JPS6273785A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPS6273785A JPS6273785A JP60212431A JP21243185A JPS6273785A JP S6273785 A JPS6273785 A JP S6273785A JP 60212431 A JP60212431 A JP 60212431A JP 21243185 A JP21243185 A JP 21243185A JP S6273785 A JPS6273785 A JP S6273785A
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- light emitting
- light
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は発光素子に係り、更に詳述すれば素子からの発
光パワーを外部に有効に取り出すための発光素子の構造
に関丁る。
光パワーを外部に有効に取り出すための発光素子の構造
に関丁る。
従来の発光素子は第7図および第8図(a)、 (/]
)に示すように、回転放物面漉形成部1Bを有するステ
ム11とこれとはi!気的に接続しないようにガラスハ
ーメチゾク19で固定した導出りー=ド11σとに発光
素子ペレツト12とそのボンディングワイヤ13とを接
続してケース14にシリコン樹脂15で封止するか、更
に支持体16企介して透明体17コ取付けるが、例.t
Ef: ’4?8 w!I5q−+aos+s 号公
報によって開示されているように、素千支持体の開口部
に光学部品としての集光体を配し、この集光体3通して
光を光ファイバーに導入する構成のものや、第9図に示
1−ようにステム11と導出リード11aをケース等を
用いず直接透明なシリコン樹脂15で被覆するものであ
った。そのため集光体の形状の清廉と集光体組立の位置
18度が高くなれば・発yt、素子からの光を有効に外
部−・取り出せなかった。例えば、集光体がレンズであ
るような用台には、レンズそれ自身の焦点距府のバラツ
ギが発光素子より取り出す光のレベルのバラツキを左右
し、またレンズを取付ける位置の度が悪ければ、その取
付位置のバラツギがそのまま取り出す光のしノベルのバ
ラツギになってしまうと云う欠点があった。
)に示すように、回転放物面漉形成部1Bを有するステ
ム11とこれとはi!気的に接続しないようにガラスハ
ーメチゾク19で固定した導出りー=ド11σとに発光
素子ペレツト12とそのボンディングワイヤ13とを接
続してケース14にシリコン樹脂15で封止するか、更
に支持体16企介して透明体17コ取付けるが、例.t
Ef: ’4?8 w!I5q−+aos+s 号公
報によって開示されているように、素千支持体の開口部
に光学部品としての集光体を配し、この集光体3通して
光を光ファイバーに導入する構成のものや、第9図に示
1−ようにステム11と導出リード11aをケース等を
用いず直接透明なシリコン樹脂15で被覆するものであ
った。そのため集光体の形状の清廉と集光体組立の位置
18度が高くなれば・発yt、素子からの光を有効に外
部−・取り出せなかった。例えば、集光体がレンズであ
るような用台には、レンズそれ自身の焦点距府のバラツ
ギが発光素子より取り出す光のレベルのバラツキを左右
し、またレンズを取付ける位置の度が悪ければ、その取
付位置のバラツギがそのまま取り出す光のしノベルのバ
ラツギになってしまうと云う欠点があった。
本発明は前述した従来技術の欠点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、発光素子の出す光を効率
良く外部へ取り出せるようにした発光素子を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、発光素子の出す光を効率
良く外部へ取り出せるようにした発光素子を提供するこ
とにある。
本発明は、上述した目的を達成するために1光源の位I
fを見かけ上部相の厚さ分だけ前方にit換し得るファ
イバプレートを、発光素子ペレットを一体化し、該ファ
イパブl/ =−1・の特性企利用し7て発光素子ペレ
ットからの出光′f:導出するものである。
fを見かけ上部相の厚さ分だけ前方にit換し得るファ
イバプレートを、発光素子ペレットを一体化し、該ファ
イパブl/ =−1・の特性企利用し7て発光素子ペレ
ットからの出光′f:導出するものである。
以下、本発明の実施例を第1図〜第6図を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第1図において本発明の発光素子は、ステム1と一体の
ケース4に形成した凹状の開口部8に銀ペーストを用い
て発光菓子ペレット2をグイボンディングし、ボンディ
ングワイヤ3ご用いて、ステム1とは電気的に接続しな
いようにガラスハーメチック9で固定された電気端子1
αと発光素子べ!−・ノド2との奄気接ばを行う。その
後、発光素子ペレット2の保mのだ父にシリコン耐脂5
でペレット上ヲコー ) I/’r −ス4に円筒状の
支持体6号取付り、この支持体6にファイバプレート1
0を取付けた構成のものである。ここでファイバプレー
ト10は発光素子ペレット2の真上に設置aされ、この
