JPS62132352A - 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法 - Google Patents

光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS62132352A
JPS62132352A JP60274021A JP27402185A JPS62132352A JP S62132352 A JPS62132352 A JP S62132352A JP 60274021 A JP60274021 A JP 60274021A JP 27402185 A JP27402185 A JP 27402185A JP S62132352 A JPS62132352 A JP S62132352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
cavity
semiconductor chip
lead frame
plastic cap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60274021A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadamu Matsuda
定 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60274021A priority Critical patent/JPS62132352A/ja
Publication of JPS62132352A publication Critical patent/JPS62132352A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光透過用の窓ガラスを有する光学的な半導体
チップを封止する際に光特性を損なうことなく封止する
半導体装置の製造方法に関するものである。以下、固体
撮像素子を例に挙げて説明する。
〔従来の技術〕
第3図は従来のセラミックで封止された固体撮像素子の
断面図で、(1)は半導体チップ、(2)はチップ(1
)を収納するセラミックベース、(3)はチップ(1)
をセラミックベース(2)に接着する接着材、(4)は
リードフレーム、f5)はリードフレーム(4) ヲセ
ラミックペース(2)に接着する低融点ガラス、(6)
はリードフレーム(4)とチップ(1)の端子とを接続
する金線、(7)はセラミックふた、(8)はセラミッ
クふた(7)の開口部周囲(Cメタライズされた金属層
、(9)は金属キャップ、翰は光透過用ガラス、(ロ)
は光透過用ガラス0Iと金属キャップ(9)とを接着す
る低融点ガラスである。
次に手順について説明する。最初にセラミックベース(
2)内に接着材(3)でチップ(1)を接着固定する。
次に低融点ガラス(5)でリードフレーム(4)を接着
する。チップ(1)の端子とリードフレーム(4)とは
金線(6)によってワイヤポンディングする。次に、セ
ラミックふた(7)を低融点ガラス(5)で接着する0
なお、セラミックふた(7)の開口部には金属層(8)
をメタライズしである。次に金属キャップ(9)に低融
点ガラスαηで光透過用のガラスa〔を接着したものを
、開口部にメタライズした金属層(8)上に溶接によっ
て封着する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の固体撮像素子の封止には、構成材料としてセラミ
ックと金属とを主体に用いているので、低融点ガラス(
5)を融解固着する工程及び金属キャップ(9)に低融
点ガラス(ロ)で光透過用のガラスQlを接着する工程
があり、製造工程が複雑で量産性に問題があった。さら
には、チップ(1)の耐熱性が劣ることから金属キャッ
プ(9)をメタライズ金属(8)上に溶接する際の熱の
影響を少なくするため、金属キャップ(9)の寸法を大
きくする必要があり、封止形状が大きくなるという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので量産性に優れ、さらに封止形状を小さくした樹
脂封止形の光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造
方法を得ることを目的とする0 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る光透過用窓ガラスを有する半導体装置の
製造方法では、あらかじめトランスファ成形により光透
過用の窓ガラスを有したプラスチックキャップを作成し
、このプラスチックキャップと半導体チップを装着した
リードフレームとを金型内に納め、リード線及びダイパ
ッド周囲の間隙から樹脂を流し込み、チップと光透過用
のガラスを有するプラスチックキャップとを一体化する
とともに両者間に空洞を成形させるものである0〔作用
〕 この発明における製造方法では半導体チップと光透過用
ガラスを有するプラスチックキャップとの間に空洞を成
形させるので小形化され光特性を損なうことがない。
〔実施例〕
第1図A、Bはこの発明の一実施例の主要段階での状態
を示す断面図で、第5図の従来例と同一符号は同等部分
を示す。まず、第1図Aに示すように、トランスファ成
形によって光透過用ガラスα鴫を固着したプラスチック
キャップ(イ)を準備し、これをモールド用の下金型(
2)内に逆さにして納め、ダイパッドα植に半導体チッ
プ+11をマウントし、半導体チップ(1)の端子とリ
ードフレーム・リード部(2)とをボンディングワイヤ
(6)で接続したものを、下金型a3にその上周縁でリ
ードフレーム・リード部帖を支える形で収容し、上金型
06・を下金型口の上にリードフレーム・リード部(至
)を挾むように重ねて組み合わせ、その上金型αQのキ
ャビティ(17)内にモールド樹月旨(2)を入れる。
このとき、モールド樹脂−の温度が低いときには硬いが
、金型(至)、QQの熱を受けて軟化する。次に、第1
図Bに示すように、止金型0りのキャビティへηの上部
開口からプランジャαCを挿入し、軟化したモールド樹
脂(至)を加圧すると、リードフレーム・リード部(ト
)の間隙から下金型(至)内へ流入し、プラスチックキ
ャップ(6)に達して硬化一体化する。このとき、半導
体チップ(1)の表面と光透過用ガラスα〔との間に空
気が閉じ込められ、窒洞翰が形成でれる。
なお、上記実施例では下金型(2)に光透過用ガラスQ
O)を有するプラスチックキャップ(6)を納め上金型
a・のキャビティαηにモールド樹脂(7)を設置し、
プランジャQすで加圧する方法について説明したが、必
ずしもこれに限られるものではない。例えば第2図A 
、BE示す他の実施例のように、まず、第2図Aの如く
、下金型(至)のキャビティにモールド樹脂(ト)を設
置し、さらにその上にリードフレームα4.(至)をセ
ットする。次に第2図Bに示すように上金型αQをしめ
、リードフレーム自す−ド部α鴎の間隙から樹脂(至)
が流れ出した所を上金型αQのキャビティ内に光透過用
ガラス(IOを有するプラスチックキャップ曲と納めプ
ランジャα陣で加圧してもよい0 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば半導体チップト光透過
用ガラスを有するプラスチックキャップとの間にモール
ド樹脂金用いて空洞を成形するようにしたので、空間が
従来の封止形態と比較して1/300程度になシ小形化
が図れる。また、モールド樹脂にプラスチックを用いる
ので量産性にも仔れている。
【図面の簡単な説明】
第1因はこの発明の一実施例方法の各工程段階での状態
を示す断面図、第2図はこの発明の他の実施例方法の各
工程段階での状態を示す断面図、第3図は従来のセラミ
ック封止形固体撮像素子の断面図であるC 図において、(1)は半導体チップ、(lIは光透過用
ガラス、(イ)はプラスチックキャップ、(至)は下金
型、CF4)はダイパッド、(至)はリードフレームの
リード部、QQは上金型、α力は上金型のキャピテイ、
(至)はモールド樹脂、OIはプランジャ、翰は空洞で
ある。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体チップを装着したリードフレームの上記半
    導体チップ装着側に、光透過用ガラスを一体化したプラ
    スチックキャップをかぶせる形に対向させ、 下金型と上金型とで上記リードフレームのリード部を挾
    むように、上記両金型のキャビティ内に上記リードフレ
    ームの上記半導体チップの非装着側に置かれたモールド
    樹脂とともに収容し、上記上金型のキャビティの上部開
    口部からプランジャを押し込んで、上記リードフレーム
    のリード部の間隙からモールド樹脂を反対側へ流れ出さ
    せ、上記リードフレームと上記プラスチックキャップと
    を一体化させるとともに、上記半導体チップと上記光透
    過用ガラスとの間に空洞を形成させることを特徴とする
    光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法。
  2. (2)下金型のキャビティ内にプラスチックキャップを
    上向きに収容し、 リードフレームをその半導体チップ装着側が下向きにな
    るように上記下金型と上金型とでリード部を挾むように
    装着し、 上記上金型のキャビティの上部開口部からモールド樹脂
    を収容することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法。
  3. (3)下金型のキャビティ内にモールド樹脂を盛上る程
    度に収容し、 リードフレームをその半導体チップ装着側が上向きにな
    るように上記モールド樹脂の上に載せ、上記半導体チッ
    プの上に上金型のキャビティ内に収容したプラスチック
    キャップをかぶせ、上記上金型のキャビティの上部開口
    部から押込んだプランジャで上記プラスチックキャップ
    を押圧することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の光透過用ガラスを有する半導体装置の製造方法。
  4. (4)モールド樹脂に熱可塑性で所定温度で硬化する熱
    硬化性を有する樹脂を用いることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光透過用
    窓を有する半導体装置の製造方法。
JP60274021A 1985-12-04 1985-12-04 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法 Pending JPS62132352A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60274021A JPS62132352A (ja) 1985-12-04 1985-12-04 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60274021A JPS62132352A (ja) 1985-12-04 1985-12-04 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62132352A true JPS62132352A (ja) 1987-06-15

