JPS6336139B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6336139B2
JPS6336139B2 JP56111891A JP11189181A JPS6336139B2 JP S6336139 B2 JPS6336139 B2 JP S6336139B2 JP 56111891 A JP56111891 A JP 56111891A JP 11189181 A JP11189181 A JP 11189181A JP S6336139 B2 JPS6336139 B2 JP S6336139B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
mold
inner member
resin
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56111891A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5814553A (ja
Inventor
Tetsushi Wakabayashi
Kaoru Tachibana
Eiji Aoki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP11189181A priority Critical patent/JPS5814553A/ja
Publication of JPS5814553A publication Critical patent/JPS5814553A/ja
Publication of JPS6336139B2 publication Critical patent/JPS6336139B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体パツケージに係る。
従来、低価格型の半導体パツケージで、中に
EPROM，CCD等の光を入力または出力する半導
体素子を収納するものには、第１図のサーデイツ
プ（Cerdip）型があつた。この型はリード５を
挾んでセラミツクよりなるベース１０とキヤツプ
９をガラス７，７′で貼り合わせたものである。
１は半導体チツプ、２は金・シリコン共晶などに
よるチツプとベースとの接合部、４はボンデイン
グワイヤ、１２は窓である。この構造は低価格で
あるがガラスと金属製のリードという異なる材料
を接合している事から、機械的、熱的耐衝撃性の
弱いという欠点があつた。
本発明の目的は、サーデイツプ構造よりも更に
低価格で熱及び機械的耐衝撃性の大きいパツケー
ジ構造を提供する事である。
即ち、本発明は集積回路を有する半導体チツ
プ、該半導体チツプと電気的に接続されてなるリ
ード、該リードを一体に固定する樹脂よりなるプ
レモールド、該プレモールドに接着剤を介して接
合し、該半導体チツプの上部を覆い、該半導体チ
ツプの上部に透光性ガラスが設けられ、側部がセ
ラミツクよりなる内側部材、及び内側部材の透光
性ガラスの部分が隠れない様にして該内側部材の
側部及びプレモールドの周囲を固定する樹脂を具
備することを特徴とする半導体装置である。
以下本発明の一実施例を図面に従つて詳述す
る。
第２図は本発明の一実施例を示した図である。
本実施例では接合剤に導電性樹脂を、内側部材と
して中央に硼素硅酸ガラスによる窓をハーメテイ
ツクシールにより填め込んだ焼結したセラミツク
を用いている。１は半導体チツプ、３は接合剤で
ある導電性樹脂４はボンデイングワイヤ、６はリ
ードを一体化する樹脂による部材（プレモールド
と称する）、８は接着剤、１１の部分は焼結した
セラミツク、１２の部分は硼素硅酸ガラスをハー
メテイツクシールにより填め込んだ窓で、セラミ
ツク１１、窓１２で内側部材を構成する。１３は
一酸化硅素の粉末を溶かし込んだエポキシ系樹脂
等による樹脂である。１４の嵌合いは内側部材１
１，１２と外側のモールドが外れないようにする
ためである。
発明の構造は、サーデイツプ構造に比べて、セ
ラミツクの部分が少いので価格を安くする事がで
き、また全体を樹脂で補強しているので機械的に
強くなる。
第３図は第２図の構造に用いるリードフレーム
にプレモールドをつけたところの平面図である。
５はリードフレーム、６はプレモールド、１５は
半導体チツプに裏面から付着するダイステージ、
１６はステージバーである。
本発明の構造を製造するには、まずリードフレ
ームに半導体チツプをダイボンデイングし、プレ
モールドを行い、内側部材、外側を囲む樹脂の順
で製作し、リードの足を折り、ステージバー１６
を切断する。
本発明によれば価格が安いパツケージを作る事
ができ、かつ、このパツケージは機械的衝撃性及
び耐熱衝撃性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のサーデイツプ構造のパツケー
ジ、第２図は本発明のパツケージ、第３図はリー
ドフレームに本発明のプレモールドを装着したと
ころの図である。 各図において、１は半導体チツプ、２は金・シ
リコン合金による接合部、３は導電性接着剤（特
許請求の範囲の接合剤）、４はボンデイングワイ
ヤ、５はリード、６はプレモールド、７，７′は
ガラス、８は接着剤（特許請求の範囲の接合剤）、
９はセラミツク製キヤツプ、１０はセラミツク製
ベース、１１はセラミツク部材、１２は窓（第２
図の１１と１２を合わせて、特許請求の範囲では
内側部材と呼ぶ）、１３はモールド、１４は嵌合
い、１５はダイステージ、１６はステージバーで
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 集積回路を有する半導体チツプ、 該半導体チツプと電気的に接続されてなるリー
    ド、 該リードを一体に固定する樹脂よりなるプレモ
    ールド、 該プレモールドに接着剤を介して接合し、該半
    導体チツプの上部を覆い、該半導体チツプの上部
    に透光性ガラスが設けられ、側部がセラミツクよ
    りなる内側部材、及び 該内側部材の透光性ガラスの部分が隠れない様
    にして該内側部材の側部及びプレモールドの周囲
    を固定する樹脂を具備することを特徴とする半導
    体装置。
JP11189181A 1981-07-17 1981-07-17 半導体装置 Granted JPS5814553A (ja)

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JP11189181A JPS5814553A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 半導体装置

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JPS5814553A JPS5814553A (ja) 1983-01-27
JPS6336139B2 true JPS6336139B2 (ja) 1988-07-19

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257546A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0437994Y2 (ja) * 1986-05-16 1992-09-07
US6555447B2 (en) 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584951A (ja) * 1981-07-01 1983-01-12 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (1)

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JPS584951A (ja) * 1981-07-01 1983-01-12 Toshiba Corp 半導体装置

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JPS5814553A (ja) 1983-01-27

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