JPH04348045A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH04348045A
JPH04348045A JP3105622A JP10562291A JPH04348045A JP H04348045 A JPH04348045 A JP H04348045A JP 3105622 A JP3105622 A JP 3105622A JP 10562291 A JP10562291 A JP 10562291A JP H04348045 A JPH04348045 A JP H04348045A
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JP
Japan
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inner lead
semiconductor chip
lead
metal layer
semiconductor device
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Withdrawn
Application number
JP3105622A
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English (en)
Inventor
Junichi Arita
順一 有田
Akihiko Iwatani
昭彦 岩谷
Asao Matsuzawa
松沢　朝夫
Masahiro Ichitani
昌弘 一谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US07/717,262 priority patent/US5252854A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、高集積度の大規模集積回路の薄型パッケージに適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積に伴い、半導体チッ
プのサイズが大きくなる傾向にある。そこで、例えば、
特開昭６１−２４１９５９号公報に開示されるようなリ
ードオン　　チップ（Ｌｅａｄ　　Ｏｎ　　Ｃｈｉｐ）
型の樹脂封止パッケージが提案されている。これは、半
導体チップの回路形成面上に、複数の信号用インナーリ
ードが、前記半導体チップと絶縁フィルムを介在させて
接着剤で接着され、該信号用インナーリードと半導体チ
ップ上との中心線近傍に設けられたボンディングパッド
とが、ボンディングワイヤで電気的に接続され、モール
ド樹脂で封止された半導体装置において、前記半導体チ
ップの回路形成面の長手方向の中心線の近傍で、前記ボ
ンディングパッドとの間に、共用インナーリード（バス
バーインナーリード）が設けられたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術を検討した結果、以下の問題点を見
い出した。前記インナーリードと半導体チップとをボン
ディングワイヤで電気的に接続する際に、共用インナー
リードが半導体チップ上の外部端子（ボンディングパッ
ド）と信号用インナーリードとの間に位置するため、信
号用インナーリードにボンディングされるワイヤは共用
インナーリードを飛び越えなければならない。そのため
、共用インナーリードとワイヤとが接触し、ショートを
おこす可能性が非常に大きい。また、ショートを防止す
るためには、ワイヤのループ形状を通常のワイヤより高
くしなければならない。そのため、例えば、厚さ１ｍｍ
程度の薄型ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　　Ｓｍａｌｌ　　Ｏｕ
ｔｌｉｎ　　Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージにＬＯＣ構造
の半導体装置を適用することは極めて困難であった。す
なわち、前記薄型ＴＳＯＰパッケージでは、半導体チッ
プの主面からその上部の封止樹脂表面までの距離が最大
４００μｍでなければ、パッケージ厚１ｍｍ程度にでき
ない。したがって、図７Ａに示すように、共用インナー
リードを飛び越えてボンディングする場合は、ループ高
さが６００μｍ程度必要なので、薄型パッケージにでき
ない。
【０００４】本発明の目的は、信頼性の高い薄型のＬＯ
Ｃ構造の半導体装置を提供することにある。本発明の前
記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記
述及び添付図面から明らかになるであろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００６】（１）半導体チップの回路形成面のＸ方向
又はＹ方向の中心線の近傍に共用インナーリードが設け