Family

ID=17535849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60274021A Pending JPS62132352A (ja) 1985-12-04 1985-12-04 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62132352A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005029A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Fujitsu Ltd 撮像装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005029A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Fujitsu Ltd 撮像装置及びその製造方法
US8411197B2 (en) 2004-06-15 2013-04-02 Fujitsu Semiconductor Limited Image pickup device and production method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5534725A (en) Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
JPH11260856A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造
KR101036987B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JPH08250641A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH0653462A (ja) 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法
JPS62132352A (ja) 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法
JPH0469958A (ja) 半導体装置
JP3127584B2 (ja) 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置
JPS60189940A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製法
JP2600617B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS6389313A (ja) 電子部品の金型樹脂成形法
JPH10144898A (ja) 固体撮像装置
JP2634249B2 (ja) 半導体集積回路モジュール
JP2589520B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH03105950A (ja) 半導体集積回路のパッケージ
JPH01102947A (ja) 樹脂封止型半導体デバイスおよびリードフレーム
JPS63226033A (ja) 光透過用窓を有する半導体装置の製造方法
JP3201063B2 (ja) 半導体装置
JPH0312467B2 (ja)
JPH065717B2 (ja) 固 体 撮 像 装 置
JP2008124160A (ja) 半導体装置、その製造方法、およびそれを搭載したカメラモジュール
JPS6336139B2 (ja)
JPS62102548A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH06349870A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0379068A (ja) 半導体装置