JPH0797611B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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-
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
一般に、半導体素子はその機能を有効に発揮するために
は気密に形成されたパッケージ内に収容する必要性を有
する。
は気密に形成されたパッケージ内に収容する必要性を有
する。
第２図は半導体レーザ素子を収容した従来のパッケージ
の構成を示している。
の構成を示している。
図中、符号１はパッケージである。このパッケージ１は
基部となる金属製のアイレット２と、このアイレット２
にフランジ3a部をもって抵抗溶接されたほぼ円筒状のキ
ャップ３と、このキャップ３の頂部内側に接着材４をも
って接着された透明な光透過板５とによって気密に形成
されている。このパッケージ１内には半導体レーザ素子
からなる発光素子６と受光素子７とが設けられている。
これらの発光素子６と受光素子７とはそれぞれ、アイレ
ット２の貫通孔部にガラス８をもって貫通状態にして支
持されたリード9,9に金属細線10をもってワイヤボンデ
ィングされ電気的に接続されている。
基部となる金属製のアイレット２と、このアイレット２
にフランジ3a部をもって抵抗溶接されたほぼ円筒状のキ
ャップ３と、このキャップ３の頂部内側に接着材４をも
って接着された透明な光透過板５とによって気密に形成
されている。このパッケージ１内には半導体レーザ素子
からなる発光素子６と受光素子７とが設けられている。
これらの発光素子６と受光素子７とはそれぞれ、アイレ
ット２の貫通孔部にガラス８をもって貫通状態にして支
持されたリード9,9に金属細線10をもってワイヤボンデ
ィングされ電気的に接続されている。
この従来のパッケージ１は高い気密性を得ることができ
るという利点があるが、次のような問題点があった。
るという利点があるが、次のような問題点があった。
発光素子６は半導体レーザ素子からなり、その発光時に
発熱するので、その発熱量を外部へ放散するために、ア
イレット２を鉄、鉄−ニッケル合金、銅合金等の金属に
よって製造しなければならなかった。従って、アイレッ
ト２を製造するのに、具体的には発光素子６および受光
素子７を正確に位置決めして搭載する座を形成したり、
リード９を貫通させるための貫通孔を穿設するために機
械加工を施す必要があり、コストが高かった。
発熱するので、その発熱量を外部へ放散するために、ア
イレット２を鉄、鉄−ニッケル合金、銅合金等の金属に
よって製造しなければならなかった。従って、アイレッ
ト２を製造するのに、具体的には発光素子６および受光
素子７を正確に位置決めして搭載する座を形成したり、
リード９を貫通させるための貫通孔を穿設するために機
械加工を施す必要があり、コストが高かった。
また、金属であるアイレット２と金属であるリード９の
相互間を絶縁するとともにパッケージ１の気密が保持で
きる固着をするためには、両者をガラス８によって接合
しなければならない。ところが、ガラス８とリード９と
の接合を気密に行なわせるには、リード９の材質をガラ
ス８とほぼ同じ熱膨張係数を有し、かつ、表面にガラス
８と溶着される酸化膜が形成され易い鉄系の金属とする
必要があり、実際には42アロイなどの鉄−ニッケル合金
や鉄−ニッケル−コバルト合金（コバール）によってリ
ード９を製造する必要があった。また、このリード９に
金属細線10をワイヤボンディングによって接続するため
には、ボンディング部分に金等の貴金属をリード９に鍍
金する必要があり、非常に高価なものとなっていた。
相互間を絶縁するとともにパッケージ１の気密が保持で
きる固着をするためには、両者をガラス８によって接合
しなければならない。ところが、ガラス８とリード９と
の接合を気密に行なわせるには、リード９の材質をガラ
ス８とほぼ同じ熱膨張係数を有し、かつ、表面にガラス
８と溶着される酸化膜が形成され易い鉄系の金属とする
必要があり、実際には42アロイなどの鉄−ニッケル合金
や鉄−ニッケル−コバルト合金（コバール）によってリ
ード９を製造する必要があった。また、このリード９に
金属細線10をワイヤボンディングによって接続するため
には、ボンディング部分に金等の貴金属をリード９に鍍
金する必要があり、非常に高価なものとなっていた。
また、レーザ光を透過するためには光透過板５を設ける
必要があるが、従来は光透過板５をガラス板またはサフ
ァイア板によって製造し、この光透過板５をキャップ３
の頂部内面に接着材４を介して予め接着して組立ててお
かなければならなかった。そして、光透過板５がガラス
板の場合には低融点ガラスを接着材４として、金属製の
キャップ３に接着しなければならず、構成が複雑である
とともに、多くの製造工程を要するもので、更に、キャ
ップ３はアイレット２と同様に鉄−ニッケル合金、鉄−
ニッケル−コバルト合金等のガラスとの溶着性に優れて
いる金属でなければならず、しかも光透過板５をキャッ
プ３の所定位置に取付ける必要があった。
