JPH05283473A - フィルムキャリア半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップのボンディングパッド側にもキャ
リアテープ上の銅箔リード側にもバンプの形成を必要と
せず、それだけ生産性を高める。 【構成】スプロケット孔１１１，デバイス孔１１２と銅
箔リード１４とを有するキャリアテープ１１に加えて、
銅箔リード１４の先端部したがって半導体チップ１２上
のボンディングパッド１２Ａの位置にそれぞれ対応する
位置に金属片１５２を選択的エッチングにより表面端部
に形成した補助キャリアテープ１５を用いる。これらキ
ャリアテープ１１と補助キャリアテープ１５とが同一の
スプロケット送り機構により目合せ重ね合せられた状態
で熱圧着／共晶形成手段に送られ、金属片１５２の各々
の一端が銅箔リード１４先端にそれぞれ熱圧着後、銅箔
リード１４先端とボンディングパッド１２Ａとの目合せ
位置まで機械的に送られ、その位置でギャングボンディ
ングにかけられる。
リアテープ上の銅箔リード側にもバンプの形成を必要と
せず、それだけ生産性を高める。 【構成】スプロケット孔１１１，デバイス孔１１２と銅
箔リード１４とを有するキャリアテープ１１に加えて、
銅箔リード１４の先端部したがって半導体チップ１２上
のボンディングパッド１２Ａの位置にそれぞれ対応する
位置に金属片１５２を選択的エッチングにより表面端部
に形成した補助キャリアテープ１５を用いる。これらキ
ャリアテープ１１と補助キャリアテープ１５とが同一の
スプロケット送り機構により目合せ重ね合せられた状態
で熱圧着／共晶形成手段に送られ、金属片１５２の各々
の一端が銅箔リード１４先端にそれぞれ熱圧着後、銅箔
リード１４先端とボンディングパッド１２Ａとの目合せ
位置まで機械的に送られ、その位置でギャングボンディ
ングにかけられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリア半導体
装置とその製造方法に関する。
装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルムキャリア半導体装置は、例え
ば、米国特許第３，６８９，９９１号明細書に記載され
るとおり、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅方向
両端部および幅方向中央部に予め定めた間隔でそれぞれ
設けられた複数のスプロケット孔および複数のデバイス
孔と印刷配線により表面に形成された銅箔リードとを有
するキャリアテープと、このキャリアテープの上記デバ
イス孔の各々に位置し上記銅箔リードにギャングボンデ
ィングによる熱圧着または共晶形成によりそれぞれ接続
された複数の電極ボンディングパッドを有する半導体チ
ップとを備える。デバイス孔部分に位置する半導体チッ
プは、この電極リード接続工程のあと平板状に樹脂モー
ルドされる。モールド工程のあとキャリアテープ搭載の
ままの状態で電気的特性の検査が行われ出荷される。
ば、米国特許第３，６８９，９９１号明細書に記載され
るとおり、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅方向
両端部および幅方向中央部に予め定めた間隔でそれぞれ
設けられた複数のスプロケット孔および複数のデバイス
孔と印刷配線により表面に形成された銅箔リードとを有
するキャリアテープと、このキャリアテープの上記デバ
イス孔の各々に位置し上記銅箔リードにギャングボンデ
ィングによる熱圧着または共晶形成によりそれぞれ接続
された複数の電極ボンディングパッドを有する半導体チ
ップとを備える。デバイス孔部分に位置する半導体チッ
プは、この電極リード接続工程のあと平板状に樹脂モー
ルドされる。モールド工程のあとキャリアテープ搭載の
ままの状態で電気的特性の検査が行われ出荷される。
【０００３】上述のとおり、フィルムキャリア半導体装
置は、チップ上の電極ボンディングパッドと銅箔リード
との接続にギャングボンディングを利用できるので生産
性が高い。また、キャリアテープ搭載の状態で出荷され
るので、ユーザ側における電子装置組立工程の自動化に
適している。さらに上述の構造を備えることにより、フ
ィルムキャリア半導体装置はパッケージを薄くでき、電
子装置をそれだけ小型化できる。また、キャリアテープ
は可撓性を備えるのでＬＣＤディスプレイのドライバ回
路など導体素子の立体的配置を要する回路に適してい
る。
置は、チップ上の電極ボンディングパッドと銅箔リード
との接続にギャングボンディングを利用できるので生産
性が高い。また、キャリアテープ搭載の状態で出荷され
るので、ユーザ側における電子装置組立工程の自動化に
適している。さらに上述の構造を備えることにより、フ
ィルムキャリア半導体装置はパッケージを薄くでき、電
子装置をそれだけ小型化できる。また、キャリアテープ
は可撓性を備えるのでＬＣＤディスプレイのドライバ回
路など導体素子の立体的配置を要する回路に適してい
る。
【０００４】このように多くの利点を備えるものの、フ
ィルムキャリア半導体装置は、上記電気リード接続工程