られ、かつ前記半導体チップの回路形成面に、複数の信
号用インナーリードが設けられ、該信号用インナーリー
ド及び前記共用インナーリードと半導体チップとがそれ
ぞれボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド
樹脂で封止される半導体装置であって、前記共用インナ
ーリードを薄い金属箔で構成し、前記半導体チップの回
路形成面の上に、共用インナーリード及び複数の信号用
インナーリードがそれぞれ絶縁性接着剤又は絶縁性テー
プを介して積層されている半導体装置である。
【０００７】（２）主面に集積回路と複数の外部端子を
有する半導体チップと、電圧供給用の第１リードと信号
供給用の第２リードとからなり、おのおのが第１部と第
２部とからなるインナーリード部と、前記第２部と接続
し前記第１部から遠ざかる方向に延在しているアウター
リード部とからなるリードと、前記半導体チップ主面と
前記インナーリード部の第１部間に位置し、前記電圧供
給用リードと電気的に接続されている金属層と、前記イ
ンナーリード部の第１部と前記外部端子とを電気的に接
続している第１のワイヤと、前記金属層と他の外部端子
とを電気的に接続している第２のワイヤとからなる複数
のワイヤと、前記半導体チップ、前記インナーリード部
、前記金属層、及び前記ワイヤとを封止しているモール
ド手段とを備えている半導体装置である。
【０００８】（３）前記（２）の半導体チップの主面と
前記金属層とは接着層を介して接着されている。
【０００９】（４）前記（２）の金属層と前記インナー
リード部の第１部間に絶縁性基材を用を用いている。
【００１０】（５）前記（２）の外部端子は、前記半導
体チップの長辺にほぼ平行、かつ中心線部領域に配置さ
れている。
【００１１】（６）前記（２）の金属層は、前記外部端
子に沿って連続的に形成されている。
【００１２】（７）前記（２）の金属層は、鉄−ニッケ
ル合金箔からなる。
【００１３】（８）前記（２）のインナーリードの第２
部は、前記半導体チップの長辺側に配置されている。
【００１４】（９）前記（２）のインナーリードの第２
部は、前記半導体チップの短辺側に配置されている。
【００１５】（１０）主面に集積回路と複数の外部端子
を有する半導体チップと、電圧供給用の第１リードと信
号供給用の第２リードとからなり、おのおのが第１部と
第２部とからなるインナーリード部と、前記第２部と接
続し前記第１部から遠ざかる方向に延在しているアウタ
ーリード部とからなるリードと、前記インナーリード部
の第１部上に積層され、前記電圧供給用リードと電気的
に接続されている金属層と、前記インナーリード部の第
１部と前記外部端子とを電気的に接続している第１のワ
イヤと、前記金属層と他の外部端子とを電気的に接続し
ている第２のワイヤとからなる複数のワイヤと、前記半
導体チップ、前記インナーリード部、前記金属層、及び
前記ワイヤとを封止しているモールド手段とを備えてい
る半導体装置である。
【００１６】（１１）前記（１０）の半導体チップ主面
と前記インナーリードの第１部間に絶縁性基材を介在し
ている。
【００１７】（１２）前記（１０）のインナーリードの
第１部と金属層とを接着層で接着している。
【００１８】（１３）前記（１０）の外部端子は、前記
半導体チップの長辺にほぼ平行、かつ中心線部領域に配
置されている。
【００１９】（１４）前記（１０）の金属層は、前記外
部端子に沿って連続的に形成されている。
【００２０】（１５）前記（１０）の金属層は、鉄−ニ
ッケル合金箔からなる。
【００２１】（１６）前記（１０）の電圧供給用リード
と金属層とはワイヤで電気的に接続されている。
【００２２】（１７）前記（１０）のインナーリードの
第２部は、前記半導体チップの長辺側に配置されている
。
【００２３】（１８）前記（２）のインナーリードの第
２部は、前記半導体チップの短辺側に配置されている。
【００２４】（１９）主面に集積回路と複数の外部端子
を有するほぼ長方形状の半導体チップを準備する段階と
、前記半導体チップの主面に少なくとも一つの金属層を
接続する段階と、電圧供給用の第１リードと信号供給用
の第２リードとからなり、おのおのが第１部と第２部と
からなるインナーリード部と、前記第２部と接続し前記
第１部から遠ざかる方向に延在しているアウターリード
部とからなる複数のリードを用意する段階と、前記金属
層上に前記インナーリード部の第１部上を積層する段階
と、インナーリード部の第１部と前記外部端子間、及び
前記金属層と他の外部端子間を複数のワイヤでそれぞれ
電気的に接続する段階と、前記半導体チップ、前記イン
ナーリード部、前記金属層、及び前記ワイヤとをモール
ド手段とにより封止する段階とを備えている半導体装置
の製造方法である。
【００２５】（２０）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、一枚のシートからなる絶縁性基材を用意
し、その両面に絶縁性接着剤を塗布する。そして、前記
絶縁性基材を前記インナーリード部の第１部に圧着し、
インナーリード間の前記絶縁性基材を打ち抜いて、個々
のインナーリード部を形成する。
【００２６】（２１）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記金属層の少なくとも一方の面に絶縁
性接着剤を塗布する。
【００２７】（２２）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記インナーリードの第２部は、前記半
導体チップの長辺側に配置されている。
【００２８】（２３）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記金属層は、前記外部端子に沿って連
続的に形成されている。
【００２９】（２４）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記金属層は、鉄−ニッケル合金箔から
なる。
【００３０】（２５）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記インナーリードの第２部は、前記半
導体チップの長辺側に配置されている。
【００３１】（２６）前記（１９）の半導体装置の製造
方法において、前記インナーリードの第２部は、前記半
導体チップの短辺側に配置されている。
【００３２】（２７）主面に集積回路と複数の外部端子
を有するほぼ長方形状の半導体チップを準備する段階と
、一枚のシートからなる金属層を準備し、該金属層の少
なくとも一方の面に絶縁性接着を塗布する段階と、前記
半導体チップの主面に前記金属層を接続する段階と、電
圧供給用の第１リードと信号供給用の第２リードとから
なり、各々が第１部と第２部とからなるインナーリード
部と、前記第２部と接続し前記第１部から遠ざかる方向
に延在しているアウターリード部とからなる複数のリー
ドを用意する段階と、一枚のシートからなる絶縁性基材
を準備し、該絶縁性基材の両面に絶縁性接着を塗布する
段階と、前記絶縁性基材を前記インナーリード部の第１
部林圧着する段階と、前記インナーリード間の前記絶縁
性基材を打ち抜いて、個々のインナーリード部を形成す
る段階と、前記金属層上に第１部上を積層する段階と、
前記インナーリード部の第１部と前記外部端子間、及び
前記金属層と他の外部端子間を複数のワイヤでそれぞれ
電気的に接続する段階と、前記半導体チップ、前記イン
ナーリード部、前記金属層、及び前記ワイヤとをモール
ド手段とにより封止する段階とを備えている半導体装置
の製造方法である。
【００３３】（２８）前記（２７）の半導体装置の製造
方法において、前記外部端子は、前記半導体チップの長
辺にほぼ平行、かつ中心線部領域に配置されている。
【００３４】（２９）前記（２７）の半導体装置の製造
方法において、前記金属層は、前記外部端子に沿って連
続的に形成されている。
【００３５】（３０）前記（２７）の半導体装置の製造
方法において、前記金属層は、鉄−ニッケル合金箔から
なる。
【００３６】（３１）前記（２７）の半導体装置の製造
方法において、前記インナーリードの第２部は、前記半
導体チップの長辺側に配置されている。
【００３７】（３２）前記（２７）の半導体装置の製造
方法において、前記インナーリードの第２部は、前記半
導体チップの短辺側に配置されている。
【００３８】
【作用】前記の手段によれば、テープ状の金属箔からな
る共用インナーリードが半導体チップを横切っているの
で、多重ボンディングが可能である。また、この共用イ
ンナーリードは、信号インナーリードの下又は上に積層
されているので、共用インナーリード越えのボンディン
グワイヤがなくなり、ショートの危険を完全に回避する
ことができる。また、共用インナーリードを金属箔とす
ることによって、チップ表面からボンディングワイヤの
頂点までの高さを低くすることができる。これにより、
ＬＯＣ構造の薄型パッケージの半導体装置を提供するこ
とができる。さらに、金属箔とボンディングパッド間の
ワイヤボンディングにおいて、信号用インナーリード間
の溝の部分を利用することによって、ワイヤのループ高
さをさらに低くすることができ、薄型パッケージを達成
することができる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体
的に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
【００４０】〔実施例１〕図１は、本発明の実施例１で
ある樹脂封止型半導体装置のモールド樹脂の上半分を除
去した平面図、図２は、図１の（Ａ）−（Ａ）線で切っ
た断面図、図３は、図１の（Ｂ）−（Ｂ）線で切った断
面図、図４は、本実施例１の樹脂封止型半導体装置の全
体外観構成を示す斜視図である。
【００４１】本実施例１の樹脂封止型半導体装置は、図