必要があるが、従来は光透過板５をガラス板またはサフ
ァイア板によって製造し、この光透過板５をキャップ３
の頂部内面に接着材４を介して予め接着して組立ててお
かなければならなかった。そして、光透過板５がガラス
板の場合には低融点ガラスを接着材４として、金属製の
キャップ３に接着しなければならず、構成が複雑である
とともに、多くの製造工程を要するもので、更に、キャ
ップ３はアイレット２と同様に鉄−ニッケル合金、鉄−
ニッケル−コバルト合金等のガラスとの溶着性に優れて
いる金属でなければならず、しかも光透過板５をキャッ
プ３の所定位置に取付ける必要があった。
更に、従来のパッケージ１はその組立の工数が多く、長
時間を要し、コストも高いものであった。実際には、先
ず機械加工によって製造されたアイレット２に各リード
9,9をガラス8,8によって固着し、次に発光素子６および
受光素子７をアイレット２に固着し、次に発光素子６お
よび受光素子７と各リード9,9とをワイヤボンディング
によって金属細線10,10を介して接続し、次に予め光透
過板５を一体的に接着しておいたキャップ３をアイレッ
ト２の上に各発光素子６および受光素子７を覆うように
して被せ、アイレット２とキャップ３のフランジ3aとを
抵抗溶接によって固着し気密封止するという、複雑で多
くの工程をもって組立てなければならなかった。
時間を要し、コストも高いものであった。実際には、先
ず機械加工によって製造されたアイレット２に各リード
9,9をガラス8,8によって固着し、次に発光素子６および
受光素子７をアイレット２に固着し、次に発光素子６お
よび受光素子７と各リード9,9とをワイヤボンディング
によって金属細線10,10を介して接続し、次に予め光透
過板５を一体的に接着しておいたキャップ３をアイレッ
ト２の上に各発光素子６および受光素子７を覆うように
して被せ、アイレット２とキャップ３のフランジ3aとを
抵抗溶接によって固着し気密封止するという、複雑で多
くの工程をもって組立てなければならなかった。
また、最近における半導体素子開発の促進に伴い、その
半導体素子を収容するパッケージに要求される条件も非
常に多様化して来ている。そして、例えばパッケージ内
の気密性に関しても、半導体素子の性能向上に伴って従
前より低い気密性のパッケージにおいても従前と同等も
しくはそれ以上の性能を発揮できるものが出現してい
る。ところがこのようにして開発された半導体素子を収
容するために、第２図に示すようなパッケージ１を用い
ると、必要以上の高い気密性をも実現可能なパッケージ
を用いることとなり、高価になるという問題点がある。
更に、発熱量が少ない半導体レーザ素子では放熱用のア
イレット２は金属製である必要はなくなる。
半導体素子を収容するパッケージに要求される条件も非
常に多様化して来ている。そして、例えばパッケージ内
の気密性に関しても、半導体素子の性能向上に伴って従
前より低い気密性のパッケージにおいても従前と同等も
しくはそれ以上の性能を発揮できるものが出現してい
る。ところがこのようにして開発された半導体素子を収
容するために、第２図に示すようなパッケージ１を用い
ると、必要以上の高い気密性をも実現可能なパッケージ
を用いることとなり、高価になるという問題点がある。
更に、発熱量が少ない半導体レーザ素子では放熱用のア
イレット２は金属製である必要はなくなる。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、簡単
な構成により半導体素子を所要の気密性を有するパッケ
ージに収容することができ、組立も簡単に行なうことが
でき、高価な材料が不要であり、部品点数も少なく、コ
ストも低廉な半導体装置を提供することを目的とする。
な構成により半導体素子を所要の気密性を有するパッケ
ージに収容することができ、組立も簡単に行なうことが
でき、高価な材料が不要であり、部品点数も少なく、コ
ストも低廉な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、樹脂モールドにより形成された
樹脂基体としてのアイレットと、該アイレットの上面に
一体に樹脂モールドされたヒートシンクと、該アイレッ
トを厚さ方向に貫通して該アイレットと一体に樹脂モー
ルドされたリードと、前記ヒーシンクに搭載され、前記
リードとワイヤボンディングされた半導体素子とを備
え、蓋部材が前記アイレットの上面に接合されることに
より、前記半導体素子が封止されていることを特徴とす
る。
樹脂基体としてのアイレットと、該アイレットの上面に
一体に樹脂モールドされたヒートシンクと、該アイレッ
トを厚さ方向に貫通して該アイレットと一体に樹脂モー
ルドされたリードと、前記ヒーシンクに搭載され、前記
リードとワイヤボンディングされた半導体素子とを備
え、蓋部材が前記アイレットの上面に接合されることに
より、前記半導体素子が封止されていることを特徴とす
る。
以下、本発明の実施例を第１図について説明する。
第１図の実施例は半導体素子として半導体レーザ素子を
用いた場合を示している。
用いた場合を示している。
本実施例の半導体装置11は、従来のアイレット２に相当
する部分を樹脂材とし、半導体素子とワイヤボンディン
