JPH047850A - テープキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式により形成される半導体装
置におけるテープキャリア形状の改良に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

半導体素子の電極数が増加するにつれて、電極ピッチが
次第に小さくなってきているが、それに伴いテープキャ
リア上に形成される、半導体素子の電極と接続を取るた
めの突出形状の電極のピッチも小さくしなければならな
くなってきている。

第４図は従来のテープキャリアの半導体素子配役部分を
示す斜視図、第６図は第４図のテープキャリアを用いて
半導体素子の電極とリードとを接続した状態を示す部分
断面図である。

図において、１はテープキャリアの母材（以下ベースフ
ィルムと称す）、２は半導体素子の電極と接続するため
の突出形状のリード、５は半導体素子、４はこの半導体
素子５に形成された突起電極である。

第４図に示すよ・うなり一にパターンは、例えば次のよ
うにして形成される。

まず、ポリイミド等からなるベースフィルム１を半導体
素子５のサイズに合わせて、打抜き等により開口部分を
形成し、さらにこのベースフィルム１全体に、例えば銅
等からなる金属箔を接着する。

その後、写真製版やエツチング等の技法を用いて、半導
体素子の電極位置に相当する座標にリ一ド２のパターン
を形成する。

そして最後にＡｕやＳｎのめっきが施される。

上記のようにして形成されたテープキャリアのリード２
と半導体素子５の電極４とを接合するには、第６図に示
すように、ベースフィルム１の開口部分に半導体素子５
を配設し、半導体素子５の電極４上に、リード２を位置
合わせした後、全リード−括して、４５０〜６００°Ｃ
に加熱したツールを押し当てるか、またはリード１本ず
つに超音波を加えたツールを押し当てることによってな
される。

［発明が解決しようとする課題〕 従来のテープキャリアは以上のように構成されており、
リード位置は半導体素子の電極位置に合わせて形成され
ているので、位置合わせを完全に行えば、すべてのリー
ドと電極との位置は一致するが、リードは厚みが、例え
ば１８〜３５μｍ程度の銅箔から形成されており、半導
体素子の電極数の増加に伴いリードピッチが小さくなる
につれて、リード幅も例えば、２５〜４０μｍと次第に
小さくしなければならず、リードをこのように薄くかつ
細いものとすると、例えば、テープキャリアの製造時や
、テープキャリアの運搬時、あるいはボンディングの際
の搬送時に、第５図に示すようなリードの変形を起こし
、この変形したリード６のためリードの位置がずれてし
まう場合があり、かかるリード位置ずれが生じた場合、
この位置ずれを修正する有効な手段がなく、従来は不良
テープとして捨てられていた。

ゆえに、従来のテープキャリアのリード形状では、リー
ドピッチを小さくすることが困難であり、テープの歩留
が悪く、ひいては製造コストが高くなるという問題点が
あった。

この発明は上記の様な問題点を解決するためになされた
もので外部応力によるリードの変形が生じないようなテ
ープキャリアを得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るテープキャリアは、リード先端に電気的
に絶縁性のフィルムを設け、全てのり−ドを機械的に連
結したものである。

〔作用〕

この発明においては、電気的に絶縁性のフィルムでリー
ドをすべて連結したので、このフィルムによってリード
位置が固定され、機械的衝撃にも強くなり、リード変形
による位置ずれがなくなり、その結果、微小なピッチの
リード形成が可能となる。

〔実施例］ 第１図はこの発明の一実施例によるテープキャリアの半
導体素子配設部分を示す斜視図、第２図は半導体素子の
電極とテープキャリアのリードとが位置合わせされた状
態を示す拡大図、第３図は半導体素子の電極とテープキ
ャリアのリードとが接続された状態を示す部分断面図で
あり、第４図ないし第６図と同一符号は同一または相当
部分を示し１．３はリード変形防止のための電気的に絶
縁性のフィルムである。

第１図に示すような形状のテープキャリアは、例えば次
の様にして形成される。

まず、ポリイミド等から成るベースフィルム１上に写真
製版、電気めっき等の手段を用いてリードパターン２を
形成する。

その後、半導体素子５を配設させるための開口部をリー
ド変形防止部分に相当するフィルム３を残した形で、写
真製版、エツチングの手法を用いて形成する。この時、
リード２と半導体素子５の電極４とを第３図に示す構造
で接合するのに、リード変形防止用フィルム３の厚みを
電極４の高さよりも小さくする必要がある。

