JP2537630B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2537630B2 JP2537630B2 JP62186941A JP18694187A JP2537630B2 JP 2537630 B2 JP2537630 B2 JP 2537630B2 JP 62186941 A JP62186941 A JP 62186941A JP 18694187 A JP18694187 A JP 18694187A JP 2537630 B2 JP2537630 B2 JP 2537630B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- semiconductor element
- tape carrier
- resin
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、詳しく
は、テープキャリアを用いたアウターリードの半田被覆
方法であります。
は、テープキャリアを用いたアウターリードの半田被覆
方法であります。
従来のテープキャリアを用いた半導体装置のアウター
リードへの半田被覆は、スズもしくは金メッキを施した
テープキャリアに半導体素子を実装し、エポキシ等によ
り樹脂封止した後、溶融半田内にアウターリードをディ
ッピングすることにより行なうか、初めから半田メッキ
を施したテープキャリアを用いるかであった。
リードへの半田被覆は、スズもしくは金メッキを施した
テープキャリアに半導体素子を実装し、エポキシ等によ
り樹脂封止した後、溶融半田内にアウターリードをディ
ッピングすることにより行なうか、初めから半田メッキ
を施したテープキャリアを用いるかであった。
しかし、前述の従来技術では、前者は半田ブリッジが
生じやすく特にピッチの細かいアウターリードの半田コ
ートは困難なこと、半田ディッピングの時間，温度条件
によってはアウターリードのくわれが生じリード強度が
低下すること、さらに半導体素子のボンディング部や樹
脂封止剤への熱ストレスのためボンディングオープン
や、半導体素子のクラック等が生じやすい等の問題点が
あった。一方後者では、半田メッキを施されたテープキ
ャリアと半導体素子とのボンディングは、そのために用
いるボンディングツールの半田による汚れが生ずるため
強度が安定せず、また頻繁にチップのクリーニングをす
る必要性から生産性が上がらない等の問題があった。こ
のため、テープキャリアのアウターリードのみ半田メッ
キし、半導体素子との接合部はスズもしくは金メッキす
る部分メッキも行なわれているが、これもまたテープキ
ャリアコストが高くなるという問題があった。更に、い
ずれにしても半導体素子の樹脂封止の際加える熱によ
り、半田メッキ表面が酸化してしまい、回路基板への実
装がしずらくなるという問題点も有していた。
生じやすく特にピッチの細かいアウターリードの半田コ
ートは困難なこと、半田ディッピングの時間，温度条件
によってはアウターリードのくわれが生じリード強度が
低下すること、さらに半導体素子のボンディング部や樹
脂封止剤への熱ストレスのためボンディングオープン
や、半導体素子のクラック等が生じやすい等の問題点が
あった。一方後者では、半田メッキを施されたテープキ
ャリアと半導体素子とのボンディングは、そのために用
いるボンディングツールの半田による汚れが生ずるため
強度が安定せず、また頻繁にチップのクリーニングをす
る必要性から生産性が上がらない等の問題があった。こ
のため、テープキャリアのアウターリードのみ半田メッ
キし、半導体素子との接合部はスズもしくは金メッキす
る部分メッキも行なわれているが、これもまたテープキ
ャリアコストが高くなるという問題があった。更に、い
ずれにしても半導体素子の樹脂封止の際加える熱によ
り、半田メッキ表面が酸化してしまい、回路基板への実
装がしずらくなるという問題点も有していた。
そこで本発明は以上のような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、半導体素子に熱ストレス
をかけることなく、高密度アウターリードであっても低
コストでかつ回路基板への実装も容易であるような半田
被覆方法を提供するところにある。
で、その目的とするところは、半導体素子に熱ストレス
をかけることなく、高密度アウターリードであっても低
コストでかつ回路基板への実装も容易であるような半田
被覆方法を提供するところにある。
本発明は、インナーリード部及びアウターリード部と
なる導体部分を含むテープキャリアに半導体素子を載置
し、且つ封止する半導体装置の製造方法において、前記
半導体素子を表面にメッキ金属を有する前記導体部分の
インナーリード部とボンディングする工程、前記半導体
素子及びインナーリード部を樹脂により封止する工程、
樹脂封止された半導体素子を載置した前記テープキャリ
アを半田メッキ浴に浸漬し、樹脂から露出した前記アウ
ターリード部に半田を５〜20μｍの膜厚で被覆するメッ
キ工程、しかる後に前記テープキャリアから樹脂封止さ
れた前記半導体素子をアウターリード部で切り離す工程
を有することを特徴とする。
なる導体部分を含むテープキャリアに半導体素子を載置
し、且つ封止する半導体装置の製造方法において、前記
半導体素子を表面にメッキ金属を有する前記導体部分の
インナーリード部とボンディングする工程、前記半導体
素子及びインナーリード部を樹脂により封止する工程、
樹脂封止された半導体素子を載置した前記テープキャリ
アを半田メッキ浴に浸漬し、樹脂から露出した前記アウ
ターリード部に半田を５〜20μｍの膜厚で被覆するメッ
キ工程、しかる後に前記テープキャリアから樹脂封止さ
れた前記半導体素子をアウターリード部で切り離す工程
を有することを特徴とする。
第１図ａ〜ｄは本発明の実施例におけるテープキャリ
アを用いた半導体装置のアウターリードへの半田被覆方
法を示す工程図である。ａ図のテープキャリア１の導体
部分のインナーリード２及びアウターリード６の表面に
は、スズ又は金のメッキが施されている。このアウター
リード６は、テープキャリアの外端でメッキリードに接
続され、電気メッキが可能な状態になっている。このイ
ンナーリード２に半導体素子３をボンディングする。
アを用いた半導体装置のアウターリードへの半田被覆方
法を示す工程図である。ａ図のテープキャリア１の導体
部分のインナーリード２及びアウターリード６の表面に
は、スズ又は金のメッキが施されている。このアウター
リード６は、テープキャリアの外端でメッキリードに接
続され、電気メッキが可能な状態になっている。このイ
ンナーリード２に半導体素子３をボンディングする。
次いでｂ図の如く、テープキャリア１のインナーリー
ド２を含む半導体素子３の表面および側面を、エポキ
シ，シリコン等の樹脂４で封止し、更にｃ図の如く、半
導体素子３の裏面も樹脂５でコーティングする。これに
より、後の半田メッキの工程で半導体素子３の裏面に半
田が付着することを防ぐことができる。ここで用いる樹
脂は半導体素子３の表面を保護するものと同一のもので
ある必要はなく、ごく薄くコーティングでき、絶縁でき
るもので充分である。尚、ｂ図とｃ図の工程を同時に行
なうことも可能である。
ド２を含む半導体素子３の表面および側面を、エポキ
シ，シリコン等の樹脂４で封止し、更にｃ図の如く、半
導体素子３の裏面も樹脂５でコーティングする。これに
より、後の半田メッキの工程で半導体素子３の裏面に半
田が付着することを防ぐことができる。ここで用いる樹
脂は半導体素子３の表面を保護するものと同一のもので
ある必要はなく、ごく薄くコーティングでき、絶縁でき
るもので充分である。尚、ｂ図とｃ図の工程を同時に行
なうことも可能である。
次にｄ図の如く、半田メッキによりテープキャリア１
のアウターリード６に半田７を被覆する。メッキ方法は
電気メッキでも無電解メッキでも良いが、通常メッキ厚
みを得るため、ホウフッ化浴，アルカノールスルホン酸
浴等の電気メッキを行なう。メッキ厚みや半田組成は用
いるメッキ液，メッキ条件等を適宜に選択することによ
り任意に変更できるが、回路基板への実装を考慮して通
常Sn:Pb＝6:4の共晶半田を５〜20μｍ被覆させている。
のアウターリード６に半田７を被覆する。メッキ方法は
電気メッキでも無電解メッキでも良いが、通常メッキ厚
みを得るため、ホウフッ化浴，アルカノールスルホン酸
浴等の電気メッキを行なう。メッキ厚みや半田組成は用
いるメッキ液，メッキ条件等を適宜に選択することによ
り任意に変更できるが、回路基板への実装を考慮して通
常Sn:Pb＝6:4の共晶半田を５〜20μｍ被覆させている。
以下は図示しないが、メッキリード切断，電気特性検
査等を行って、アウターリードに半田被覆された半導体
装置が完成する。
査等を行って、アウターリードに半田被覆された半導体
装置が完成する。
第２図は本発明の半導体装置８を回路基板９に実装し
た斜視図である。
た斜視図である。
上述の如く本発明によれば、従来の溶融半田へのディ
ッピング法と異なり、アウターリードのピッチが細かく
ても短絡することなく、また半田くわれによるリード強
度の低下もなく、更に熱を加えないことから熱ストレス
による半導体素子へのダメージもない信頼性の高い半導
体装置を得ることができる。またディッピング法ではフ
ラックスを使用する必要があるため、その洗浄を充分行
なわなければならず工程が長くなるのに対し、メッキ法
では工程が簡単で低コスト化が容易である。また、テー
プキャリアから、樹脂封止された半導体素子をアウター
リードで切り放さずメッキで被覆しているために、リー
ドに余計なストレスがなく、リード曲がりが発生しな
い。
ッピング法と異なり、アウターリードのピッチが細かく
ても短絡することなく、また半田くわれによるリード強
度の低下もなく、更に熱を加えないことから熱ストレス
による半導体素子へのダメージもない信頼性の高い半導
体装置を得ることができる。またディッピング法ではフ
ラックスを使用する必要があるため、その洗浄を充分行
なわなければならず工程が長くなるのに対し、メッキ法
では工程が簡単で低コスト化が容易である。また、テー
プキャリアから、樹脂封止された半導体素子をアウター
リードで切り放さずメッキで被覆しているために、リー
ドに余計なストレスがなく、リード曲がりが発生しな
い。
一方部分メッキを施したテープキャリアを用いた場合
と比較しても、部分メッキをするためにはインナーリー
ド部をマスキングする必要があり、テープキャリア製造
工程が長くなるのに対し、本発明によれば半導体素子の
樹脂封止剤がそのマスキングの役割をなすためトータル
として工程が簡略化できるという効果を有する。
と比較しても、部分メッキをするためにはインナーリー
ド部をマスキングする必要があり、テープキャリア製造
工程が長くなるのに対し、本発明によれば半導体素子の
樹脂封止剤がそのマスキングの役割をなすためトータル
として工程が簡略化できるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の半田メッ
キによるアウターリードへの半田被覆方法の一実施例を
示す工程図である。第２図は本発明の半導体装置の実装
構造を示す斜視図である。 １……テープキャリア ２……インナーリード ３……半導体素子 4,5……樹脂 ６……アウターリード ７……半田 ８……半導体装置 ９……回路基板
キによるアウターリードへの半田被覆方法の一実施例を
示す工程図である。第２図は本発明の半導体装置の実装
構造を示す斜視図である。 １……テープキャリア ２……インナーリード ３……半導体素子 4,5……樹脂 ６……アウターリード ７……半田 ８……半導体装置 ９……回路基板
Claims (1)
- 【請求項１】インナーリード部及びアウターリード部と
なる導体部分を含むテープキャリアに半導体素子を載置
し、且つ封止する半導体装置の製造方法において、前記
半導体素子を表面にメッキ金属を有する前記導体部分の
インナーリード部とボンディングする工程、前記半導体
素子及びインナーリード部を樹脂により封止する工程、
樹脂封止された半導体素子を載置した前記テープキャリ
アを半田メッキ浴に浸漬し、樹脂から露出した前記アウ
ターリード部に半田を５〜20μｍの膜厚で被覆するメッ
キ工程、しかる後に前記テープキャリアから樹脂封止さ
れた前記半導体素子をアウターリード部で切り離す工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186941A JP2537630B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186941A JP2537630B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430240A JPS6430240A (en) | 1989-02-01 |
| JP2537630B2 true JP2537630B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16197401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62186941A Expired - Lifetime JP2537630B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537630B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624212B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1994-03-30 | ローム株式会社 | 電子部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572536A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5730353A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-07-27 JP JP62186941A patent/JP2537630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6430240A (en) | 1989-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4727633A (en) | Method of securing metallic members together | |
| KR100552353B1 (ko) | 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법 | |
| KR100318818B1 (ko) | 리드프레임에대한보호피막결합 | |
| JPS59155950A (ja) | 半導体装置用セラミックパッケージ | |
| JPS6050343B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JP2537630B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0445985B2 (ja) | ||
| JP2596542B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS60241241A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6050342B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JP2603100B2 (ja) | 電子部品塔載用基板の製造方法 | |
| JPS639957A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPS59149042A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6083356A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1116939A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3215851B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造法 | |
| JPS6148953A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPS6362258A (ja) | アルミニウムもしくはアルミニウム合金の半田付け法 | |
| JPS60165745A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS58123744A (ja) | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0917933A (ja) | 電気めっきリードを有する半導体素子の製造方法 | |
| JPS63175438A (ja) | プリント基板へのｉｃ実装方法 | |
| JPS6050337B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63211655A (ja) | 半田埋め込みレジストシ−ト | |
| JPS5856428A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |