KR100474389B1 - 포토 인터럽트의 제작공법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 인터럽터 제작공법에 관한 것으로,
본 발명에서는 기존의 케이스 조립공정을 개선하여 공정의 단순화에 따른 원가절감효과와 생산성 향상효과를 기대할 수 있는 포토 인터럽터 제작공법이 제공된다.

Description

포토 인터럽트의 제작공법{PHOTO INTERRUPT MAKING METHOD}
본 발명은 포토 인터럽터 제작공법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 케이스 조립공정을 개선하여 공정의 단순화에 따른 원가절감효과와 생산성 향상효과를 기대할 수 있는 포토 인터럽터 제작공법에 관한 것이다.
일반적으로, 포토 인터럽트는 발광소자와 수광소자를 하나의 케이스에 조립하여 발광소자의 광을 이용, 물체의 유무나 위치등을 수광소자에 의해 검출하는 기능을 갖는 결합소자인데, 이와같은 포토 인터럽트의 제작공정을 도 1로 도시하였다.
이에 도시된 바와같이 기존에는 일렬로 배열(ARRAY)되는 각각의 리드프레임상으로 발광칩 또는 수광칩을 다이본딩한 후 와이어본딩한 상태로서 몰드처리(외형성형)하는 제 1공정과(s1);
외부로 노출되어 있는 리드프레임에 있어, 칩이 본딩되는 다이패드와 리드어태치의 리드를 연결하는 연결편을 잘라내는 트리밍(trimming)작업과 함께 리드커팅하는 제 2공정(s2)과;
발광소자와 수광소자를 케이스 내에 조립하는 제 3공정(s3)을 거치게 된다.
이때, 상기와 같이 케이스내부로 조립되는 발광소자와 수광소자는 육안으로 양자를 구분하는데 어려움을 갖게 되므로, 발광소자 또는 수광소자 중 어느 한개에 색칠을 하는 마킹공정(s1')을 추가하여 양자를 구분하게 된다.
하지만, 상기와 같은 종래 포터 인터럽트 제작공법은 전체공정에서 양자를 구분하기 위한 마킹공정이 추가됨에 따라 그만큼 생산성이 저하되는 문제점을 갖는 것이다.
이에, 본 발명에서는 전술한 종래 포토 인터럽터 제작공법이 갖는 제반적인 문제점을 해결하고자 창안된 것으로,
본 발명은 기존의 케이스 조립공정을 개선하여 공정의 단순화에 따른 원가절감효과와 생산성 향상효과를 기대할 수 있는 포토 인터럽터 제작공법을 제공함에 그 목적이 있으며,
상기한 목적을 달성하기 위해, 리드프레임으로 발광칩 또는 수광칩을 다이본딩하고, 리드어태치에 와이어본딩한 후 코팅,경화하는 제 1공정과;
상기 제 1공정을 통해 발광칩 또는 수광칩이 와이어 본딩된 리드프레임을 케이스에 각각 삽입한 후, 경화제를 혼합한 수지를 충진하여 몰드하여 케이스화하는 2공정과;
케이스의 외부로 돌출된 리드를 커팅하는 3공정으로 이루어지는 포토 인터럽터 제작공법을 구비하므로서 달성된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 포토 인터럽트 제작공정을 순서대로 보여주고 있는 제작공정 흐름도이다.
이에 도시된 바와같이 본 발명은 리드(11)와 리드(12)를 연결하는 연결대를 구성하지 않는 리드프레임(10)을 적용하여 트림(TRIM)작업을 생략할 수 있는 것에 특징이 있으며,
또한 케이스(20)내에서 몰드작업을 행함에 따라 발광소자와 수광소자를 구분하기 위한 마킹작업또한 생략할 수 있는 것에 특징이 있다.
제 1공정(S1)에서는 별개의 공정라인을 통해 리드프레임(10)의 다이패드상에 발광칩 또는 수광칩을 다이본딩하고 본딩된 칩과 리드어태치를 와이어본딩한 후, 이를 보호하고자 코팅,경화하게 된다.
제 2공정(S2)에서는 별개의 공정라인을 통해 발광칩과 수광칩이 와이어본딩된 리드프레임(10)을 도 1에서와 같이 케이스(20)에 일측과 타측 수용홀(21,21')에 삽입하고, 수지(투명 에폭시 수지 등이 사용됨.)와 경화재를 혼합한 혼합액을 케이스내부에 삽입된 발광칩과 수광칩이 몰드되도록 충진, 경화하여 케이스화하게 된다.
제 3공정은 케이스(20)의 외부로 돌출된 리드(11,12)를 커팅하는 공정이며, 이후 테스트와 팩킹작업을 마치게 되면 제품으로 양산되는 것이다.
따라서, 본 발명은 기존에서와 같이 분리된 라인공정을 통해 생산되는 와이어본딩된 발광칩 또는 수광칩을 각각 몰드하는 작업과, 이렇게 양산된 각 소자를 마킹하고, 케이스 내로 조립하는 작업을 개선하여, 와이어본딩된 각 소자를 케이스내로 삽입하여 케이스내에서 몰드작업을 행함에 따라 양 소자를 구별하기 위한 마킹공정을 생략할 수 있으며, 리드프레임의 트림작업또한 생략할 수 있어, 그만큼 제조공정을 간소화한 것이다.
이상과 같이 본 발명에 따른 포토 인터럽트는 기존의 케이스 조립공정상에서 발광소자 및 수광소자의 몰드작업을 행하도록 하므로서, 마킹공정을 생략할 수 있어, 공정의 단순화에 따른 원가절감효과와 생산성 향상효과를 갖는 것이다.
또한, 케이스내부에서 몰드를 행함에 따라 연결대가 없는 리드프레임을 적용하므로서 트림작업을 생략할수 있는 장점을 갖는 것이다.
도 1은 종래 포토 인터럽트 제작공정도
도 2는 본 발명에 따른 포토 인터럽트 제작공정을 순서대로 보여주고 있는 제작공정 흐름도
<도면주요부위에 대한 부호의 설명>
S1~S3 : 제 1 ~ 3 공정
10 : 리드프레임 11,12 : 리드
20 : 케이스 21,21' : 수용홀