１乃至図４に示すように、例えば、ＤＲＡＭ（ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリ）を構成する半導体
チップ１の回路形成面（以下、主面という）の長手方向
の中央部（中心線Ｌ０の近傍）には、絶縁性ポリイミド
接着剤４１で共用インナーリード（バスバーインナーリ
ードとも言われている）３３の一部である薄い金属箔３
３Ａが２本接着固定されている。この金属箔３３Ａの上
に、この金属箔３３Ａを横切るように複数本の信号用イ
ンナーリード３４Ａが絶縁性接着剤２で接着固定されて
いる。
【００４２】前記半導体チップ１の主面には、主にメモ
リセルアレイ及び周辺回路が配置されている。前記金属
箔３３Ａは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ：Ｎ
ｉ含有率４２％Ｆｅ）、Ｃｕ等で構成されている。
【００４３】前記絶縁性接着剤２としては、例えばポリ
エーテルアミドイミド系樹脂やエポキシ系樹脂を使用す
る。
【００４４】この種の樹脂封止型パッケージ５５は、い
わゆる半導体チップ１上に共用インナーリード３３と信
号用インナーリード３４Ａを配置したＬＯＣ（Ｌｅａｄ
　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）構造を採用している。ＬＯＣ構造を
採用する樹脂封止型パッケージ５５は、半導体チップ１
の形状に規制されずに信号用インナーリード３４Ａを自
由に引き回せるので、この引き回しに相当する分、サイ
ズの大きな半導体チップ１を封止することができる。す
なわち、ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型パッケージ５
５は、大容量化に基づき半導体チップ１のサイズが大型
化しても、封止サイズ（パッケージサイズ）を小さく抑
えられるので、実装密度を高めることができる。
【００４５】前記共用インナーリード３３は、薄い金属
箔３３Ａ及びアウターリード３３Ｃと一体に構成してい
るインナーリード３３Ｂで構成され、薄い金属箔３３Ａ
とインナーリード３３Ｂはボンディングワイヤ３６で電
気的に接続されている。信号用インナーリード３４Ａは
、その一端側をアウターリード３４Ｂと一体に構成され
ている。アウターリード３３Ｃ及び３４Ｂは、標準規格
に基づき、それぞれに印加される信号が規定され、番号
が付されている（図２）。この樹脂封止型パッケージ５
５は１〜６番端子、９〜１４番端子、１５〜２０番端子
、２３〜２８番端子の合計２４端子で構成されている。
【００４６】前記１番端子は電源電圧Ｖｃｃ端子である
。 前記電源電圧Ｖｃｃは例えば回路の動作電圧５［Ｖ］で
ある。２番端子はデータ入力信号端子、３番端子は空き
端子、４番端子はライトイネーブル信号端子、５番端子
はロウアドレスストローブ信号端子、６番端子はアドレ
ス信号端子（Ａ１１）である。９番端子はアドレス信号
端子（Ａ１０）、１０番端子はアドレス信号端子（Ａ０
）、１１番端子はアドレス信号端子（Ａ１）、１２番端
子はアドレス信号端子（Ａ２）、１３番端子はアドレス
信号端子（Ａ３）である。１４番端子は電源電圧Ｖｃｃ
端子である。１５番端子は基準電圧Ｖｓｓ端子である。 前記基準電圧Ｖｓｓは例えば回路の基準電圧０［Ｖ］で
ある。１６番端子はアドレス信号端子（Ａ４）、１７番
端子はアドレス信号端子（Ａ５）、１８番端子はアドレ
ス信号端子（Ａ６）、１９番端子はアドレス信号端子（
Ａ７）、２０番端子はアドレス信号端子（Ａ８）である
。２３番端子はアドレス信号端子（Ａ９）、２４番端子
は空き端子、２５番端子はカラムアドレスストローブ信
号端子、２６番端子は空き端子、２７番端子はデータ出
力信号端子、２８番端子は基準電圧Ｖｓｓ端子である。
【００４７】前記インナーリードの３４Ｂの他端側は、
半導体チップ１の長方形状の夫々の長辺を横切り、半導
体チップ１の中央側に引き伸ばされている。インナーリ
ードの３４Ａの半導体チップ上の先端はボンディングワ
イヤ２７により半導体チップ１の中央部分に配列された
ボンディングパッド（外部端子）３２に電気的に接続さ
れている。前記ボンディングワイヤ３６，３７は金（Ａ
ｕ）ワイヤを使用する。また、ボンディングワイヤ３６
，３７としては、銅（Ｃｕ）ワイヤ、金属ワイヤの表面
に絶縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤ等を使用してもよい
。ボンディングワイヤ３６，３７は熱圧着に超音波振動
を併用したボンディング法によりボンディングされてい
る。
【００４８】前記共用インナーリード３３のＶｃｃ用リ
ード３３ＢとＶｓｓ用リード３３Ｂは、それぞれその他
のインナーリード（信号用インナーリード）３４Ａの半
導体チップ１上の先端で規定された領域内において平行
に延在させている。この共用インナーリード３３のＶｃ
ｃ用リード３３ＢとＶｓｓ用リード３３Ｂは、それぞれ
