JPS6050337B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6050337B2 JPS6050337B2 JP258680A JP258680A JPS6050337B2 JP S6050337 B2 JPS6050337 B2 JP S6050337B2 JP 258680 A JP258680 A JP 258680A JP 258680 A JP258680 A JP 258680A JP S6050337 B2 JPS6050337 B2 JP S6050337B2
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- Japan
- Prior art keywords
- leads
- lead frame
- solder
- support
- lead
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、特に比較的
長尺のリードフレームによつて樹脂封止形成された半導
体装置のリードにはんた被覆を施す方法の改良に関する
。
長尺のリードフレームによつて樹脂封止形成された半導
体装置のリードにはんた被覆を施す方法の改良に関する
。
リードフレームバンドに平行に形成されたり−ドを有す
るリードフレームに第１図に示すＤＩＰ（ＤｕａｌＩｎ
ｌｌｎｅＰａｃｋａｇｅ）型半導体装置に用いられるも
のがある。
るリードフレームに第１図に示すＤＩＰ（ＤｕａｌＩｎ
ｌｌｎｅＰａｃｋａｇｅ）型半導体装置に用いられるも
のがある。
ただし第１図のリードフレームは素子マウント （素子
取付と、素子電極とリードとの配線）が施されたものを
示している。図において、１はリードフレーム、２ａ、
２ｂはリードフレームバンド、３ａ、３ａ’・・・は一
方のリード、３ｂ、３ｂ’・・・は他方のリードで前記
のリードとともにリードフレームバンドに平行にブリッ
ジ部４ａ、４ｂ、４ｃによつて定位され、各リード、リ
ードバンドおよびブリツヂ部は一体に形成されている。
また、リードフレームバンド２ａ、２ｂを橋絡するよう
に延びる支持リード５ａ、５ｂはその中央部に素子配設
床部６が設けられ、これに半導体素子７が取付されかつ
、この素子の電極はホンディングワイヤＢａ、８ｂ・・
・によつて対応するリードの突出端部に接続される。ま
た、図中破線で包囲した内部はたとえばエポキシ樹脂で
封止される部分を示し、この樹脂封止がされると第２図
に示すようになる。すなわち、図中に８で示す部分は樹
脂封止体である。ついで、第２図に破線で示す個所にカ
ッティングが施されてリード間の短絡が解除されるとと
もに、樹脂封止体はリードフレームから遊離され、リー
ドに「曲げ」が施され成形を完了する。つぎに、第３図
に斜視図によつて示すように、樹脂封止体８部をピンセ
ット９で挾持し、１側に突出したリード３ａ、３ａ’・
・・をはんだ融液１０に浸漬する。次に持ち換えて他側
のＪリード３ｂ、３ｂ’・・・をはんだ融液に浸漬する
ことによつてり一にはんだ被覆を達成する。上に述べた
従来の製造方法によれば、作業能率が極めて低い（平均
習熟者１Ｃ１１〜個／時程度）上に、はんだ被覆層のば
らつき、たとえばはんだ７厘さ、濡れ長さ、光択等が大
きかつた。すなわち生産能率、品質信頼性、工程の機械
化等にわたつて障害が大きい欠点があつた。この発明は
従来の欠点を改良した半導体装置の製造方法を提供する
ものである。次にこの発明を１実施例につき図面を参照
して詳細に説明する。
取付と、素子電極とリードとの配線）が施されたものを
示している。図において、１はリードフレーム、２ａ、
２ｂはリードフレームバンド、３ａ、３ａ’・・・は一
方のリード、３ｂ、３ｂ’・・・は他方のリードで前記
のリードとともにリードフレームバンドに平行にブリッ
ジ部４ａ、４ｂ、４ｃによつて定位され、各リード、リ
ードバンドおよびブリツヂ部は一体に形成されている。
また、リードフレームバンド２ａ、２ｂを橋絡するよう
に延びる支持リード５ａ、５ｂはその中央部に素子配設
床部６が設けられ、これに半導体素子７が取付されかつ
、この素子の電極はホンディングワイヤＢａ、８ｂ・・
・によつて対応するリードの突出端部に接続される。ま
た、図中破線で包囲した内部はたとえばエポキシ樹脂で
封止される部分を示し、この樹脂封止がされると第２図
に示すようになる。すなわち、図中に８で示す部分は樹
脂封止体である。ついで、第２図に破線で示す個所にカ
ッティングが施されてリード間の短絡が解除されるとと
もに、樹脂封止体はリードフレームから遊離され、リー
ドに「曲げ」が施され成形を完了する。つぎに、第３図
に斜視図によつて示すように、樹脂封止体８部をピンセ
ット９で挾持し、１側に突出したリード３ａ、３ａ’・
・・をはんだ融液１０に浸漬する。次に持ち換えて他側
のＪリード３ｂ、３ｂ’・・・をはんだ融液に浸漬する
