JP5347877B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5347877B2
JP5347877B2 JP2009225360A JP2009225360A JP5347877B2 JP 5347877 B2 JP5347877 B2 JP 5347877B2 JP 2009225360 A JP2009225360 A JP 2009225360A JP 2009225360 A JP2009225360 A JP 2009225360A JP 5347877 B2 JP5347877 B2 JP 5347877B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
terminal
light emitting
emitting device
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009225360A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011077189A (ja
Inventor
幸弘 出向井
稔真 林
英樹 國分
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2009225360A priority Critical patent/JP5347877B2/ja
Publication of JP2011077189A publication Critical patent/JP2011077189A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5347877B2 publication Critical patent/JP5347877B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は発光装置の改良に関する。
発光装置に搭載されるLEDチップには高輝度化の要請がある。LEDチップが高輝度化されるとLEDチップの発熱が問題となる。そこで、従来より、発光装置には放熱を促進するための各種の改良がなされている。
例えば特許文献1や特許文献2に記載の発光装置ではLEDチップをマウントするリードの露出面積を稼ぐことで放熱性を高めている。これらの照明装置では、LEDチップをその表面側にマウントする第1のリードと該LEDチップからのワイヤをボンディングするボンディング領域をその表面に備える第2のリードとが用いられる。そして、各リードはパッケージ樹脂で囲繞されて一体化されており、第1のリードと第2のリードの対向面間にはパッケージ樹脂の材料により絶縁領域が形成されている。
特許文献1及び特許文献2に記載の発光装置では、LEDチップをマウントする第1のリードはその裏面を露出させている(即ち何らパッケージ樹脂の材料で被覆されていない)ので、この裏面を使ってLEDチップの熱を効率よく排熱できる。同様に、第2のチップもその裏面が露出しているので、ワイヤを介して伝えられるLEDチップの熱を外部へ効率よく排熱できる。
なお、本件発明に関連する先行文献として、特許文献3〜5を参照されたい。
特開2008−251937号公報 特開2005−353914号公報 特開2008−98218号公報 特許第2991174号公報 特許第2757839号公報
本発明者らは、上記タイプの発光装置につきその改良を鋭意検討してきた。その結果、製造容易性と高い放熱効果の観点から、第1のリードと第2のリードを比較的厚板製とすることに気がついた。これにより、各リードを何ら折り曲げることなく、各リードの上面(マウント領域、ボンディング領域)及び裏面をそれぞれパッケージ樹脂部から露出させられる。厚板で各リードを構成することにより各リードの熱容量が増大してLEDチップからの熱引き効果が増大する。
かかる第1のリードと第2のリードはパッケージ樹脂部で包まれた後、当該パッケージ樹脂部から突出した部分でリードフレームから切断される。厚板製のリードは何ら折り曲げられることはないので、リードフレームから切断された部分が そのまま端子(アウターリード)として使用される。
他方、発光装置はその応用が広く、そのため複数のLEDチップの搭載を許容できるようにすることがその汎用性の見地から好ましい。従って、第1のリードと第2のリードからはそれぞれ複数の端子を突出させることが好ましい。
複数の端子においても、各端子にリードフレームからの切断面が形成されることとなる。リードフレームには予めメッキ等の表面処理が施されて他の要素との電気的接続の安定性が図られているが、当該切断面はリードフレームの地金が現れる。従って、端子を他の電気回路へ半田付けしようとしても、当該切断面には半田のフィレットが充分に形成されないおそれがある。
一つのリードに対して複数の端子を突出させる場合、各端子に切断面、即ち半田フィレットが不十分な部分が存在することとなるので、半田による接合強度が不安定になりやすい。複数の端子を用いることにより端子の幅が制限されることと、半田付けの箇所が分離されることにより、一方の端子に応力が集中するおそれがあるからである。
そこで本発明者らは、第1のリードから第1及び第2の端子が突出し、かつ第2のリードから第3及び第4の端子が突出する発光装置において、各端子における切断面の最適化を図るべく検討を重ね、本発明に想到するに至った。
この発明の第1の局面は次のように規定される。即ち、
LEDチップをマウントするマウント領域をその表面に有するとともにその裏面を露出させる第1のリードと、
前記LEDチップからのワイヤをボンディングするボンディング領域をその表面に有するとともに、その裏面を露出させる第2のリードと、
前記第1のリードと前記第2のリードを囲繞するとともに前記第1のリードと前記第2のリードの間に絶縁領域を形成するパッケージ樹脂部と、を備え、
前記第1のリードはその裏面を表出させつつ前記パッケージ樹脂部から突出する第1の端子と第2の端子を有し、
前記第2のリードはその裏面を表出させつつ前記パッケージ樹脂部から突出する第3の端子と第4の端子を有し、
前記第1〜第4の端子には切断面が突出方向側面に形成されている、ことを特徴とする発光装置。
このように規定される第1の局面の発光装置によれば、第1〜第4の端子の切断面を端子の突出方向側面としたので、端子の端面(突出方向正面、端子の幅方向の面)から切断面が排除される。
発光装置どうしの干渉を避けるため、端子の突出量は極力抑えられているので、端子においてその端面が最も幅広となる。上記のように、切断面を端子の側面に限定すれば、幅広の端面へ半田のフィレットを効果的に形成可能になるので、その半田付けが安定する。
この発明の第2の局面は次のように規定される。即ち、第1の局面に規定の発光装置において、前記切断面は前記第1の端子と前記第2の端子において各端子の対向面、及び前記第3の端子と前記第4の端子において各端子の対向面にそれぞれ形成されている。
このように規定される第2の局面の発光装置によれば、メッキ等の皮膜で保護されていない切断面が第1の端子と第2の端子の対向面に配置されるので、当該切断面に対する外部からの干渉が予防される。
第1の端子と第2の端子の各対向面に切断面を配置することにより、第1の端子及び第2の端子とリードフレームとを繋ぎ、第1の端子及び第2の端子との間で切断される連結部材として、1つの連結部材をリードフレームから伸ばして当該第1の端子と第2の端子との間に配置すればよい。
これに対し、第1の端子と第2の端子の外側側面に切断面を配置すると、第1の端子及び第2の端子へそれぞれ連結部材を繋ぐこととなる。第1の端子や第2の端子を発光素子の縁部に形成したとき、その外側に連結部材を繋ぐ構成を採用すると、この連結部材を配設するための余計なスペースがリードフレームに要求されることとなる。
図1はこの発明の実施の形態の発光装置の構成を示し、図1(I)は平面図、図1(II)は図1(I)におけるA−A線断面図、図1(III)は同じくB−B線断面図である。 図2は同じく発光装置の斜視図である。 図3はLEDチップを搭載する前のパッケージ部の上面斜視図である。 図4は同じく下面斜視図である。 図5は他の態様の発光装置の構成を示す上面斜視図である。 図6は同じく下面斜視図である。 図7は発光装置の製造過程で使用するリードフレームの一形態を示す平面図である。 図8は発光装置の製造過程で使用するリードフレームの望ましい形態を示す平面図である。 図9は図8の切断構造の詳細を示す模式図である。 図10は他の切断構造を示す模式図である。 図11は他の切断構造を示す模式図である。 図12は他の切断構造を示す模式図である。
次に、この発明を実施の形態に基づき更に詳細に説明する。
図1は実施の形態の発光装置1を示し、(I)は平面図、(II)はA−A線断面図、(III)はB−B線断面図である。
この発光装置1はLEDチップ3及びパッケージ部10を備えている。
LEDチップ3にはGaN系の発光ダイオードを採用した。GaN系の発光ダイオードはチップの一面にn電極とp電極が形成されるので、図1(1)に示すように、2本のボンディングワイヤW1、W2が懸架される。
なお、図1の例ではLEDチップ3の中心が発光面の中心と完全に一致するものではない。しかし、両者の中心がほぼ一致しておれば、発光装置の使用上、何ら問題はない。
パッケージ部10は第1のリード11、第2のリード21、22及びパッケージ樹脂部31を備える。
第1のリード11はその端縁、即ち第2のリード21、22との対向部に薄肉部13が形成される。この薄肉部13の上面は第1のリードの基体部14と実質的に面一であり、表面に露出する。LEDチップ3はこの薄肉部13にその一部又は全部がかかるようにしてマウントされる。これは、薄肉部13が発光装置1の発光面の中央を占めているためである。即ち、第1のリード11においてLEDチップ3がマウントされるマウント領域の一部又は全部が薄肉部13の上面に存在する。
この例では、第1のリード11において基体部14の両端には薄肉部13が形成されていない。換言すれば、第1のリード11の第2のリード対向端の中央部分から薄肉部13が第2のリード21側へ延出されているといえる。中央部分を選択的に延出させたのは、両端部へパッケージ樹脂部31の材料を回り込ませて第1のリード11と第2のリードとの結合強度を確保するためである。
薄肉部13はその上面が基体部14と面一であればその裏面側の形状は特に限定されない。図1の例では薄肉部13の裏面も平面としているが、裏面を傾斜面とすることができる。基体部14側へ近付くにつれて薄肉部13の厚さが減少するように傾斜面を形成すると、パッケージ樹脂部31の材料が薄肉部13に対してアンダーカットに作用し、第1のリード11と第2のリード21との結合強度が向上する。同様の観点から薄肉部13の裏面を凹凸形状としてもよい。
図4に示すように、第1のリード11の裏面はパッケージ樹脂部31から表出している。
LEDチップ3の熱は第1のリード11に伝わり、更にこの裏面から他の部材へ伝わり、排熱される。
第1のリード11は二股に分かれてパッケージ樹脂部31から外へ突出している。パッケージ樹脂部31から突出した部分が端子16、17となる。
