JPS60251636A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60251636A JPS60251636A JP59108224A JP10822484A JPS60251636A JP S60251636 A JPS60251636 A JP S60251636A JP 59108224 A JP59108224 A JP 59108224A JP 10822484 A JP10822484 A JP 10822484A JP S60251636 A JPS60251636 A JP S60251636A
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- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖、業上Ω剰」しＦ肚
この発明は複数のリードをタイバーで接続したリードフ
レームを使用して製造する半導体装置に関する。
レームを使用して製造する半導体装置に関する。
従米皇肢血
最近の半導体装置の小形化、多機能化に伴い、ＩＣなど
の１つの半導体装置に使用されるリード数は増々多くな
り、このリードをマウントされたベレットより導出する
ために用いられるリードフレームは、年々ファインパタ
ーン化されている。またリードフレームは、特殊な用途
の場合には、エツチング法により形成されるものもある
が、金属板をプレスで打抜き加工したものが製作費が格
段に安くて（エツチング法の加工に比べ約半分）一般的
である。
の１つの半導体装置に使用されるリード数は増々多くな
り、このリードをマウントされたベレットより導出する
ために用いられるリードフレームは、年々ファインパタ
ーン化されている。またリードフレームは、特殊な用途
の場合には、エツチング法により形成されるものもある
が、金属板をプレスで打抜き加工したものが製作費が格
段に安くて（エツチング法の加工に比べ約半分）一般的
である。
例えばリードフレームを使った従来の半導体装置を第８
図乃至第１０図を参照し乍ら説明すると、次の通りであ
る。まず第１０図は、１枚の帯板状リードフレーム（１
）を示し、第８図及び第９図はリードフレーム（１）を
使って製造した樹脂封止型半導体装置の例えばＩＣ（２
）を示す、リードフレーム（１）は複数のＩＣ（２）（
２） −・におけるＩＣペレットマウント用ランド部（
３）（３）・−及び複数のリード（４）（４）−・をタ
イバー（５）（５）−で一連に接続したもので、１つの
ランド部（３）の周辺近傍まで複数のリード（４）（４
１−がタイバー（５）（５）、−−一より延びている。
図乃至第１０図を参照し乍ら説明すると、次の通りであ
る。まず第１０図は、１枚の帯板状リードフレーム（１
）を示し、第８図及び第９図はリードフレーム（１）を
使って製造した樹脂封止型半導体装置の例えばＩＣ（２
）を示す、リードフレーム（１）は複数のＩＣ（２）（
２） −・におけるＩＣペレットマウント用ランド部（
３）（３）・−及び複数のリード（４）（４）−・をタ
イバー（５）（５）−で一連に接続したもので、１つの
ランド部（３）の周辺近傍まで複数のリード（４）（４
１−がタイバー（５）（５）、−−一より延びている。
リード（４）（４） −は第８図に示すように最終的に
モールドパッケージかされた外装樹脂材（６）よりも外
部に位置するアウタリード部（４ａ） （４ａＬ−と外
装樹脂材（６）内に在り封止されるインナリード部（４
ｂ） （４ｂ）・−・とから構成され、インナリード部
（４ｂ） （４ｂ）−・の先端部（４ｃ） （４ｃ）−
の上面とランド部（３）（３）−の上面には、内部結線
されるワイヤやランド部（３）（３）・−に接着するペ
レットの接着性を良（する目的で、Ａｇ （又はＡｕ）
メッキ層（７）（７，Ｌ−・が予。
モールドパッケージかされた外装樹脂材（６）よりも外
部に位置するアウタリード部（４ａ） （４ａＬ−と外
装樹脂材（６）内に在り封止されるインナリード部（４
ｂ） （４ｂ）・−・とから構成され、インナリード部
（４ｂ） （４ｂ）−・の先端部（４ｃ） （４ｃ）−
の上面とランド部（３）（３）−の上面には、内部結線
されるワイヤやランド部（３）（３）・−に接着するペ