ことによつてり一にはんだ被覆を達成する。上に述べた
従来の製造方法によれば、作業能率が極めて低い（平均
習熟者１Ｃ１１〜個／時程度）上に、はんだ被覆層のば
らつき、たとえばはんだ７厘さ、濡れ長さ、光択等が大
きかつた。すなわち生産能率、品質信頼性、工程の機械
化等にわたつて障害が大きい欠点があつた。この発明は
従来の欠点を改良した半導体装置の製造方法を提供する
ものである。次にこの発明を１実施例につき図面を参照
して詳細に説明する。
第４図は１実施例の概要を示す斜視図で、図における±
は比較的長尺のリードフレームで、そのリードフレーム
バンド２ａ，２ｂから対向して延びる複数対の支持リー
ド５ａ，５ｂ，５ａ″，５ｂ″，・・・によつて個々に
支持された複数個の樹脂封止体８，８″・・を有する。
すなわち、この長尺のリードフレームでは、第２図で説
明した従来の方法の場合の如く樹脂封止を行なつたのち
、各リードおよび支持リードのすべてにカッティングを
施して樹脂封止体をリードフレームから解放することを
せず、支持リードのみはカッティングを施せずに残すこ
とによつて、樹脂封止の済んだ個々の半導体装置がすべ
てそれぞれ支持リードによつてリードフレームに支持さ
れたままの状態になつている。ただし、図にはこの発明
の詳細な説明するのに必要な位置にある半導体装置のみ
を示し他は図示を省略してある。上記のリードフレーム
はそれに支持されている樹脂封止済の各半導体装置がそ
れぞれ第４図のポジションＡからポジションＤまでを順
次通過することとあるように移動させられる。ポジショ
ンＡにおいて支持リード５ａ″，５ｂ゛を軸として樹脂
封止体８″が９００回転され、樹脂封止体から突出する
リードがリードフレームバンドに対して垂直になる。し
たがつてリードフレームバンドを水平に保持すれば一方
のリード３ａ，３ａ″・・・は樹脂封止体の下側に来る
。次にポジションＢにおけるはんだ槽の上でリードフレ
ームバンドが押し下げられ、リード３ａ，３ａ″・・・
がはんだ融液１０に浸漬されはんだ被覆が達成される。
さらにリードフレームが送られポジションＣで長手方向
の中央線を軸にして１８００ねじられると先にはんだ被
覆された側のリード３ａ，３ａ・・・の樹脂封止体の上
側になる。リードフレームが送られポジションＤに達し
たときリードフレームバンドが押し下げられ樹脂封止体
の下側にあるリード３ｂ，３ｂ″・・・がはんだ融液１
０に浸漬され、はんだ被覆が達成される。最後に支持リ
ードを樹脂封止体の側面で切断し、リードフレームバン
ドから解除された半導体装置が得られる。なお、樹脂封
止体をリードフレームに連結したままの状態に保つため
には素子配設台床部をりーノドフレームバンドに連結す
る支持リードを利用するとは限られず、例えば第５図に
太線で示されるような形状の支持片５ａ″によつてする
ことにしてもよい。
は比較的長尺のリードフレームで、そのリードフレーム
バンド２ａ，２ｂから対向して延びる複数対の支持リー
ド５ａ，５ｂ，５ａ″，５ｂ″，・・・によつて個々に
支持された複数個の樹脂封止体８，８″・・を有する。
すなわち、この長尺のリードフレームでは、第２図で説
明した従来の方法の場合の如く樹脂封止を行なつたのち
、各リードおよび支持リードのすべてにカッティングを
施して樹脂封止体をリードフレームから解放することを
せず、支持リードのみはカッティングを施せずに残すこ
とによつて、樹脂封止の済んだ個々の半導体装置がすべ
てそれぞれ支持リードによつてリードフレームに支持さ
れたままの状態になつている。ただし、図にはこの発明
の詳細な説明するのに必要な位置にある半導体装置のみ
を示し他は図示を省略してある。上記のリードフレーム
はそれに支持されている樹脂封止済の各半導体装置がそ
れぞれ第４図のポジションＡからポジションＤまでを順
次通過することとあるように移動させられる。ポジショ
ンＡにおいて支持リード５ａ″，５ｂ゛を軸として樹脂
封止体８″が９００回転され、樹脂封止体から突出する
リードがリードフレームバンドに対して垂直になる。し
たがつてリードフレームバンドを水平に保持すれば一方
のリード３ａ，３ａ″・・・は樹脂封止体の下側に来る
。次にポジションＢにおけるはんだ槽の上でリードフレ
ームバンドが押し下げられ、リード３ａ，３ａ″・・・
がはんだ融液１０に浸漬されはんだ被覆が達成される。
さらにリードフレームが送られポジションＣで長手方向
の中央線を軸にして１８００ねじられると先にはんだ被
覆された側のリード３ａ，３ａ・・・の樹脂封止体の上
側になる。リードフレームが送られポジションＤに達し
たときリードフレームバンドが押し下げられ樹脂封止体
の下側にあるリード３ｂ，３ｂ″・・・がはんだ融液１
０に浸漬され、はんだ被覆が達成される。最後に支持リ
ードを樹脂封止体の側面で切断し、リードフレームバン
ドから解除された半導体装置が得られる。なお、樹脂封
止体をリードフレームに連結したままの状態に保つため