端子16、17を二股にしたのは、端子16、17の間にパッケージ樹脂部31を型成形するときのゲート40を設けるためである(図4参照)。
第2のリード21、22は第1のリード11に対向して配置される。第2のリードの上面がボンディング領域となる。
この例では、1つのLEDチップ3を第1のリード11へマウントする構成であるので、第2のリード21として図1(I)において上側に位置する部分へボンディングワイヤW2が引き渡されている。勿論、他のLEDチップが第1のリード11へマウントされたときには、当該他のLEDチップからのボンディングワイヤは図1(I)において下側に位置する第2のリード22へ引き渡される。上下の第2のリード21、22は、図1(I)において横方向中心線に対して対称形状である。
第1のリード11に1つのLEDチップのみがマウントされる場合は、下側の第2のリード22は電気回路として機能していない。しかしながら、第1のリード11の端子16,17が二股にわかれているので、装置における端子のバランス上の観点から、たとえダミーの端子となっても、第2のリード22を設けることが好ましい。
勿論、第1のリード11にマウントされた1つのLEDチップ3から下側の第2のリード22へワイヤをかけ渡すことができる。
図中符号23、24は端子を示す。
第2のリード21、22においても、第1のリード11に対向する部分を薄肉部25とし、その裏面側へパッケージ樹脂を回り込ませることが好ましい。これにより、第1のリード11と第2のリード21、22との間に充分な結合強度が確保される。
この薄肉部25も、第1のリード11の薄肉部13と同様に、その裏面を傾斜面とすることができる。端子23、24側へ近付くにつれて薄肉部25の厚さが減少するように傾斜面を形成すると、パッケージ樹脂部31の材料が薄肉部25に対してアンダーカットに作用し、第1のリード11と第2のリード21との結合強度が向上する。同様の観点から薄肉部25の裏面を凹凸形状としてもよい。
この例では、第2のリード21の薄肉部25の上面がボンディング領域となる。
LEDチップ3の熱は専ら第1のリード11へ伝わり、ワイヤW2を介して第2のリード21へ伝わる熱量は比較的小さい。従って、第2のリード21においては薄肉部25を幅広にとって、パッケージ樹脂31の回り込み量を多くとり、第1のリード11と第2のリード21との結合強度を安定化させることが好ましい。
従って、第1のリード11の薄肉部13と第2のリード21の薄肉部25とを比較すると、後者を幅広とすることが好ましい。また、LEDチップ3からの高い排熱効率を確保するには、第1のリード11においてマウント領域は比較的幅狭の薄肉部13のみではなくその基体部14にも及ぶものとし、マウントされたLEDチップ3が第1のリード11の基体部14にもかかるようにする。これにより、熱源であるLEDチップ3から主排熱面である第1のリード11の裏面までの距離が短くなり、高い排熱効率が確保される。
パッケージ樹脂部31は第1のリード11、第2のリード21及び22を囲繞する。パッケージ樹脂部31において発光装置の上面に存在する部分は反射面33(傾斜面)を有する。
パッケージ樹脂31において第1のリード11と第2のリード21及び22との間に存在する部分は絶縁領域35となる。
パッケージ樹脂31としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂若しくはナイロン樹脂等の汎用的な高分子材料を用いることができる。第1のリード11、第2のリード21及び22をインサートとして型成形により付形される。
このように構成された実施の形態の発光装置1によれば、発光面のほぼ中央に位置する第1のリード11の薄肉部13へLEDチップ3がマウントされるので、発光面の発光バランスが良好に保たれる。
また、LEDチップ3の熱は薄肉部13から基体部14へ直接伝達するので、良好な排熱効率も維持される。
図5、図6には長方形のパッケージ部60を備えた他の例の発光装置50を示す。なお、図2の例と同一の作用を奏する要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
この発光装置50は、前の例の発光装置1と比べて、第1のリード51が長尺に形成され、その基体部54に発光面の中心が位置することとなるので、当該中心位置へLEDチップ3をマウントしている。
第1のリード51において絶縁領域35に対向する部分及び第2のリード21、22の構成は前の例と同一である。
発光装置1及び発光装置50の製造過程を図7に示す。
銀メッキされた表面を持つ金属(銅合金)薄板製のリードフレーム70は、フレーム部71、連結部73及びリード部本体とを備える。リード部本体は発光装置1や発光装置50にインサートされる第1のリード11、51及び第2のリード21、22である。このリード本体は連結部73を介してフレーム部71に連結されている。
リード部本体をリードフレーム70から切り離す前に、即ち、リード部本体が連結部73を介してフレーム部71に連結された状態で、パッケージ樹脂部31を射出成型する。
その後、図に点線で示す部分において連結部73を切断し、図2に示す発光装置1及び図5,6に示す発光装置50を得る。切断後、発光装置1、50側に残されて、パッケージ樹脂部31から突出した部分が端子16,17,23,24となる。
図7の点線位置で連結部73を切断すると、各端子16,17,23,24の端面にはメッキが施されず、リードフレーム70の地金が露出する。地金が露出した部分には半田のフィレットが形成され難い。
