KR940008328B1 - 필름 타입 반도체 패키지(F-PAC : Film-Type Package) 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 LOC타입 플라스틱 반도체 패키지의 구성을 보이는 단면도.
제2도의 (a)(b)(c)는 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위한 공정도.
제3도는 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지의 구성을 보이는 단면도.
제4도는 본 발명에 사용되는 수축성-열경화성 필름의 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 본드패드 2 : 반도체칩
3 : 인너리드 4 : 아웃리드
5 : 리드프레임 6 : 절연테이프
10 : 수축성-열경화성 필름 10a : 범프
20 : 밀착용 가열금형
본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체칩과 리드프레임의 인너리드를 연결시킨 후 필름 타입(Film Type)의 수축성-열경화성 수지를 이용하여 봉합함으로써 소자의 조립공정을 보다 간편용이하게 함과 아울러 열방출을 극대화시키며, 패키지의 경박단소화에 기여할 수 있게 한 필름 타입 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상 LOC(Lead On Chip)타입 반도체 패키지는 예를들어 첫째, 패키지 몰드(Package Mold)금형과 플라스틱 몰드 컴파운드(Plastic Mold Compound)를 이용하여 플라스틱 타입 패키징을 하는 플라스틱 반도체 패키지와 둘째, 세라믹(Ceramic)기판에 뚜겅(Lid)을 덮어 밀봉(Sealing)하여 세라믹 타입 패키징을 하는 세라믹 반도체 패키지 및 셋째, 금속기판에 금속뚜껑을 덮어 밀봉하는 캔 타입(Can Type) 반도체 패키지 등이 있는 바, 상기한 첫째의 플라스틱 반도체 패키지를 일예로 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
즉, 종래의 LOC타입 플라스틱 반도체 패키지는 제1도에 도시한 바와같이 중앙부에 복수개의 본드패드(Bond Pad)(1)가 구비된 반도체칩(2)과, 그 반도체칩(2)의 본드패드(1)와 접속되는 인너리드(inner Lead)(3)와 외부단자와 연결되는 아웃리드(Out Lead)(4)를 가지는 리드프레임(Lead Frame)(5)과, 그 리드프레임(5)을 절연시키기 위한 절연테이프(insulation Tape)(6)와, 상기 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 아웃리드(4)를 포함하는 일정부위를 몰딩(Molding)하는 몰딩컴파운드(Molding Compound)(7)로 구성되어 있다.
이와같이 구성되는 종래의 LOC타입 플라스틱 반도체 패키지는 먼저, 복수개의 본드패드(1)가 구비된 반도체칩(2)의 상면에 에폭시 접착제드으로 리드프레임(5)을 부착하여, 그 리드프레임(5)의 인너리드(3)와 본드패드(1)를 갱본딩(Gang Bonding)방식으로 접속 연결하고 몰딩컴파운드(7)를 이용하여 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 아웃리드(4)를 포함하는 일정부위를 몰딩한 다음 통상적인 트리밍/포밍공정 및 플래팅 공정의 순으로 제작된다.
이와같이하여 제작된 LOC타입 반도체 패키지는 기존의 반도체 패키지에 비하여 제조공정이 간소화되고 리드프레임의 패들과 와이어의 사용으로 인한 열발산 문제를 해결하여 소자의 제기능을 충분히 발휘할 수 있을 뿐만아니라 패키지의 경박단소화에 기여하는 것이었으나, 몰딩컴파운드를 사용함으로 인한 공정상의 복잡성과 몰딩컴파운드의 두께에 의해 열방출(Power dissipation)의 극대화가 어려운 것이었으며 또한, 패키지의 경박단소화에 제한이 있는 것이었다.
이를 감안하여 창안한 본 발명의 목적은 상기한 바와같은 여러 문제점을 갖지 않는 LOC타입 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
즉, 종래의 몰딩컴파운드 사용을 배제하고 필름 타입의 얇은 수축성-열경화성 수지를 이용하여 봉합(Encapsulation)함으로써 반도체 패키지 제조공정의 간소화 및 열방출의 극대화와 반도체 패키지의 경박단소화에 적합하도록 한 필름 타입 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.
상기한 바와같은 목적을 갖는 본 발명은 반도체칩과 인너리드를 전기적으로 접속하기 위하여 본딩공정을 행한 후, 수축성-열경화성 필름을 반도체칩의 상, 하부에 위치시켜 밀착용 가열금형으로 밀착 봉합하여 제작함으로써 달성되는 것이다.
이와같이 제작되는 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지는 제조공정이 간소하고 열방출효과가 크며, 칩의 실장두께를 극소화할 수 있어 패키지를 경박단소화할 수 있는 장점이 있는 것이다.
이하에서는 이러한 본 발명을 첨부한 도면에 의하여 보다 상세히 설명하겠다.
제2도의 (a)(b)(c)는 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지의 제조공정을 순차적으로 보이는 공정도로서 이에 도시한 바와같이 반도체칩(2)의 본드패드(1)와 리드프레임(5)의 인너리드(3)를 전기적으로 접속하기 위한 갱본딩공정 후, 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 인너리드(1)를 충분히 덮을 수 있는 크기의 수축성-열경화성 필름(10)을 상기 반도체칩(2)의 상, 하부에 위치하도록 이동시킨다. 그런 다음 (다)에서 보는 바와같이 반도체칩(2)의 상, 하부에서 밀착용 가열금형(20)을 이용하여 수축성-열경화성 필름(10)에 열을 가하면서 반도체칩(2)에 밀착시켜 봉합하면 제3도에 도시한 바와같은 필름 타입 반도체 패키지의 제작이 완료되는 것이다.
도면에서 종래 구성과 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 표시하였다.
제3도는 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지의 구성을 보이는 단면도로서 이에 도시한 바와같이 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지는 반도체 패키지에 있어서, 중간부에 복수개이 본드패드(1)가 구비된 반도체칩(2)과, 그 반도체칩(2)의 본드패드(1)에 접속연결되는 인너리드(3)와 외부단자와 연결되는 아웃리드(4)를 가지는 리드프레임(5)과, 그 리드프레임(5)을 절연시키기 위한 절연테이프(6)와, 상기 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 아웃리드(4)를 포함하는 일정부위를 봉합하기 위한 수축성-열경화성 수지인 필름(10)으로 구성되어 있으며, 상기 수축성-열경화성 필름(10)에는 제4도에 도시한 바와같이 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 접촉에 의한 굴곡으로 발생하는 공간 및 봉합불량을 방지하기 위한 범프(10a) 또는 뱅크(Bank)가 형성된다.
또한, 상기 수축성-열경화성 필름(10)은 투명한 것 또는 반투명한 것 이외에도 필요에 따라 불투명한 것을 사용할 수 있으나 이에 꼭 한정할 필요는 없다.
또한, 상기 리드프레임(5)은 일반 P-DiP용 컨벤셔널타입(Conventional Type)의 리드프레임 이외에도 TAB용 릴타입(Reel Type)의 리드프레임을 사용할 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명에 의한 필름 타입 반도체 패키지는 수축성-열경화성 필름으르 이용하여 봉합하는 구조이므로 두께가 얇아 칩동작시 열방출(Power dissipation)의 효과가 크며, 칩의 실장두께를 극소화할 수 있어 패키지를 경박단소화시킬 수 있는 효과가 있을 뿐만아니라 종래에 비하여 몰드컴파운드(Mold Compound), 세라믹리드(Ceramic-Lid) 및 캔(Can)등이 제거되므로 제조공정이 간소화되는 효과가 있다.
또한, 투명도가 높은 필름 사용할 때에는 패키징이 끝난 상태에서 인너리드와 본드패드의 연결상태 등을 용이하게 검사, 확인할 수 있는 부수적인 효과도 있다.
Claims (5)
- 본드패드(1)와 반도체칩(2), 리드프레임(5)을 절연시키는 절연테이프(6)와 리드프레임(5)의 인너리드(3)를 수축성-열경화성 수지 필름(10)으로 봉합하여서 됨을 특징으로 하는 필름 타입 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 수축성-열경화성 수지 필름(10)에는 반도체칩(2)과 리드프레임(5)의 접촉에 의한 굴곡으로 발생하는 공간 및 봉합불량을 방지하기 위한 범프(10a) 또는 뱅크가 형성됨을 됨을 특징으로 하는 필름 타입 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 수축성-열경화성 수지 필름(10)은 투명 또는 반투명인 것을 특징으로 하는 필름 타입 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 리드프레임(5)은 일반 P-DIP용 컨벤셔널 타입 또는 TAB용 릴타입인 것을 특징으로 하는 필름 타입 반도체 패키지.
- 반도체 패키지 제조방법에 있어서, 반도체칩(2)의 본드패드(1)와 리드프레임(5)의 인너리드(3)를 전기적으로 접속하는 본딩공정과, 수축성-열경화성 수지 필름(10)을 이송시켜 칩의 상, 하부에 위치시키는 피딩공정과, 밀착용 가열금형(20)을 이용하여 수축성-열경화성 수지 필름(10)에 열을 가하면서 칩에 밀착시키는 인캡슐레이션 공정을 포함하여 제조됨을 특징으로 하는 필름 타입 반도체 패키지의 제조방법.
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