発光素子ベレ21ト2からの光は、ファイバプレート1
0を構成するファイバ1本1本を通して外部へ出光され
る。
ケース4に形成した凹状の開口部8に銀ペーストを用い
て発光菓子ペレット2をグイボンディングし、ボンディ
ングワイヤ3ご用いて、ステム1とは電気的に接続しな
いようにガラスハーメチック9で固定された電気端子1
αと発光素子べ!−・ノド2との奄気接ばを行う。その
後、発光素子ペレット2の保mのだ父にシリコン耐脂5
でペレット上ヲコー ) I/’r −ス4に円筒状の
支持体6号取付り、この支持体6にファイバプレート1
0を取付けた構成のものである。ここでファイバプレー
ト10は発光素子ペレット2の真上に設置aされ、この
発光素子ベレ21ト2からの光は、ファイバプレート1
0を構成するファイバ1本1本を通して外部へ出光され
る。
第2図はファイバプレート10と発光素子ペレット2と
を支持兼被覆部材としてのアイリルのような透明な樹脂
7で一括モールド成形し7たものである。
を支持兼被覆部材としてのアイリルのような透明な樹脂
7で一括モールド成形し7たものである。
第3図(σ)〜(C)に示す光素子は、モールド成形で
作られたケース4αの内気に電気端子141cを設置:
“1し5、電気端子1呑上に発光素子ペレット2をダイ
ボーディングし、前記発光素子ペレット2と1!気端子
1cとの間にボンディングワイヤ3を接続し・シリコン
樹脂5でコー トシた後、ファイバプレート10をケー
ス4αの開口部へはめこんだものである。
作られたケース4αの内気に電気端子141cを設置:
“1し5、電気端子1呑上に発光素子ペレット2をダイ
ボーディングし、前記発光素子ペレット2と1!気端子
1cとの間にボンディングワイヤ3を接続し・シリコン
樹脂5でコー トシた後、ファイバプレート10をケー
ス4αの開口部へはめこんだものである。
第4図(α)、師)に示す光素子は第1図に示すステム
1と電気端子1αとをモールド成形で作られたケース4
aにインモールドし、ステム1に発光素子ペレット2t
グイボンfイングし、この発光素子ペレット2と電気素
子14との量分ボンディングワイヤ3で接続して、ケー
ス4oLの開口部にファイバグレー)10を取付けたも
のである。
1と電気端子1αとをモールド成形で作られたケース4
aにインモールドし、ステム1に発光素子ペレット2t
グイボンfイングし、この発光素子ペレット2と電気素
子14との量分ボンディングワイヤ3で接続して、ケー
ス4oLの開口部にファイバグレー)10を取付けたも
のである。
第5図(菊、 (6)に示す光素子は、先の第2図に示
す構成において光の開口部となる光ファイバの案内穴7
αe8けたものである。
す構成において光の開口部となる光ファイバの案内穴7
αe8けたものである。
第6図(”)、(6)は発光素子ペレット2をファイバ
プレート10の一面に電気6端子14. lci形成し
前記−面の電気端子18に発光素子ペレット2をボンデ
ィングし、前記発光素子ペレット2と端子1cとの間を
ワイヤーボンディング6で接続し封止樹脂7をコートし
たものである。
プレート10の一面に電気6端子14. lci形成し
前記−面の電気端子18に発光素子ペレット2をボンデ
ィングし、前記発光素子ペレット2と端子1cとの間を
ワイヤーボンディング6で接続し封止樹脂7をコートし
たものである。
以上述べたように、本発明によれば、発光素子ペレット
の曲面にファイバグレーzr設けたことにより従来のガ
ラス等の封止の場合に比ベロdB結合効率が改善し、発
光素子への駆動′4流を低減せしめることができ、発光
素子の信頼度?上げることが可能であり、障害発生率を
大幅に減少することができる等の効果を有Tる。
の曲面にファイバグレーzr設けたことにより従来のガ
ラス等の封止の場合に比ベロdB結合効率が改善し、発
光素子への駆動′4流を低減せしめることができ、発光
素子の信頼度?上げることが可能であり、障害発生率を
大幅に減少することができる等の効果を有Tる。
第1図〜第6図はいずれも本発明の実施例でアルファイ
バプレートを組込んだ発光素子の構を示す縦断面図、第
7図〜第9図は従来の発光素子の構成分示す断面図であ
る。 2・・・発光素子ペレット 7α・・・案内孔 8・・・開口部 10・・・ファイバプレート
バプレートを組込んだ発光素子の構を示す縦断面図、第
7図〜第9図は従来の発光素子の構成分示す断面図であ
る。 2・・・発光素子ペレット 7α・・・案内孔 8・・・開口部 10・・・ファイバプレート
Claims (6)
- (1)素子搭載台上の発光素子ペレットからの光を光部
品を通して外部へ導出する光ファイバ結合発光素子や光
センサ用発光素子において、上記光部品としてファイバ
プレートを用いたことを特徴とする発光素子。 - (2)特許請求範囲第1項記載のファイバプレートが透
明な支持部材で発光素子上に支持されていることを特徴
とする発光素子。 - (3)特許請求の範囲第1項または第2項記載のファイ
バプレートの開口部を透明体で被覆したことを特徴とす
る発光素子。 - (4)特許請求の範囲第1項記載のファイバプレートの
開口部を覆う透明体を光の開口部をもった構造の非透明
体としたことを特徴とする発光素子。 - (5)特許請求の範囲第1項記載の素子搭載台が発光素
子ペレットを囲む凹状の反射板形成部を有していること
を特徴とする発光素子。 - (6)特許請求の範囲第1項記載のファイバプレートの
素線の中心軸の方向を発光素子ペレットからの出光光軸
に対して傾かせて配置したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212431A JPS6273785A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212431A JPS6273785A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6273785A true JPS6273785A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16622481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60212431A Pending JPS6273785A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6273785A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252462U (ja) * | 1988-10-09 | 1990-04-16 | ||
US5382810A (en) * | 1991-02-27 | 1995-01-17 | Asea Brown Boveri Ab | Optoelectronic component |
US6520670B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-02-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light radiating device with large beam spot size and spatial optical communication device |
JP2004507038A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-03-04 | ザ ブリンクマン コーポレイション | Ledフラッシュ・ライト |
DE102006026936A1 (de) * | 2005-12-29 | 2007-07-12 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Lumineszenzdiode, Verfahren zur Herstellung derselben und die Lumineszenzdiode aufweisende Hintergrundbeleuchtungsanordnung |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212431A patent/JPS6273785A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252462U (ja) * | 1988-10-09 | 1990-04-16 | ||
US5382810A (en) * | 1991-02-27 | 1995-01-17 | Asea Brown Boveri Ab | Optoelectronic component |
JP2004507038A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-03-04 | ザ ブリンクマン コーポレイション | Ledフラッシュ・ライト |
US6520670B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-02-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light radiating device with large beam spot size and spatial optical communication device |
DE102006026936A1 (de) * | 2005-12-29 | 2007-07-12 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Lumineszenzdiode, Verfahren zur Herstellung derselben und die Lumineszenzdiode aufweisende Hintergrundbeleuchtungsanordnung |
DE102006026936B4 (de) * | 2005-12-29 | 2014-03-13 | Lg Display Co., Ltd. | Lumineszenzdiode, Verfahren zur Herstellung derselben und die Lumineszenzdiode aufweisende Hintergrundbeleuchtungsanordnung |
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