JPH0629338A - 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法Info
- Publication number
- JPH0629338A JPH0629338A JP18122692A JP18122692A JPH0629338A JP H0629338 A JPH0629338 A JP H0629338A JP 18122692 A JP18122692 A JP 18122692A JP 18122692 A JP18122692 A JP 18122692A JP H0629338 A JPH0629338 A JP H0629338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor element
- manufacturing
- lead
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 101100298222 Caenorhabditis elegans pot-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子に最初にレジンが流れ込む時から金
型内の最後の半導体素子に充填するまでの時間の差を極
力なくし、ボイド、未充填、ワイヤスイープ等の不良を
抑制する。 【構成】半導体装置製造用樹脂封止金型は少なくとも半
導体素子載置部・半導体素子・内部リード・半導体素子
と内部リードを接続するワイヤーまたはリード・これら
を封止する樹脂・及び外部リードを有する半導体装置を
製造する金型において、ランナ２の長さがポット部１か
ら全リードフレームにおける半導体素子載置部まで±５
cm範囲内同じである或いは、ランナ２が途中まで一本で
その先で一度だけ同箇所から数本に分岐していることを
特徴とする。 【効果】モールド工程においてかなりマージンを持った
条件を設定する事が可能となる。
型内の最後の半導体素子に充填するまでの時間の差を極
力なくし、ボイド、未充填、ワイヤスイープ等の不良を
抑制する。 【構成】半導体装置製造用樹脂封止金型は少なくとも半
導体素子載置部・半導体素子・内部リード・半導体素子
と内部リードを接続するワイヤーまたはリード・これら
を封止する樹脂・及び外部リードを有する半導体装置を
製造する金型において、ランナ２の長さがポット部１か
ら全リードフレームにおける半導体素子載置部まで±５
cm範囲内同じである或いは、ランナ２が途中まで一本で
その先で一度だけ同箇所から数本に分岐していることを
特徴とする。 【効果】モールド工程においてかなりマージンを持った
条件を設定する事が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止にて製造する
半導体装置の半導体装置製造用樹脂封止金型及びその金
型による製造方法に関する。
半導体装置の半導体装置製造用樹脂封止金型及びその金
型による製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂を用い低圧トランスファ成
形法により行う樹脂封止工程は、半導体装置の組立工程
の１つである。
形法により行う樹脂封止工程は、半導体装置の組立工程
の１つである。
【０００３】低圧トランスファ成形法は、図４に示すよ
うに半導体素子を搭載しワイヤボンディングを行ったリ
ードフレームをプレスの上下金型間に挟持し、素子の周
辺に熱溶融したレジンを移送し素子を封止する方式であ
る。従来の金型の構造は、ポットからランナを通り各半
導体素子までの距離が図５の様にポットに近い半導体素
子までの方が近い構造となっている。よって、熱溶融し
たレジンはポット部に近い半導体素子に流れ込んでい
く。
うに半導体素子を搭載しワイヤボンディングを行ったリ
ードフレームをプレスの上下金型間に挟持し、素子の周
辺に熱溶融したレジンを移送し素子を封止する方式であ
る。従来の金型の構造は、ポットからランナを通り各半
導体素子までの距離が図５の様にポットに近い半導体素
子までの方が近い構造となっている。よって、熱溶融し
たレジンはポット部に近い半導体素子に流れ込んでい
く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の技術では、リードフレーム上の最初の半導体素子
にレジンが流れ込んでから同一リードフレームの最後の
半導体素子に流れ込み完全に充填するまでに時間差が生
じる。そしてその状況はチップサイズが大きくなるにつ
れ顕著に現れてくる。また、全チップに充填するまでの
時間が異なると注入速度やプリヒートタイムやキュアタ
イム等の製造条件の設定がかなりシビアになってくる。
そして微妙な条件の違いによってパッケージ内に気泡が
できるボイドや、レジンが全チップに完全に成形されな
い未充填や、ワイヤがレジンによって流されるワイヤス
イープ等の不良が発生することがおきてしまう。
従来の技術では、リードフレーム上の最初の半導体素子
にレジンが流れ込んでから同一リードフレームの最後の
半導体素子に流れ込み完全に充填するまでに時間差が生
じる。そしてその状況はチップサイズが大きくなるにつ
れ顕著に現れてくる。また、全チップに充填するまでの
時間が異なると注入速度やプリヒートタイムやキュアタ
イム等の製造条件の設定がかなりシビアになってくる。
そして微妙な条件の違いによってパッケージ内に気泡が
できるボイドや、レジンが全チップに完全に成形されな
い未充填や、ワイヤがレジンによって流されるワイヤス
イープ等の不良が発生することがおきてしまう。
【０００５】本発明は、上記の課題を解決すべくなされ
るもので、ポット部から全リードフレームの全半導体素
子までのランナの長さをほぼ等しくすることによって、
半導体素子に最初にレジンが流れ込む時から金型内の最
後の半導体素子に充填するまでの時間の差を極力なくす
ることを目的とする。
るもので、ポット部から全リードフレームの全半導体素
子までのランナの長さをほぼ等しくすることによって、
半導体素子に最初にレジンが流れ込む時から金型内の最
後の半導体素子に充填するまでの時間の差を極力なくす
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置製造用樹脂封止金型は少なくとも半導体素子載置部・
半導体素子・内部リード・半導体素子と内部リードを接
続するワイヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・
及び外部リードを有する半導体装置を製造する金型にお
いて、ランナの長さがポット部から全リードフレームに
おける半導体素子載置部まで±５cm範囲内で同じかまた
は、ランナが途中まで一本でその先で一度だけ同箇所か
ら数本に分岐していることを特徴とする。
置製造用樹脂封止金型は少なくとも半導体素子載置部・
半導体素子・内部リード・半導体素子と内部リードを接
続するワイヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・
及び外部リードを有する半導体装置を製造する金型にお
いて、ランナの長さがポット部から全リードフレームに
おける半導体素子載置部まで±５cm範囲内で同じかまた
は、ランナが途中まで一本でその先で一度だけ同箇所か
ら数本に分岐していることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の実施例である半導体装置製
造用樹脂封止金型の構造である。
造用樹脂封止金型の構造である。
【０００８】図１においてプリヒートされたモールドレ
ジンが入る樹脂封止金型のポット部１から溶融したレジ
ンが流れるランナ２が各リードフレーム７に向かって延
びている。そして、それらのランナ２はリードフレーム
７に搭載されている半導体素子に向かっており、ポット
部１からランナ２を含め半導体素子までの距離が平面的
または、図３のように立体的にほぼ等しくなっている。
このような構造だと、プランジャ３が下降し徐々に樹脂
が溶解しポット部１からランナ２を通じ流れて行くと
き、全リードフレームの全半導体素子に樹脂が流れ着く
時間が等しく、且つキャビティ５内が樹脂で充填される
までにかかる時間がほぼ等しくなる。その後プランジャ
３を加圧保持し樹脂を硬化させていく。
ジンが入る樹脂封止金型のポット部１から溶融したレジ
ンが流れるランナ２が各リードフレーム７に向かって延
びている。そして、それらのランナ２はリードフレーム
７に搭載されている半導体素子に向かっており、ポット
部１からランナ２を含め半導体素子までの距離が平面的
または、図３のように立体的にほぼ等しくなっている。
このような構造だと、プランジャ３が下降し徐々に樹脂
が溶解しポット部１からランナ２を通じ流れて行くと
き、全リードフレームの全半導体素子に樹脂が流れ着く
時間が等しく、且つキャビティ５内が樹脂で充填される
までにかかる時間がほぼ等しくなる。その後プランジャ
３を加圧保持し樹脂を硬化させていく。
【０００９】また図２は、本発明の別の実施例である半
導体装置製造用樹脂封止金型の構造である。図２におい
て、プリヒートされたモールドレジンが入る樹脂封止金
型のポット部１からは溶融したレジンが流れるランナ２
が各リードフレーム７に向かって延びており、リードフ
レーム７の直前において、そのリードフレームに搭載さ
れている半導体素子のその数に応じて分岐している。プ
ランジャ３が下降してきて徐々に樹脂が溶融してポット
部１からランナ２を通じて流れて行く。すると、ポット
部１から分岐点までのランナ２の長さは等しくかつ分岐
点から半導体素子までの距離が平面的または図３のよう
に立体的に等しいためポット部１から流れ出たレジン
は、同一リードフレーム内の全半導体素子に対してだけ
でなく全リードフレームの全半導体素子に対してポット
部１からの時間差が殆ど無くゲート部４からキャビティ
５に流れ込み充填されていく。そして、プランジャ３を
加圧保持し、樹脂を硬化させていく。これら図１、図２
の様な金型を用い半導体装置を製造すると、金型６内の
全半導体素子がリードフレーム７に搭載されている位置
によらないマージンを持った条件によって製造できるこ
とになる。
導体装置製造用樹脂封止金型の構造である。図２におい
て、プリヒートされたモールドレジンが入る樹脂封止金
型のポット部１からは溶融したレジンが流れるランナ２
が各リードフレーム７に向かって延びており、リードフ
レーム７の直前において、そのリードフレームに搭載さ
れている半導体素子のその数に応じて分岐している。プ
ランジャ３が下降してきて徐々に樹脂が溶融してポット
部１からランナ２を通じて流れて行く。すると、ポット
部１から分岐点までのランナ２の長さは等しくかつ分岐
点から半導体素子までの距離が平面的または図３のよう
に立体的に等しいためポット部１から流れ出たレジン
は、同一リードフレーム内の全半導体素子に対してだけ
でなく全リードフレームの全半導体素子に対してポット
部１からの時間差が殆ど無くゲート部４からキャビティ
５に流れ込み充填されていく。そして、プランジャ３を
加圧保持し、樹脂を硬化させていく。これら図１、図２
の様な金型を用い半導体装置を製造すると、金型６内の
全半導体素子がリードフレーム７に搭載されている位置
