JP2007214185A - リードフレーム - Google Patents

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Abstract

【課題】 はんだの濡れ性を向上し、良好なフィレットを形成することにより、接合強度を向上し、信頼性の高い接合が可能なリードフレームを実現する。
【解決手段】 アウターリード13と枠状部材14との境界部分を、側面13bに沿って切断した切断面17が側面13bの上端部に形成されており、側面13bのうち、切断面17を除いた下方の部分と接合面13aとにより形成された連続面には、めっき21が施されているので、はんだが濡れ性が悪い切断面17に接触することがなく、接合面13aから側面13bに濡れ上がって、良好なフィレットが形成される。これにより、アウターリード13の接合面13aと配線基板を接合する接合面積を増大させることができるので、接合強度を高めることができる。
【選択図】 図1

Description

この発明は、半導体素子を封止したパッケージの配線基板への実装に用いられるリードフレームに関する。
従来から用いられているリードフレームについて、図6を参照して説明する。
図6は、従来から用いられているリードフレームの説明図である。図6(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図6(B)は、ラインL1に沿って枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。図6(C)は、ラインL2に沿って枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。
図6(A)に示すように、リードフレーム110は、42合金(42%Ni−Fe合金)等の金属薄板にはんだの濡れ性が良好な材料によりめっきを施して形成され、半導体素子を搭載する図示しないダイパッドと、半導体素子とワイヤボンディング等により電気的に接続されるインナーリード112と、半導体装置を配線基板に実装し、電気的接続を行うためのアウターリード113と、アウターリード113を支持する枠状部材114と、インナーリード112とアウターリード113とを接続するダムバー115と、から構成される。ここで、半導体素子は、ワイヤボンディング等によりインナーリード112と接続された後に、絶縁性の樹脂により封止されて、パッケージ111として形成される。
半導体装置を配線基板に実装するためには、アウターリード113と平行方向のラインLDにおいてダムバー115を切断し、各リード112,113をそれぞれ電気的に絶縁する。このとき、図6(B)及び図6(C)に示すように、アウターリード113の下地が露出しためっきがない切断面116が形成される。
更に、アウターリード113を枠状部材114から切断して、配線基板のパッド面に接合しやすいように、アウターリード113の下面先端に形成された接合面113aをパッド面に対向する形状に折り曲げ加工する。
そして、このように形成されたアウターリード113において、接合面113aを配線基板のパッド面に載置して、リフロー等によりはんだ付けを行う。これにより、接合面113aから側面113bにはんだが濡れ上がり、はんだフィレットが形成されて接合され、半導体装置が配線基板に実装される。
特開平11−145366号公報
ここで、枠状部材114からアウターリード113を切断する際に、アウターリード113と垂直方向のラインL1に沿って切断すると、図6(B)に示すように、アウターリード113の先端部にアウターリード113の下地が露出しためっきがない切断面117が形成される。また、アウターリード113と平行方向のラインL2に沿って切断すると、図6(C)に示すように、アウターリード113の側面113bにアウターリード113の下地が露出しためっきがない切断面117が形成される。
このようなめっきのない切断面117は、はんだの濡れ性が低く、製造後の酸化により、更に濡れ性が低下する。上記のいずれの切断方法によっても、接合面113aと切断面117とが連続する領域が存在し、この切断面117において、はんだの濡れ上がりが十分に得られず、はんだフィレットの形状が悪くなる。その結果、接合面積が減少するため、接合強度が低下し、信頼性が低下するという問題点があった。
そこで、この発明は、はんだの濡れ性を向上し、良好なフィレットを形成することにより、接合強度を向上し、信頼性の高い接合が可能なリードフレームを実現することを目的とする。
この発明は、上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体素子が封止されたパッケージ(11)の端部から外方へ導出された複数のリード(13)と、前記パッケージ(11)の周囲を囲むように配置されており、前記複数のリード(13)の導出方向の各端部と一体形成された枠状部材(14)とを備えており、各リード(13)と前記枠状部材(14)との境界部分を、各リード(13)の導出方向に延びた側面(13b)に沿って切断した場合の各リードの導出方向に位置する各端部の下面が、配線基板と接合するための接合面(13a)になるリードフレーム(10)において、前記切断を行った場合の各リード(13)の側面(13b)に形成される切断面(17)が、前記側面(13b)のうち、下方の一部を除いた部分にそれぞれ形成され、かつ、前記各リード(13)の接合面(13a)と、前記各下方の一部とにより形成された各連続面は、それぞれめっき(21)が施されている、という技術的手段を用いる。
請求項1に記載の発明によれば、切断面が、各リードの側面のうち、下方の一部を除いた部分にそれぞれ形成され、かつ、各リードの接合面と、各下方の一部とにより形成された各連続面は、それぞれめっきが施されているので、接合面と配線基板とを接合するためのはんだなどの接合材料が、めっきが施されていないために接合材料の濡れ性が悪い切断面に接触することがなく、接合面から下方の一部に濡れ上がって、良好なフィレットが形成される。
これにより、各リードの接合面と配線基板を接合する接合面積を増大させることができるので、接合強度を高めることができる。
つまり、接合材料の濡れ性を向上し、良好なフィレットを形成することにより、接合強度を向上し、信頼性の高い接合が可能なリードフレームを実現することができる。
請求項2に記載の発明では請求項1に記載のリードフレーム(10)において、前記接合面(13a)と前記配線基板とを接合する際に、その接合のための接合材料が前記接合面(13a)から濡れ上がるための空間が、前記下方の一部と前記接合面(13a)との境界部分に形成されている、という技術的手段を用いる。
請求項3に記載の発明では、請求項2に記載のリードフレーム(10)において、前記空間は、前記境界部分を面取りすることにより形成されたものである、という技術的手段を用いる。
請求項4に記載の発明では、請求項2に記載のリードフレーム(10)において、前記空間は、前記接合面(13a)から前記端部の上面に向けて貫通形成された貫通孔(13k)である、という技術的手段を用いる。
請求項2に記載の発明によれば、接合材料が接合面から濡れ上がるための空間が形成されているため、各リードの接合面と配線基板を接合する接合面積を増大させることができるので、接合強度を高めることができる。
特に、請求項3に記載の発明によれば、当該空間は、境界部分を面取りするという簡単な加工により形成することができ、接合強度を高めることができる。
また、請求項4に記載の発明によれば、接合面から貫通孔に接合材料が濡れ上がって入り込むことにより、接合面方向に作用する力に対する耐力も増大させることができるので、更に接合強度を高めることができる。
〈第1実施形態〉
この発明に係るリードフレームの最良の実施形態について、図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るリードフレームの説明図である。図1(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)のA−A矢視断面図であり、図1(C)は、枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。図2は、本実施形態の変更例1に係るリードフレームの説明図である。図2(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図2(B)〜(D)は、図2(A)のA−A矢視断面図である。図3は、本実施形態の変更例2に係るリードフレームの説明図である。図3(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図3(B)〜(E)は、図3(A)のA−A矢視断面図である。図4は、本実施形態の変更例3に係るリードフレームの説明図である。図4(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図4(B)は、図4(A)のB−B矢視断面図である。
なお、各図では、説明のために一部を拡大して示している。
図1(A)に示すように、リードフレーム10は、42合金(42%Ni−Fe合金)等の金属薄板をエッチングや金型プレスによりパターニングした後に、防錆、かつ、はんだの濡れ性が良好な材料によりめっき21が施して形成される。ここで、めっき21は、錫、金、銀、パラジウム、はんだ、ニッケル等の材料により施されている。
リードフレーム10は、半導体素子を搭載する図示しないダイパッドと、ダイパッドから外周に向かって複数の帯状に形成され、半導体素子とワイヤボンディング等により電気的に接続されるインナーリード12と、インナーリード12の延長上に帯状に形成され、半導体装置を配線基板に実装し、電気的接続を行うためのアウターリード13と、パッケージ11の周囲を囲むように配置されており、アウターリード13の導出方向の各端部を支持する形状に一体形成された枠状部材14と、インナーリード12とアウターリード13とを接続するダムバー15と、から構成される。ここで、半導体素子は、ワイヤボンディング等によりインナーリード12と接続された後に、絶縁性の樹脂により封止されて、パッケージ11として形成される。
枠状部材14のアウターリード13の導出方向には、四角形状の開口部14aが形成されている。
図1(B)に示すように、枠状部材14はアウターリード13より薄く、アウターリード13の1/3程度の厚さに形成されている。そして、アウターリード13の導出方向に延びた側面13bの、導出方向の端部の上端近傍に設けられた支持部14bにおいてアウターリード13を支持する形状に、アウターリード13と一体形成されている。
半導体装置を配線基板に実装するためには、図1(A)に示すように、アウターリード13と側面13bに沿ったラインLDにおいてダムバー15を切断し、各リード12,13をそれぞれ電気的に絶縁する。このとき、図1(C)に示すように、アウターリード13の下地が露出しためっき21がない切断面16が形成される。
更に、図1(A)に示すように、アウターリード13と枠状部材14との境界部分を、側面13bに沿ったラインLにおいて切断する。
これにより、アウターリード13の側面13bの上端部近傍に、アウターリード13の下地が露出しためっき21がない切断面17が形成される。
そして、図1(C)に示すように、アウターリード13を下方に折り曲げ加工して、アウターリード13の導出方向に位置する端部の下面を接合面13aとして、配線基板のパッド面に接合しやすいようにパッド面に対向する形状に形成する。
このように形成されたアウターリード13において、接合面13aを配線基板のパッド面に載置して、リフロー等によりはんだ付けを行う。これにより、接合面13aから側面13bにはんだが濡れ上がり、フィレットが形成されて接合され、半導体装置が配線基板に実装される。
ここで、切断面17は、側面13bの上端部に形成されており、側面13bのうち、切断面17を除いた下方の部分と接合面13aとにより形成された連続面には、めっき21が施されている。
これにより、はんだが濡れ性が悪い切断面17に接触することがなく、接合面13aから側面13bに濡れ上がって、良好なフィレットが形成される。
従って、アウターリード13の接合面13aと配線基板を接合する接合面積を増大させることができるので、接合強度を高めることができる。
なお、支持部14bの位置は、切断面17が、側面13bのうち、下方の一部を除いた部分に形成され、かつ、接合面13aと、この下方の一部とにより形成された連続面にめっきが施されていれば、側面13bの上端部以外、例えば、側面13bの厚さ方向の中央部近傍でもよい。
また、ダムバー15をアウターリード13より薄く形成してもよい。これにより、切断面16の面積を小さくすることができるので、アウターリード13が切断面16を起点として腐食されるおそれが少なく、耐食性を向上することができる。
(変更例1)
接合面13aと配線基板とを接合する際に、はんだが接合面13aから濡れ上がるための空間を、接合面13aと側面13bとの境界部分に形成してもよい。
図2(A)及び(B)に示すように、接合面13aの長手方向の角部を斜め方向に面取りして、C取り部13dを形成してもよい。この構成を使用すると、C取り部13dにはんだが濡れ上がってはんだフィレットが形成されるため、接合面積が増大するので、接合強度を高めることができる。
また、C取り部13dの代わりに、図2(C)、(D)に示すように、R取り部13e,13fを形成しても同様の効果を奏することができる。
(変更例2)
図3(A)及び(B)に示すように、接合面13aの先端の角部を斜め方向に面取りして、C取り部13gを形成してもよい。この構成を使用すると、C取り部13gにはんだが濡れ上がってはんだフィレットが形成されるため、接合面積が増大するので、接合強度を高めることができる。
また、C取り部13gの代わりに、図3(C)〜(E)に示すように、C取り部13h、または、R取り部13i,13jを形成しても同様の効果を奏することができる。
(変更例3)
図4(A)及び(B)に示すように、接合面13aからアウターリード13の端部の上面に向かって、例えば、円孔状の貫通孔13kを貫通形成してもよい。この構成を使用すると、接合面13aから貫通孔13kにはんだが濡れ上がって入り込むことにより、接合面積が増大するので、接合強度を高めることができる。
また、接合面13aから貫通孔13kにはんだが入り込むことにより、接合面13a方向に作用する力に対する耐力も増大させることができるので、更に接合強度を高めることができる。
ここで、接合面13aに、例えば半球状の凹部を形成しても同様の効果を奏することができる。
[最良の実施形態の効果]
切断面17が側面13bの上端部に形成されており、側面13bのうち、切断面17を除いた下方の部分と接合面13aとにより形成された連続面には、めっき21が施されているので、はんだが濡れ性が悪い切断面17に接触することがなく、接合面13aから側面13bに濡れ上がって、良好なフィレットが形成される。
これにより、アウターリード13の接合面13aと配線基板を接合する接合面積を増大させることができるので、接合強度を高めることができる。
つまり、はんだの濡れ性を向上し、良好なフィレットを形成することにより、接合強度を向上し、信頼性の高い接合が可能なリードフレーム10を実現することができる。
〈その他の実施形態〉
(1)アウターリード13は、枠状部材14により先端部から離れた位置で支持してもよい。図5は、その他の実施形態に係るリードフレームの説明図である。図5(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図5(B)は、枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。
図5(A)及び(B)に示すように、アウターリード13の先端部13mは、枠状部材14の開口部14aに張り出しており、アウターリード13は、枠状部材14により先端部13mから離れた位置で支持されている。この構成を用いると、設計の自由度を高めることができるとともに、先端部13mを、枠状部材14を切断する際の位置決めに用いることもできる。
(2)支持部14bをアウターリード13の厚さ方向の下端部に形成し、この支持部14bを下方から上方に向かって切断することにより、めっき21を切断面17に回り込ませてもよい。
この構成を使用すると、めっき21が接合面13aから切断面17に回り込んでいる領域ではんだの濡れ性を確保することができるので、良好なはんだフィレットを形成することができる。
本実施形態に係るリードフレームの説明図である。図1(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)のA−A矢視断面図であり、図1(C)は、枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。 本実施形態の変更例1に係るリードフレームの説明図である。図2(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図2(B)〜(D)は、図2(A)のA−A矢視断面図である。 本実施形態の変更例2に係るリードフレームの説明図である。図3(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図3(B)〜(E)は、図3(A)のA−A矢視断面図である。 本実施形態の変更例3に係るリードフレームの説明図である。図4(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図4(B)は、図4(A)のB−B矢視断面図である。 その他の実施形態に係るリードフレームの説明図である。図5(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図5(B)は、枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。 従来から用いられているリードフレームの説明図である。図6(A)は、リードフレームの一部平面説明図であり、図6(B)は、ラインL1に沿って枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。図6(C)は、ラインL2に沿って枠状部材との境界を切断したアウターリードの一部斜視説明図である。
符号の説明
10 リードフレーム
11 パッケージ
12 インナーリード
13 アウターリード
13a 接合面
13b 側面
13k 貫通孔
14 枠状部材
17 切断面
21 めっき

Claims (4)

  1. 半導体素子が封止されたパッケージの端部から外方へ導出された複数のリードと、
    前記パッケージの周囲を囲むように配置されており、前記複数のリードの導出方向の各端部と一体形成された枠状部材とを備えており、
    各リードと前記枠状部材との境界部分を、各リードの導出方向に延びた側面に沿って切断した場合の各リードの導出方向に位置する各端部の下面が、配線基板と接合するための接合面になるリードフレームにおいて、
    前記切断を行った場合の各リードの側面に形成される切断面が、前記側面のうち、下方の一部を除いた部分にそれぞれ形成され、かつ、前記各リードの接合面と、前記各下方の一部とにより形成された各連続面は、それぞれめっきが施されていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 前記接合面と前記配線基板とを接合する際に、その接合のための接合材料が前記接合面から濡れ上がるための空間が、前記下方の一部と前記接合面との境界部分に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
  3. 前記空間は、前記境界部分を面取りすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。
  4. 前記空間は、前記接合面から前記端部の上面に向けて貫通形成された貫通孔であることを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。
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