KR940006716B1 - 광전 변환 장치 - Google Patents

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KR940006716B1
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유따까 마루야마
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가부시끼가이샤 도시바
아오이 죠이찌
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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Abstract

내용 없음.

Description

광전 변환 장치
제1도, 제2도는 본 발명의 각 실시예의 단면적 구성도.
제3도는종래 장치의 단면적 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 발광 소자 12 : 수광 소자
13,14 : 리드부 15 : 투명 저응력 수지
16 : 외위기용 트랜스퍼 성형 수지
본 발명은 광전 변환 장치에 관한 것으로, 특히 포토 커플러로서 사용되는 것이다.
종래의 광전 변환 장치는 제3도와 같이 리드(1)에 배치된 발광소자(2)와, 리드(3)에 배치된 수광 소자(4)와의 대향형 구조였다. 이 대향형 구조에 있어서는 발광측과 수광측이 별도로 조립되어 광로를 만들기 때문에, 따로 조립된 것을 대향하도록 커플링하여, 광로로 되는 수치(5)를 대향한 발광, 수광 소자 사이에 유입시킨다. 이 유입된 수지(5)를 경화시키고, 다시 외위기로서 몰드 수지 등으로 팩키지를 성형한다.
상기 종래의 광전 변환 장치는 조립 공정에 있어서, 발광측과 수광측을 별도의 장치로(양소자를 대향할때까지) 조립하여, 양 소자를 대향시켜, 광로로서 겔상의 실리큰 수지 등을 유입시켜서 광로를 성형한다. 이때 조립의 다이 본딩 공정, 와이어 본딩 공정에 있어서는, 발광측과 수광측을 별도의 장치에서 조립하기 때문에 양 소자를 대향시키는데 있어서, 핸드링 공정이 늘어나서 신뢰성에서 좋지 않다. 또 이때 대향형은 발광, 수광 소자의 어느 것을 하향으로 해서 대향시킨다. 그후 광로를 확보하기 위해, 수지(5)를 유입시켜 경화시키지만, 광로가 충분히 확보되지 않은 것도 있고, 또 경화 조건 및 수지의 보관 등에 따라 제품 특성이 변화한다. 또 광로수지(5)의 경화 후, 외위기 성형용의 수지 봉지에 있어서, 트랜스퍼 성형시의 고압력조건 등에서 광로의 결손 등이 발생하기도 한다.
이와같이 종래의 광전 변환 장치에서는 조립 장치의 복잡화와, 조립시의 오차(특히, 수지 성형 오차)때문에 광입력 전류가 안정하지 않던가, 높은 광 입력 전류가 얻어지지 않는 등의 문제가 있었다.
그래서 본 발명의 목적은 조립의 간소화가 가능하고, 광 입력 전류가 안정하며, 높은 입력 전류가 얻어지는 등의 이점이 있는 광전 변환 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, (1) 동일 평면에 따라 이 면의 평행 방향의 다른 위치에 배치된 각 리드부, 이들 리드부 상에 각각 배치된 발광소자, 수광소자, 이들 양 소자를 덮는 이 소자 사이의 광로를 형성하는 유연한 투명 저응력 수지, 및 이 수지를 덮어서 외부 산란광을 차단하는 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치이다.
(2) 상기 각 리드부는 동일 리드 프레임으로 형성되는 상기 (1)에 기재한 광전 변환 장치이다.
(3) 상기 투명 저응력 수지는 상기 양 소자 상에서 구형으로 되어 있는 상기 (1)에 기재한 광전 변환 장치이다.
즉, 본 발명은 발광, 수광 소자를 동일 평면 상에 간격을 두고 배치하고, 또 동일 리드 프레임을 이용해서 양 소자를 배치할 수 있기 때문에 동일 장치에의한 발광, 수광 소자의 조립이 가능하고, 조립장치, 공정의 간소화가 가능해진다. 또 광로를 형성하는 수지로 저응력 수지를 이용하고, 이것을 구형으로 하기 때문에 소자에의 수지응력을 경감할 수 있고, 저응력 수지에 외위기의 몰드 수지로부터 높은 압력이 걸리지 않도록 할 수 있으며, 따라서 저응력 수지의 삐뚤어짐이나 결손도 방지할 수 있어서 제품 특성의 안정화도 가능해진다.
제1도는 본 실시예의 단면적 구성도이다. 여기서 참조번호(11)은 발광 소자, 참조 번호(12)는 수광 소자, 참조 번호(13 및 14)는 동일 평면 상에 배치되어 각 한 단부를 간격을 두고 대향시킨 리드부이다. 발광소자(11)은 리드(13)의 단부 근처에 장착되고, 수광소자(12)는 리드(14)의 단부 근처에 장착되어 있다. 참조 번호(15)는 소자(11 및 12) 사이의 광로를 형성하는 투명 저응력 수지, 참조 번호(16)은 외부 산란광을 차단하는 외위기로서의 수지이다. 참조 번호(17 및 18)은 발광측, 수광측 결선(와이어)이다.
리드(13 및 14)는 동일 리드 프렝미에서 형성된 것이다. 투명 저응력 수지(15)는 겔상 또는 그것보다 조금 부드러운 액상 또는 조금 굳은 고상으로 한다. 어느 것이든지 수지(15)는 유연성을 지닌 부드러운 것으로, 소자(11 및 12)에 응력 부담을 주지 않는 것이다. 그러기 위해서는, 미반응의 수지를 이용하면 좋다. 수지(15)는 소자(11 및 12)상에서 구형을 이루고, 소자(11)에서의 빛이 양호하게 소자(12)에 도달하게 됨과 동시에, 수지(16)에서 큰 압력 부담을 정면으로 받지 않도록한 형상이다.
제1도의 형성 방법은 발광소자(11), 수광소자(12)를 리드 프레임의 리드부(13 및 14)상에 다이 본딩해서 소자(11 및 12)의 결선을 행하고, 광로용의 수지(15)를 유입시켜(액상의 경우는 적하로 형성 가능) 경화후, 수지(16)을 성형시켜서 팩키지로 하는 것이다.
제1도에 있어서는, 소자(11 및 12)는 직선상으로 배열하기 때문에, 조립이 동일 장치에서 한 번에 나열할 수 있어서 공정도 간소화할 수 있다. 또 수지(15)가 구형이기 때문에 트랜스퍼 성형수지(16)의 높은 압력에 견디고, 광로 형성의 오차, 삐뚤어짐을 피할 수 있고, 수지(16)으로 성형시의 광로 결손도 없어지고, 발광소자(11)에서의 빛이 수광소자(12)에 양호하게 다시 도달시킬 수 있다. 또 수지(15)가 저응력 타입으로, 특히 발광소자(11)의 열화를 방지할 수 있고, 특히 상기 이유에서 광입력 전류가 안정되고 또 높은 광입력 전류가 얻어진다.
또 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 다양하게 응용가능하다. 예를들면 제2도와 같이 수지(15)의구형을 변형시켜도 좋다.
이상 설명한 것처럼 본 발명에 따르면 조립 공정을 간소화할 수 있고, 광 입력 전류가 안정되고, 높은 입력 전류가 얻어지는 등의 이점이 얻어진다.

Claims (3)

  1. 동일 평면에 따라 이 면의 평행 방향의 다른 위치에 배치된 각 리드부(13 및 14), 이들 리드부 상에 각각 배치된 발광소자(11), 수광 소자(12), 이들 양 소자를 덮는 소자 사이의 광로를 형성하는 유연한 투명저응력 수지(l5), 및 수지를 덮어서 외부 산란광을 차단하는 수지(16)을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 리드부가 동일 리드 프레임으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명 저응력 수지가 상기 양 소자 상에서 구형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
KR1019910018154A 1990-10-17 1991-10-16 광전 변환 장치 KR940006716B1 (ko)

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JP90-276476 1990-10-17
JP2276476A JPH04152681A (ja) 1990-10-17 1990-10-17 光電変換装置

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KR920008987A KR920008987A (ko) 1992-05-28
KR940006716B1 true KR940006716B1 (ko) 1994-07-25

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