に困難な問題を抱える。すなわち、上記ギャングボンデ
ィングによる電極ボンディングパッドと銅箔リードとの
接続を確実にするために金属片を両者間に介在させる必
要があるのである。
ィルムキャリア半導体装置は、上記電気リード接続工程
に困難な問題を抱える。すなわち、上記ギャングボンデ
ィングによる電極ボンディングパッドと銅箔リードとの
接続を確実にするために金属片を両者間に介在させる必
要があるのである。
【０００５】この必要を満たす一つの手法は、米国特許
第３，３８０，１５５号、特開昭５４−２６６２号公報
に記載されているとおり、半導体チップ上のボンディン
グパッドの各々にその種の金属のボールを予め付着させ
る。この手法は、金属ボールを多数のボンディングパッ
ドにそれぞれ付着させる必要があるので生産性が低い。
それだけでなく、ギャングボンディング工程で要求され
る金属ボールの高さの均一性の確保が困難になる。
第３，３８０，１５５号、特開昭５４−２６６２号公報
に記載されているとおり、半導体チップ上のボンディン
グパッドの各々にその種の金属のボールを予め付着させ
る。この手法は、金属ボールを多数のボンディングパッ
ドにそれぞれ付着させる必要があるので生産性が低い。
それだけでなく、ギャングボンディング工程で要求され
る金属ボールの高さの均一性の確保が困難になる。
【０００６】上記の必要を満たすもう一つの手法は、銅
箔リードの各々の先端部が厚くなるように加工するもの
である。例えば、ソリッドステートテクノロジ（Ｓｏｌ
ｉｄＳｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）誌日本語版１
９７８年１１月号，第３３頁〜第３５頁所載の提案で
は、銅箔リードの先端部以外の部分をハーフエッチング
により薄くし、結果的に厚い状態で残ったそのリード先
端部をバンプとする。この手法は、銅箔リードの一部を
ハーフエッチングするための複雑なパターンニングを必
要とし、しかも絶縁物から成るキャリアテープ上の銅箔
の加工には適用し難い。
箔リードの各々の先端部が厚くなるように加工するもの
である。例えば、ソリッドステートテクノロジ（Ｓｏｌ
ｉｄＳｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）誌日本語版１
９７８年１１月号，第３３頁〜第３５頁所載の提案で
は、銅箔リードの先端部以外の部分をハーフエッチング
により薄くし、結果的に厚い状態で残ったそのリード先
端部をバンプとする。この手法は、銅箔リードの一部を
ハーフエッチングするための複雑なパターンニングを必
要とし、しかも絶縁物から成るキャリアテープ上の銅箔
の加工には適用し難い。
【０００７】一方、特公昭６１−３１８１９号公報記載
の提案は、ガラス等の基板上で銅箔リードの各々の先端
部に対応する位置にバンプ形成金属片を電解めっき法に
より予め形成し、これらバンプ形成金属片をキャリアテ
ープ上の銅箔リードに転写と同様の方法で付着させボン
ディングしてこれらの金属片をバンプとする。この手法
はコスト低減には有効とみられるものの、バンプ形成金
属片の形成に電解めっき工程を要し、全体として工程の
単純化を達成していない。
の提案は、ガラス等の基板上で銅箔リードの各々の先端
部に対応する位置にバンプ形成金属片を電解めっき法に
より予め形成し、これらバンプ形成金属片をキャリアテ
ープ上の銅箔リードに転写と同様の方法で付着させボン
ディングしてこれらの金属片をバンプとする。この手法
はコスト低減には有効とみられるものの、バンプ形成金
属片の形成に電解めっき工程を要し、全体として工程の
単純化を達成していない。
【０００８】図５（Ａ），（Ｂ）を参照すると、この図
に示した従来のフィルムキャリア半導体装置はポリイミ
ドなどの絶縁物の長尺のフィルムから成り幅方向両端部
にスプロケット孔１１１を同中央部にデバイス孔１１２
をそれぞれ備えるキャリアテープ１１と、ボンディング
パッド１２Ａ上に金属バンプ１３を形成した半導体チッ
プ１２と、キャリアテープ１１の表面にプリント配線の
技術により形成した銅箔リード１４とを備える。
に示した従来のフィルムキャリア半導体装置はポリイミ
ドなどの絶縁物の長尺のフィルムから成り幅方向両端部
にスプロケット孔１１１を同中央部にデバイス孔１１２
をそれぞれ備えるキャリアテープ１１と、ボンディング
パッド１２Ａ上に金属バンプ１３を形成した半導体チッ
プ１２と、キャリアテープ１１の表面にプリント配線の
技術により形成した銅箔リード１４とを備える。
【０００９】図５（Ｂ）を併せ参照すると、この半導体
装置の製造方法においては、銅箔リード１４と、半導体
チップ１２のパッド１２Ａとを上述のバンプ１３を介し
て熱圧着あるいは共晶形成によりギャングボンディング
する。次に、ボンディング済のこの半導体チップ１２を
デバイス孔１１２の部分で樹脂封止し、さらに電気的特
性試験にかけた後キャリアテープ１１を巻芯に巻いた形
で出荷する。
装置の製造方法においては、銅箔リード１４と、半導体
チップ１２のパッド１２Ａとを上述のバンプ１３を介し
て熱圧着あるいは共晶形成によりギャングボンディング
する。次に、ボンディング済のこの半導体チップ１２を
デバイス孔１１２の部分で樹脂封止し、さらに電気的特
性試験にかけた後キャリアテープ１１を巻芯に巻いた形
で出荷する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリア半導体装置とその製造方法は、半導体チップ
のボンディングパッドにバンプを形成する必要があり、
このバンプの形成のための費用が高いという欠点を有し
ている。また、この欠点を解決するための従来提案され
ている方法は、いずれも、費用は幾分低下できても時間
が余分にかかる等の不完全なものであるという問題点が
あった。
ムキャリア半導体装置とその製造方法は、半導体チップ
のボンディングパッドにバンプを形成する必要があり、
このバンプの形成のための費用が高いという欠点を有し
ている。また、この欠点を解決するための従来提案され
ている方法は、いずれも、費用は幾分低下できても時間
が余分にかかる等の不完全なものであるという問題点が
あった。
【００１１】したがって、本発明の目的は、半導体チッ
プの電極ボンディングパッド側にもキャリアテープ上の
銅箔リード側にもバンプの形成を必要とせず、それだけ
生産性を高めたフィルムキャリア型半導体装置およびそ
の製造方法を提供することである。
プの電極ボンディングパッド側にもキャリアテープ上の
銅箔リード側にもバンプの形成を必要とせず、それだけ
生産性を高めたフィルムキャリア型半導体装置およびそ
の製造方法を提供することである。
【００１２】本発明の他の目的は、多端子半導体チップ
を含むフィルムキャリア型半導体装置およびその製造方
法を提供することである。
を含むフィルムキャリア型半導体装置およびその製造方
法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア半導体装置は、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り
幅方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予
め定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット
孔および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選
択的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス
孔の各々の中心に向かって指状に突出するように形成さ
れた複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテー
プと、前記複数の金属箔リードの先端部にそれぞれ対応
する位置に前記印刷配線技術により形成した複数の金属
片を支持しそれら金属片において前記第１のキャリアテ
ープに加熱圧着された第２のキャリアテープと、表面に
予め形成されたボンディングパッドにおいてこれら金属
片と一挙にそれぞれ加熱圧着された半導体チップとを備
えて構成されている。
ア半導体装置は、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り
幅方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予
め定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット
孔および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選
択的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス
孔の各々の中心に向かって指状に突出するように形成さ
れた複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテー
プと、前記複数の金属箔リードの先端部にそれぞれ対応
する位置に前記印刷配線技術により形成した複数の金属
片を支持しそれら金属片において前記第１のキャリアテ
ープに加熱圧着された第２のキャリアテープと、表面に
予め形成されたボンディングパッドにおいてこれら金属
片と一挙にそれぞれ加熱圧着された半導体チップとを備
えて構成されている。
【００１４】また、本発明のフィルムキャリア半導体装
置の製造方法は、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り
幅方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予
め定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット
孔および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選
択的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス
孔の各々の中心に向かって指状に突出するように形成さ