グによって接続されるリードを内外に挿通させるように
一体成形することによって樹脂基体12として形成し、こ
の樹脂基体12の上部に樹脂材からなるキャップ13を蓋部
材として気密に閉塞して形成されている。
する部分を樹脂材とし、半導体素子とワイヤボンディン
グによって接続されるリードを内外に挿通させるように
一体成形することによって樹脂基体12として形成し、こ
の樹脂基体12の上部に樹脂材からなるキャップ13を蓋部
材として気密に閉塞して形成されている。
更に説明すると、樹脂基体12はその一体成形時に、内部
に固着する発光素子15および受光素子16とワイヤボンデ
ィングにより接続するリード17,17を内外に貫通するよ
うにして同時に樹脂モールドしている。また同時に半導
体素子を搭載するヒートシンク21および受光素子16を固
着するグランド部材18も一体成形している。ヒートシン
ク21にもグランド部材（図示せず）が抵抗溶接などによ
り取付けられている。これらのリード17、グランド部材
18およびヒートシンク21は電気的導通部材とするために
金属によって形成する必要があるが、樹脂基体12の一体
成形時に樹脂モールドによって樹脂基体12に固着される
ものであるから、リード17、グランド部材18およびヒー
トシンク21の材料となる金属としては樹脂モールドが可
能であればよい。従って、リード17、グランド部材18お
よびヒートシンク21としては電気的導通性に優れたアル
ミニウム、銅、銅合金等を用いることができ、従来のア
イレット２およびリード９のように特殊で高価な合金類
を用いる必要がない。また、リード17およびグランド部
材18を樹脂材で直接一体成形するものであるから、従来
のようなアイレット２とリード９との金属同志をガラス
８により固着する工程が不要となる。
に固着する発光素子15および受光素子16とワイヤボンデ
ィングにより接続するリード17,17を内外に貫通するよ
うにして同時に樹脂モールドしている。また同時に半導
体素子を搭載するヒートシンク21および受光素子16を固
着するグランド部材18も一体成形している。ヒートシン
ク21にもグランド部材（図示せず）が抵抗溶接などによ
り取付けられている。これらのリード17、グランド部材
18およびヒートシンク21は電気的導通部材とするために
金属によって形成する必要があるが、樹脂基体12の一体
成形時に樹脂モールドによって樹脂基体12に固着される
ものであるから、リード17、グランド部材18およびヒー
トシンク21の材料となる金属としては樹脂モールドが可
能であればよい。従って、リード17、グランド部材18お
よびヒートシンク21としては電気的導通性に優れたアル
ミニウム、銅、銅合金等を用いることができ、従来のア
イレット２およびリード９のように特殊で高価な合金類
を用いる必要がない。また、リード17およびグランド部
材18を樹脂材で直接一体成形するものであるから、従来
のようなアイレット２とリード９との金属同志をガラス
８により固着する工程が不要となる。
なお、リード17、グランド部材18およびヒートシンク21
の樹脂モールド部には、気密性の向上や抜け防止のた
め、潰し加工、段差加工、折曲げ加工等を施しておくの
が好ましい。次に、グランド部材18へ受光素子16、ヒー
トシンク21へ発光素子15を固着した後に、それぞれを金
属細線19,19をもって電気的に接続する。この場合、リ
ード17をアルミニウムによって形成しておけば、アルミ
ニウムからなる金属細線19を直接ワイヤボンディングす
ることができ極めて簡単に接続することができる。ま
た、リード17をりん青銅などによって形成した場合に
は、予めワイヤボンディング用の金属皮膜をリード先端
部に施しておけばよい。次に、樹脂材からなる蓋部材で
あるキャップ13を樹脂基体12と超音波接合または接着剤
により気密に接合し、発光素子15および受光素子16を半
導体装置11内に気密封止する。なお、キャップ13は光透
過性の樹脂材で一体形成してもよく、また、キャップ頂
部に光透過板14を樹脂接着剤20などで接着したものを用
いてもよい。この半導体装置11内は発光素子15および受
光素子16の機能が正常に発揮されるに必要かつ十分な気
密性が確保されている。実際にはリード17およびグラン
ド部材18の樹脂基体12への一体成形部における気密保持
能力は、従来の金属とガラスの接着部の気密保持能力よ
り劣るが、極めて高い気密性が要求されない発光素子15
および受光素子16を封止する場合には、本実施例の方が
製作工数および部品点数も少なく、部材のコストも低廉
である等はるかに優れている。なお、発光素子15として
も発熱量が少ないものを用いたり、熱伝導性が良好な樹
脂材を用いれば、冷却に必要な放熱効果も小さくて済む
ので、従来のように金属製のアイレット２を用いる必要
がなくなり、本実施例のようにグランド部材を接続した
ヒートシンク21を樹脂基体12の樹脂モールド成形時に一
体成形しておくだけで十分である。
の樹脂モールド部には、気密性の向上や抜け防止のた
め、潰し加工、段差加工、折曲げ加工等を施しておくの
が好ましい。次に、グランド部材18へ受光素子16、ヒー
トシンク21へ発光素子15を固着した後に、それぞれを金
