（４）が、また、他端に第２の接続部と
してアウタリード（4a）が形成されている。本発明にお
いては、アウタリード（4a）上のキャリアフィルム（1
a）を、例えばアルカリによってエッチングし、伸びの
少ない厚さ（例えば10μｍ〜50μｍ）としたものであ
る。
に平面上をなし所望の位置に開口部を有するフィルムを
含み、通常の厚さ（例えば75μｍ〜125μｍ）のキャリ
アフィルムで、その一方の面には銅箔等により回路パタ
ーン（３）が設けられており、一端に第１の接続部とし
てインナリード（４）が、また、他端に第２の接続部と
してアウタリード（4a）が形成されている。本発明にお
いては、アウタリード（4a）上のキャリアフィルム（1
a）を、例えばアルカリによってエッチングし、伸びの
少ない厚さ（例えば10μｍ〜50μｍ）としたものであ
る。
すなわち本例でのキャリアフィルムは、フィルム上に
設けられる第２の接続部に相当するフィルムの厚みを、
他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けている。特
に前記第２の接続部の位置するフィルムの厚みは、他の
全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設けることが好
ましく、例えば、第２の接続部の位置するフィルムの厚
みを10μｍ〜50μｍとし、他の全ての箇所のフィルムの
厚みを50μｍ〜125μｍ、なお更には、他の全ての箇所
のフィルムの厚みは75μｍ〜125μｍとすることが最も
好ましい。
設けられる第２の接続部に相当するフィルムの厚みを、
他の箇所のフィルムの厚みと異ならせて設けている。特
に前記第２の接続部の位置するフィルムの厚みは、他の
全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く設けることが好
ましく、例えば、第２の接続部の位置するフィルムの厚
みを10μｍ〜50μｍとし、他の全ての箇所のフィルムの
厚みを50μｍ〜125μｍ、なお更には、他の全ての箇所
のフィルムの厚みは75μｍ〜125μｍとすることが最も
好ましい。
このように構成することにより、全体としては厚いキ
ャリアフィルム（１）を使用しているので機械的強度が
低下することがなく、搬送等に支障を来すことはない。
また、基板の端子（８）との接合にあたっては、この部
分のキャリアフィルム（１）が薄いので伸びによるピッ
チのずれが少なく、基板の端子（８）と確実に接合でき
るので信頼性の高い半導体装置を得ることができる。さ
らに、キャリアフィルム（１）の伸びが少ないので一本
あたりのアウタリードの幅を狭く形成することができ、
その分アウタリードの数を増加することができる。
ャリアフィルム（１）を使用しているので機械的強度が
低下することがなく、搬送等に支障を来すことはない。
また、基板の端子（８）との接合にあたっては、この部
分のキャリアフィルム（１）が薄いので伸びによるピッ
チのずれが少なく、基板の端子（８）と確実に接合でき
るので信頼性の高い半導体装置を得ることができる。さ
らに、キャリアフィルム（１）の伸びが少ないので一本
あたりのアウタリードの幅を狭く形成することができ、
その分アウタリードの数を増加することができる。
第２図は本発明の他の実施例の模式図である。本実施
例は伸びの少ない厚さ（例えば10μｍ〜50μｍ）のキャ
リアフィルム（1b）の一方の面に銅箔等により回路パタ
ーン（３）を形成し、他方の面のアウタリード（4a）を
除く部分に、全体として通常の厚さ（75μｍ〜125μ
ｍ）になるようにキャリアフィルム（1b）より厚い絶縁
フィルム（1c）を接着剤等により貼付けたもので、その
作用効果は第１図の実施例の場合と同様である。
例は伸びの少ない厚さ（例えば10μｍ〜50μｍ）のキャ
リアフィルム（1b）の一方の面に銅箔等により回路パタ
ーン（３）を形成し、他方の面のアウタリード（4a）を
除く部分に、全体として通常の厚さ（75μｍ〜125μ
ｍ）になるようにキャリアフィルム（1b）より厚い絶縁
フィルム（1c）を接着剤等により貼付けたもので、その
作用効果は第１図の実施例の場合と同様である。
上記第１図、第２図の実施例において、アウタリード
部のキャリアフィルムのエッチング作業又はアウタリー
ド部を除く部分にフィルムを貼付ける作業は、各半導体
素子及び回路パターンをキャリアフィルムから切離した
のち行なってもよいが、切離す前の長尺の状態で行なっ
た方が生産性の面で望ましい。
部のキャリアフィルムのエッチング作業又はアウタリー
ド部を除く部分にフィルムを貼付ける作業は、各半導体
素子及び回路パターンをキャリアフィルムから切離した
のち行なってもよいが、切離す前の長尺の状態で行なっ
た方が生産性の面で望ましい。
以上説明したように、本例ではTAB型の半導体装置に
おいて、アウタリード部のキャリアフィルムを他の部分
よりも薄く形成したので、基板等の端子に接続するにあ
たってキャリアフィルムの伸びが少なく、したがってア
ウタリードのピッチの変化も少ないため、両者を確実に
接合することができ、信頼性の高い半導体装置を得るこ
とができる。
おいて、アウタリード部のキャリアフィルムを他の部分
よりも薄く形成したので、基板等の端子に接続するにあ
たってキャリアフィルムの伸びが少なく、したがってア
ウタリードのピッチの変化も少ないため、両者を確実に
接合することができ、信頼性の高い半導体装置を得るこ
とができる。
また、アウタリード部のキャリアフィルムの伸びが少
ないので、この部分を長くすることができ、その結果ア
ウタリードの数を増加することができる。
ないので、この部分を長くすることができ、その結果ア
ウタリードの数を増加することができる。
［発明の効果］ 以上詳記したように、本発明に係るキャリアフィルム
は、フィルム上に設けられる第２の接続部に相当するフ
ィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせ
て設けることで、第２の接続部でのフィルムの伸縮状態
に応じて一定の回路パターンピッチを得ることができ
る。
は、フィルム上に設けられる第２の接続部に相当するフ
ィルムの厚みを、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせ
て設けることで、第２の接続部でのフィルムの伸縮状態
に応じて一定の回路パターンピッチを得ることができ
る。
第１図は、第２図は本発明実施例を説明するための模式
図、第３図（ａ），（ｂ）及び第４図（ａ），（ｂ）は
基板の端子とアウタリードとの位置関係を示す説明図、
第５図はアウタリード部の幅と端子とアウタリードとの
ずれ量との関係を示す線図、第６図はTAB形半導体装置
の一例を示す平面図、第７図は第６図のＡ−Ａ断面図、
第８図（ａ）は従来のTAB形半導体装置のアウタリード
と端子との接続状態を示す平面図、（ｂ）はその正面図
である。 （１）：キャリアフィルム、（1a）：薄くしたキャリア
フィルム、（1b）：薄いキャリアフィルム、（1c）：絶
縁フィルム、（３）：回路パターン、（４）：インナリ
ード、（4a）：アウタリード、（６）：半導体素子、
（８）：基板の端子。
図、第３図（ａ），（ｂ）及び第４図（ａ），（ｂ）は
基板の端子とアウタリードとの位置関係を示す説明図、
第５図はアウタリード部の幅と端子とアウタリードとの
ずれ量との関係を示す線図、第６図はTAB形半導体装置
の一例を示す平面図、第７図は第６図のＡ−Ａ断面図、
第８図（ａ）は従来のTAB形半導体装置のアウタリード
と端子との接続状態を示す平面図、（ｂ）はその正面図
である。 （１）：キャリアフィルム、（1a）：薄くしたキャリア
フィルム、（1b）：薄いキャリアフィルム、（1c）：絶
縁フィルム、（３）：回路パターン、（４）：インナリ
ード、（4a）：アウタリード、（６）：半導体素子、
（８）：基板の端子。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (11)
- 【請求項１】平面状をなし所望の位置に開口部を有する
フィルムと、一方に前記開口部内へ突出して第１の接続
部に相当する部位を有するとともに他方に前記フィルム
上に位置して第２の接続部に相当する部位を有する回路
パターンと、を有するキャリアフィルムであって、 前記第２の接続部及び前記第２の接続部側の端部までを
含む位置に相当するフィルムの厚みは、他の箇所のフィ
ルムの厚みと異ならせて設けられてなることを特徴とす
るキャリアフィルム。 - 【請求項２】前記第２の接続部の位置するフィルムの厚
みは、前記他の全ての箇所のフィルムの厚みよりも薄く
設けられてなることを特徴とする請求項１記載のキャリ
アフィルム。 - 【請求項３】前記第２の接続部の位置するフィルムの厚
みを１μｍ〜50μｍとし、前記他の全ての箇所のフィル
ムの厚みを50μｍ〜125μｍとすることを特徴とする請
求項２記載のキャリアフィルム。 - 【請求項４】前記他の全ての箇所のフィルムの厚みを75