Claims (2)

  1. 리드프레임으로 발광칩 또는 수광칩을 다이본딩하고, 리드어태치에 와이어본딩한 후 코팅,경화하는 제 1공정과;
    상기 제 1공정을 통해 발광칩 또는 수광칩이 와이어 본딩된 리드프레임을 케이스에 각각 삽입한 후, 경화제를 혼합한 수지를 충진하여 몰드하여 케이스화하는 제 2공정과;
    케이스의 외부로 돌출된 리드를 커팅하는 3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 인터럽터 제작공법.
  2. 제 1항에 있어서, 제 1공정의 리드프레임은 리드와 리드를 연결하는 연결대구성을 배제하여, 연결대를 절단하는 트림작업을 생략할 수 있는 것을 특징으로 하는포터 인터럽트 제작공법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05110129A (ja) * 1991-10-21 1993-04-30 Sharp Corp 透過型フオトインタラプタの製造方法
JPH05226690A (ja) * 1991-11-20 1993-09-03 Rohm Co Ltd ホトインタラプタにおけるモールド部の成形方法及びその装置
JPH06296038A (ja) * 1994-03-24 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光結合装置の製造方法
JPH07312444A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Rohm Co Ltd ホトインタラプタの構造
KR19990072227A (ko) * 1996-10-22 1999-09-27 사토 게니치로 포토인터럽터

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05110129A (ja) * 1991-10-21 1993-04-30 Sharp Corp 透過型フオトインタラプタの製造方法
JPH05226690A (ja) * 1991-11-20 1993-09-03 Rohm Co Ltd ホトインタラプタにおけるモールド部の成形方法及びその装置
JPH06296038A (ja) * 1994-03-24 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光結合装置の製造方法
JPH07312444A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Rohm Co Ltd ホトインタラプタの構造
KR19990072227A (ko) * 1996-10-22 1999-09-27 사토 게니치로 포토인터럽터

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