すなわち、ベースフィルム１の厚みは通常、例えば５０
〜７５μｍ程度であり、電極４の高さは通常、例えば２
０〜３０１１ｍ程度であり、しかるに、上記開口部形成
後、リード変形防止用フィルム３のみを２０〜５５μｍ
程度エツチングして、電極４の高さよりも低くする必要
がある。

そして最後に、ＡｕやＳｎのめっきが施される。

上記のようにして形成されたテープキャリアのり一ド２
と半導体素子の電極４とを、従来と同様の接合方法でも
って行なう。

このように本実施例によれば、ベースフィルム１上にリ
ードパターンを形成し、半導体素子配設用の開口を形成
する際に、リードパターン先端にリード間を接続するよ
うにベースフィルムを残して開口したので、リード変形
防止用フィルム３とリード２との単位面積当たりの接着
力は、ベースフィルム部分１とリード２とのそれと同等
であり、このような接着力で各リードが機械的に連結さ
れているので、テープキャリアの製造時や、テープキャ
リアの運搬時、あるいはボンディング等の工程内でのテ
ープキャリア搬送時に機械的な衝撃によって任意のリー
ドだけが変形して位置ずれを起こすことはなく、耐衝撃
性が著しく向上する。

また、リードピッチが小さくなった場合でも、リード数
が増すためにリード変形防止用フィルムとリードとの全
体的な接着面積は小さくならず、対衝撃性を維持するこ
とができ、ゆえにリードピッチが小さくなっても、リー
ドの変形によるテープキャリアの歩留低下を防ぐことが
でき、ひいては製造コストを低く抑えることができる。

なお、上記実施例ではリード変形防止用フィルム３が、
半導体素子５の配設用開口部の各辺に対して独立した形
状のものを示したが、第７図のように隣り合う辺毎に連
結した形状であってもよく、また第８図の様にリード変
形防止用フィルムとベースフィルムとを一体形成した形
状でもよい。

さらに上記実施例では、第３図の様な構造で半導体素子
の電極とリードとを接合するのに、リード変形防止用フ
ィルムの厚みを、半導体素子の突起電極の高さより小さ
くしたが、第９図に示すように、ベースフィルム１と反
対側に半導体素子を配設する構造で接合する場合、リー
ド変形防止用フィルム３の厚みはベースフィルムの厚み
と同しあってもよく、上記実施例と同様の効果が得られ
る。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係るテープキャリアによれば
、リードを電気的絶縁性フィルムで機械的に連結したの
で、テープキャリアの製造や種々の工程におけるテープ
キャリアの搬送時の外的衝撃により、リードの変形によ
る位置ずれが生じなくなり、従って、リードのピッチを
小さくしても、テープキャリアの歩留が低下することな
く、ひいては、製造コストを低くすることができるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例によるテープキャリアの半導
体素子配役部分を示す斜視図、第２図は本発明の一実施
例によるテープキャリアを用い半導体素子の電極とリー
ドとを位置合わせした状態を示す拡大図、第３図は本発
明の一実施例によるテープキャリアを用いて半導体素子
の電極とテープキャリアのリードとを接合した状態を示
す部分断面図である。また、第４図は従来のテープキャ
リアの半導体素子配設部分を示す斜視図、第５図は従来
のテープキャリアにおいてリードが変形して位置ずれを
起こした状態を示す拡大図、第６図は従来のテープキャ
リアを用いて半導体素子の電極とリードとを接合した状
態を示す部分断面図、第７図ないし第９図は本発明の他
の実施例によるテープキャリアの半導体素子配設部分を
示す斜視図である。 図において、１はベースフィルム、２はリード、３．７
，８．９はリード変形防止用フィルム、４は半導体素子
の電極、５は半導体素子、６は変形したリードである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子を配設させるための開口部と、該開口
   部に半導体素子の電極と接続をとるための複数の突出形
   状の電極（リード）を有するテープキャリアにおいて、 上記複数の突出形状の電極を電気的絶縁性フィルムによ
   って互いに機械的に連結したことを特徴とするテープキ
   ャリア。