によらないマージンを持った条件によって製造できるこ
とになる。
【００１０】この様な半導体装置製造用樹脂封止金型に
よる製造方法を用いることにより、パッケージ内に気泡
ができるボイドや、レジンがキャビティ５内に完全に成
形されない未充填や、ワイヤがレジンによって流される
ワイヤスイープ等の不良の発生を抑えることができる。
よる製造方法を用いることにより、パッケージ内に気泡
ができるボイドや、レジンがキャビティ５内に完全に成
形されない未充填や、ワイヤがレジンによって流される
ワイヤスイープ等の不良の発生を抑えることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上に述べたように発明すれば、半導体
素子が大きくなりパッケージサイズが大きくなっていっ
ても、モールド工程においてリードフレームに半導体素
子が幾つ搭載されていてもかなりマージンを持った条件
を設定する事が可能となり、ボイド、未充填、ワイヤス
イープ等の不良を抑制する事ができるという効果ががあ
る。
素子が大きくなりパッケージサイズが大きくなっていっ
ても、モールド工程においてリードフレームに半導体素
子が幾つ搭載されていてもかなりマージンを持った条件
を設定する事が可能となり、ボイド、未充填、ワイヤス
イープ等の不良を抑制する事ができるという効果ががあ
る。
【図１】 本発明実施例の半導体装置製造用樹脂封止金
型の平面図。
型の平面図。
【図２】 本発明実施例の半導体装置製造用樹脂封止金
型の平面図。
型の平面図。
【図３】 本発明実施例の半導体装置製造用樹脂封止金
型の断面図。
型の断面図。
【図４】 従来の半導体装置製造用樹脂封止金型の平面
図。
図。
【図５】 従来の半導体装置製造用樹脂封止金型の断面
図。
図。
１ ポット部 ２ ランナ ３ プランジャ ４ ゲート ５ キャビティ ６ 金型 ７ リードフレーム
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも半導体素子載置部・半導体素
子・内部リード・半導体素子と内部リードを接続するワ
イヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・及び外部
リードを有する半導体装置を製造する樹脂封止金型にお
いて、ランナの長さがポット部から全リードフレームに
おける半導体素子載置部まで±５cmの範囲内で同じこと
を特徴とする半導体装置製造用樹脂封止金型。 - 【請求項２】 少なくとも半導体素子載置部・半導体素
子・内部リード・半導体素子と内部リードを接続するワ
イヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・及び外部
リードを有する半導体装置を製造する樹脂封止金型にお
いて、ランナがあるリードフレームに向かう途中まで一
本でその先で一度だけ同箇所から数本に分岐しているこ
とを特徴とする半導体装置製造用樹脂封止金型。 - 【請求項３】 少なくとも半導体素子載置部・半導体素
子・内部リード・半導体素子と内部リードを接続するワ
イヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・及び外部
リードを有する半導体装置を製造する樹脂封止金型にお
いて、ランナの長さがポット部から全リードフレームに
おける半導体素子載置部まで±５cmの範囲内で同じ或い
は、ランナがあるリードフレームに向かう途中まで一本
でその先で一度だけ同箇所から数本に分岐していること
を特徴とする上記請求項１または請求項２記載の半導体
装置製造用樹脂封止金型を用いた半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18122692A JPH0629338A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18122692A JPH0629338A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629338A true JPH0629338A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16097020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18122692A Pending JPH0629338A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629338A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932160A (en) * | 1997-03-25 | 1999-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process and mold for encapsulating semiconductor chips having radial runners |
| JP2006289794A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Ube Machinery Corporation Ltd | 型内被覆成形用金型及び型内被覆成形方法 |
| KR100653607B1 (ko) * | 1999-11-16 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 복수의 보조-런너를 갖는 반도체 칩 패키지용 수지 성형장치 |
| WO2011010662A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
| WO2019123749A1 (ja) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社ブリヂストン | ゴム組成物 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP18122692A patent/JPH0629338A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932160A (en) * | 1997-03-25 | 1999-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process and mold for encapsulating semiconductor chips having radial runners |
| KR100653607B1 (ko) * | 1999-11-16 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 복수의 보조-런너를 갖는 반도체 칩 패키지용 수지 성형장치 |
| JP2006289794A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Ube Machinery Corporation Ltd | 型内被覆成形用金型及び型内被覆成形方法 |
| JP4614812B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2011-01-19 | 宇部興産機械株式会社 | 型内被覆成形装置及び型内被覆成形方法 |
| WO2011010662A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
| WO2019123749A1 (ja) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社ブリヂストン | ゴム組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5331205A (en) | Molded plastic package with wire protection | |
| US8497158B2 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH0575565B2 (ja) | ||
| JPH1022422A (ja) | ２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 | |
| KR100591718B1 (ko) | 수지-밀봉형 반도체 장치 | |
| US9305898B2 (en) | Semiconductor device with combined power and ground ring structure | |
| JP3456983B2 (ja) | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0629338A (ja) | 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 | |
| KR102407742B1 (ko) | 수지 성형된 리드 프레임의 제조 방법, 수지 성형품의 제조 방법 및 리드 프레임 | |
| US6696006B2 (en) | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip | |
| US9691637B2 (en) | Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer | |
| JPS609131A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP2598988B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20240178007A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device | |
| KR100653607B1 (ko) | 복수의 보조-런너를 갖는 반도체 칩 패키지용 수지 성형장치 | |
| JPS5839868Y2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPH09199639A (ja) | 半導体装置およびその成形方法 | |
| KR19980034352A (ko) | 반도체 칩 패키지용 리드 프레임 | |
| JP2002043344A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0917912A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001085574A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びモールド装置 | |
| JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
| JPH0697217A (ja) | ガイドリング付半導体パッケージ成形用金型及び方法 |