属細線19,19をもって電気的に接続する。この場合、リ
ード17をアルミニウムによって形成しておけば、アルミ
ニウムからなる金属細線19を直接ワイヤボンディングす
ることができ極めて簡単に接続することができる。ま
た、リード17をりん青銅などによって形成した場合に
は、予めワイヤボンディング用の金属皮膜をリード先端
部に施しておけばよい。次に、樹脂材からなる蓋部材で
あるキャップ13を樹脂基体12と超音波接合または接着剤
により気密に接合し、発光素子15および受光素子16を半
導体装置11内に気密封止する。なお、キャップ13は光透
過性の樹脂材で一体形成してもよく、また、キャップ頂
部に光透過板14を樹脂接着剤20などで接着したものを用
いてもよい。この半導体装置11内は発光素子15および受
光素子16の機能が正常に発揮されるに必要かつ十分な気
密性が確保されている。実際にはリード17およびグラン
ド部材18の樹脂基体12への一体成形部における気密保持
能力は、従来の金属とガラスの接着部の気密保持能力よ
り劣るが、極めて高い気密性が要求されない発光素子15
および受光素子16を封止する場合には、本実施例の方が
製作工数および部品点数も少なく、部材のコストも低廉
である等はるかに優れている。なお、発光素子15として
も発熱量が少ないものを用いたり、熱伝導性が良好な樹
脂材を用いれば、冷却に必要な放熱効果も小さくて済む
ので、従来のように金属製のアイレット２を用いる必要
がなくなり、本実施例のようにグランド部材を接続した
ヒートシンク21を樹脂基体12の樹脂モールド成形時に一
体成形しておくだけで十分である。
このように本実施例においては、リード17の固着はリー
ド17をインサートするようにして樹脂基体12の樹脂モー
ルドを行なうだけでよく、従来のように金属製のアイレ
ット２やリード固着用のガラス８を用いなくてもよく、
製造工程が大きく短縮され、しかも製造も極めて簡単と
なり、コストの低廉化が図られる。また、リード17とし
て従来の42アロイやコバールに代えてアルミニウム材を
用いることができるので、発光素子15および受光素子16
とワイヤボンディングするアルミニウムの金属細線19を
直接リード17に接続することができ、しかも従来のよう
に貴金属の鍍金を施す必要がなく、工数も少なくなり、
材料費の低減化を図ることができる。また、従来はアイ
レット２およびキャップ３をそれぞれ金属加工によって
製造するとともに相互に抵抗溶接することによって気密
封止していたものを、本実施例においては受基体12およ
びキャップ13をそれぞれ樹脂の一体成形により一挙に製
造することができ、製造も容易となり、しかも部品点数
が少なくなり、コストも低廉となる。このようにして半
導体装置11全体の構成が従来の半導体装置１に比べて簡
単となるため、半導体11全体の容積を小さく形成するこ
とができる。特に、発光素子15として発熱量が少量の半
導体レーザ素子を用いた場合には、ヒートシンク21を小
型にすることが可能となり、半導体装置11の小型化を一
層促進することができる。
ド17をインサートするようにして樹脂基体12の樹脂モー
ルドを行なうだけでよく、従来のように金属製のアイレ
ット２やリード固着用のガラス８を用いなくてもよく、
製造工程が大きく短縮され、しかも製造も極めて簡単と
なり、コストの低廉化が図られる。また、リード17とし
て従来の42アロイやコバールに代えてアルミニウム材を
用いることができるので、発光素子15および受光素子16
とワイヤボンディングするアルミニウムの金属細線19を
直接リード17に接続することができ、しかも従来のよう
に貴金属の鍍金を施す必要がなく、工数も少なくなり、
材料費の低減化を図ることができる。また、従来はアイ
レット２およびキャップ３をそれぞれ金属加工によって
製造するとともに相互に抵抗溶接することによって気密
封止していたものを、本実施例においては受基体12およ
びキャップ13をそれぞれ樹脂の一体成形により一挙に製
造することができ、製造も容易となり、しかも部品点数
が少なくなり、コストも低廉となる。このようにして半
導体装置11全体の構成が従来の半導体装置１に比べて簡
単となるため、半導体11全体の容積を小さく形成するこ
とができる。特に、発光素子15として発熱量が少量の半
導体レーザ素子を用いた場合には、ヒートシンク21を小
型にすることが可能となり、半導体装置11の小型化を一
層促進することができる。
なお、前記実施例においては、半導体素子としてヒート
シンク21上に搭載する半導体レーザ素子および受光素子
を用いれいるが、樹脂基体12上に搭載する他の種類の半
導体素子を用いた半導体パッケージにも本発明を適用す
ることができる。
シンク21上に搭載する半導体レーザ素子および受光素子
を用いれいるが、樹脂基体12上に搭載する他の種類の半
導体素子を用いた半導体パッケージにも本発明を適用す
ることができる。
本実施例に示すように、本発明においては半導体素子が
その機能を発揮するのに必要十分な気密性が得られ、半
導体装置11の構成をできる限り簡略化し、製造工程を少
なくし、小型化とともにコストの低廉化を図っている。
その機能を発揮するのに必要十分な気密性が得られ、半
導体装置11の構成をできる限り簡略化し、製造工程を少
なくし、小型化とともにコストの低廉化を図っている。
本発明の半導体装置はこのように構成され作用するもの
であるから、簡単な構成により半導体素子を所要の気密
性を有するパッケージに収容することができ、組立も容
易で、高価な材料が不要であり、部品点数も少なく小型
化でき、コストも低廉となる等の効果を奏する。
であるから、簡単な構成により半導体素子を所要の気密
性を有するパッケージに収容することができ、組立も容
易で、高価な材料が不要であり、部品点数も少なく小型
化でき、コストも低廉となる等の効果を奏する。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例を示す縦断側面
図、第２図は従来例を示す縦断側面図である。 11……半導体装置、12……樹脂基体、13……キャップ、
14……光透過板、15……発光素子、16……受光素子、17
……リード、18……グランド部材、19……金属細線、20
……樹脂接着剤、21……ヒートシンク。
図、第２図は従来例を示す縦断側面図である。 11……半導体装置、12……樹脂基体、13……キャップ、
14……光透過板、15……発光素子、16……受光素子、17
……リード、18……グランド部材、19……金属細線、20
……樹脂接着剤、21……ヒートシンク。
Claims (3)
- 【請求項１】樹脂モールドにより形成された樹脂基体と
してのアイレットと、 該アイレットの上面に一体に樹脂モールドされたヒート
シンクと、 該アイレットを厚さ方向に貫通して該アイレットと一体
に樹脂モールドされたリードと、 前記ヒーシンクに搭載され、前記リードとワイヤボンデ
ィングされた半導体素子とを備え、 蓋部材が前記アイレットの上面に接合されることによ
り、前記半導体素子が封止されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】リードはアルミニウムから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】半導体素子は発光素子からなり、蓋部材は
光透過部を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095795A JPH0797611B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095795A JPH0797611B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252154A JPS62252154A (ja) | 1987-11-02 |
| JPH0797611B2 true JPH0797611B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=14147378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095795A Expired - Fee Related JPH0797611B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797611B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838703A (en) * | 1996-09-30 | 1998-11-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system and optical element |
| US7061949B1 (en) | 2002-08-16 | 2006-06-13 | Jds Uniphase Corporation | Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088552U (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-18 | 株式会社精工舎 | Ｉｃなどのパツケ−ジ |
| JPS6293976A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-04-30 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止固体イメ−ジ・センサ− |
| JPS62180949U (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-17 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095795A patent/JPH0797611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62252154A (ja) | 1987-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |