JP3627949B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子上に配置される複数の電極パッドのうち共通の信号を取り扱うものを導通させる共通ラインを備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は従来例を説明する概略図（その１）である。この半導体装置はＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造から成るものであり、チップ状の半導体素子１と、半導体素子１上に絶縁性テープＴを介して接続される複数のリードＬおよび共通ライン２ａ’、２ｂ’と、半導体素子１上に設けられた複数の電極パッドとを備えている。
【０００３】
また、複数の電極パッドのうち、電源供給用の電極パッドＰ１と共通ライン２ａ’とがボンディングワイヤーＷにより接続され、また接地用の電極パッドＰ２と共通ライン２ｂ’とがボンディングワイヤーＷにより接続されている。この接続によって、共通ライン２ａ’は電源供給ライン、共通ライン２ｂ’は接地ラインとなる。
【０００４】
さらに、電極パッドＰａ、Ｐｂは電源供給ラインである共通ライン２ａ’とボンディングワイヤーＷによって接続され、また電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆは接地ラインである共通ライン２ｂ’とボンディングワイヤーＷによって接続されている。なお、その他の電極パッドはリードＬと直接ボンディングワイヤーＷによって接続されている。
【０００５】
近年の半導体装置では、半導体素子１の微細化に伴い内部配線が非常に細くなってきている。このため、電源供給用の電極パッドＰ１や接地用の電極パッドＰ２との接続を半導体素子１内で行うと、電圧降下による特性劣化を招くため、共通ライン２ａ’、２ｂ’を用いた電気的配線を行うようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような半導体装置には次のような問題がある。すなわち、図７（ａ）に示すように、電極パッドＰとリードＬとをボンディングワイヤーＷにて配線する際、共通ライン２ａ’、２ｂ’との接触を避けるため、十分な隙間Ｈを設けて引き回す必要がある。
【０００７】
通常、共通ライン２ａ’、２ｂ’はリードＬと一体的なリードフレームとして形成されており、その厚さは約１５０μｍ程度となっている。このため、共通ライン２ａ’、２ｂ’との接触を避けるためにボンディングワイヤーＷのループ高さを４００μｍ以上とる必要がある。
【０００８】
このようにループを高くすると、図７（ｂ）に示すような薄型のパッケージＰＫを形成しようとした場合、そのパッケージＰＫからボンディングワイヤーが露出してしまうという不都合が生じる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するために成された半導体装置およびその製造方法である。すなわち、本発明は、半導体素子上に設けられた複数の電極パッドと、それぞれ複数の電極パッドの対応するものとワイヤを介して接続される複数のリードと、半導体素子上に配置され、複数の電極パッドのうち対応するいくつかを電気的に接続させる共通ラインとを有する半導体装置であり、共通ラインとして、少なくとも表面に絶縁部材が設けられ、さらに電源用ラインと接地用ラインとを有し、電源用ラインと接地用ラインとがそれぞれ独立して構成されているとともに、最上層が絶縁層となるように導電層と絶縁層とが交互に配置された多層構造を有し、電源用ラインと接地用ラインとが互いに異なる層となる導電層を用いているものである。
【００１０】
また、半導体素子上に設けられ複数の電極パッドを避けるよう第１の絶縁性接着テープを貼り付ける工程と、半導体素子における共通の信号を取り扱う電極パッドと導通する状態で第１の絶縁性接着テープ上に導電性接着剤を積層する工程と、導電性接着剤の表面を覆う状態で第２の絶縁性接着テープを積層する工程と、導電性接着剤および第２の絶縁性接着テープが積層されていない電極パッドから外部との信号入出力を行うリードとをボンディングワイヤーで接続するにあたり、第２の絶縁性接着テープをまたぐとともに第２の絶縁性接着テープと接触する状態で引き回して接続する工程とを備えている半導体装置の製造方法でもある。
【００１１】
本発明の半導体装置では、半導体素子上に配置された複数の電極パッドのうち共通の信号を取り扱うものを導通させる共通ラインとして、少なくとも表面に絶縁部材が設けられ、さらに電源用ラインと接地用ラインとを有し、電源用ラインと接地用ラインとがそれぞれ独立して構成されているとともに、最上層が絶縁層となるように導電層と絶縁層とが交互に配置された多層構造を有し、電源用ラインと接地用ラインとが互いに異なる層となる導電層を用いているため、共通ラインをまたぐ状態で配線されるボンディングワイヤーが接触しても最上層の絶縁層によって電気的な接続が成されないことになる。つまり、ボンディングワイヤーと共通ラインとの電気的な接触を考慮する必要がなくなり、ボンディングワイヤーのループを低くできるようになる。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体素子上の複数の電極パッドを避けるように貼り付けた第１の絶縁性接着テープの上に共通の信号を取り扱う電極パッドと導通する状態で導電性接着剤を積層し、その導電性接着剤の表面を覆う状態で第２の絶縁性接着テープを積層していることから、絶縁部材で挟まれた導電性接着剤を共通ラインとして使用できるようになる。さらに、この第２の絶縁性接着テープをまたぐとともに第２の絶縁性接着テープと接触する状態でボンディングワイヤーを引き回すことにより、ボンディングワイヤーを第２の絶縁性接着テープによって支えることができるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置およびその製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。図１は第１実施形態を説明する概略図である。すなわち、図１（ａ）の概略平面図に示すように、第１実施形態における半導体装置は、ＬＯＣ構造から成るものであり、チップ上の半導体素子１と、半導体素子１の基板１ａ上に絶縁性テープＴを介して接続される複数のリードＬと、基板１ａ上に設けられた複数の電極パッドのうち共通の信号を取り扱うものを導通する共通ライン２ａ、２ｂと、電極パッドとリードＬとを配線するボンディングワイヤーＷとを備えている。
【００１４】
この半導体装置では、共通ライン２ａが電源供給用のパッドＰ１と導通して電源供給ラインとなり、共通ライン２ｂが接地用の電極パッドＰ２と導通して接地ラインとなっている。
【００１５】
また、この共通ライン２ａは、電源の供給を受ける電極パッドＰａ、Ｐｂとも導通し、共通ライン２ｂは、接地となる電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆとも導通している。なお、他の電極パッドは共通ライン２ａ、２ｂをまたぐボンディングワイヤーＷによってリードＬと接続されている。
【００１６】
図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ部拡大図、図１（ｃ）は図１（ｂ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。このように、第１実施形態における共通ライン２ａ、２ｂは３層構造となっている。すなわち、最下層として第１絶縁性接着テープ２１、中間層として導電性接着剤２２、最上層として第２絶縁性接着テープ２３が積層されている。なお、図１（ｂ）では、最下層の第１絶縁性接着テープ２１上に導電性接着剤２２が形成された状態のみを示している。
【００１７】
第１絶縁性接着テープ２１は、熱可塑性接着剤の付されたテープであり、基板１ａ上において共通ライン２ａ、２ｂとして接触を得る電極パッド上に孔が開けられた形状で貼り付けられている。また、導電性接着剤２２は熱硬化性の接着剤であり、第１絶縁性接着テープ２１の孔に入って電極パッドとの接触が成されている。また、第２絶縁性接着テープ２３は少なくとも導電性接着剤２２の表面を覆う状態で貼り付けられており、第１絶縁性接着テープ２１と同様に、熱可塑性接着剤の付されたテープである。
【００１８】
例えば、電源供給用となる共通ライン２ａでは、下層の第１絶縁性接着テープ２１における電極パッドＰ１、電極パッドＰａ、Ｐｂの上に孔が形成されており、導電性接着剤２２がこの孔に入り込むとともに第１絶縁性接着テープ２１上に塗布されることで電源を得るための導通ラインを構成している。また、この導電性接着剤２２の少なくとも表面に第２絶縁性接着テープが被着することで、導電性接着剤２２とボンディングワイヤーＷとの絶縁を図っている。
【００１９】
また、接地用となる共通ライン２ｂでは、下層の第１絶縁性接着テープ２１における電極パッドＰ２、電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆの上に孔が形成されており、導電性接着剤２２がこの孔に入り込むとともに第１絶縁性接着テープ２１上に塗布されることで接地を得るための導通ラインを構成している。この導電性接着剤２２の少なくとも表面に第２絶縁性接着テープが被着することで、導電性接着剤２２とボンディングワイヤーＷとの絶縁を図っている。
【００２０】
各共通ライン２ａ、２ｂの厚さは４５〜５０μｍ程度（第１絶縁性接着テープ２１、第２絶縁性接着テープ２３が約２０μｍ厚、導電性接着剤２２が約５μｍ厚）であり、このような厚さによって上をまたぐボンディングワイヤーＷのループ高さを従来よりも低くできるとともに、ボンディングワイヤーＷが共通ライン２ａ、２ｂと接触しても、表面に形成された第２絶縁性接着テープ２３によって短絡しないようになっている。
【００２１】
次に、この半導体装置の製造方法を説明する。先ず、半導体素子１の電源信号を取り扱う電極パッドＰ１、Ｐａ、Ｐｂの上に孔を開けた状態で第１絶縁性接着テープ２１を加熱および加圧によって接着し、接地信号を取り扱う電極パッドＰ２、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆの上に孔を開けた状態で第１絶縁性接着テープ２１を加熱および加圧によって接着した後、各々の第１絶縁性接着テープ２１上でその孔に入り込むように導電性接着剤２２を塗布する。この際、導電性接着剤２２は第１絶縁性接着テープ２１より細い幅で塗布する。
【００２２】
図２は導電性接着剤の塗布を説明する概略断面図である。図２（ａ）はディスペンサＤを使用する例であり、半導体素子１上の第１絶縁性接着テープ（図示せず）の上にディスペンサＤの先端から導電性接着剤２２を吐出させながら移動することで所望位置へ塗布していく。
【００２３】
図２（ｂ）はスタンパＳＴを用いる例であり、スタンパＳＴの下面に取り付けられた所定形状の導電性接着剤２２をスタンピングによって半導体素子１の第１絶縁性接着テープ（図示せず）上へ積層する。
【００２４】
また、図２（ｃ）はスクリーン印刷による例であり、半導体素子１上にスクリーンＳＫを配置し、その上に塗布した導電性接着剤２２をスキージＫによって延ばすことでスクリーンＳＫに設けた所定形状の孔から半導体素子１の第１絶縁性接着テープ（図示せず）上へ導電性接着剤２２を積層できるようになる。
【００２５】
いずれかの方法によって導電性接着剤２２を塗布した後は、この導電性接着剤２２が十分隠れるように第２絶縁性接着テープを貼り付ける。その後、所定の温度に加熱することによって導電性接着剤２２を熱硬化させ、３層構造の共通ライン２ａ、２ｂを形成する。
【００２６】
次に、共通ライン２ａ、２ｂが接続されていない電極パッドとリードＬとをボンディングワイヤーＷによって配線する。この際、ボンディングワイヤーＷは共通ライン２ａ、２ｂをまたぐとともに共通ライン２ａ、２ｂの表面にある第２絶縁性接着テープ２３に接触して支えられる状態となる。これによってボンディングワイヤーＷの低ループ化とともに十分な形状保持性を得ることになる。
【００２７】
このボンディングワイヤーＷの接続を行った後は、半導体素子１の全体をモールド樹脂（図示せず）によって封止し、パッケージ化を図る。本実施形態では、ボンディングワイヤーＷのループを従来より低くできることから、モールド樹脂の厚さも薄くすることができようになる。
【００２８】
なお、上記製造方法において、第１絶縁性接着テープ２１を半導体素子１の形成後（分割後）に行うよう説明したが、半導体素子１への分割前にウエハ状態において予め貼り付けておいてもよい。
【００２９】
次に本発明の第２実施形態を説明する。図２は第２実施形態を説明する概略図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＢ’−Ｂ’線矢視断面図である。
【００３０】
すなわち、図２（ａ）に示すように、第２実施形態における半導体装置は、ＬＯＣ構造から成るものであり、チップ上の半導体素子１と、半導体素子１の基板１ａ上に絶縁性テープＴを介して接続される複数のリードＬと、基板１ａ上に設けられた複数の電極パッドのうち共通の信号を取り扱うものを導通する共通ライン２ａ、２ｂと、電極パッドとリードＬとを配線するボンディングワイヤーＷとを備えている。
【００３１】
また、第２実施形態では、電源の供給を受ける電極パッドＰａ、Ｐｂと導通する共通ライン２ａおよび接地となる電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆと導通する共通ライン２ｂとが、各々３層構造（第１絶縁性接着テープ２１、銅箔２２ａ、第２絶縁性接着テープ２２）となっており、その銅箔２２ａと電極パッドとが金属バンプＢＰを介して接続されている（図２（ａ）、（ｂ）参照）。なお、図２（ｂ）では、最下層の第１絶縁性接着テープ２１上に銅箔２２ａが形成された状態のみを示している。
【００３２】
第１絶縁性接着テープ２１は、熱硬化性接着剤の付されたテープであり、基板１ａ上において共通ライン２ａ、２ｂとして接触を得る電極パッド上に孔が開けられた形状で貼り付けられている。また、この第１絶縁性接着テープ２１の上には、その孔に配置された金属バンプＢＰを介して銅箔２２ａが積層されている。また、第２絶縁性接着テープ２３は少なくとも銅箔２２ａの表面を覆う状態で貼り付けられており、第１絶縁性接着テープ２１と同様に、熱硬化性接着剤の付されたテープである。
【００３３】
この電源供給用となる共通ライン２ａでは、下層の第１絶縁性接着テープ２１における電極パッドＰ１、電極パッドＰａ、Ｐｂの上に孔が形成されており、この孔に配置された金属バンプＢＰを介して銅箔２２ａが貼り付けられて電源を得るための導通ラインを構成している。また、この銅箔２２ａの少なくとも表面に第２絶縁性接着テープが被着することで、銅箔２２ａとボンディングワイヤーＷとの絶縁を図っている。
【００３４】
また、接地用となる共通ライン２ｂでは、下層の第１絶縁性接着テープ２１における電極パッドＰ２、電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆの上に孔が形成されており、この孔に配置された金属バンプＢＰを介して銅箔２２ａが貼り付けられて接地を得るための導通ラインを構成している。この銅箔２２ａの少なくとも表面に第２導電性接着テープが被着することで、銅箔２２ａとボンディングワイヤーＷとの絶縁を図っている。
【００３５】
各共通ライン２ａ、２ｂの厚さは４５〜５０μｍ程度（第１絶縁性接着テープ２１、第２絶縁性接着テープ２３が約２０μｍ厚、銅箔２２ａが約５μｍ厚）であり、この厚さによって上をまたぐボンディングワイヤーＷのループ高さを従来よりも低くできるとともに、ボンディングワイヤーＷが共通ライン２ａ、２ｂと接触しても、表面に形成された第２絶縁性接着テープ２３によって短絡しないようになっている。
【００３６】
次に、この半導体装置の製造方法を説明する。先ず、熱硬化性接着剤がその上面、下面に付された第１絶縁性接着テープ２１を基板１ａ上に加熱および加圧によって貼り付ける。共通ライン２ａの場合には、電源信号を取り扱う電極パッドＰ１、Ｐａ、Ｐｂの上に孔を開けた形状、共通ライン２ｂの場合には、接地信号を取り扱う電極パッドＰ２、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆの上に孔を開けた形状の第１絶縁性接着テープ２１を被着する。なお、この孔内における各電極パッド上には金属バンプＢＰが配置されているものとする。
【００３７】
次に、この第１絶縁性接着テープ２１の上に銅箔２２ａを加圧によって接着し、この銅箔２２ａの上に、下面に熱硬化性接着剤の付された第２絶縁性接着テープ２３を加圧によって接着する。銅箔２２ａは第１絶縁性接着テープ２１および第２絶縁性接着テープ２３の幅より細い幅のものを接着する。
【００３８】
その後、第２絶縁性接着テープ２３の上から加熱および加圧を加える。これによって、銅箔２２ａと金属バンプＢＰとが接触する状態となる。そして、この状態で半導体素子１を加熱する。この加熱によって第１絶縁性接着テープ２１および第２絶縁性接着テープ２３に付された熱硬化性接着剤が硬化収縮し、銅箔２２ａと金属バンプＢＰとが互いに強い力で接触するようになる。
【００３９】
次に、共通ライン２ａ、２ｂが接続されていない電極パッドとリードＬとをボンディングワイヤーＷによって配線する。この際、ボンディングワイヤーＷは共通ライン２ａ、２ｂをまたぐとともに共通ライン２ａ、２ｂの表面にある第２絶縁性接着テープ２３に接触して支えられる状態となる。これによってボンディングワイヤーＷの低ループ化とともに十分な形状保持性を得ることになる。
【００４０】
このボンディングワイヤーＷの接続を行った後は、半導体素子１の全体をモールド樹脂（図示せず）によって封止し、パッケージ化を図る。本実施形態では、ボンディングワイヤーＷのループを従来より低くできることから、モールド樹脂の厚さも薄くすることができようになる。
【００４１】
さらに、第２実施形態では、共通ライン２ａ、２ｂの導通部分として銅箔２２ａを使用していることから、低抵抗な導通ラインを構成して電気的特性の向上を図ることが可能となる。
【００４２】
次に本発明の第３実施形態を説明する。図４は第３実施形態を説明する概略図（その１）であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図である。また、図５は第３実施形態を説明する概略図（その２）であり、（ａ）は第１導電性接着剤の形状、（ｂ）は図４（ｂ）におけるＤ−Ｄ線矢視断面図、（ｃ）はパッケージ状態を示す概略断面図である。
【００４３】
すなわち、図４（ａ）に示すように、第３実施形態における半導体装置は、ＬＯＣ構造から成るものであり、チップ上の半導体素子１と、半導体素子１の基板１ａ上に絶縁性テープＴを介して接続される複数のリードＬと、基板１ａ上に設けられた複数の電極パッドのうち共通の信号を取り扱うものを導通する共通ライン２ａ、２ｂと、電極パッドとリードＬとを配線するボンディングワイヤーＷとを備えている。
【００４４】
特に、第３実施形態では、電源の供給を受ける電極パッドＰａ、Ｐｂと導通する導通ラインおよび接地となる電極パッドＰｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆと導通する導通ラインが５層構造で構成されている点に特徴がある。
【００４５】
図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、５層構造としては、最下層の第１絶縁性接着テープ２１、下層側の第１導電性接着剤２２、中間層となる第２絶縁性接着テープ２３、上層側の第２導電性接着剤２４、最上層の第３絶縁性接着テープ２５の順に積層された構成となっている。
【００４６】
第１絶縁性接着テープ２１は熱可塑性接着剤の付されたテープであり、電源供給のための電極パッド（その電極パッドと導通する他の電極パッドも含む。以下同様。）および接地用の電極パッド（その電極パッドと導通する他の電極パッドも含む。以下同様。）の上に各々孔が開けられた形状で貼り付けられている。
【００４７】
また、第１導電性接着剤２２は、電源供給のための電極パッド（例えば、電極パッドＰａ）の位置に設けられた第１絶縁性接着テープ２１の孔に入り込むとともに、その他の電極パッドＰの位置を避けるように塗布されている（図５（ａ）参照）。
【００４８】
また、第２絶縁性接着テープ２３は、熱可塑性接着剤の付されたテープであり、第１導電性接着剤２２の表面を覆う状態で貼り付けられている。なお、この第２絶縁性接着テープ２３における接地用の電極パッドおよびその他（電源供給用でも接地用でもない電極パッド）と対応する部分には孔が形成されている。
【００４９】
第２導電性接着剤２４は、接地用の電極パッド（例えば、電極パッドＰａ）の位置に設けられた第２絶縁性接着テープ２３の孔に入り込むとともに、その他（電源供給用でも接地用でもない電極パッド）の電極パッドＰの位置を避けるように塗布されている。
【００５０】
また、第３絶縁性接着テープ２５は、熱可塑性接着剤の付されたテープであり、第２導電性接着剤２４の表面を覆う状態で貼り付けられている。この第３絶縁性接着テープ２３における電源供給用でも接地用でもない電極パッドと対応する部分には孔が形成されている。
【００５１】
したがって、この５層の共通ラインにおいては、下層側となる第１導電性接着剤２２によって電源供給用の導通ラインが構成され、上層側となる第２導電性接着剤２４によって接地用の導通ラインが構成されている。また、第１導電性接着剤２２と第２導電性接着剤２４とが積層構造となっていることで、各々電極パッドの両側を通過する形状となっている。
【００５２】
また、共通ライン２における電源供給用でも接地用でもない電極パッドの上方には孔が形成されることになり、この孔においてボンディングワイヤーＷを接続し、リードＬとの配線を行うようにしている。
【００５３】
この共通ライン２の表面に第３絶縁性接着テープ２５が貼り付けられていることで、ボンディングワイヤーＷが接触しても第１導電性接着剤２２および第２導電性接着剤２４との短絡を避けることが可能となる。
【００５４】
次に、この半導体装置の製造方法を説明する。先ず、各電極パッドの上に孔を開けた形状の第１絶縁性接着テープ２１を加熱および加圧によって接着する。
【００５５】
次に、この第１絶縁性接着テープ２１の上に第１導電性接着剤２２を塗布する。第１導電性接着剤２２は、電源信号を取り扱う電極パッドＰ１、Ｐａ、Ｐｂの上の孔にのみ入り込むとともに、各電極パッドの両脇を通過する形状（図５（ａ）参照）で塗布する。第１導電性接着剤２２の塗布は、第１実施形態と同様、図２（ａ）〜（ｃ）に示すいずれがの方法を用いる。
【００５６】
次いで、第１導電性接着剤２２の上に第２絶縁性接着テープ２３を加熱および加圧によって接着する。なお、この第２絶縁性接着テープ２３における接地用の電極パッドＰ２、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆおよびそれ以外の電極パッド（電源供給用でも接地用でもない電極パッド）の上には孔が設けられている。
【００５７】
次に、第２絶縁性接着テープ２３の上に第２導電性接着剤２４を塗布する。第２導電性接着剤２４は、接地信号を取り扱う電極パッドＰ２、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆの上の孔にのみ入り込むとともに、各電極パッドの両脇を通過する形状で塗布する。第２導電性接着剤２４の塗布は、第１導電性接着剤２２と同様、図２（ａ）〜（ｃ）に示すいずれがの方法を用いる。
【００５８】
第２導電性接着剤２４を塗布した後は、その上に第３絶縁性接着テープ２５を加熱および加圧によって接着する。第３絶縁性接着テープ２５は第２導電性接着剤２４を覆う状態となる。なお、第３導電性接着テープ２５における電源供給用でも接地用でもない電極パッドの上には孔が開けられている。
【００５９】
５層構造の共通ライン２を積層形成した後は、半導体素子１を加熱する。この加熱によって熱可塑性接着剤が硬化し、各層が接合する状態となる。
【００６０】
次に、共通ライン２の接続されていない電極パッドとリードＬとをボンディングワイヤーＷによって配線する。この際、ボンディングワイヤーＷは共通ライン２をまたぐとともに共通ライン２の表面にある第３絶縁性接着テープ２５に接触して支えられる状態となる。これによってボンディングワイヤーＷの低ループ化とともに十分な形状保持性を備えることになる。
【００６１】
このボンディングワイヤーＷの接続を行った後は、図５（ｃ）に示すように、半導体素子１の全体をモールド樹脂によって封止し、パッケージＰＫを構成する。本実施形態では、ボンディングワイヤーＷのループを従来より低くできることから、パッケージＰＫの厚さを図中二点鎖線で示す厚さまで薄くすることができようになる。
【００６２】
第３実施形態では、共通ライン２を５層構造とすることによって、独立した導通ラインを各々電極パッドの両脇を通過する形状にすることができ、全体の幅（接着面積）を大きくすることができる。これによって、各層の接合力を大きくでき信頼性の向上を図ることが可能となる。特に、この効果は各電極パッドのピッチがた小さくなればなるほど顕著に現れることになる。
【００６３】
なお、上記説明したいずれの実施形態でも、共通ラインとして電源供給のための電源用ライン、接地用の接地用ラインを例にしたが、本発明はこれに限定されず、共通の信号を取り扱う複数の電極パッドを導通するためのラインを共通ラインとしてもよい。すなわち、半導体素子１の内部にあるアルミニウム配線等をこの共通ラインとして適用することも可能である。
【００６４】
また、共通ラインとボンディングワイヤーＷとを接触させるにあたり、ンディングワイヤーＷを多角形的（例えば、台形）に引回し、その上辺と対応する略水平となった部分において共通ラインとの線接触を図るようにすれば、的確な支持を行うことが可能となる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置およびその製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、共通ラインをまたぐ状態でボンディングワイヤーを接続する場合にも、共通ラインとボンディングワイヤーとの電気的な接触を考慮する必要がなくなり、ボンディングワイヤーのループを低くすることが可能となる。これによって、半導体装置のパッケージを薄型化することが可能となる。
【００６６】
また、ボンディングワイヤーを引き回す際に共通ラインの表面に被着した絶縁性接着テープと接触させることで、ボンディングワイヤーを支持することが可能となり、ボンディングワイヤーの倒れや変形を抑制して信頼性の高い半導体装置を提供できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態を説明する概略図である。
【図２】導電性接着剤の塗布を説明する概略断面図である。
【図３】第２実施形態を説明する概略図である。
【図４】第３実施形態を説明する概略図（その１）である。
【図５】第３実施形態を説明する概略図（その２）である。
【図６】従来例を説明する概略図（その１）である。
【図７】従来例を説明する概略図（その２）である。
【符号の説明】
１ 半導体素子
２ａ、２ｂ 共通ライン
２１ 第１絶縁性接着テープ
２２ 第１導電性接着剤
２２ａ 銅箔
２３ 第２絶縁性接着テープ
２４ 第２導電性接着剤
２５ 第３絶縁性接着テープ
ＢＰ 金属バンプ
Ｌ リード
Ｐ 電極パッド
Ｔ 絶縁性テープ
Ｗ ボンディングワイヤー

Claims (10)

  1. 半導体素子上に設けられた複数の電極パッドと、それぞれ該複数の電極パッドの対応するものとワイヤを介して接続される複数のリードと、前記半導体素子上に配置され、前記複数の電極パッドのうち対応するいくつかを電気的に接続させる共通ラインとを有する半導体装置において、
    前記共通ラインは、少なくとも表面に絶縁部材が設けられ、さらに電源用ラインと接地用ラインとを有し、該電源用ラインと該接地用ラインとがそれぞれ独立して構成されているとともに、最上層が絶縁層となるように導電層と絶縁層とが交互に配置された多層構造を有し、前記電源用ラインと前記接地用ラインとが互いに異なる層となる前記導電層を用いている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記接地ラインに用いられる導電層は前記電源用ラインに用いられる導電層より上層に位置する
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記絶縁層は絶縁性の接着テープで構成されている
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 前記導電層は銅から構成されるものである
    ことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
  5. 前記複数の電極パッドは前記共通ラインに並行して配置され、前記共通ラインは、該共通ラインと接続される電極パッド上を覆う突出部を有する
    ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
  6. 前記複数の電極パッドは整列配置され、前記共通ラインは、前記複数の電極パッドのうち前記リードとワイヤにて接続される電極パッドが露出するように孔が設けられ、該整列配置された複数の電極パッドの両脇を通過するように配置されている
    ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
  7. 前記電極パッドの対応するいくつかと前記共通ラインとの電気的な接続として金属バンプを用いる
    ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
  8. 半導体素子上に設けられ複数の電極パッドを避けるよう第１の絶縁性接着テープを貼り付ける工程と、
    前記半導体素子における共通の信号を取り扱う電極パッドと導通する状態で前記第１の絶縁性接着テープ上に導電性接着剤を積層する工程と、
    前記導電性接着剤の表面を覆う状態で第２の絶縁性接着テープを積層する工程と、
    前記導電性接着剤および前記第２の絶縁性接着テープが積層されていない電極パッドから外部との信号入出力を行うリードとをボンディングワイヤーで接続するにあたり、該第２の絶縁性接着テープをまたぐとともに該第２の絶縁性接着テープと接触する状態で引き回して接続する工程と
    を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 半導体素子上に設けられ複数の電極パッドを避けるよう第１の絶縁性接着テープを貼り付ける工程と、
    前記半導体素子における電源信号を取り扱う電極パッドと導通する状態で前記第１の絶縁性接着テープ上に第１の導電性接着剤を積層する工程と、
    前記第１の導電性接着剤の表面を覆う状態で第２の絶縁性接着テープを積層する工程と、
    前記半導体素子における接地レベルとなる電極パッドと導通する状態で第２の絶縁性接着テープ上に第２の導電性接着剤を積層する工程と、
    前記第２の導電性接着剤の表面を覆う状態で第３の絶縁性接着テープを積層する工程と、
    前記第１の導電性接着剤、前記第２の導電性接着剤、前記第２の絶縁性接着テープおよび前記第３の絶縁性接着テープが積層されていない電極パッドから外部との信号入出力を行うリードとをボンディングワイヤーで接続するにあたり、該第３の絶縁性接着テープをまたぐとともに該第３の絶縁性接着テープと接触する状態で引き回して接続する工程と
    を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 半導体素子上に設けられ複数の電極パッドを避けるよう第１の絶縁性接着テープを貼り付ける工程と、
    前記半導体素子における共通の信号を取り扱う電極パッド上の金属バンプと導通する状態で前記第１の絶縁性接着テープ上に金属箔を積層する工程と、
    前記金属箔の表面を覆う状態で第２の絶縁性接着テープを積層する工程と、
    前記金属箔および前記第２の絶縁性接着テープが積層されていない電極パッドから外部との信号入出力を行うリードとをボンディングワイヤーで接続するにあたり、該第２の絶縁性接着テープをまたぐとともに該第２の絶縁性接着テープと接触する状態で引き回して接続する工程と
    を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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US7626262B2 (en) * 2006-06-14 2009-12-01 Infineon Technologies Ag Electrically conductive connection, electronic component and method for their production
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04348045A (ja) * 1990-05-20 1992-12-03 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5227232A (en) * 1991-01-23 1993-07-13 Lim Thiam B Conductive tape for semiconductor package, a lead frame without power buses for lead on chip package, and a semiconductor device with conductive tape power distribution
JPH05114622A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06283659A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
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