JP3224696B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JP3224696B2 JP3224696B2 JP24599394A JP24599394A JP3224696B2 JP 3224696 B2 JP3224696 B2 JP 3224696B2 JP 24599394 A JP24599394 A JP 24599394A JP 24599394 A JP24599394 A JP 24599394A JP 3224696 B2 JP3224696 B2 JP 3224696B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数に分割されたアウ
タリード部の先端をサイドレール部により一体に連結し
ているリードフレーム上に、そのアウタリード部をアウ
タリードとしてチップマウント、ワイヤボンド、及びパ
ッケージ加工が順次なされ、次いでそのアウタリード部
に半田コーティングをした後、そのサイドレール部を切
断してなる半導体装置及びその製造方法に関するもので
ある。
タリード部の先端をサイドレール部により一体に連結し
ているリードフレーム上に、そのアウタリード部をアウ
タリードとしてチップマウント、ワイヤボンド、及びパ
ッケージ加工が順次なされ、次いでそのアウタリード部
に半田コーティングをした後、そのサイドレール部を切
断してなる半導体装置及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置の一例を示す要
部平面図である。図６において、この半導体装置は、図
示せぬＩＣチップとアウタリード部５１との間を同じく
図示せぬワイヤでボンディングし、その後から樹脂モー
ルドにより封止されており、その樹脂モールドされた部
分がパッケージ部５４として成り立っている。そして、
パッケージ部５４の側面から複数（本実施例では片側９
本）のアウタリード部５１が導出された構造になってい
る。
部平面図である。図６において、この半導体装置は、図
示せぬＩＣチップとアウタリード部５１との間を同じく
図示せぬワイヤでボンディングし、その後から樹脂モー
ルドにより封止されており、その樹脂モールドされた部
分がパッケージ部５４として成り立っている。そして、
パッケージ部５４の側面から複数（本実施例では片側９
本）のアウタリード部５１が導出された構造になってい
る。
【０００３】図７は、図６に示した半導体装置の製造工
程の一例を説明するための図である。図７において従来
の半導体装置の製造工程では、その製造途中において、
複数のアウタリード部５１は、サイドレール部５２によ
り一体に連結されてリボン状のリードフレーム５３とし
て形成されている。そして、このリードフレーム５３上
に、アウタリード部５１をアウタリードとしてチップマ
ウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が順次なさ
れて、中央にパッケージ部５４が形成された状態が作ら
れる。なお、ここでのパッケージ部５４からサイドレー
ル部５２までの距離Ｔ、すなわちアウタリード部５１の
長さは全て一定である。次いで、アウタリード部５１の
変形防止対策として、リードフレーム５３を溶融半田内
に浸漬し、アウタリード部５１の表面に半田をコーティ
ングする。その後、カッティング線５５の部分でサイド
レール部５２を切断し、独立アウタリード部５１として
形成する。すると、これにより長さＳのアウタリード部
５１を有した図６に示す半導体装置が形成される。
程の一例を説明するための図である。図７において従来
の半導体装置の製造工程では、その製造途中において、
複数のアウタリード部５１は、サイドレール部５２によ
り一体に連結されてリボン状のリードフレーム５３とし
て形成されている。そして、このリードフレーム５３上
に、アウタリード部５１をアウタリードとしてチップマ
ウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が順次なさ
れて、中央にパッケージ部５４が形成された状態が作ら
れる。なお、ここでのパッケージ部５４からサイドレー
ル部５２までの距離Ｔ、すなわちアウタリード部５１の
長さは全て一定である。次いで、アウタリード部５１の
変形防止対策として、リードフレーム５３を溶融半田内
に浸漬し、アウタリード部５１の表面に半田をコーティ
ングする。その後、カッティング線５５の部分でサイド
レール部５２を切断し、独立アウタリード部５１として
形成する。すると、これにより長さＳのアウタリード部
５１を有した図６に示す半導体装置が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、ア
ウタリード部５１を溶融半田内に浸漬してコーティング
をする場合、浸漬から引き上げるときに、溶融半田の表
面張力の関係から、中央に位置するアウタリード部５１
より半田が切れ出し、最後に両端の半田が切れる。した
がって、最後に半田が切れる両端側では、途中で溶融半
田が固体化して半田ブリッジが発生し易い。このため、
歩留まりが悪く問題となっている。また、このブリッジ
の発生を抑えるためには、両端側に位置するアウタリー
ド部の部分における半田の切れを良くし、中央に位置す
るアウタリード部５１での切れと略同じとなるようにす
れば良いことになる。
ウタリード部５１を溶融半田内に浸漬してコーティング
をする場合、浸漬から引き上げるときに、溶融半田の表
面張力の関係から、中央に位置するアウタリード部５１
より半田が切れ出し、最後に両端の半田が切れる。した
がって、最後に半田が切れる両端側では、途中で溶融半
田が固体化して半田ブリッジが発生し易い。このため、
歩留まりが悪く問題となっている。また、このブリッジ
の発生を抑えるためには、両端側に位置するアウタリー
ド部の部分における半田の切れを良くし、中央に位置す
るアウタリード部５１での切れと略同じとなるようにす
れば良いことになる。
【０００５】本発明は、上記点に鑑みてなされたもので
あり、その目的はアウタリード部に半田を浸漬するとき
に半田ブリッジが発生することのないようにした半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。さらに、
他の目的は、以下に説明する内容の中で順次明らかにし
て行く。
あり、その目的はアウタリード部に半田を浸漬するとき
に半田ブリッジが発生することのないようにした半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。さらに、
他の目的は、以下に説明する内容の中で順次明らかにし
て行く。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、複数に分割
されたアウタリード部の先端をサイドレール部により一
体に連結しているリードフレーム上に、前記アウタリー
ド部をアウタリードとしてチップマウント、ワイヤボン
ド、及びパッケージ加工がなされ、次いで前記リードフ
レームを溶融半田内に浸漬して前記アウタリード部を溶
融半田内に浸漬した後、前記サイドレール部を切断して
なる半導体装置及びその製造方法においては、前記サイ
ドレール部を切断する前の前記アウタリード部の各リー
ド長さを、前記アウタリード部毎に異ならせておき、前
記アウタリード部毎に溶融半田の切れ時間を調整するよ
うにして達成される。さらに、実施にあたっては、前記
サイドレール部を切断する前の前記アウタリード部の各
リード長さを、中央に位置する前記アウタリード部を短
くするとともに、端に位置するアウタリード部に成るに
従って連続的、若しくは段階的に長くなるように形成し
ても良い。
されたアウタリード部の先端をサイドレール部により一
体に連結しているリードフレーム上に、前記アウタリー
ド部をアウタリードとしてチップマウント、ワイヤボン
ド、及びパッケージ加工がなされ、次いで前記リードフ
レームを溶融半田内に浸漬して前記アウタリード部を溶
融半田内に浸漬した後、前記サイドレール部を切断して
なる半導体装置及びその製造方法においては、前記サイ
ドレール部を切断する前の前記アウタリード部の各リー
ド長さを、前記アウタリード部毎に異ならせておき、前
記アウタリード部毎に溶融半田の切れ時間を調整するよ
うにして達成される。さらに、実施にあたっては、前記
サイドレール部を切断する前の前記アウタリード部の各
リード長さを、中央に位置する前記アウタリード部を短
くするとともに、端に位置するアウタリード部に成るに
従って連続的、若しくは段階的に長くなるように形成し
ても良い。
【０００７】また、この目的は、前記アウタリード部よ
り切断される前の前記サイドレール部に、前記アウタリ
ード部のリード幅と同じ若しくは若干大きい幅の溝を設
けておき、前記リードフレームが溶融半田内に浸漬され
て引き上げられるときに、前記アウタリード部上の余剰
半田を前記サイドレール部側に流すようにしても達成す
ることができる。
り切断される前の前記サイドレール部に、前記アウタリ
ード部のリード幅と同じ若しくは若干大きい幅の溝を設
けておき、前記リードフレームが溶融半田内に浸漬され
て引き上げられるときに、前記アウタリード部上の余剰
半田を前記サイドレール部側に流すようにしても達成す
ることができる。
【０００８】
【作用】サイドレール部を切断する前のアウタリード部
の各リード長さを変えることにより、各アウタリード部
における溶融半田の切れ時間を調節することができる。
すなわち、中央に位置するアウタリード部を短く、端に
位置するアウタリード部を長く形成しておき、中央に位
置するアウタリード部での溶融半田の切れ時間と、端に
位置するアウタリード部での溶融半田の切れ時間を略同
じにさせて溶融半田内に浸漬するようにした場合では、
全てのアウタリード部において半田切れの良い、引き上
げタイミングを設定し易くなる。これに対して、薄い半
田コーティングをしたいアウタリード部は長く、厚い半
田コーティングをしたいアウタリード部は短く形成して
おくと、アウタリード部毎に半田コーティングの厚みを
簡単に変えることもできる。
の各リード長さを変えることにより、各アウタリード部
における溶融半田の切れ時間を調節することができる。
すなわち、中央に位置するアウタリード部を短く、端に
位置するアウタリード部を長く形成しておき、中央に位
置するアウタリード部での溶融半田の切れ時間と、端に
位置するアウタリード部での溶融半田の切れ時間を略同
じにさせて溶融半田内に浸漬するようにした場合では、
全てのアウタリード部において半田切れの良い、引き上
げタイミングを設定し易くなる。これに対して、薄い半
田コーティングをしたいアウタリード部は長く、厚い半
田コーティングをしたいアウタリード部は短く形成して
おくと、アウタリード部毎に半田コーティングの厚みを
簡単に変えることもできる。
【０００９】また、アウタリード部より切断される前の
サイドレール部に、アウタリード部のリード幅と同じ若
しくは若干大きい幅の溝を設けておき、リードフレーム
が溶融半田内に浸漬されて引き上げられるときに、アウ
タリード部上の余剰半田をサイドレール部側に流すよう
にした場合では、全てのアウタリード部において半田切
れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。さら
に、溶融半田への浸漬が終わって洗浄する場合にも、上
記溝を利用して洗浄液の除去を行わせることができ、洗
浄性が向上する。
サイドレール部に、アウタリード部のリード幅と同じ若
しくは若干大きい幅の溝を設けておき、リードフレーム
が溶融半田内に浸漬されて引き上げられるときに、アウ
タリード部上の余剰半田をサイドレール部側に流すよう
にした場合では、全てのアウタリード部において半田切
れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。さら
に、溶融半田への浸漬が終わって洗浄する場合にも、上
記溝を利用して洗浄液の除去を行わせることができ、洗
浄性が向上する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図２は本発明の一実施例に係る半導体
装置の要部平面図である。図２において、この半導体装
置は、図示せぬＩＣチップとアウタリード部１との間を
同じく図示せぬワイヤでボンディングし、その後から樹
脂モールドにより封止されており、その樹脂モールドさ
れた部分がパッケージ部４として成り立っている。そし
て、パッケージ部４の側面から複数（本実施例では片側
９本）のアウタリード部１が導出された構造になってい
る。
詳細に説明する。図２は本発明の一実施例に係る半導体
装置の要部平面図である。図２において、この半導体装
置は、図示せぬＩＣチップとアウタリード部１との間を
同じく図示せぬワイヤでボンディングし、その後から樹
脂モールドにより封止されており、その樹脂モールドさ
れた部分がパッケージ部４として成り立っている。そし
て、パッケージ部４の側面から複数（本実施例では片側
９本）のアウタリード部１が導出された構造になってい
る。
【００１１】図１は、図２に示した半導体装置の製造工
程の一例を説明するための図である。図１において図２
に示した本発明に係る半導体装置の製造工程では、その
製造途中において、複数のアウタリード部１は、サイド
レール部２により一体に連結されてリボン状のリードフ
レーム３として形成されている。そして、このリードフ
レーム３上に、アウタリード部１をアウタリードとして
チップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が
順次なされて、中央にパッケージ部４が形成された状態
が作られる。なお、ここでのパッケージ部４からサイド
レール部２までの距離、すなわちアウタリード部１の長
さは全て一定ではなく、中央のアウタリード部１での距
離をＴC 、端部のアウタリード部１での距離をＴE とす
ると、距離ＴE の方が距離ＴC よりも大きく（ＴE ＞Ｔ