には素子配設台床部をりーノドフレームバンドに連結す
る支持リードを利用するとは限られず、例えば第５図に
太線で示されるような形状の支持片５ａ″によつてする
ことにしてもよい。
この支持片はこの発明の特徴とする操作である樹脂封止
体を９００回転させたり、またリードフレームをその長
手方向を軸に１８０、ねじつたりする場合に樹脂封止体
から離脱しない程度に樹脂封止体に浅く埋めこまれてお
ればよい。この発明によれば工程を機械（自動）化でき
生産能率が向上するとともに、はんだ被覆層のばらつき
、たとえばはんだ厚さ、濡れ長さ、光択等のばらつきが
低減した。
体を９００回転させたり、またリードフレームをその長
手方向を軸に１８０、ねじつたりする場合に樹脂封止体
から離脱しない程度に樹脂封止体に浅く埋めこまれてお
ればよい。この発明によれば工程を機械（自動）化でき
生産能率が向上するとともに、はんだ被覆層のばらつき
、たとえばはんだ厚さ、濡れ長さ、光択等のばらつきが
低減した。
そして工程の機械（自動）化による生産性の向上、品質
信頼性の向上が顕著に認められた。
信頼性の向上が顕著に認められた。
第１図は素子配設を施したリードフレームの正面図、第
２図は樹脂封止を施したリードフレームの正面図、第３
図は従来の方法によリードのはんだ被覆を説明する斜視
図、第４図はこの発明の１実施例を示す工程の斜視図、
第５図は別の実施例を説明するためのリードフレームの
部分を示す正面図である。 ±・・・・・・リードフレーム、２ａ，２ｂ・・・・・
リードフレームバンド、３ａ，３ａ″・・・，３ｂ，３
ｂ″・・・・・・リード、５ａ，５ａ″，５ｂ，５ｂ″
・・・・・支持リード、１０・・・・・・はんだ融液。
２図は樹脂封止を施したリードフレームの正面図、第３
図は従来の方法によリードのはんだ被覆を説明する斜視
図、第４図はこの発明の１実施例を示す工程の斜視図、
第５図は別の実施例を説明するためのリードフレームの
部分を示す正面図である。 ±・・・・・・リードフレーム、２ａ，２ｂ・・・・・
リードフレームバンド、３ａ，３ａ″・・・，３ｂ，３
ｂ″・・・・・・リード、５ａ，５ａ″，５ｂ，５ｂ″
・・・・・支持リード、１０・・・・・・はんだ融液。
Claims (1)
- １ リードフレームバンドに平行に形成されたリードと
リードフレームバンドから対向して延びる支持リードを
設けたリードフレームに素子マウントを施し、次に支持
リード端部とリードの端部を残して樹旨封止を施したの
ち、支持リードを軸として樹脂封止体をほぼ９０゜回転
し、さらにリードフレームバンドを水平にし下側に突出
したリードをはんだ液に浸漬してはんだ被覆を施し、つ
いでリードフレームをその長手方向を軸として１８０゜
ねじ、樹脂封止体の下側に突出したリードをはんだ液に
浸漬してはんだ被覆を施すことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP258680A JPS6050337B2 (ja) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP258680A JPS6050337B2 (ja) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56100455A JPS56100455A (en) | 1981-08-12 |
| JPS6050337B2 true JPS6050337B2 (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=11533472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP258680A Expired JPS6050337B2 (ja) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050337B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059761A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 予備半田付け装置 |
| JP2810432B2 (ja) * | 1989-08-14 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | リードフレーム |
-
1980
- 1980-01-16 JP JP258680A patent/JPS6050337B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56100455A (en) | 1981-08-12 |
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