れた複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテー
プを作成する工程と、前記スプロケット孔と符合する位
置にスプロケット孔を有するとともに前記印刷配線技術
により複数の金属片を形成した第２のキャリアテープを
作成する工程と、前記スプロケット孔に係合するスプロ
ケット駆動手段により前記第１および第２のキャリアテ
ープを駆動し前記金属片と前記金属箔リードの先端部と
の加熱圧着によりこれらキャリアテープを結合する工程
と、表面に予め形成された複数のボンデイングパッドと
前記金属片とが目合せされた状態で半導体チップを前記
金属片にギャングボンドする工程とを含むことを特徴と
するものである。
置の製造方法は、細長い帯状の絶縁物フィルムから成り
幅方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予
め定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット
孔および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選
択的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス
孔の各々の中心に向かって指状に突出するように形成さ
れた複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテー
プを作成する工程と、前記スプロケット孔と符合する位
置にスプロケット孔を有するとともに前記印刷配線技術
により複数の金属片を形成した第２のキャリアテープを
作成する工程と、前記スプロケット孔に係合するスプロ
ケット駆動手段により前記第１および第２のキャリアテ
ープを駆動し前記金属片と前記金属箔リードの先端部と
の加熱圧着によりこれらキャリアテープを結合する工程
と、表面に予め形成された複数のボンデイングパッドと
前記金属片とが目合せされた状態で半導体チップを前記
金属片にギャングボンドする工程とを含むことを特徴と
するものである。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１６】図１は本発明のフィルムキャリア半導体装
置の一実施例を示す（Ａ）は平面図、（Ｂ）は、Ａ−Ａ
断面図であり、図５の従来例の構成部分と同じ部分を同
じ参照数字で示している。
置の一実施例を示す（Ａ）は平面図、（Ｂ）は、Ａ−Ａ
断面図であり、図５の従来例の構成部分と同じ部分を同
じ参照数字で示している。
【００１７】図１（Ａ），および（Ｂ）を参照すると、
本実施例の半導体装置は、キャリアテープ１１の銅箔リ
ード１４の各々の先端部と半導体チップ１２の表面パッ
ド１２１との間に挿入される金属片１５１を縁部に形成
した補助キャリアテープ１５を備える。なお、図１
（Ａ），および（Ｂ）において、補助キャリアテープ１
５は半導体チップ１２とともに樹脂封止をされる部分以
外を全部切除した形で示している。
本実施例の半導体装置は、キャリアテープ１１の銅箔リ
ード１４の各々の先端部と半導体チップ１２の表面パッ
ド１２１との間に挿入される金属片１５１を縁部に形成
した補助キャリアテープ１５を備える。なお、図１
（Ａ），および（Ｂ）において、補助キャリアテープ１
５は半導体チップ１２とともに樹脂封止をされる部分以
外を全部切除した形で示している。
【００１８】図２（Ａ），および（Ｂ）を参照すると、
上述の切除工程の前の補助キャリアテープ１５は上述の
キャリアテープ１１と同様にポリイミドなどの絶縁物の
長尺のフィルムから成り、キャリアテープ１１の表面の
銅箔リード１４の先端部とそれぞれ対応する位置に、四
つの台形開口１５３を跨いで、複数の金属片１５２をプ
リント配線の技術により形成する。この補助キャリアテ
ープ１５の幅方向両端部にはキャリアテープ１１のスプ
ロケット孔１１１とそれぞれ位置の一致するスプロケッ
ト孔１５１を設ける。
上述の切除工程の前の補助キャリアテープ１５は上述の
キャリアテープ１１と同様にポリイミドなどの絶縁物の
長尺のフィルムから成り、キャリアテープ１１の表面の
銅箔リード１４の先端部とそれぞれ対応する位置に、四
つの台形開口１５３を跨いで、複数の金属片１５２をプ
リント配線の技術により形成する。この補助キャリアテ
ープ１５の幅方向両端部にはキャリアテープ１１のスプ
ロケット孔１１１とそれぞれ位置の一致するスプロケッ
ト孔１５１を設ける。
【００１９】製造の段階では、キャリアテープ１１の下
側に補助キャリアテープ１５を重ねてスプロケット送り
機構（図示しない）にかけて、半導体チップ１２のパッ
ド１２Ａと銅箔リード１４の先端部および金属片１５２
との目合せ位置まで送り、ギャングボンディングにかけ
る。
側に補助キャリアテープ１５を重ねてスプロケット送り
機構（図示しない）にかけて、半導体チップ１２のパッ
ド１２Ａと銅箔リード１４の先端部および金属片１５２
との目合せ位置まで送り、ギャングボンディングにかけ
る。
【００２０】このギャングボンディング工程による電極
リード接続を確実にするために、図３（Ａ），（Ｂ），
および（Ｃ）に示すとおり、補助キャリアテープ１５を
キャリアテープ１１の下に配置し、金属片１５２とキャ
リアテープ１１の銅箔リード１４の先端部とが目合せさ
れた状態で両者間を熱圧着手段１７により、まずボンデ
ィングし図３（Ｂ）、次に、金属片１５２と半導体チッ
プ１２のパッド１２Ａとをボンディングする。なお、補
助キャリアテープ１５とキャリアテープ１１とのボンデ
ィングに先立って、金属片１５２を台形開口１５３の部
分で補助キャリアテープ１５から切断し、個片の形でキ
ャリアテープ１１の銅箔リード１４にボンディングする
こともできる。その場合、上記切断のあと金属片１５２
の各々に補助キャリアテープ１５の厚み方向の力を加え
て曲げを形成しておくことが望ましい。図３（Ａ），
（Ｂ），および（Ｃ）にはこの曲げを形成したものを示
してある。
リード接続を確実にするために、図３（Ａ），（Ｂ），
および（Ｃ）に示すとおり、補助キャリアテープ１５を
キャリアテープ１１の下に配置し、金属片１５２とキャ
リアテープ１１の銅箔リード１４の先端部とが目合せさ
れた状態で両者間を熱圧着手段１７により、まずボンデ
ィングし図３（Ｂ）、次に、金属片１５２と半導体チッ
プ１２のパッド１２Ａとをボンディングする。なお、補
助キャリアテープ１５とキャリアテープ１１とのボンデ
ィングに先立って、金属片１５２を台形開口１５３の部
分で補助キャリアテープ１５から切断し、個片の形でキ
ャリアテープ１１の銅箔リード１４にボンディングする
こともできる。その場合、上記切断のあと金属片１５２
の各々に補助キャリアテープ１５の厚み方向の力を加え
て曲げを形成しておくことが望ましい。図３（Ａ），
（Ｂ），および（Ｃ）にはこの曲げを形成したものを示
してある。
【００２１】補助キャリアテープ１５の金属片１５２を
半導体チップ１２のパッド１２Ａにまずボンディング
し、その上に通常キャリアテープ１１の銅箔リード１４
を上から重ねて配置してこれら銅箔リード１４の先端部
の下面に金属片１５２と、半導体チップ１２のパッド１
２Ａとの結合体をボンディングすることも可能である
（図４（Ａ），（Ｂ），および（Ｃ）参照）。
半導体チップ１２のパッド１２Ａにまずボンディング
し、その上に通常キャリアテープ１１の銅箔リード１４
を上から重ねて配置してこれら銅箔リード１４の先端部
の下面に金属片１５２と、半導体チップ１２のパッド１
２Ａとの結合体をボンディングすることも可能である
（図４（Ａ），（Ｂ），および（Ｃ）参照）。
【００２２】また、金属片１５２の所要長さは、補助キ
ャリアテープ１５の厚さおよび電極パッド１２Ａの寸法
を参考して適宜に定める。例えば、補助キャリアテープ
１５の厚さを１２５μｍ、電極パッド１２Ａの寸法を１
００μｍとすると、金属片１５２の長さは２００〜３０
０μｍに選ぶ。補助キャリアテープ１５が薄いほど金属
片１５２の長さを短くでき、半導体チップ１２の多端子
化への対応が容易になる。
ャリアテープ１５の厚さおよび電極パッド１２Ａの寸法
を参考して適宜に定める。例えば、補助キャリアテープ
１５の厚さを１２５μｍ、電極パッド１２Ａの寸法を１
００μｍとすると、金属片１５２の長さは２００〜３０
０μｍに選ぶ。補助キャリアテープ１５が薄いほど金属
片１５２の長さを短くでき、半導体チップ１２の多端子
化への対応が容易になる。
【００２３】上述の実施例において、半導体チップ１２
の発熱量が多くヒートシンクを要するときは、補助キャ
リアテープ１５の金属片１５２に囲まれた部分に補強用
の金属薄板片を介してヒートシンク部材をとりつける。
の発熱量が多くヒートシンクを要するときは、補助キャ
リアテープ１５の金属片１５２に囲まれた部分に補強用
の金属薄板片を介してヒートシンク部材をとりつける。
【００２４】また、半導体チップ１２が高周波用であっ
て、コンデンサ・抵抗器などの受動素子の近接配置を必
要とするときに、補助キャリアテープ１５の表面にこれ
ら受動素子を配置し、その端子を金属片１５２の他端の
間に接続することができる。
て、コンデンサ・抵抗器などの受動素子の近接配置を必
要とするときに、補助キャリアテープ１５の表面にこれ
ら受動素子を配置し、その端子を金属片１５２の他端の
間に接続することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリア半導体装置とその製造方法は、複数のスプロケ
ット孔および複数のデバイス孔と銅箔リードとを有する
上記通常のキャリアテープに加えて、上記銅箔リードの
先端部にそれぞれ対応ししたがって上記半導体チップ上
のボンディングパッドの位置にそれぞれ対応する位置に
金属片を選択的エッチングにより表面端部に形成した補
助のキャリアテープを用いる。これら通常のキャリアテ
ープと補助のキャリアテープとが同一のスプロケット送
り機構により目合せ重ね合せられた状態で熱圧着／共晶
形成手段に送られ、上記金属片の各々の一端が銅箔リー
ド先端にそれぞれ熱圧着されたあと、この通常および補
助のキャリアテープ重ね合せ体は、上記銅箔リード先端
と半導体チップ上のボンディングパッドとの目合せ位置
まで機械的に送られ、その位置でギャングボンディング
にかけられる。
キャリア半導体装置とその製造方法は、複数のスプロケ
ット孔および複数のデバイス孔と銅箔リードとを有する
上記通常のキャリアテープに加えて、上記銅箔リードの
先端部にそれぞれ対応ししたがって上記半導体チップ上
のボンディングパッドの位置にそれぞれ対応する位置に
金属片を選択的エッチングにより表面端部に形成した補
助のキャリアテープを用いる。これら通常のキャリアテ
ープと補助のキャリアテープとが同一のスプロケット送
り機構により目合せ重ね合せられた状態で熱圧着／共晶
形成手段に送られ、上記金属片の各々の一端が銅箔リー
ド先端にそれぞれ熱圧着されたあと、この通常および補
助のキャリアテープ重ね合せ体は、上記銅箔リード先端
と半導体チップ上のボンディングパッドとの目合せ位置
まで機械的に送られ、その位置でギャングボンディング
にかけられる。
【００２６】補助キャリアテープは、上記熱圧着／共晶
形成手段に送られる前に半導体チップ１個に対応する単
位長さに切分けることもできる。その場合は上記熱圧着
／共晶形成手段による加工の前に上記金属片と端部銅箔
リード先端部との目合せを要する。また、通常および補
助の両キャリアテープの上述の加工の前に、補助キャリ
アテープを上記金属片の部分で半導体チップ上のボンデ
ィングパッドにギャングボンディングし、その工程のあ
と、補助キャリアテープ・半導体チップ結合体と通常キ
ャリアテープ上の銅箔リードのバンプなし先端とをギャ
ングボンディングすることもできる。いずれにしても補
助キャリアテープは、その表面に形成された金属片の各
々の一端が上記半導体テープ表面上のボンディングパッ
ドおよび上記通常キャリアテープ表面の銅箔リードの両
方に熱圧着された状態で半導体チップ表面の主要部を覆
った状態を保つので、これら金属片の各々の他端を接続
端子としてコンデンサ・抵抗などの回路素子をその補助
キャリアテープの表面に必要に応じとりつけることも可
能である。
形成手段に送られる前に半導体チップ１個に対応する単
位長さに切分けることもできる。その場合は上記熱圧着
／共晶形成手段による加工の前に上記金属片と端部銅箔
リード先端部との目合せを要する。また、通常および補
助の両キャリアテープの上述の加工の前に、補助キャリ
アテープを上記金属片の部分で半導体チップ上のボンデ
ィングパッドにギャングボンディングし、その工程のあ
と、補助キャリアテープ・半導体チップ結合体と通常キ
ャリアテープ上の銅箔リードのバンプなし先端とをギャ
ングボンディングすることもできる。いずれにしても補
助キャリアテープは、その表面に形成された金属片の各
々の一端が上記半導体テープ表面上のボンディングパッ
ドおよび上記通常キャリアテープ表面の銅箔リードの両
方に熱圧着された状態で半導体チップ表面の主要部を覆
った状態を保つので、これら金属片の各々の他端を接続
端子としてコンデンサ・抵抗などの回路素子をその補助
キャリアテープの表面に必要に応じとりつけることも可
能である。
【００２７】上述の構造および工程から明かなとおり、
この発明によるフィルムキャリア型半導体装置およびそ
の製造方法は、この種半導体装置の製造工程を一層単純
化し、生産性を高めるだけでなく、補助キャリアテープ
を絶縁膜としてその表面にコンデンサ・抵抗器などをと
りつけることを容易にするという効果を有する。
この発明によるフィルムキャリア型半導体装置およびそ
の製造方法は、この種半導体装置の製造工程を一層単純
化し、生産性を高めるだけでなく、補助キャリアテープ
を絶縁膜としてその表面にコンデンサ・抵抗器などをと
りつけることを容易にするという効果を有する。
【図１】本発明のフィルムキャリア半導体装置の一実施
例を示す平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
例を示す平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
【図２】本実施例のフィルムキャリア半導体装置の一部
を構成する補助キャリアテープの平面図およびそのＡ−
Ａ断面図である。
を構成する補助キャリアテープの平面図およびそのＡ−
Ａ断面図である。
【図３】本実施例のフィルムキャリア半導体装置の製造
方法における工程の一例を示す図である。
方法における工程の一例を示す図である。
【図４】本実施例のフィルムキャリア半導体装置の製造
方法における工程の第二の例を示す図である。
方法における工程の第二の例を示す図である。
【図５】従来のフィルムキャリア半導体装置の一例を示
す平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
す平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。
１１ キャリアテープ １２ 半導体チップ １３ バンプ １４ 銅箔リード １５ 補助キャリアテープ １７ 熱圧着手段 １１１，１５１ スプロケット孔 １１２ デバイス孔 １２Ａ ボンディングパッド １５２ 金属片 １５３ 台形開
Claims (5)
- 【請求項１】 細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅
方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予め
定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット孔
および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選択
的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス孔
の各々の中心に向かって指状に突出するように形成され
た複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテープ
と、前記複数の金属箔リードの先端部にそれぞれ対応す
る位置に前記印刷配線技術により形成した複数の金属片
を支持しそれら金属片において前記第１のキャリアテー
プに加熱圧着された第２のキャリアテープと、表面に予
め形成されたボンディングパッドにおいてこれら金属片
と一挙にそれぞれ加熱圧着された半導体チップとを備え
ることを特徴とするフィルムキャリア半導体装置。 - 【請求項２】 前記第２のキャリアテープが前記半導体
チップの加熱圧着を受ける面と反対側の面に伸びる延長
部分を前記金属片の各々が有し、前記半導体チップと電
気回路を構成する受動素子がそれら延長部分のうち予め
定められた２つの間に接続されていることを特徴とする
請求項１記載のフィルムキャリア半導体装置。 - 【請求項３】 細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅
方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予め
定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット孔
および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選択
的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス孔
の各々の中心に向かって指状に突出するように形成され
た複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテープ
を作成する工程と、前記スプロケット孔と符合する位置
にスプロケット孔を有するとともに前記印刷配線技術に
より複数の金属片を形成した第２のキャリアテープを作
成する工程と、前記スプロケット孔に係合するスプロケ
ット駆動手段により前記第１および第２のキャリアテー
プを駆動し前記金属片と前記金属箔リードの先端部との
加熱圧着によりこれらキャリアテープを結合する工程
と、表面に予め形成された複数のボンデイングパッドと
前記金属片とが目合せされた状態で半導体チップを前記
金属片にギャングボンドする工程とを含むことを特徴と
するフィルムキャリア半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅
方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予め
定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット孔
および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選択
的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス孔
の各々の中心に向かって指状に突出するように形成され
た複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテープ
を作成する工程と、前記複数の金属箔リードの先端部に
それぞれ対応する位置に前記印刷配線技術により形成し
た複数の金属片を支持する第２のキャリアテープを作成
する工程と、それら金属片と前記複数の金属箔リードの
先端部とが目合せされた状態で両者を加熱圧着する工程
と、表面に予め形成された複数のボンデイングパッドと
前記金属片とが目合せされた状態で半導体チップを前記
金属片にギャングボンドする工程とを含むことを特徴と
するフィルムキャリア半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 細長い帯状の絶縁物フィルムから成り幅
方向両端部および幅方向中央部において長さ方向に予め
定めた間隔でそれぞれ設けられた複数のスプロケット孔
および複数のデバイス孔と表面に貼られた金属箔の選択
的エッチングを含む印刷配線技術により前記デバイス孔
の各々の中心に向かって指状に突出するように形成され
た複数の金属箔リードとを有する第１のキャリアテープ
を作成する工程と、前記複数の金属箔リードの先端部に
それぞれ対応する位置に前記印刷配線技術により形成し
た複数の金属片を支持する第２のキャリアテープを作成
する工程と、半導体チップをその表面に予め形成された
複数のボンデイングパッドと前記金属片とが目合せされ
た状態で前記金属片にギャングボンドする工程と、前記
金属片が前記複数の金属箔リードの先端部と目合せされ
た状態で前記第１および第２のキャリアテープを一挙に
互いに加熱圧着する工程とを含むことを特徴とするフィ
ルムキャリア半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-185956 | 1991-07-25 | ||
| JP18595691 | 1991-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283473A true JPH05283473A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2715810B2 JP2715810B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16179821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4168085A Expired - Lifetime JP2715810B2 (ja) | 1991-07-25 | 1992-06-26 | フィルムキャリア半導体装置とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0526147B1 (ja) |
| JP (1) | JP2715810B2 (ja) |
| DE (1) | DE69230162T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6057174A (en) | 1998-01-07 | 2000-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, and electronic apparatus |
| JP3588801B2 (ja) | 1998-01-12 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7169643B1 (en) | 1998-12-28 | 2007-01-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, circuit board, and electronic apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1534329A (fr) * | 1966-08-16 | 1968-07-26 | Signetics Corp | Procédé de montage de circuits intégrés |
| JPS61111561A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| EP0260490A1 (en) * | 1986-08-27 | 1988-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding sheet for electronic component and method of bonding electronic component using the same |
| JPH02172245A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| KR940004246B1 (ko) * | 1989-09-11 | 1994-05-19 | 신닛뽕 세이데쓰 가부시끼가이샤 | Tab 테이프와 반도체칩을 접속하는 방법 및 그것에 사용하는 범프시이트와 범프 부착 tab 테이프 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4168085A patent/JP2715810B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-27 DE DE69230162T patent/DE69230162T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-27 EP EP92306840A patent/EP0526147B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69230162T2 (de) | 2000-02-03 |
| JP2715810B2 (ja) | 1998-02-18 |
| DE69230162D1 (de) | 1999-11-25 |
| EP0526147B1 (en) | 1999-10-20 |
| EP0526147A3 (en) | 1993-08-18 |
| EP0526147A2 (en) | 1993-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971007 |