C ）設定してある。さらに述べれば、本実施例では中央
のアウタリード部１から端部のアウタリード部１に進む
に従って連続して距離が長くなるように、パッケージ部
４と対向するサイドレール部２の幅寸法を変えている。
また、この各アウタリード部１における距離の設定は、
次工程でリードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、次い
で引き上げるときに、各アウタリード部１上での半田の
流れが良く得られて略均一の時間で半田が切れ、アウタ
リード部１の全体に均一なコーティングができる状態に
して設定される。
程の一例を説明するための図である。図１において図２
に示した本発明に係る半導体装置の製造工程では、その
製造途中において、複数のアウタリード部１は、サイド
レール部２により一体に連結されてリボン状のリードフ
レーム３として形成されている。そして、このリードフ
レーム３上に、アウタリード部１をアウタリードとして
チップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が
順次なされて、中央にパッケージ部４が形成された状態
が作られる。なお、ここでのパッケージ部４からサイド
レール部２までの距離、すなわちアウタリード部１の長
さは全て一定ではなく、中央のアウタリード部１での距
離をＴC 、端部のアウタリード部１での距離をＴE とす
ると、距離ＴE の方が距離ＴC よりも大きく（ＴE ＞Ｔ
C ）設定してある。さらに述べれば、本実施例では中央
のアウタリード部１から端部のアウタリード部１に進む
に従って連続して距離が長くなるように、パッケージ部
４と対向するサイドレール部２の幅寸法を変えている。
また、この各アウタリード部１における距離の設定は、
次工程でリードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、次い
で引き上げるときに、各アウタリード部１上での半田の
流れが良く得られて略均一の時間で半田が切れ、アウタ
リード部１の全体に均一なコーティングができる状態に
して設定される。
【００１２】そして、上記パッケージ部４が形成された
後は、アウタリード部１の変形防止対策として、上記リ
ードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、アウタリード部
１の表面に半田をコーティングする。その後、カッティ
ング線５の部分でサイドレール部２を切断し、独立した
アウタリード部１として形成する。すると、これにより
長さＳのアウタリード部１を有した図１に示す半導体装
置が形成される。
後は、アウタリード部１の変形防止対策として、上記リ
ードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、アウタリード部
１の表面に半田をコーティングする。その後、カッティ
ング線５の部分でサイドレール部２を切断し、独立した
アウタリード部１として形成する。すると、これにより
長さＳのアウタリード部１を有した図１に示す半導体装
置が形成される。
【００１３】したがって、このように構成された半導体
装置では、サイドレール部２を切断する前のアウタリー
ド部１の各リード長さ（パッケージ部４からサイドレー
ル部２までの距離）を、中央に位置するアウタリード部
１を短く、端に位置するアウタリード部１となるに従っ
て長く形成しておき、中央に位置するアウタリード部１
での溶融半田の切れ時間と、端に位置するアウタリード
部１での溶融半田の切れ時間を略同じにさせて溶融半田
内に浸漬するようにしているので、半田コーティング処
理工程において、全てのアウタリード部１に対して半田
切れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。こ
れにより、半田ブリッジを防ぎ、歩留まりを向上させる
ことができる。これに対して、薄い半田コーティングを
したいアウタリード部１は長く、厚い半田コーティング
をしたいアウタリード部１は短く形成しておくと、アウ
タリード部１毎に半田コーティングの厚みを簡単に変え
ることもできる。
装置では、サイドレール部２を切断する前のアウタリー
ド部１の各リード長さ（パッケージ部４からサイドレー
ル部２までの距離）を、中央に位置するアウタリード部
１を短く、端に位置するアウタリード部１となるに従っ
て長く形成しておき、中央に位置するアウタリード部１
での溶融半田の切れ時間と、端に位置するアウタリード
部１での溶融半田の切れ時間を略同じにさせて溶融半田
内に浸漬するようにしているので、半田コーティング処
理工程において、全てのアウタリード部１に対して半田
切れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。こ
れにより、半田ブリッジを防ぎ、歩留まりを向上させる
ことができる。これに対して、薄い半田コーティングを
したいアウタリード部１は長く、厚い半田コーティング
をしたいアウタリード部１は短く形成しておくと、アウ
タリード部１毎に半田コーティングの厚みを簡単に変え
ることもできる。
【００１４】なお、図１に示した上記実施例では、パッ
ケージ部４からサイドレール部２までの距離を、中央の
アウタリード部１から端部のアウタリード部１に進むに
従って連続して長くなるようにパッケージ部４と対向す
るサイドレール部２の幅寸法を変えた場合について説明
したが、上記距離は連続させずに例えば図３に示すよう
に段階的に変化させても差し支えないものである。すな
わち、図３では距離ＴC と距離ＴE とで段階的に変化し
ている。また、図３において、図１及び図２と同一符号
を付したものは図１及び図２と同一のものを示してい
る。
ケージ部４からサイドレール部２までの距離を、中央の
アウタリード部１から端部のアウタリード部１に進むに
従って連続して長くなるようにパッケージ部４と対向す
るサイドレール部２の幅寸法を変えた場合について説明
したが、上記距離は連続させずに例えば図３に示すよう
に段階的に変化させても差し支えないものである。すな
わち、図３では距離ＴC と距離ＴE とで段階的に変化し
ている。また、図３において、図１及び図２と同一符号
を付したものは図１及び図２と同一のものを示してい
る。
【００１５】図４は本発明の第２の実施例として示す半
導体装置及びその製造工程を説明するための図で、図５
は図４のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。また、図４
及び図５において図１及び図２と同一符号を付したもの
は図５と同一のものを示している。図４において、リー
ドフレーム３は、複数のアウタリード部１と、これら複
数のアウタリード部１を一体に連結しているサイドレー
ル部２とでなり、後述するパッケージ部４からサイドレ
ール部２までの距離、すなわちアウタリード部１の長さ
は全て一定にして形成されている。また、サイドレール
部２上には、アウタリード部１，１間に位置する部分
に、サイドレール部２を横切る（アウタリード部１が延
びている方向）状態にして溝６が形成されている。な
お、本実施例では、アウタリード部１の幅Ｗ1 は５０〜
１００μｍ程度で、溝６の幅Ｗ2 はこの幅Ｗ1 と等しい
か、これよりも若干大きな（Ｗ2 ≧Ｗ1 ）寸法で形成さ
れ、溝６の深さｄ（図５参照）は0.2 〜0.5 ｍｍ程度に
して作られる。また、この深さｄは、次工程でリードフ
レーム３を溶融半田内に浸漬し、次いで引き上げるとき
に各アウタリード部１上での半田の流れが良く得られて
略均一の時間で半田が切れ、リード全体に均一なコーテ
ィングができる状態にして設定される。
導体装置及びその製造工程を説明するための図で、図５
は図４のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。また、図４
及び図５において図１及び図２と同一符号を付したもの
は図５と同一のものを示している。図４において、リー
ドフレーム３は、複数のアウタリード部１と、これら複
数のアウタリード部１を一体に連結しているサイドレー
ル部２とでなり、後述するパッケージ部４からサイドレ
ール部２までの距離、すなわちアウタリード部１の長さ
は全て一定にして形成されている。また、サイドレール
部２上には、アウタリード部１，１間に位置する部分
に、サイドレール部２を横切る（アウタリード部１が延
びている方向）状態にして溝６が形成されている。な
お、本実施例では、アウタリード部１の幅Ｗ1 は５０〜
１００μｍ程度で、溝６の幅Ｗ2 はこの幅Ｗ1 と等しい
か、これよりも若干大きな（Ｗ2 ≧Ｗ1 ）寸法で形成さ
れ、溝６の深さｄ（図５参照）は0.2 〜0.5 ｍｍ程度に
して作られる。また、この深さｄは、次工程でリードフ
レーム３を溶融半田内に浸漬し、次いで引き上げるとき
に各アウタリード部１上での半田の流れが良く得られて
略均一の時間で半田が切れ、リード全体に均一なコーテ
ィングができる状態にして設定される。
【００１６】そして、この第２の実施例の場合でも、上
記第２の実施例の場合と同様に、半導体装置の製造途中
において、複数のアウタリード部１は、サイドレール部
２により一体に連結されてリボン状のリードフレーム３
として形成される。また、このリードフレーム３上に、
アウタリード部１をアウタリードとしてチップマウン
ト、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が順次なされ
て、中央にパッケージ部４が形成された状態が作られ
る。
記第２の実施例の場合と同様に、半導体装置の製造途中
において、複数のアウタリード部１は、サイドレール部
２により一体に連結されてリボン状のリードフレーム３
として形成される。また、このリードフレーム３上に、
アウタリード部１をアウタリードとしてチップマウン
ト、ワイヤボンド、及びパッケージ加工が順次なされ
て、中央にパッケージ部４が形成された状態が作られ
る。
【００１７】そして、上記パッケージ部４が形成された
後は、アウタリード部１の変形防止対策として、上記リ
ードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、アウタリード部
１の表面に半田をコーティングする。その後、カッティ
ング線５の部分でサイドレール部２を切断し、独立した
アウタリード部１として形成する。すると、これにより
長さＳのアウタリード部１を有した図１に示す半導体装
置と同じ半導体装置が形成される。
後は、アウタリード部１の変形防止対策として、上記リ
ードフレーム３を溶融半田内に浸漬し、アウタリード部
１の表面に半田をコーティングする。その後、カッティ
ング線５の部分でサイドレール部２を切断し、独立した
アウタリード部１として形成する。すると、これにより
長さＳのアウタリード部１を有した図１に示す半導体装
置と同じ半導体装置が形成される。
【００１８】したがって、このように構成された半導体
装置では、アウタリード部１より切断される前のサイド
レール部２に、アウタリード部１のリード幅Ｗ1 と同じ
若しくは若干大きい幅Ｗ2 の溝６を設けているので、リ
ードフレーム３が溶融半田内に浸漬されて引き上げられ
るときに、アウタリード部１上の余剰半田がサイドレー
ル部２側に流れることになり、全てのアウタリード部１
で半田切れが良くなる。これにより、半田ブリッジを防
ぎ、歩留まりを向上させることができる。また、溶融半
田への浸漬が終わって洗浄する場合にも、上記溝６を利
用して洗浄液の除去を行わせることができ、洗浄性が向
上する。
装置では、アウタリード部１より切断される前のサイド
レール部２に、アウタリード部１のリード幅Ｗ1 と同じ
若しくは若干大きい幅Ｗ2 の溝６を設けているので、リ
ードフレーム３が溶融半田内に浸漬されて引き上げられ
るときに、アウタリード部１上の余剰半田がサイドレー
ル部２側に流れることになり、全てのアウタリード部１
で半田切れが良くなる。これにより、半田ブリッジを防
ぎ、歩留まりを向上させることができる。また、溶融半
田への浸漬が終わって洗浄する場合にも、上記溝６を利
用して洗浄液の除去を行わせることができ、洗浄性が向
上する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
サイドレール部を切断する前のアウタリード部の各リー
ド長さを変えることにより、各アウタリード部における
溶融半田の切れ時間を調節することができる。すなわ
ち、中央に位置するアウタリード部を短く、端に位置す
るアウタリード部を長く形成しておき、中央に位置する
アウタリード部での溶融半田の切れ時間と、端に位置す
るアウタリード部での溶融半田の切れ時間を略同じにさ
せて溶融半田内に浸漬するようにした場合では、全ての
アウタリード部において半田切れの良い引き上げタイミ
ングを設定し易くなる。これにより、半田ブリッジを防
ぎ、歩留まりを向上させることができる。これに対し
て、薄い半田コーティングをしたいアウタリード部は長
く、厚い半田コーティングをしたいアウタリード部は短
く形成しておくと、アウタリード部毎に半田コーティン
グの厚みを簡単に変えることもできる。
サイドレール部を切断する前のアウタリード部の各リー
ド長さを変えることにより、各アウタリード部における
溶融半田の切れ時間を調節することができる。すなわ
ち、中央に位置するアウタリード部を短く、端に位置す
るアウタリード部を長く形成しておき、中央に位置する
アウタリード部での溶融半田の切れ時間と、端に位置す
るアウタリード部での溶融半田の切れ時間を略同じにさ
せて溶融半田内に浸漬するようにした場合では、全ての
アウタリード部において半田切れの良い引き上げタイミ
ングを設定し易くなる。これにより、半田ブリッジを防
ぎ、歩留まりを向上させることができる。これに対し
て、薄い半田コーティングをしたいアウタリード部は長
く、厚い半田コーティングをしたいアウタリード部は短
く形成しておくと、アウタリード部毎に半田コーティン
グの厚みを簡単に変えることもできる。