μｍ〜125μｍとすることを特徴とする請求項３記載の
キャリアフィルム。 - 【請求項５】前記第１の接続部は半導体素子が接続され
るインナリード部とし、前記第２の接続部は外部との接
続に用いられるアウターリード部とすることを特徴とす
る請求項１乃至４記載のキャリアフィルム。 - 【請求項６】前記フィルムは一定の平面状態を維持した
第１及び第２のフィルムを有し、 前記第１のフィルムにおける一方の面上には前記第２の
接続部を含む前記回路パターンが形成され、前記第１の
フィルムにおける他方の面上には前記第２の接続部を除
く領域に前記第２のフィルムが形成されてなることを特
徴とする請求項１記載のキャリアフィルム。 - 【請求項７】前記第１のフィルムの厚みを10μｍ〜50μ
ｍとし、前記第２のフィルムの厚みを75μｍ〜125μｍ
とすることを特徴とする請求項６記載のキャリアフィル
ム。 - 【請求項８】所望の位置に開口部を有し、一方が前記開
口部内に突出した第１の接続部であり他方が前記フィル
ム上に位置して第２の接続部である回路パターンを有す
るキャリアフィルムの製造方法であって、 一定の平面状態を維持した第１のフィルムにおける一方
の面上に前記第２の接続部を含む前記回路パターンを形
成する工程と、 前記第１のフィルムにおける前記回路パターンの形成さ
れた面に反対面となる他方の面上の前記第２の接続部を
除く領域に前記第１のフィルムよりも厚い第２のフィル
ムを貼付ける工程と、 を含んでなることを特徴とするキャリアフィルムの製造
方法。 - 【請求項９】所望の位置に開口部を有し、一方が前記開
口部内に突出した第１の接続部であり他方が前記フィル
ム上に位置して第２の接続部である回路パターンを有す
るキャリアフィルムの製造方法であって、 前記第２の接続部及び前記第２の接続部側の端部までを
含む位置に相当するフィルムをエッチングにて一部削
り、前記位置のフィルムを他の箇所のフィルムよりも薄
く形成する工程を含んでなることを特徴とするキャリア
フィルムの製造方法。 - 【請求項１０】平面状をなし所望の位置に開口部を有す
るフィルムと、一方が前記開口部内に突出した第１の接
続部であり他方が前記フィルム上に位置して第２の接続
部である回路パターンとを有し、前記第２の接続部及び
前記第２の接続部側の端部までを含む位置に相当するフ
ィルムの厚みが、他の箇所のフィルムの厚みと異ならせ
て設けられてなるキャリアフィルムと、前記キャリアフ
ィルムの前記第１の接続部に接続された半導体素子と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】前記第２の接続部及び前記第２の接続部
側の端部までを含む位置に相当するフィルムの厚みは、
前記他の箇所のフィルムの厚みよりも薄く形成されてな
ることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7867490A JP2811888B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7867490A JP2811888B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280443A JPH03280443A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2811888B2 true JP2811888B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=13668417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7867490A Expired - Fee Related JP2811888B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811888B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP7867490A patent/JP2811888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03280443A (ja) | 1991-12-11 |
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