半導体チップ１の主面のどの位置においても、電気的に
接続されている金属箔３３Ａを介して電源電圧Ｖｃｃ、
基準電圧Ｖｓｓを供給することができるように構成され
ている。つまり、この樹脂封止型半導体装置は電源ノイ
ズを吸収し易く構成され、動作速度の高速化を図れるよ
うに構成されている。
【００４９】前記半導体チップ１の長方形状の短辺には
、図１に示すように、パッケージ支持用リード３８が設
けられている。また、図１に示すように、１番端子，１
４番端子，１５番端子，２８番端子に対応するインナー
リードのそれぞれの所定位置に半導体チップ１とリード
間の位置決め目標切り欠き部３９が設けられている。
【００５０】半導体チップ１とリードとの接着は、位置
決め目標切り欠き部３９とインナーリード３３Ｂ，３４
Ａのそれぞれに設けられた位置決め目標突起４０からの
所定の位置の中に半導体チップ１が入るように配置すれ
ば、半導体チップ１とリードが正確な位置に配置されて
いることとなる。
【００５１】前記インナーリード３３Ｂ，３４Ａ、アウ
ターリード３３Ｃ，３４Ｂ，パッケージ支持用リード３
８のそれぞれはリードフレームから切断され、かつ成型
されている。リードフレームは例えばＦｅ−Ｎｉ合金（
例えばＮｉ含有率４２又は５０［％］）、Ｃｕ等で形成
されている。
【００５２】前記半導体チップ１、ボンディングワイヤ
３６，３７、共用インナーリード３３、信号用インナー
リード３４Ａ、パッケージ支持用リード３８のそれぞれ
はモールド樹脂５Ａで封止されている。モールド樹脂５
Ａは、低応力化を図るために、フェノール系硬化剤、シ
リコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系樹脂
を使用している。シリコーンゴムはエポキシ系樹脂の弾
性率と同時に熱膨張率を低下させる作用がある。フィラ
ーは球形の酸化珪素粒で形成されており、同様に熱膨張
率を低下させる作用がある。
【００５３】前記半導体チップ１のレイアウトは、その
主面のＸ方向（又はＹ方向）の中心線部にボンディング
パッド（外部端子）３２（図１）及び周辺回路が設けら
れている。そして、これらのボンディングパッド（外部
端子）３２及び周辺回路の両側に多数のメモリセル列（
メモリマット）が設けられている。
【００５４】前記金属箔３３Ａは、図２（前記信号用イ
ンナーリード３４Ａと半導体チップ１との接続部の詳細
を示す図）に示すように、絶縁性ポリイミド接着剤４１
を介して半導体チップ１に取り付けられている。さらに
、信号用インナーリード３４Ａは、絶縁性ポリイミド基
板２Ａの両面に絶縁性ポリイミド接着剤４１を塗布した
絶縁性接着剤２を介して前記金属箔３３Ａ上に接着され
ている。
【００５５】図３（前記共用インナーリード３３を構成
する金属箔３３Ａと半導体チップ１との接続部の詳細を
示す図）に示すように、半導体チップ１上に絶縁性ポリ
イミド接着剤４１を介して金属箔３３Ａを形成している
。
【００５６】本実施例１に使用される樹脂封止型半導体
装置は、図４に示すように、リードがガルウィング（Ｇ
ｕｌｌ　Ｗｉｎｇ）状に形成されている面実装型の薄型
パッケージ、例えば、ＴＳＯＰである。すなわち、アウ
ターリード３３Ｃ及び３４Ｂはモールド樹脂５Ａから遠
ざかる方向に突出し、その先端はモールド樹脂５Ａの上
面、あるいは下面に平行になるように延在している。ま
た、パッケージ５５の所定の位置にインデックス４２が
設けられている。
【００５７】次に、本実施例１の樹脂封止型半導体装置
の組み立て方法について、図５（Ａ）乃至（Ｇ）及び図
６Ａ乃至図６Ｃを用いて簡単に説明する。
【００５８】まず、絶縁性ポリイミド基材２Ａを準備し
、その両面に絶縁性接着剤４１を塗工することによって
、図５（Ｂ）に示すように、絶縁性のポリイミドテープ
からなる絶縁性接着剤２を製作する。次に、打ち抜き等
によって形成したリードフレームのインナーリード３３
Ｂ（図示していない）及び３４Ａの先端領域に、図５（
Ｃ）に示すように前記絶縁性ポリイミドテープからなる
絶縁性接着剤２を熱圧着する。その平面図を図６Ａに示
す。さらに、図６Ｂに示すように、前記絶縁性ポリイミ
ドテープ４３の不要な部分を打ち抜き、櫛歯状に成形す
る。
【００５９】一方、共用インターリード３３用の、例え
ば、４２アロイからなるシート状の金属箔３３Ａを用意
し、その片面に絶縁性接着剤４１を塗工する。そして、
所望の形状に打ち抜き、金属箔３３Ａを形成する（図５
（Ｄ）、（Ｅ））。次に、図５（Ｆ）に示すように、半
導体チップ１の主面の長手方向の中心線部に、前記絶縁
性接着剤４１を塗工した金属箔３３Ａを熱圧着する。前
記図５（Ａ）乃至（Ｃ）で形成された絶縁性接着剤付き
リードと、図５（Ｄ）乃至（Ｆ）で形成された金属箔付
き半導体チップとを熱圧着する（図５（Ｇ））。図６Ｃ
は図５（Ｇ）の平面図である。ここで、例えば、絶縁性
ポリイミド基材２及び絶縁性接着剤４１は厚さ２５μｍ
、絶縁性ポリイミドテープ４３は７５μｍ、金属箔３３
Ａは５０μｍ程度である。
【００６０】次に、共用インナーリード３３の金属箔３
３Ａとインナーリード３３Ｂ、半導体チップ１上のボン
ディングパッド３２と金属箔３３Ａ、ボンディングパッ
ド３２と信号用インナーリード３４Ａをそれぞれワイヤ
ボンディング（ワイヤ３６及び３７）して電気的に接続
する。
【００６１】次に、レジン等のモールド樹脂５Ａでモー
ルドした後、アウターリード３３Ｃ，３４Ｂをメッキし
、アウターリード３３Ｃ，３４Ｂをリードフレームの外
枠から切り離して成形する。
【００６２】最後に、パッケージ支持リードを切断して
樹脂封止型半導体装置の組み立てを完了する。
【００６３】このように半導体装置を構成することによ
り、共用インナーリード３３の金属箔（テープ状）３３
Ａが半導体チップ１を横切っているので、多重ボンディ
ングが可能である。また、この共用インナーリード３３
の金属箔３３Ａは、信号用インナーリード３４Ａの下に
積層されているので、共用インナーリード３３の金属箔
３３Ａをボンディングワイヤ３７が越えることがない。 また、図７Ａ，図７Ｂに示すように、半導体チップ１の
主面からボンディングワイヤ３７の頂点までの高さを低
くすることができる。例えば、本発明の高さは、従来の
高さの１／２程度にすることができる。また、金属箔３
３Ａをボンディングワイヤ３７が越えることがないので
、モールド時に、ボンディングワイヤ３７が変形しても
金属箔３３Ａとショートする危険がない。これらにより
、薄型パッケージの半導体装置を提供することができる
。
【００６４】図７Ａは、従来のボンディングワイヤ３７
の高さを示す図、図７Ｂは、本発明のボンディングワイ
ヤ７の高さを示す図である従来のループ高さＨ１は、約
６００μｍ程度であるのに対し、本実施例においては、
ループの高さＨ２は約３００μｍ程度である。
【００６５】また、共用インナーリード３３及び信号用
インナーリード３４Ａで半導体チップ１を固定するため
、パッケージ支持用リード３８を半導体チップ１の主面
に固定する必要がないので、パッケージ支持用リード３
８による半導体チップ１の主面を破損するおそれがない
。また、半導体チップ１の主面の端部に絶縁性テープを
設けなくてもよいので、リフロー時に絶縁性テープから
のパッケージクラックを発生することがない。
【００６６】〔実施例２〕図８は、本発明の実施例２で
ある樹脂封止型半導体装置の全体外観構成を示す斜視図
、図９は、図８に示す半導体装置のモールド樹脂の上半
分を除去した平面図である。
【００６７】本実施例２の樹脂封止パッケージ５は、長
方形状の短辺からガルウィング状にリードが突出した薄
型パッケージである。前記実施例１と同様に、半導体チ
ップ１の主面の長手方向の中央部には、絶縁性接着剤２
で共用インナーリード３の一部である薄い金属箔３Ａが
２本接着固定されている。この金属箔３Ａの上に、この
金属箔３Ａを横切るように複数本の信号用インナーリー
ド４Ａが絶縁性接着剤２で接着固定されている。
【００６８】前記共用インナーリード３は、薄い金属箔
３Ａ及びアウターリード３Ｃと一体に構成しているイン
ナーリード３Ｂで構成され、薄い金属箔３Ａとインナー
リード３Ｂはボンディングワイヤ６で電気的に接続され
ている。信号用インナーリード４Ａは、その一端側をア
ウターリード４Ｂと一体に構成されている。アウターリ
ード３Ｃ及び４Ｂは、標準規格に基づき、それぞれに印
加される信号が規定され、番号が付されている。この樹
脂封止型パッケージ５は１〜６番端子、７〜１２番端子
、１３〜１８番端子、１９〜２４番端子の合計２４端子
で構成されている。
【００６９】前記インナーリードの３Ｃ及び４Ｂの他端
側は、半導体チップ１の長方形状のそれぞれの短辺を横
切り、半導体チップ１の中央側に引き伸ばされている。 インナーリードの４Ａの半導体チップ上の先端はボンデ
ィングワイヤ７により半導体チップ１の中央部分に配列
されたボンディングパッド（外部端子）３２に電気的に
接続されている。前記共用インナーリード３の金属箔３
Ａ及びインナーリード（信号用インナーリード）３Ｂの
うち６番端子，１９番端子のインナーリード３Ｂは、Ｖ
ｃｃ用リードとして使用され、半導体チップ１の中央部
分をその長辺に平行に引き伸ばされている。同様に、７
番端子，１８番端子のインナーリード３Ｂは、Ｖｓｓ用
リードとして使用される。前記共用インナーリード３の
Ｖｃｃ用リード３Ｂ、Ｖｓｓ用リード３Ｂのそれぞれは
、その他のインナーリード（信号用インナーリード）４
Ａの半導体チップ上の先端で規定された領域内において
平行に延在させている。この共用インナーリード３のＶ
ｃｃ用リード３Ｂ、Ｖｓｓ用リード３Ｂのそれぞれは、
半導体チップ１の主面のどの位置においても電源電圧Ｖ
ｃｃ、基準電圧Ｖｓｓを供給することができるように構
成されている。
【００７０】前記半導体チップ１の長方形状の長辺には
、図９に示すように、パッケージ支持用リード８が設け
られている。このパッケージ支持用リード８は、半導体
チップ１の主面から少し離れた位置に配置される。
【００７１】また、図９に示すように、１番端子，６番
端子，７番端子，１２番端子，１３番端子，１８番端子
，１９番端子，２４番端子に対応するインナーリードの
それぞれの所定位置に半導体チップ１とリード間の位置
決め目標突起部９が設けられている。
【００７２】これらのパッケージ支持用リード８及び位
置決め目標突起部９のそれぞれの幅ａ（図９）の中に半
導体チップ１の端が入るように配置すれば、半導体チッ
プ１とリードが正確な位置に配置されていることになる
。また、前記位置決め目標突起部９は、前記パッケージ
支持用リード８と同様に半導体チップ１の主面から少し
離れた位置に配置される。
【００７３】〔実施例３〕図１０は、本発明の実施例３
の要部を示す図であり、前記実施例の樹脂封止型半導体
装置において、前記半導体チップ１の主面上に信号用イ
ンナーリード５４Ａを絶縁性ポリイミドテープ４１を介
在させて配置し、該信号用インナーリード５４Ａの上に
共用インナーリード５３の金属箔５３Ａを配置したもの
である。
【００７４】本実施例３に示す半導体装置の組み立ては
、まず、半導体チップ１の所定の位置に絶縁性接着材４
３を貼り付けたリードフレームを取り付ける。次に、絶
縁性接着剤４１を塗工した金属箔５３Ａを取り付ける。
【００７５】共用インナーリード５３におけるワイヤボ
ンディングは、図１０（６はワイヤ）に示すように、前
記半導体チップ１の主面に固定したリードの上部で行う
。これは、ボンディングする際に、ワイヤ６の圧着不良
を防ぐためである。
【００７６】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。
【００７７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）多重ボンディングが可能である。 （２）共用インナーリードをボンディングワイヤが越え
ることがない。 （３）半導体チップの主面からボンディングワイヤの頂
点までの高さを低くすることができる。 （４）モールド時に、ボンディングワイヤが変形しても
共用インナーリードとショートする危険がない。 これらにより、信頼性の高い薄型パッケージの半導体装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】　　本発明の実施例１である樹脂封止型半導体
装置のモールド樹脂の上半分を除去した平面図
【図２】
　　図１の（Ａ）−（Ａ）線で切った断面図
【図３】　
　図１の（Ｂ）−（Ｂ）線で切った断面図
【図４】　　
本実施例１の樹脂封止型半導体装置の全体外観構成を示
す斜視図
【図５】　　本実施例１の樹脂封止型半導体装置の組み
立て方法を説明するための図
【図６Ａ】　　本実施例１の樹脂封止型半導体装置の組
み立て方法を説明するための図
【図６Ｂ】　　本実施例１の樹脂封止型半導体装置の組
み立て方法を説明するための図
【図６Ｃ】　　本実施例１の樹脂封止型半導体装置の組
み立て方法を説明するための図
【図７Ａ】　　従来のボンディングワイヤの高さを示す
図
【図７Ｂ】　　本発明のボンディングワイヤの高さを
示す図
【図８】　　本発明の実施例２である樹脂封止型半導体
装置の全体外観構成を示す斜視図
【図９】　　図８に示す半導体装置のモールド樹脂の上
半分を除去した平面図
【図１０】　　本発明の実施例３の要部を示す図
【符号の説明】
図中、１…半導体チップ、２…絶縁性接着剤、３，３３
，５３…共用インナ−リード、３Ａ，３３Ａ，５３Ａ…
共用インナーリードの金属箔、３３Ｂ…共用インナーリ
ードのインナーリード、３３Ｃ…共用アウターリード、
４Ａ，３４Ａ，５４Ａ…信号用インナーリード、４Ｂ，
３４Ｂ，５４Ｂ…信号用アウターリード、５，５５…樹
脂封止型パッケージ、６，７，３６，３７…ボンディン
グワイヤ、８…パッケージ支持用リード、９，４０…位
置決め目標突起、１０…絶縁性テープ、３２…ボンディ
ングパッド、３９…位置決め目標切り欠き部。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体チップの回路形成面のＸ方向又
    はＹ方向の中心線の近傍に共用インナーリードが設けら
    れ、かつ前記半導体チップの回路形成面に、複数の信号
    用インナーリードが設けられ、該信号用インナーリード
    及び前記共用インナーリードと半導体チップとがそれぞ
    れボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹
    脂で封止される半導体装置であって、前記共用インナー
    リードを薄い金属箔で構成し、前記半導体チップの回路
    形成面の上に、共用インナーリード及び複数の信号用イ
    ンナーリードがそれぞれ絶縁性接着剤又は絶縁性テープ
    を介して積層されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】　　主面に集積回路と複数の外部端子を有
    する半導体チップと、電圧供給用の第１リードと信号供
    給用の第２リードとからなり、おのおのが第１部と第２
    部とからなるインナーリード部と、前記第２部と接続し
    前記第１部から遠ざかる方向に延在しているアウターリ
    ード部とからなるリードと、前記半導体チップ主面と前
    記インナーリード部の第１部間に位置し、前記電圧供給
    用リードと電気的に接続されている金属層と、前記イン
    ナーリード部の第１部と前記外部端子とを電気的に接続
    している第１のワイヤと、前記金属層と他の外部端子と
    を電気的に接続している第２のワイヤとからなる複数の
    ワイヤと、前記半導体チップ、前記インナーリード部、
    前記金属層、及び前記ワイヤとを封止しているモールド
    手段とを備えていることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】　　主面に集積回路と複数の外部端子を有
    する半導体チップと、電圧供給用の第１リードと信号供
    給用の第２リードとからなり、おのおのが第１部と第２
    部とからなるインナーリード部と、前記第２部と接続し
    前記第１部から遠ざかる方向に延在しているアウターリ
    ード部とからなるリードと、前記インナーリード部の第
    １部上に積層され、前記電圧供給用リードと電気的に接
    続されている金属層と、前記インナーリード部の第１部
    と前記外部端子とを電気的に接続している第１のワイヤ
    と、前記金属層と他の外部端子とを電気的に接続してい
    る第２のワイヤとからなる複数のワイヤと、前記半導体
    チップ、前記インナーリード部、前記金属層、及び前記
    ワイヤとを封止しているモールド手段とを備えているこ
    とを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】　　主面に集積回路と複数の外部端子を有
    するほぼ長方形状の半導体チップを準備する段階と、前
    記半導体チップの主面に少なくとも一つの金属層を接続
    する段階と、電圧供給用の第１リードと信号供給用の第
    ２リードとからなり、おのおのが第１部と第２部とから
    なるインナーリード部と、前記第２部と接続し前記第１
    部から遠ざかる方向に延在しているアウターリード部と
    からなる複数のリードを用意する段階と、前記金属層上
    に前記インナーリード部の第１部上を積層する段階と、
    インナーリード部の第１部と前記外部端子間、及び前記
    金属層と他の外部端子間を複数のワイヤでそれぞれ電気
    的に接続する段階と、前記半導体チップ、前記インナー
    リード部、前記金属層、及び前記ワイヤとをモールド手
    段とにより封止する段階とを備えていることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】　　主面に集積回路と複数の外部端子を有
    するほぼ長方形状の半導体チップを準備する段階と、一
    枚のシートからなる金属層を準備し、該金属層の少なく
    とも一方の面に絶縁性接着を塗布する段階と、前記半導
    体チップの主面に前記金属層を接続する段階と、電圧供
    給用の第１リードと信号供給用の第２リードとからなり
    、おのおのが第１部と第２部とからなるインナーリード
    部と、前記第２部と接続し前記第１部から遠ざかる方向
    に延在しているアウターリード部とからなる複数のリー
    ドを用意する段階と、一枚のシートからなる絶縁性基材
    を準備し、該絶縁性基材の両面に絶縁性接着を塗布する
    段階と、前記絶縁性基材を前記インナーリード部の第１
    部に圧着する段階と、前記インナーリード間の前記絶縁
    性基材を打ち抜いて、個々のインナーリード部を形成す
    る段階と、前記金属層上に第１部上を積層する段階と、
    前記インナーリード部の第１部と前記外部端子間、及び
    前記金属層と他の外部端子間を複数のワイヤでそれぞれ
    電気的に接続する段階と、前記半導体チップ、前記イン
    ナーリード部、前記金属層、及び前記ワイヤとをモール
    ド手段とにより封止する段階とを備えていることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
JP3105622A 1990-05-20 1991-05-10 半導体装置及びその製造方法 Withdrawn JPH04348045A (ja)

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