【００２０】また、アウタリード部より切断される前の
サイドレール部に、アウタリード部のリード幅と同じ若
しくは若干大きい幅の溝を設けておき、リードフレーム
が溶融半田内に浸漬されて引き上げられるときに、アウ
タリード部上の余剰半田をサイドレール部側に流すよう
にした場合では、全てのアウタリード部において半田切
れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。これ
により、半田ブリッジを防ぎ、歩留まりを向上させるこ
とができる。また、溶融半田への浸漬が終わって洗浄す
る場合にも、上記溝を利用して洗浄液の除去を行わせる
ことができ、洗浄性が向上する等の効果が期待できる。
サイドレール部に、アウタリード部のリード幅と同じ若
しくは若干大きい幅の溝を設けておき、リードフレーム
が溶融半田内に浸漬されて引き上げられるときに、アウ
タリード部上の余剰半田をサイドレール部側に流すよう
にした場合では、全てのアウタリード部において半田切
れの良い、引き上げタイミングを設定し易くなる。これ
により、半田ブリッジを防ぎ、歩留まりを向上させるこ
とができる。また、溶融半田への浸漬が終わって洗浄す
る場合にも、上記溝を利用して洗浄液の除去を行わせる
ことができ、洗浄性が向上する等の効果が期待できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置及び製
造方法を説明するための要部平面図である。
造方法を説明するための要部平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る半導体装置の要部
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る半導体装置及び製
造方法の一変形例を示す要部平面図である。
造方法の一変形例を示す要部平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る半導体装置及び製
造方法を説明するための要部平面図である。
造方法を説明するための要部平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿う部分拡大断面図である。
【図６】従来における半導体装置の要部平面図である。
【図７】従来における半導体装置及び製造方法を説明す
るための要部平面図である。
るための要部平面図である。
１ アウタリード部 ２ サイドレール部 ３ リードフレーム ４ パッケージ部（モールド部） ５ カッティング線 ６ 溝
Claims (8)
- 【請求項１】 複数に分割されたアウタリード部の先端
をサイドレール部により一体に連結しているリードフレ
ーム上に、前記アウタリード部をアウタリードとしてチ
ップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工がな
され、次いで前記アウタリード部を溶融半田内に浸漬し
た後、前記サイドレール部を切断してなる半導体装置に
おいて、 前記サイドレール部を切断する前の前記アウタリード部
の各リード長さを、前記アウタリード部毎に異ならせた
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記サイドレール部を切断する前の前記
アウタリード部の各リード長さを、中央に位置する前記
アウタリード部を短く、端に位置するアウタリード部に
成るに従って連続的に長くなるように形成した請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記サイドレール部を切断する前の前記
アウタリード部の各リード長さを、中央に位置する前記
アウタリード部を短く、端に位置するアウタリード部に
成るに従って段階的に長くなるように形成した請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 複数に分割されたアウタリード部の先端
をサイドレール部により一体に連結しているリードフレ
ーム上に、前記アウタリード部をアウタリードとしてチ
ップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工がな
され、次いで前記リードフレームを溶融半田内に浸漬し
て前記アウタリード部に半田コーティングをした後、前
記サイドレール部を切断してなる半導体装置の製造方法
において、 前記サイドレール部を切断する前の前記アウタリード部
の各リード長さを、中央に位置する前記アウタリード部
の長さと、端に位置する前記アウタリード部の長さを変
え、中央に位置する前記アウタリード部での溶融半田の
切れ時間と端に位置する前記アウタリード部での溶融半
田の切れ時間を前記アウタリード部の長さで調整するよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 複数に分割されたアウタリード部の先端
をサイドレール部により一体に連結しているリードフレ
ーム上に、前記アウタリード部をアウタリードとしてチ
ップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工がな
され、次いで前記リードフレームを溶融半田内に浸漬し
て前記アウタリード部に半田コーティングをした後、前
記サイドレール部を切断してなる半導体装置の製造方法
において、 前記サイドレール部を切断する前の前記アウタリード部
の各リード長さを、中央に位置する前記アウタリード部
を短く、端に位置する前記アウタリード部を長く形成し
ておき、中央に位置する前記アウタリード部での溶融半
田の切れ時間と、端に位置する前記アウタリード部での
溶融半田の切れ時間を略同じにさせて前記溶融半田内に
浸漬することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 複数に分割されたアウタリード部の先端
をサイドレール部により一体に連結しているリードフレ
ーム上に、前記アウタリード部をアウタリードとしてチ
ップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工がな
され、次いで前記アウタリード部に半田コーティングを
した後、前記サイドレール部を切断してなる半導体装置
において、 前記アウタリード部より切断される前の前記サイドレー
ル部に、前記アウタリード部のリード幅と同じ若しくは
若干大きい幅の溝を設けたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項７】 前記溝を前記アウタリード部間毎に設け
た請求項６に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 複数に分割されたアウタリード部の先端
をサイドレール部により一体に連結しているリードフレ
ーム上に、前記アウタリード部をアウタリードとしてチ
ップマウント、ワイヤボンド、及びパッケージ加工がな
され、次いで前記リードフレームを溶融半田内に浸漬し
て前記アウタリード部に半田コーティングをした後、前
記サイドレール部を切断してなる半導体装置の製造方法
において、 前記アウタリード部より切断される前の前記サイドレー
ル部に、前記アウタリード部のリード幅と同じ若しくは
若干大きい幅の溝を設けておき、前記リードフレームが
溶融半田内に浸漬されて引き上げられるときに、前記ア
ウタリード部上の余剰半田を前記サイドレール部側に流
すようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24599394A JP3224696B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24599394A JP3224696B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111489A JPH08111489A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3224696B2 true JP3224696B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=17141878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24599394A Expired - Fee Related JP3224696B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224696B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673953B1 (ko) * | 2005-10-26 | 2007-01-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP24599394A patent/JP3224696B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08111489A (ja) | 1996-04-30 |
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