レットの接着性を良（する目的で、Ａｇ （又はＡｕ）
メッキ層（７）（７，Ｌ−・が予。
め部分メッキ形成される。
リードフレーム（１）の各ランド部（３）（３）−・−
上に先ずＩＣペレット（８）（８）−がマウントされ、
次にＩＣペレット（８）（８）・・−・・の表面電極と
、対応するインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）−と
を、Ａｕ線ワイヤ＜９） （９）−により橋架接続して
、電気的に接続し、その後で外装樹脂材（６）（６）−
をモールドして封止している。そして最後に、リードフ
レーム（１）のタイバー（５）（５）−・を切断除去し
て個々のリード（４）（４）・・・は全てＮ隔状態にし
て多数のｉｃ （２）（２）−を同時に一括して製造し
ている。
上に先ずＩＣペレット（８）（８）−がマウントされ、
次にＩＣペレット（８）（８）・・−・・の表面電極と
、対応するインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）−と
を、Ａｕ線ワイヤ＜９） （９）−により橋架接続して
、電気的に接続し、その後で外装樹脂材（６）（６）−
をモールドして封止している。そして最後に、リードフ
レーム（１）のタイバー（５）（５）−・を切断除去し
て個々のリード（４）（４）・・・は全てＮ隔状態にし
て多数のｉｃ （２）（２）−を同時に一括して製造し
ている。
発ｍ決↓−と旦を五隆題嘉
ところで、リードフレーム（１）は増々ファインハター
ン化され、最近のインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ
）−の幅及び間隔は２００μｍ程度にまで小さくなり、
しかも板厚は０．１〜Ｏ−３ｍ １１１程度がほとんど
である。そのため、最近次の各問題があった。
ン化され、最近のインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ
）−の幅及び間隔は２００μｍ程度にまで小さくなり、
しかも板厚は０．１〜Ｏ−３ｍ １１１程度がほとんど
である。そのため、最近次の各問題があった。
〔問題１〕 リードフレーム（１）が板金から打抜き形
成される時に、リード（４）’（４Ｌ−の開放端である
インナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）・−に反りが生
じ、しかもその中にあるものは表側へ、また他のものは
裏側へ僅かだが曲がる等して同一平面に揃わない乱れが
生じることが多々あった。
成される時に、リード（４）’（４Ｌ−の開放端である
インナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）・−に反りが生
じ、しかもその中にあるものは表側へ、また他のものは
裏側へ僅かだが曲がる等して同一平面に揃わない乱れが
生じることが多々あった。
〔問題２〕 リードフレーム（１）のＡｇ （又はＡｕ
）メッキ層Ｃ１）＜ｒ）−の形成は、リードフレーム（
１）にマスクを被着してメッキ液に浸す部分メッキ法で
行われるが、被メツキ部分であるインナリード先端部（
４ｃ） （４ｃ）−に上記乱れが在るため、このインナ
リード先端部（４ｃ） （４ｃＬ−−・上へのメッキが
同一条件で行えないことがあった。つまり、インナリー
ド先端部（４ｃ） （４ｃ）−の乱れたものに対してリ
ード上面でのメッキエリアの不足、メンキエリアの位置
ずれ、リード下面への余分なメッキなどが生じ、特にメ
ッキエリアの位置ずれはアウクリードで近くまで不要に
生じることがあり、また最悪の場合にはアウタリード上
まで余分にメッキエリアが広がることがあった。
）メッキ層Ｃ１）＜ｒ）−の形成は、リードフレーム（
１）にマスクを被着してメッキ液に浸す部分メッキ法で
行われるが、被メツキ部分であるインナリード先端部（
４ｃ） （４ｃ）−に上記乱れが在るため、このインナ
リード先端部（４ｃ） （４ｃＬ−−・上へのメッキが
同一条件で行えないことがあった。つまり、インナリー
ド先端部（４ｃ） （４ｃ）−の乱れたものに対してリ
ード上面でのメッキエリアの不足、メンキエリアの位置
ずれ、リード下面への余分なメッキなどが生じ、特にメ
ッキエリアの位置ずれはアウクリードで近くまで不要に