そこで、図8に示すように、フレーム部71から延設された一本の連結部83の自由端の両側面からアーム部84,85を伸ばし、アーム部84、85が端子16,17の対向面に連結させることができる。
端子23、24もアーム部86,87を介して連結部89の自由端の両側面につながれている。
詳細を図9に示す。図9においてメッキで被覆されている面、即ち半田のフィレットが確実に形成される部位にxxxを付してある。
図8において切断位置を点線で示した。図9では切断後にリードフレーム71側に残される領域を斜線で示している。かかる切断構造を採用することにより、端子23及び24において相対向する面(突出方向側面)に切断面が形成される。同様に端子16及び17においても相対向する面に切断面が形成される。
連結部83、89の各アーム84,85,86,87を細くすることにより、切断面の面積を可久的に小さくすることができる。これにより、半田有効領域(xxxで示す領域)が最大化される。
図10には他の態様の切断構造を示す。なお、図10において図9と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
図10の例では、フレーム部71から伸びる連結部91の自由端の両肩部が端子23の端縁と端子24の端縁の相対向する角部に連結されており、切断面を当該角部(連結部91の自由端の両肩部)とした。
かかる構成を採用すれば、図9の例に比べて細幅部(アーム部)が省略されるので、リードフレーム70自体の機械的強度が安定する。即ち、パッケージ樹脂部31を射出成型するときにおいても、リード本体がインサートとして安定する。
図11には他の態様の切断構造を示す。なお図9と同一の作用を奏する要素には同一の符号を付してその説明を部分的に省略する。
図11の例では、端子23の外方側面とフレーム部71との間、及び端子24の外方側面とフレーム部71との間にそれぞれ連結部101及び102を配設した。これにより、端子23の外方側面(突出方向外側側面)に切断面が形成される。同様に、端子24においてもその外方側面に切断面が形成される。
連結部101と端子23との結合部分及び連結部102と端子24との結合部分を細く形成することにより、切断面の面積の最小化、即ち半田有効領域の最大化が図れる。
なお、図12に示すように、端子23と端子24との間に第2の連結部105を設けることが好ましい。これにより、連結部101、102に対するリード本体の機械的安定性が向上する。即ち、パッケージ樹脂部31を射出成型するときにおいても、リード本体がインサートとして安定する。
この発明の実施形態の発光装置1、50では比較的厚い金属板で第1のリード11、51及び第2のリード21、22を形成し、もってその裏面をパッケージ樹脂部10から露出させて排熱効率の向上を図っている。換言すれば発光装置においてリード形成板の占める容積が大きく、パッケージ樹脂部10が比較的に薄肉となる。従って、パッケージ樹脂部10を射出成型するときにはその材料流れに注意を要する。そこで実施形態の発光装置1、50では、第1のリード11、51の端子側を二股に形成し、二股に分かれた部分の間にゲートを設けることとした。
パッケージ樹脂部10において発光装置の周面(反射面33)に該当する部分はゲートを設けるには肉厚が不十分であり、絶縁領域35にゲートを設けるとゲートから注入された材料が各リード11,51、21,24へ直接干渉するので好ましくない。
よって、第1のリード11、51において端子側で二股に分かれた部分の中央にゲートを設けることが好ましい。そのため、第1のリード11には2つの端子16、17が形成されることとなった。その結果、発光装置における端子配置のバランス上、相手側のリード(第2のリード21、22)にも2つの端子を設けることが好ましい。
この発明は、上記発明の実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
1 発光装置
3 LEDチップ
10 パッケージ部
11、51 第1のリード
21、22 第2のリード
31 パッケージ樹脂部
16,17,23,24 端子
70 リードフレーム
71 フレーム部
73,83,89,91,101,102,105 連結部

Claims (2)

  1. LEDチップをマウントするマウント領域をその表面に有するとともにその裏面を露出させる第1のリードと、
    前記LEDチップからのワイヤをボンディングするボンディング領域をその表面に有するとともに、その裏面を露出させる第2のリードと、
    前記第1のリードと前記第2のリードを囲繞するとともに前記第1のリードと前記第2のリードの間に絶縁領域を形成するパッケージ樹脂部と、を備え、
    前記第1のリードはその裏面を表出させつつ前記パッケージ樹脂部から突出する第1の端子と第2の端子を有し、
    前記第2のリードはその裏面を表出させつつ前記パッケージ樹脂部から突出する第3の端子と第4の端子を有し、
    前記第1の端子と前記第2の端子には、突出方向の内側面または外側面のいずれか一方のみに切断面が形成され、
    前記第3の端子と前記第4の端子には、突出方向の内側面または外側面のいずれか一方のみに切断面が形成されている発光装置。
  2. 前記切断面は、前記第1〜第4の端子の角部分にそれぞれ形成されている、請求項1に記載の発光装置。
JP2009225360A 2009-09-29 2009-09-29 発光装置 Expired - Fee Related JP5347877B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009225360A JP5347877B2 (ja) 2009-09-29 2009-09-29 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009225360A JP5347877B2 (ja) 2009-09-29 2009-09-29 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011077189A JP2011077189A (ja) 2011-04-14
JP5347877B2 true JP5347877B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=44020889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009225360A Expired - Fee Related JP5347877B2 (ja) 2009-09-29 2009-09-29 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5347877B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093621B2 (en) 2011-12-28 2015-07-28 Nichia Corporation Molded package for light emitting device
JP6079223B2 (ja) * 2011-12-28 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2757839B2 (ja) * 1995-10-31 1998-05-25 日本電気株式会社 リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH09213856A (ja) * 1996-02-06 1997-08-15 Canon Inc 半導体装置
JP2991174B2 (ja) * 1997-11-06 1999-12-20 日本電気株式会社 半導体装置用リードフレームおよびその半導体装置の製造方法
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2007214185A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Denso Corp リードフレーム
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011077189A (ja) 2011-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5023781B2 (ja) 発光装置
JP4922663B2 (ja) 半導体光学装置
JP5541991B2 (ja) 表面実装型コンタクト及びそれを用いたコネクタ
JP5471244B2 (ja) 照明装置
TWI384655B (zh) 側視式led封裝
WO2011136358A1 (ja) Ledモジュール
JP4670985B2 (ja) パッケージおよび半導体装置
JP2006049442A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP7100658B2 (ja) リードフレーム上のledの配置
KR20130124856A (ko) 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
JP2008218763A (ja) 発光装置
JP2012064940A (ja) 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオード
JP5347877B2 (ja) 発光装置
KR20120056624A (ko) 반도체 패키지
JP2013165258A (ja) Ledモジュール
JP5804369B2 (ja) 半導体素子用リードフレーム、樹脂付半導体素子用リードフレームおよび半導体装置、並びに、半導体素子用リードフレームの製造方法、樹脂付半導体素子用リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法
JP5796394B2 (ja) 発光装置
TWI531096B (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5359135B2 (ja) 発光装置
JP2009158769A (ja) 半導体装置
KR20080045880A (ko) Led 패키지
KR20110119200A (ko) 발광 장치
CN221327749U (zh) 一种全角度发光的柔性正装led灯丝
KR101138442B1 (ko) 발광소자
KR101925315B1 (ko) 라이트 유닛 및 이를 포함하는 발광 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111021

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121211

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130723

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees