JPH02156647A - Tab用テープキャリア - Google Patents
Tab用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH02156647A JPH02156647A JP63311524A JP31152488A JPH02156647A JP H02156647 A JPH02156647 A JP H02156647A JP 63311524 A JP63311524 A JP 63311524A JP 31152488 A JP31152488 A JP 31152488A JP H02156647 A JPH02156647 A JP H02156647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- inner leads
- film
- tips
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はT A B (Tape Automated
Bonding)によって実装するテープキャリアに
関し、特に、インナーリードの配列ピッチを小さ(し、
ICパフケージの小型化を図るTAB用テープキャリア
に関する。
Bonding)によって実装するテープキャリアに
関し、特に、インナーリードの配列ピッチを小さ(し、
ICパフケージの小型化を図るTAB用テープキャリア
に関する。
最近、デバイスホール内に接合されるIC素子の高集積
化に伴ってその電極数が100ピン〜300ピンにまで
達してきており、将来は500ピンまでの多ピン化が要
望されている。このため、デバイスホールの内側に配列
したインナーリードの間隔も狭くなってきており、その
間隔を0.10〜0.15mmのピッチ(インナーリー
ドの中央から隣接するインナーリードの中央までの距離
)にすることが目標とされている。即ち、多ピン化にな
ると、必然的にIC素子が大型化し、これによってIC
素子がコストアップになると共にプリント基板への実装
面積が増大、これによる機器の大型化によって二次的な
コストアップになるためである。従って、インナーリー
ド同志を短絡させずにその微細化を図ることが要求され
ている。
化に伴ってその電極数が100ピン〜300ピンにまで
達してきており、将来は500ピンまでの多ピン化が要
望されている。このため、デバイスホールの内側に配列
したインナーリードの間隔も狭くなってきており、その
間隔を0.10〜0.15mmのピッチ(インナーリー
ドの中央から隣接するインナーリードの中央までの距離
)にすることが目標とされている。即ち、多ピン化にな
ると、必然的にIC素子が大型化し、これによってIC
素子がコストアップになると共にプリント基板への実装
面積が増大、これによる機器の大型化によって二次的な
コストアップになるためである。従って、インナーリー
ド同志を短絡させずにその微細化を図ることが要求され
ている。
このような要求の中で従来のTAB用テープキャリアは
、デバイスホール等を有するキャリアテープに銅箔を接
着し、この銅箔のケミカルホトエツチングによってイン
ナーリードを構成し、この後、ホトレジストの剥膜、電
気半田めっき等の工程によって製造されている。
、デバイスホール等を有するキャリアテープに銅箔を接
着し、この銅箔のケミカルホトエツチングによってイン
ナーリードを構成し、この後、ホトレジストの剥膜、電
気半田めっき等の工程によって製造されている。
しかし、従来のTAB用テープキャリアによると、以下
の問題点を有している。
の問題点を有している。
(1)インナーリードに変形、曲がりが発生するため、
インナーリードの間隔を小さくすることができない。即
ち、この構造では、0.10m−間隔が限界になってい
る。
インナーリードの間隔を小さくすることができない。即
ち、この構造では、0.10m−間隔が限界になってい
る。
(2)インナーリードの変形、曲がり等の位置ずれが起
こった場合、IC素子電極パッド(バンプ)との位置整
合が取れなくなり、IC素子との接合不良が生じる。
こった場合、IC素子電極パッド(バンプ)との位置整
合が取れなくなり、IC素子との接合不良が生じる。
(3)インナーリードピッチの微細化に限界があるため
、IC素子、ICパッケージの小型化に限界があり、特
に精密機器等に組み込んだ場合、装置が大型化になり、
二次的、三次的のコストアンプになる。
、IC素子、ICパッケージの小型化に限界があり、特
に精密機器等に組み込んだ場合、装置が大型化になり、
二次的、三次的のコストアンプになる。
従って、本発明の目的はインナーリードの変形や曲がり
を抑制してインナーリードの配列ピッチを小さく (例
えば、0.10mmピッチ以下)することができ、かつ
、IC素子との接合を良好にすることができるTAB用
テープキャリアを提供することである。
を抑制してインナーリードの配列ピッチを小さく (例
えば、0.10mmピッチ以下)することができ、かつ
、IC素子との接合を良好にすることができるTAB用
テープキャリアを提供することである。
本発明は以上述べた目的を実現するため、デバイスホー
ル内側に多数配列したインナーリードの先端を絶縁テー
プによって連結保持するようにしたTAB用テープキャ
リアを提供するものである。
ル内側に多数配列したインナーリードの先端を絶縁テー
プによって連結保持するようにしたTAB用テープキャ
リアを提供するものである。
即ち、本発明のTAB用テープキャリアは、デバイスホ
ール内側に多数配列したインナーリードの先端を絶縁テ
ープによって連結保持した構成を有しており、使用され
る絶縁テープとしては接着剤層と、フィルム層の2層構
造、もしくは接着性を有したフィルム単体によって構成
されている。
ール内側に多数配列したインナーリードの先端を絶縁テ
ープによって連結保持した構成を有しており、使用され
る絶縁テープとしては接着剤層と、フィルム層の2層構
造、もしくは接着性を有したフィルム単体によって構成
されている。
このような絶縁テープによってインナーリード先端を連
結保持することにより、インナーリード先端の変形や曲
がりをなくすことができ、これによってインナーリード
の配列ピッチを小さくすることができる。また、IC素
子電極バンドとの位置整合が良好となり、IC素子との
接合が向上する。
結保持することにより、インナーリード先端の変形や曲
がりをなくすことができ、これによってインナーリード
の配列ピッチを小さくすることができる。また、IC素
子電極バンドとの位置整合が良好となり、IC素子との
接合が向上する。
このインナーリード連結用絶縁テープをブリッジを介し
てキャリアテープと一体にすると、デバイスホール等を
形成するときに同時に形成することができるので、工程
数の増加がなく、コストアンプにならない。
てキャリアテープと一体にすると、デバイスホール等を
形成するときに同時に形成することができるので、工程
数の増加がなく、コストアンプにならない。
以下、本発明のTAB用テープキャリアを詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示し、両側にパイロットホ
ール3が形成され、ポリイミドフィルムなどの絶縁性プ
ラスチックからなるフィルム2が長尺に形成されており
、その長平方向にはIC素子(図示せず)に対応するデ
バイスホール4がパンチングによって打ち抜き加工され
ている。このデバイスホール4の内側から外側にかけて
インナーリード6が、また、その外側にアウターリード
5がそれぞれ銅箔によって形成されており、デバイスホ
ール4の内側に゛多数配列したインナーリード6の先端
は絶縁性の先端接続フィルム7によって連結保持されて
いる。先端接続フィルム7はブリッジIQによってフィ
ルム2 (キャリアテープ)と連結しており、デバイス
ホール4を打ら抜き加工する際にブリッジlO1先O:
最接続フィルム7と同時に形成される。尚、先端接続フ
ィルム7はこれに限定するものではなく、別のフィルム
材を用意してインナリード6の先端を接続しても良い。
ール3が形成され、ポリイミドフィルムなどの絶縁性プ
ラスチックからなるフィルム2が長尺に形成されており
、その長平方向にはIC素子(図示せず)に対応するデ
バイスホール4がパンチングによって打ち抜き加工され
ている。このデバイスホール4の内側から外側にかけて
インナーリード6が、また、その外側にアウターリード
5がそれぞれ銅箔によって形成されており、デバイスホ
ール4の内側に゛多数配列したインナーリード6の先端
は絶縁性の先端接続フィルム7によって連結保持されて
いる。先端接続フィルム7はブリッジIQによってフィ
ルム2 (キャリアテープ)と連結しており、デバイス
ホール4を打ら抜き加工する際にブリッジlO1先O:
最接続フィルム7と同時に形成される。尚、先端接続フ
ィルム7はこれに限定するものではなく、別のフィルム
材を用意してインナリード6の先端を接続しても良い。
このようなTAB用テープキャリアのIC素子の接合部
は第2図に示すように、インナーリード6の先端が絶縁
性の先端接続フィルム7によって連結保持されているた
め、インナーリード6の先端の曲がりや変形が抑えられ
、IC素子8の電極パッド9との位置整合が良好になり
、IC素子8との接合が良好になる。
は第2図に示すように、インナーリード6の先端が絶縁
性の先端接続フィルム7によって連結保持されているた
め、インナーリード6の先端の曲がりや変形が抑えられ
、IC素子8の電極パッド9との位置整合が良好になり
、IC素子8との接合が良好になる。
実施例 1 (第1図)
幅35+n、厚さ50μmのフィルム2をパンチングに
よって打ち抜き加工してブリッジ10、先端接続フィル
ム7およびデバイスホール4を形成する。
よって打ち抜き加工してブリッジ10、先端接続フィル
ム7およびデバイスホール4を形成する。
フィルム2は予め厚さ25μmのエポキシ系接着剤が塗
布されており、接着剤を160℃に加熱してその全面に
厚さ35μmの圧延銅箔を融着させ、この後、ホトケミ
カルエツチングによってアウターリード5およびインナ
ーリード6を形成した。従って、この工程で必然的に先
端接続フィルム7はインナーリード6の先端部を接続す
る。このとき、インナーリード6の配列ピッチを80μ
mであり、デバイスホール4の内側において、1通光た
り50ピン、全部で200ピン配列した。即ち、全イン
ナーリードの累積ピッチは(50−1) Xo、08=
3.921墓となり、従来の配列ピッチ0.1mmの累
積ピッチが(50−1) Xo、1 =4.9重重 と
比較すると、累積ピッチを約1鰭縮小させたことになる
。次に、先端接続フィルム7上から350℃の熱ツール
を3秒間接触させて厚さ0.5μmの60%5n−40
%Pbの半田めっきが施されたインナーリード6を高さ
20μmの金めつきで製造されたバンプ9を介してIC
素子8に接合した(第2図)。尚、ポリイミドフィルム
および熱硬化性のエポキシフィルムは瞬間的な高温度に
充分耐えるので、この種の用途に使用することができる
。
布されており、接着剤を160℃に加熱してその全面に
厚さ35μmの圧延銅箔を融着させ、この後、ホトケミ
カルエツチングによってアウターリード5およびインナ
ーリード6を形成した。従って、この工程で必然的に先
端接続フィルム7はインナーリード6の先端部を接続す
る。このとき、インナーリード6の配列ピッチを80μ
mであり、デバイスホール4の内側において、1通光た
り50ピン、全部で200ピン配列した。即ち、全イン
ナーリードの累積ピッチは(50−1) Xo、08=
3.921墓となり、従来の配列ピッチ0.1mmの累
積ピッチが(50−1) Xo、1 =4.9重重 と
比較すると、累積ピッチを約1鰭縮小させたことになる
。次に、先端接続フィルム7上から350℃の熱ツール
を3秒間接触させて厚さ0.5μmの60%5n−40
%Pbの半田めっきが施されたインナーリード6を高さ
20μmの金めつきで製造されたバンプ9を介してIC
素子8に接合した(第2図)。尚、ポリイミドフィルム
および熱硬化性のエポキシフィルムは瞬間的な高温度に
充分耐えるので、この種の用途に使用することができる
。
実施例 2
実施例1においてインナーリードピッチ0.06+uで
テープキャリアを作成した。ただし、この場合厚さ25
μmの薄い圧延銅箔を用いた。これによって、インナー
リードの微細化をより容易に達成するようにしている。
テープキャリアを作成した。ただし、この場合厚さ25
μmの薄い圧延銅箔を用いた。これによって、インナー
リードの微細化をより容易に達成するようにしている。
実施例 3
実施例1において先端接続フィルム7をフィルム2とは
別のフィルムで作った。この場合ブリッジ等を形成せず
にデバイスホール4を開口し、インナーリード6にデバ
イスホール側から第4図に示す枠状の先端接続フィルム
7を貼付した。この先端接続フィルム7は厚さ50μm
のポリイミドフィルムと10μm厚のエポキシ接着剤よ
り成るものである。
別のフィルムで作った。この場合ブリッジ等を形成せず
にデバイスホール4を開口し、インナーリード6にデバ
イスホール側から第4図に示す枠状の先端接続フィルム
7を貼付した。この先端接続フィルム7は厚さ50μm
のポリイミドフィルムと10μm厚のエポキシ接着剤よ
り成るものである。
第4図はIC素子とインナーリードの接合部の変形例を
示し、インナーリード6とバンプ9の接合位置をインナ
ーリード6上に設けられた先端接続フィルム7から外れ
た位置にしている。このようにすることにより、熱ツー
ルの熱をインナーリード6から直接バンプ9に与えるこ
とができ、第2図で示した方法よりも低い温度で短時間
(例えば、230℃で2秒間)で接合を完了することが
できる。
示し、インナーリード6とバンプ9の接合位置をインナ
ーリード6上に設けられた先端接続フィルム7から外れ
た位置にしている。このようにすることにより、熱ツー
ルの熱をインナーリード6から直接バンプ9に与えるこ
とができ、第2図で示した方法よりも低い温度で短時間
(例えば、230℃で2秒間)で接合を完了することが
できる。
このようにインナーリード先端を絶縁性の先端接続フィ
ルムよって連結保持するようにしたため、先端部におけ
る曲がり、変形を抑えることができ、これによってイン
ナーリードの微細化(配列ピッチの縮小)を図ることが
できる。このため、ICパッケージおよびそれが適用さ
れる機器の形状を小型化することができ、コストダウン
を図ることができる。また、IC素子電極パッドとの位
置整合にずれがなくなり、IC素子との接合状態が良好
になる。尚、先端接続フィルムの形状は、第1図および
第3図に示すように、枠状になっているが、この形状が
単なる帯状のものよりピンチ保持のために数段優れてい
ることを確認している。ただし、枠状のものに限定する
ものではない。
ルムよって連結保持するようにしたため、先端部におけ
る曲がり、変形を抑えることができ、これによってイン
ナーリードの微細化(配列ピッチの縮小)を図ることが
できる。このため、ICパッケージおよびそれが適用さ
れる機器の形状を小型化することができ、コストダウン
を図ることができる。また、IC素子電極パッドとの位
置整合にずれがなくなり、IC素子との接合状態が良好
になる。尚、先端接続フィルムの形状は、第1図および
第3図に示すように、枠状になっているが、この形状が
単なる帯状のものよりピンチ保持のために数段優れてい
ることを確認している。ただし、枠状のものに限定する
ものではない。
以上説明した通り、本発明のTAB用テープキャリアに
よると、デバイスホール内側に多数配列したインナーリ
ードの先端を絶縁テープによって連結保持するようにし
たため、インナーリードの変形や曲がり抑制され、イン
ナーリードの配列ピンチを小さくし、これによってIC
パッケージおよびそれが適用される機器を小型化してコ
ストダウンを図ることができる。また、IC素子電極パ
ッドとの位置整合にずれがなくなるため、IC素子との
接合状態が良好になる。
よると、デバイスホール内側に多数配列したインナーリ
ードの先端を絶縁テープによって連結保持するようにし
たため、インナーリードの変形や曲がり抑制され、イン
ナーリードの配列ピンチを小さくし、これによってIC
パッケージおよびそれが適用される機器を小型化してコ
ストダウンを図ることができる。また、IC素子電極パ
ッドとの位置整合にずれがなくなるため、IC素子との
接合状態が良好になる。
第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図はIC
素子との接合部を示す断面図、第3図は本発明の他の実
施例を示す説明図、第4図は他のIC素子との接合部を
示す断面図。 符号の説明 1−・−・・・−T A Bテープキャリア2−・−・
−−−−一・−フィルム 3・−−m−−〜−−−・パイロットホール4−・・−
・−・−デバイスホール 5−・・・・・−・アウターリード 6−−−−−−−−・インナーリード
素子との接合部を示す断面図、第3図は本発明の他の実
施例を示す説明図、第4図は他のIC素子との接合部を
示す断面図。 符号の説明 1−・−・・・−T A Bテープキャリア2−・−・
−−−−一・−フィルム 3・−−m−−〜−−−・パイロットホール4−・・−
・−・−デバイスホール 5−・・・・・−・アウターリード 6−−−−−−−−・インナーリード
Claims (2)
- (1)デバイスホール等を有するテープ上にエッチング
により導体パターンを形成し、当該デバイスホール内側
にインナーリードを多数配列したTAB用テープキャリ
アにおいて、 多数配列した前記インナーリードの先端を絶縁テープに
よって連結保持していることを特徴とするTAB用テー
プキャリア。 - (2)前記絶縁テープは、ブリッジを介してキャリアテ
ープと一体になっている構成の請求項第1項記載のTA
B用テープキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63311524A JPH02156647A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Tab用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63311524A JPH02156647A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Tab用テープキャリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02156647A true JPH02156647A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18018275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63311524A Pending JPH02156647A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Tab用テープキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02156647A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6510258B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-01-21 | Bookham Technology Plc | Integrated chip optical devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61137353A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルムキヤリア |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63311524A patent/JPH02156647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61137353A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルムキヤリア |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6510258B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-01-21 | Bookham Technology Plc | Integrated chip optical devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6593648B2 (en) | Semiconductor device and method of making the same, circuit board and electronic equipment | |
US5612259A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is mounted on a lead frame | |
KR100654338B1 (ko) | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
KR20050023930A (ko) | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
US7893550B2 (en) | Semiconductor package comprising alignment members | |
JP3569025B2 (ja) | 半導体装置、およびそれを用いた電子装置 | |
USH1267H (en) | Integrated circuit and lead frame assembly | |
KR100452818B1 (ko) | 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20020065705A (ko) | 테이프 배선 기판과 그 제조 방법 및 그를 이용한 반도체칩 패키지 | |
JPH04196555A (ja) | Tabパッケージ | |
KR20000028840A (ko) | 필름 기판을 사용한 반도체 장치 제조 방법 | |
JPH02156647A (ja) | Tab用テープキャリア | |
JP2715810B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置とその製造方法 | |
KR0171099B1 (ko) | 반도체 기판 범프 및 그 제조방법 | |
JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP2553615B2 (ja) | フィルムキャリア | |
JP3383597B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100246848B1 (ko) | 랜드 그리드 어레이 및 이를 채용한 반도체 패키지 | |
JP2773762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2600898B2 (ja) | 薄型パッケージ装置 | |
JPH1140605A (ja) | テープキャリアパッケージ | |
JP2519243B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0719797B2 (ja) | 半導体装置の実装具 | |
JPH036035A (ja) | 半導体装置 | |
JPH09289226A (ja) | 半導体装置 |