生じることがあり、また最悪の場合にはアウタリード上
まで余分にメッキエリアが広がることがあった。
（問題３〕 上記インナリード先端部（４Ｃ）（４ｃ）
・−におけるメソキネ良が次のワイヤボンディング作業
を難しくしていた。即ち、ワイヤボンディング時に、イ
ンナリード先端部（４Ｃ）（４ｃ） −−−をパターン
認識技術を用いて位置決めしているが、インナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−上のメッキ！ （７） （７
）−・−にメツキネ足や位置ずれが在ると、パターン認
識時に位置決めミスを招いてしまい、ワイヤボンディン
グ位置のずれやワイヤボンディング接着強度の不足など
を不都合にも誘発する原因となっていた。また特にメン
キｊｉ！！（７） （７）−がＡｇで位置ずれを起し、
その境界部分にワイヤボンディングがなされると、マイ
グレーション現象が起り、Ａｇ原子が接着部分から移動
してワイヤ接続不良が生じることがあった。
・−におけるメソキネ良が次のワイヤボンディング作業
を難しくしていた。即ち、ワイヤボンディング時に、イ
ンナリード先端部（４Ｃ）（４ｃ） −−−をパターン
認識技術を用いて位置決めしているが、インナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−上のメッキ！ （７） （７
）−・−にメツキネ足や位置ずれが在ると、パターン認
識時に位置決めミスを招いてしまい、ワイヤボンディン
グ位置のずれやワイヤボンディング接着強度の不足など
を不都合にも誘発する原因となっていた。また特にメン
キｊｉ！！（７） （７）−がＡｇで位置ずれを起し、
その境界部分にワイヤボンディングがなされると、マイ
グレーション現象が起り、Ａｇ原子が接着部分から移動
してワイヤ接続不良が生じることがあった。
〔問題４〕 ワイヤボンディングは、インナリード先端
部（４ｃ） （４ｃ）−をボンディング作業台上に載せ
て行われるが、先述のとおりインナリード先端部（４ｃ
） （４ｃＬ−に乱れがあると、その乱れた部分が、ボ
ンディング作業台から浮き上がるものがあるため、この
部分への熱圧着や超音波溶接等のワイヤボンディングが
雌しくなり、ボンディング歩留りやボンディング作業性
を著しく低下させていた。
部（４ｃ） （４ｃ）−をボンディング作業台上に載せ
て行われるが、先述のとおりインナリード先端部（４ｃ
） （４ｃＬ−に乱れがあると、その乱れた部分が、ボ
ンディング作業台から浮き上がるものがあるため、この
部分への熱圧着や超音波溶接等のワイヤボンディングが
雌しくなり、ボンディング歩留りやボンディング作業性
を著しく低下させていた。
〔問題５〕 ワイヤボンディング後、リードフレーム（
１）を、樹脂モールド工程等へ送るが、この工程間の移
動時に機械的ショックが加わると不安定なインナリード
先端部（４ｃ） （４ｃ）・−が異常に振動してワイヤ
切れを招くことがあった。またこのような機械的ショッ
クやワイヤボンディング時にワイヤ（９） （９）−・
が垂れ下がってランド部（３）（３）−・・などにショ
ートすることがあり、半導体装置の歩留りを悪くする原
因になっていた。
１）を、樹脂モールド工程等へ送るが、この工程間の移
動時に機械的ショックが加わると不安定なインナリード
先端部（４ｃ） （４ｃ）・−が異常に振動してワイヤ
切れを招くことがあった。またこのような機械的ショッ
クやワイヤボンディング時にワイヤ（９） （９）−・
が垂れ下がってランド部（３）（３）−・・などにショ
ートすることがあり、半導体装置の歩留りを悪くする原
因になっていた。
ｐ ゛ た の 一
本発明は上記従来の各問題点に鑑みてなされたもので、
この問題点を解決する本発明の技術的手段は、リードフ
レームの半導体ペレットマウント用ランド部の周辺近傍
までタイバーより延びる複数のリードの、ランド部側先
端部上に、予め各リードを一連に一体化する絶縁性基板
を固定することである。さらに、事情によって上記絶縁
性基板は前記複数のリードのランド部側先端部上と、ラ
ンド部周辺部上とに跨がって配設することである。
この問題点を解決する本発明の技術的手段は、リードフ
レームの半導体ペレットマウント用ランド部の周辺近傍
までタイバーより延びる複数のリードの、ランド部側先
端部上に、予め各リードを一連に一体化する絶縁性基板
を固定することである。さらに、事情によって上記絶縁
性基板は前記複数のリードのランド部側先端部上と、ラ
ンド部周辺部上とに跨がって配設することである。
詐且
上記技術的手段によると、リードフレームの各リードの
ランド部側先端部は、前記絶縁性基板の固定化により、
乱れが無くなり、従って乱れの無い状態でメッキやワイ
ヤボンディングが行えるので、メツキネ良やワイヤボン
ディング不良が解消される。またリードのランド部側端
部は基板による固定化により安定し、ワイヤ切れなどの
トラブルが防止できる。
ランド部側先端部は、前記絶縁性基板の固定化により、
乱れが無くなり、従って乱れの無い状態でメッキやワイ
ヤボンディングが行えるので、メツキネ良やワイヤボン
ディング不良が解消される。またリードのランド部側端
部は基板による固定化により安定し、ワイヤ切れなどの
トラブルが防止できる。
次長！Ｌ
以下に第８図に示した半導体装置（ＩＣ）と同一タイプ
のものに本発明を通用した各実施例を第１図乃至第７図
を参照して説明する。尚、第１図乃至第７図における第
８図乃至第１０図と同一のものには同一参照符号を付し
て説明は省略する。
のものに本発明を通用した各実施例を第１図乃至第７図
を参照して説明する。尚、第１図乃至第７図における第
８図乃至第１０図と同一のものには同一参照符号を付し
て説明は省略する。
先ず第１図及び第２図の第１実施例の特徴は複数のリー
ド（４） （４）−・のインナリード先端部（４ｃ）
（ｊｃ）−上に、この各インナリード先端部（４ｃ）
（４ｃ）−を一連に連結すると枠状の絶縁性基板（１０
）を接着剤などで固定することである。この基板（１０
）はプラスチック等の硬質材料であり、インナリード先
端部（４Ｃ）（４ｃ） −の先端近くのワイヤボンディ
ング予定部分を避けて固定する。この固定は第３図に示
すように、リードフレーム（１）の状態でリードフレー
ム（１）を平坦な台（図示せず）上に載置しておいて、
基板（ｌＯ）でリードフレーム先端部（４ｃ） （４ｃ
）−・を台に押し付けて行なう。するとインナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−に反りなどの乱れが起きても
、この乱れは基板（１０）による押し付けにより矯正さ
れ、矯正されたまま基板（１０）に一体に固定される。
ド（４） （４）−・のインナリード先端部（４ｃ）
（ｊｃ）−上に、この各インナリード先端部（４ｃ）
（４ｃ）−を一連に連結すると枠状の絶縁性基板（１０
）を接着剤などで固定することである。この基板（１０
）はプラスチック等の硬質材料であり、インナリード先
端部（４Ｃ）（４ｃ） −の先端近くのワイヤボンディ
ング予定部分を避けて固定する。この固定は第３図に示
すように、リードフレーム（１）の状態でリードフレー
ム（１）を平坦な台（図示せず）上に載置しておいて、
基板（ｌＯ）でリードフレーム先端部（４ｃ） （４ｃ
）−・を台に押し付けて行なう。するとインナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−に反りなどの乱れが起きても
、この乱れは基板（１０）による押し付けにより矯正さ
れ、矯正されたまま基板（１０）に一体に固定される。
上記基板（１０）は、リードフレーム（１）の複数の半
導体装置におけるリード群毎に１つが固定、この固定後
にリードフレーム（１）の必要部分に部分メッキが施さ
れる。この第１の実施例においては、リードフレーム（
１）の゛ランド部（３）＜３＞−上と、インナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−−一の基板（１０） （１０
）−・より突出する部分上とにＡｇ （又はＡｕ）メッ
キ層（７′）（７’） −−が部分メッキ法で形成され
る。この部分メッキはインナリード先端部（４ｃ） （
４ｃ）−が基板（１０） ＜１０）−により同一平面に
揃えられているので、全て良好に行える。従って、メッ
キ後のペレットマウント、ワイヤボンディングも良好に
行え、特にワイヤボンディングはインナリード先端部（
４ｃ） （４ｃ）・・・に乱れ、メツキネ良が無いので
