JP2005072523A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体チップを搭載した基板を複数積層した半導体装置において、基板に形成されたリードの一端が半導体チップと接続されその他端が基板の接続端子となっており、前記リードの少なくとも一部は、接続端子近傍にて複数に分岐して、分岐した夫々のリードが異なる接続端子となっている。その製造方法において、前記基板に半導体チップを搭載する個片組み立てを行なう工程と、基板に半導体チップを搭載した状態で良品の選別を行なう工程と、選別された良品について、分岐したリードから所定のリードの導通を維持して各層の基板を個別化する工程と、個別化された基板を、所定の順に積層実装する工程とを有する。
この構成によれば、同一パターンの基板を共通化することが可能であり、スペースに余裕があるので、多くの信号を切り換えることができる。
【選択図】 図5
Description
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
半導体チップを搭載した基板を複数積層した半導体装置において、基板に形成されたリードの一端が半導体チップと接続されその他端が基板の接続端子となっており、前記リードの少なくとも一部は、接続端子近傍にて複数に分岐して、分岐した夫々のリードが異なる接続端子となっている。
上述した本発明によれば、テープ基板の接続端子の近傍で信号の切り換えを行なうので、スペースに余裕があり、多くの信号を切り換えることができる。加えて、リードを容易かつ確実に切断することが可能であり、同一の試験設定ですべてのテープ基板を試験することができるので、試験が容易になり、試験に要する時間も短縮する。
(1)本発明によれば、同一パターンのテープ基板を、接続端子近傍で分岐したリードを選択的に切断することによって回路を切り換えて積層実装の各層のテープ基板として用いることができるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、テープ基板の接続端子の近傍で信号の切り換えを行なうので、スペースに余裕があり、多くの信号を切り換えることができるという効果がある。
(3)本発明によれば、リード切断部分にあたるテープ基板に開口を設けてあるので、リードを容易かつ確実に切断することができるという効果がある。
(4)本発明によれば、上記効果(1)により、形成されているリードが同一パターンとなっているため、同一の試験設定ですべてのテープ基板を試験することができるので、試験が容易になり、試験に要する時間も短縮するという効果がある。
(5)本発明によれば、上記効果(1)により、選択される信号の数が増加・多様化に対応することが容易であるという効果がある。
(6)本発明によれば、上記効果(4)により、選別された良品について、各層のテープ基板を個別化することができるので、層ごとにテープ基板の数量が不足することはなく、テープ基板を有効に利用することができるという効果がある。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図6は、本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるテープ基板の半導体チップ搭載状態を示す平面図である。
テープ基板1は、ポリイミド等を用いたフィルム状の絶縁性基体2に金属膜のリード3を形成したものであり、リード3はその一端が半導体チップ4のパッド4aと接続されその他端がテープ基板1の接続端子5となっており、この接続端子5に形成したバンプ電極6によって各テープ基板を接続している。半導体チップ1は接着層7によってテープ基板1に固定され、リード3とパッド4aとの接続部分は樹脂等を用いた封止材8によって被覆されている。
また、本実施の形態の半導体装置の製造工程では、図14にフロー図を示すように、同一パターンのテープ基板1について、先ず半導体チップを搭載する個片組み立てを行なった後に、バーンイン試験(B/I)・選別試験を行ない良品の選別を行なう。
図33は、本発明の他の実施の形態である半導体装置に用いられるテープ基板の半導体チップ搭載状態を示す平面図であり、図34は半導体チップを搭載したテープ基板を積層した状態を示す縦断面図である。本実施の形態のテープ基板は半導体チップの周縁部分に列状にパッド4aを配置したコーナーパッドの半導体チップ4に用いられるものである点が前述した実施の形態とは異なっている。
2…基体
3…リード
3´…ダミーリード
4…半導体チップ
4a…パッド
5…接続端子
6…バンプ電極
7…接着層
8…封止材
9…接続用の開口
10…切断用の開口
11…パンチ
12…ボンディングワイヤ
Claims (17)
- 半導体チップを搭載した基板を複数積層した半導体装置において、
基板に形成されたリードの一端が半導体チップと接続されその他端が基板の接続端子となっており、前記リードの少なくとも一部は、接続端子近傍にて複数に分岐して、分岐した夫々のリードが異なる接続端子となっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板に形成されたリードは、積層される複数の基板全てに共通配線となる第1の配線と、前記積層される複数の基板の特定の層に共通となり、他の層では独立配線となる第2の配線と、前記積層される複数の基板全てに独立配線となる第3の配線とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記接続端子近傍にリード切断用の開口を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記分岐したリードでは、積層される各層によって異なるリードの導通を維持して各層の基板を個別化することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記基板にはリード切断用の開口が対称に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記基板がポリイミド等を用いたフィルム状の絶縁性基体に金属膜のリードを形成したテープ基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記基板がガラスファイバを混入させたエポキシ樹脂を用いた絶縁性基体に金属膜のリードを形成していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記積層される複数の基板には、夫々同一の半導体チップが搭載されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップがDRAMであり、複数に分岐するリードがデータ入出力コントロール信号線、データ入出力信号線であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記リードの電源線を複数系統並設することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記開口部分では、開口上での配線の数を均等化するためにダミーリードを配置したことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記開口で切断されるリードの切断部分の断面積が他の部分よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記リードの切断を、テープ基板のインデックスとして用いることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 半導体チップを搭載した基板を複数積層した半導体装置の製造方法において、
前記基板のリードは、一端が半導体チップと接続されその他端が基板の接続端子となっており、前記リードの少なくとも一部は、接続端子近傍にて複数に分岐して、分岐した夫々のリードが異なる接続端子となっており、
この基板に半導体チップを搭載する個片組み立てを行なう工程と、
基板に半導体チップを搭載した状態で良品の選別を行なう工程と、
選別された良品について、分岐したリードから所定のリードの導通を維持して各層の基板を個別化する工程と、
個別化された基板を、所定の順に積層実装する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接続端子近傍にリード切断用の開口を設け、この開口において前記複数の分岐リードの所定のリードを切断することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分岐したリードでは、積層される各層によって異なる位置のリードの導通を維持して各層の基板を個別化することを特徴とする請求項14又は15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口における切断はレーザーにより行われることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
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