パターン認識等が正確、容易に行えて良好に且つ高速に
行える。またワイヤボンディング後、リードフレーム（
１）に運搬時などで機械的ショックが加わってもインナ
リード先端部（４ｃ） （４ｃＬ−は基板（１０） （
１０）−にて安定に保持されているのでワイヤ切れなど
が発生する心配が無くなる。
導体装置におけるリード群毎に１つが固定、この固定後
にリードフレーム（１）の必要部分に部分メッキが施さ
れる。この第１の実施例においては、リードフレーム（
１）の゛ランド部（３）＜３＞−上と、インナリード先
端部（４ｃ） （４ｃ）−−一の基板（１０） （１０
）−・より突出する部分上とにＡｇ （又はＡｕ）メッ
キ層（７′）（７’） −−が部分メッキ法で形成され
る。この部分メッキはインナリード先端部（４ｃ） （
４ｃ）−が基板（１０） ＜１０）−により同一平面に
揃えられているので、全て良好に行える。従って、メッ
キ後のペレットマウント、ワイヤボンディングも良好に
行え、特にワイヤボンディングはインナリード先端部（
４ｃ） （４ｃ）・・・に乱れ、メツキネ良が無いので
パターン認識等が正確、容易に行えて良好に且つ高速に
行える。またワイヤボンディング後、リードフレーム（
１）に運搬時などで機械的ショックが加わってもインナ
リード先端部（４ｃ） （４ｃＬ−は基板（１０） （
１０）−にて安定に保持されているのでワイヤ切れなど
が発生する心配が無くなる。
上記第１実施例における半導体ペレット（８）が大電力
用でなく信号用の場合は第４図の第２実施例に示すよう
に、ランド部（３）上にはメッキを施さず直接にＡｇペ
ーストなどでマウントしてもよい。
用でなく信号用の場合は第４図の第２実施例に示すよう
に、ランド部（３）上にはメッキを施さず直接にＡｇペ
ーストなどでマウントしてもよい。
次に第５図及び第６図の第３実施例を説明すると、この
特徴はインナリード先端部（４ｃ）（４Ｃ）−・−上と
、ランド部（３）の周辺部上とに跨って絶縁性基板（１
１）を固定したことである。この基板（１１）のインナ
リード先端部（４ｃ）（４Ｃ）・−・での取付けはワイ
ヤボンディング予定部分を残した先端側で行われる。こ
の場合も基板（１１）によってインナリード先端部（４
ｃ）（４ｃ）−・−の乱れが矯正され、また基扱固定後
に部分メッキを行ってからペレットマウント、ワイヤボ
ンディングが行われる。この第３実施例の場合は基板（
１１）がランド部（３）側にも固定されるのでインナリ
ード先端部（４ｃ） ＜４ｃ）−の安定性が尚更に良く
なり、ワイヤボンディング性や機械的ショックによるワ
イヤ切れなどのトラブル防止効果により優れる。更に、
基板（１１）を跨いでワイヤ（９）（９）・−がボンデ
ィングされるので、ワイヤ垂れが仮りに生じても絶縁性
基板（１１）に支承されるため、ランド部（３）に当接
してしまい、ショートする心配が皆無となり、半導体装
置製造の歩留り改善効果がより優れている。
特徴はインナリード先端部（４ｃ）（４Ｃ）−・−上と
、ランド部（３）の周辺部上とに跨って絶縁性基板（１
１）を固定したことである。この基板（１１）のインナ
リード先端部（４ｃ）（４Ｃ）・−・での取付けはワイ
ヤボンディング予定部分を残した先端側で行われる。こ
の場合も基板（１１）によってインナリード先端部（４
ｃ）（４ｃ）−・−の乱れが矯正され、また基扱固定後
に部分メッキを行ってからペレットマウント、ワイヤボ
ンディングが行われる。この第３実施例の場合は基板（
１１）がランド部（３）側にも固定されるのでインナリ
ード先端部（４ｃ） ＜４ｃ）−の安定性が尚更に良く
なり、ワイヤボンディング性や機械的ショックによるワ
イヤ切れなどのトラブル防止効果により優れる。更に、
基板（１１）を跨いでワイヤ（９）（９）・−がボンデ
ィングされるので、ワイヤ垂れが仮りに生じても絶縁性
基板（１１）に支承されるため、ランド部（３）に当接
してしまい、ショートする心配が皆無となり、半導体装
置製造の歩留り改善効果がより優れている。
上記基板（１１）は比較的幅広なものが使用され、これ
を利用したものが第７図の第４実施例である。この第４
実施例の特徴は絶縁基板（１２）の上面に抵抗やコンデ
ンサなどの回路素子や中継ポンディングパッドなどの導
電パターン（１３）を形成した配線基板（１４）を第３
実施例と゛同様にインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ
）−とランド部（３）の周辺部上とに跨がって固定した
ことである。この場合のワイヤボンディングハ半導体ペ
レット（８）から配線基板（１４） 、配線基板（１４
）からインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）−１半導
体ペレフト（８）からインナリード先端部（４ｃ） （
４ｃ）−などと選択的に行われる。
を利用したものが第７図の第４実施例である。この第４
実施例の特徴は絶縁基板（１２）の上面に抵抗やコンデ
ンサなどの回路素子や中継ポンディングパッドなどの導
電パターン（１３）を形成した配線基板（１４）を第３
実施例と゛同様にインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ
）−とランド部（３）の周辺部上とに跨がって固定した
ことである。この場合のワイヤボンディングハ半導体ペ
レット（８）から配線基板（１４） 、配線基板（１４
）からインナリード先端部（４ｃ） （４ｃ）−１半導
体ペレフト（８）からインナリード先端部（４ｃ） （
４ｃ）−などと選択的に行われる。
これによりワイヤ（９）（９）−の本数は増えても、そ
の長さを短くできて、ワイヤ長過ぎによるワイヤ垂れ下
がり、ワイヤのカールやワイヤ同士の接触のどのトラブ
ルが防止できる。またこの第４実施例においては配線基
板（１４）と、半導体ペレット（８）を同じ厚さにして
両者のワイヤボンディング高さをほぼ同一にするディプ
ル構造が採用でき、このディプル構造採用の効果は１つ
のランド部上に複数の半導体ペレットをマウントして配
線するハイブリッドＩＣにおいて特に大きく発揮される
。更に配線基板（１４）使用により半導体装置の機能拡
大化が実現される。
の長さを短くできて、ワイヤ長過ぎによるワイヤ垂れ下
がり、ワイヤのカールやワイヤ同士の接触のどのトラブ
ルが防止できる。またこの第４実施例においては配線基
板（１４）と、半導体ペレット（８）を同じ厚さにして
両者のワイヤボンディング高さをほぼ同一にするディプ
ル構造が採用でき、このディプル構造採用の効果は１つ
のランド部上に複数の半導体ペレットをマウントして配
線するハイブリッドＩＣにおいて特に大きく発揮される
。更に配線基板（１４）使用により半導体装置の機能拡
大化が実現される。
Ａ朋ｐ勤−果
本発明によれば半導体装置のリードのインナリード先端
部の乱れが無くなり、且つ安定度が増して、ワイヤボン
ディング性の改善、ワイヤ切れなどのトラブル減少によ
る歩留り改善が図れる。特にリードに固定する基板を配
線基板にする等して半導体装置の多機能化を図ることが
できる。
部の乱れが無くなり、且つ安定度が増して、ワイヤボン
ディング性の改善、ワイヤ切れなどのトラブル減少によ
る歩留り改善が図れる。特にリードに固定する基板を配
線基板にする等して半導体装置の多機能化を図ることが
できる。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示す平面図及
びＡ−Ａ線に沿う部分拡大断面図、第３図は第１図の半
導体装置の製造に使用するリードフレームの部分平面図
、第４図は本発明の第２実施例を示す部分側断面図、第
５図及び第６図は本発明の第３実施例を示す平面図及び
Ｂ−Ｂ線に沿う部分拡大断面図、第７図は本発明の第４
実施例を示す部分側断面図である。第８図及び第９図は
従来の半導体装置を示す平面図及びＣ−Ｃ線に沿う部分
拡大断面図、第１０図は第８図の半導体装置の製造に使
用するリードフレームの部分平面図である。 （１）・−リードフレーム、（３） −ランド部、 （
４）−リード、 （４ｃ） −・リードのランド部側端
部（インナリード先端部）、（８） −・半導体ペレッ
ト、（９） −ワイヤ、（１０） （１１）（１２）・
・−絶縁性基板。 ｍ１図 ！ 第２図 串４図 第５図 第７図
びＡ−Ａ線に沿う部分拡大断面図、第３図は第１図の半
導体装置の製造に使用するリードフレームの部分平面図
、第４図は本発明の第２実施例を示す部分側断面図、第
５図及び第６図は本発明の第３実施例を示す平面図及び
Ｂ−Ｂ線に沿う部分拡大断面図、第７図は本発明の第４
実施例を示す部分側断面図である。第８図及び第９図は
従来の半導体装置を示す平面図及びＣ−Ｃ線に沿う部分
拡大断面図、第１０図は第８図の半導体装置の製造に使
用するリードフレームの部分平面図である。 （１）・−リードフレーム、（３） −ランド部、 （
４）−リード、 （４ｃ） −・リードのランド部側端
部（インナリード先端部）、（８） −・半導体ペレッ
ト、（９） −ワイヤ、（１０） （１１）（１２）・
・−絶縁性基板。 ｍ１図 ！ 第２図 串４図 第５図 第７図
Claims (1)
- （１） リードフレームのランド部に半導体ペレットを
マウントし、前記ランド部の近傍まで、周辺から延びる
複数のリードのランド部側先端部と、前記半導体ペレッ
トの電極とをワイヤを介して電気的接続した半導体装置
において、前記ランド部周辺の複数のリードのランド部
側先端部上に、予め咳各リードを一連に一体化する絶縁
性基板を固定したことを特徴とする半導体装置。 （２、特許請求の範囲第１項の記載において、前記複数
のリードのランド部側先端部上と、ランド部周辺部上と
に跨がって絶縁性基板を固定したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108224A JPS60251636A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108224A JPS60251636A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251636A true JPS60251636A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14479191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59108224A Pending JPS60251636A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547985A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05226561A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
| EP0681741A1 (en) * | 1993-11-29 | 1995-11-15 | Rogers Corporation | Electronic chip carrier package and method of making thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182859A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP59108224A patent/JPS60251636A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182859A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547985A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05226561A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
| EP0681741A1 (en) * | 1993-11-29 | 1995-11-15 | Rogers Corporation | Electronic chip carrier package and method of making thereof |
| EP0681741A4 (en) * | 1993-11-29 | 1996-06-05 | Rogers Corp | ENCLOSURE FOR AN ELECTRONIC CHIP CARRIER AND PRODUCTION METHOD. |
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