JPH02129948A - プリモールド型半導体装置 - Google Patents
プリモールド型半導体装置Info
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- JPH02129948A JPH02129948A JP63282698A JP28269888A JPH02129948A JP H02129948 A JPH02129948 A JP H02129948A JP 63282698 A JP63282698 A JP 63282698A JP 28269888 A JP28269888 A JP 28269888A JP H02129948 A JPH02129948 A JP H02129948A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 235000011888 snacks Nutrition 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270722 Crocodylidae Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- LNNWVNGFPYWNQE-GMIGKAJZSA-N desomorphine Chemical compound C1C2=CC=C(O)C3=C2[C@]24CCN(C)[C@H]1[C@@H]2CCC[C@@H]4O3 LNNWVNGFPYWNQE-GMIGKAJZSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームを使用したプリモールド型半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
第２図は中空型セラミンクパッケージの斜視図である。
現在、Ｅ Ｐ ＲＯＭ （Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐ ｒｏ
ｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）で代表されるような記憶素
子、またはＣＣＤ形やＭＯＳトランジスタ形などの固体
撮像素子で代表されるような光電気変換１ａ能を有する
素子は、中空型セラミックパンケージが主流となってい
る。その構造を示したのが第２図である。図中、５は半
導体ペレット、６はリード線、７′は内部端子、８′は
受光窓枠、１２は外部電極導出部、１３はセラミックパ
ッケージ、１４はメタライズ、１５はセラミック基板、
１６は外部端子を示す。
ｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）で代表されるような記憶素
子、またはＣＣＤ形やＭＯＳトランジスタ形などの固体
撮像素子で代表されるような光電気変換１ａ能を有する
素子は、中空型セラミックパンケージが主流となってい
る。その構造を示したのが第２図である。図中、５は半
導体ペレット、６はリード線、７′は内部端子、８′は
受光窓枠、１２は外部電極導出部、１３はセラミックパ
ッケージ、１４はメタライズ、１５はセラミック基板、
１６は外部端子を示す。
第２図に示す中空型セラミンクパッケージの組み立ては
、セラミック基板１５上のメタライズ１４に、まず、エ
ポキシ樹脂もしくは銀ベーストなどの導電性樹脂を用い
て半導体ペレット５をダイ・ボンディングし、次いで、
金あるいはアルミニウ五等の金属線を用いて内部端子７
′と外部電極導出部１２をワイヤー・ボンディングする
。そして、リード線６を形成した後、光透過性材料を用
いて半導体ペレッｌ−５の−Ｌ面部に受光窓枠８′を設
りるようにしている。
、セラミック基板１５上のメタライズ１４に、まず、エ
ポキシ樹脂もしくは銀ベーストなどの導電性樹脂を用い
て半導体ペレット５をダイ・ボンディングし、次いで、
金あるいはアルミニウ五等の金属線を用いて内部端子７
′と外部電極導出部１２をワイヤー・ボンディングする
。そして、リード線６を形成した後、光透過性材料を用
いて半導体ペレッｌ−５の−Ｌ面部に受光窓枠８′を設
りるようにしている。
ところがこのような中空型セラミックパッケージは、気
密封止のため樹脂クラックなどが生しないので、信頼性
がある反面高価格である。そのため、低ｍｌスト民生用
機器としＣの人間生産などには不向きである。そこで、
この中空型セラミックパッケージ対抗してコストダウン
に大きく寄与したのがパッケージのプラス千ツク化と部
品のリードフレーム化である。
密封止のため樹脂クラックなどが生しないので、信頼性
がある反面高価格である。そのため、低ｍｌスト民生用
機器としＣの人間生産などには不向きである。そこで、
この中空型セラミックパッケージ対抗してコストダウン
に大きく寄与したのがパッケージのプラス千ツク化と部
品のリードフレーム化である。
第３図は第２図の受光窓から内部を覗いた正面図、第４
図は従来のプリモールド型プラスナノクバシゲージの構
造を示す図であり、第３図（ｔ））は同図（ａ）に示す
線分ｇ−ｇ’で切断した断面図である。
図は従来のプリモールド型プラスナノクバシゲージの構
造を示す図であり、第３図（ｔ））は同図（ａ）に示す
線分ｇ−ｇ’で切断した断面図である。
図中、７はリードフレーム内部端子（インナーリド）、
８は受光窓、９はプラスチックパッケージ、ｌＯはリー
ドフレーム・ダイ・パッド部、ｌ■は樹脂モールド部、
１６はリー ドフレームク１部端子をそれぞれ示し−で
いる。
８は受光窓、９はプラスチックパッケージ、ｌＯはリー
ドフレーム・ダイ・パッド部、ｌ■は樹脂モールド部、
１６はリー ドフレームク１部端子をそれぞれ示し−で
いる。
第３図および第４図に示すようなプリモールド型ブラス
ナックパソゲージを作製するには、まず樹脂モールＦ部
ＩＩを用いてり−１′フレームの側面の高さまでプリモ
ールディングを行う、そして、ＡＨ−３ｉ共品もしくは
Ｐ ｂ−３ｎ系半］１１、あるいはエポキシ銀ヘースト
等により４２％Ｎ １−Ｆｅ合金または銅系合金で作ら
れたグイ・パント゛部１０１に半導体ペレットをマウン
トし、しかる後にリード線を用いて半導体ペレットの外
部電極導出部とリードフレーム、内部端子７とをワイヤ
ーボンディングし、接着剤等を用い゛ζ光１８過窓８を
気密■、■止する。
ナックパソゲージを作製するには、まず樹脂モールＦ部
ＩＩを用いてり−１′フレームの側面の高さまでプリモ
ールディングを行う、そして、ＡＨ−３ｉ共品もしくは
Ｐ ｂ−３ｎ系半］１１、あるいはエポキシ銀ヘースト
等により４２％Ｎ １−Ｆｅ合金または銅系合金で作ら
れたグイ・パント゛部１０１に半導体ペレットをマウン
トし、しかる後にリード線を用いて半導体ペレットの外
部電極導出部とリードフレーム、内部端子７とをワイヤ
ーボンディングし、接着剤等を用い゛ζ光１８過窓８を
気密■、■止する。
しかしながら、このｆ！、 Ｆ ＲＯＭ、固体撮像素子
等のプリモールド型プラスナックパッケージング技術に
おいては、リードフレーム内部端子７、リードフレーム
・ダイ・バンド部１０を樹脂正よりモールディングした
後に、半導体ペレットをグイボンディングし、次いで半
導体ペレットの外部電極導出部とリードフレーム内部端
子７のワイヤーボンディングを行うため、リードフレー
ム内部端子７及びリードフレーム・グイ・パッド部１０
の表面を樹脂でＩＷうごとができない。従って、第４図
（ｔ））に示すようにリードフレーム内部端子７やリド
フレーム・グイ・バラ１′部１０と樹脂モールド部１１
とのコンタクトは、側面及び裏面部でしか保持できない
。そのため、急冷却、急加熱するような熱的衝撃が加え
られた場合には、リードフレーム内部端子７やり一１′
フレーム・グイ・パッド部ＩＯと樹脂モールド部１１の
熱膨張係数の違いにより樹脂モールド部１１に収縮応力
が発止し、応力分岐線に沿ってクラックなどが生しやす
くなる。このような場合には、樹脂モールド部１１と、
リー ドフＬノーム・ダイ・バンド部ｌＯ１このダイ・
バンド部を延設して形成されるタイバー部（ダイ・バソ
１゛・ザボート部）、リードフレーム内部端子７等の裏
面や側面との密着部位にまで応力作用が働くため、両者
の密着状態が容易に破壊され、第４図（Ｃ）に示すよう
にプリモールド型半導体装置の各種不良を生しさセーで
しまうという問題があった。
等のプリモールド型プラスナックパッケージング技術に
おいては、リードフレーム内部端子７、リードフレーム
・ダイ・バンド部１０を樹脂正よりモールディングした
後に、半導体ペレットをグイボンディングし、次いで半
導体ペレットの外部電極導出部とリードフレーム内部端
子７のワイヤーボンディングを行うため、リードフレー
ム内部端子７及びリードフレーム・グイ・パッド部１０
の表面を樹脂でＩＷうごとができない。従って、第４図
（ｔ））に示すようにリードフレーム内部端子７やリド
フレーム・グイ・バラ１′部１０と樹脂モールド部１１
とのコンタクトは、側面及び裏面部でしか保持できない
。そのため、急冷却、急加熱するような熱的衝撃が加え
られた場合には、リードフレーム内部端子７やり一１′
フレーム・グイ・パッド部ＩＯと樹脂モールド部１１の
熱膨張係数の違いにより樹脂モールド部１１に収縮応力
が発止し、応力分岐線に沿ってクラックなどが生しやす
くなる。このような場合には、樹脂モールド部１１と、
リー ドフＬノーム・ダイ・バンド部ｌＯ１このダイ・
バンド部を延設して形成されるタイバー部（ダイ・バソ
１゛・ザボート部）、リードフレーム内部端子７等の裏
面や側面との密着部位にまで応力作用が働くため、両者
の密着状態が容易に破壊され、第４図（Ｃ）に示すよう
にプリモールド型半導体装置の各種不良を生しさセーで
しまうという問題があった。
本発明は、上記の課題を解決するものであって、プリモ
ールド型半導体素子において、半導体ペレントを載置す
るリードフレームのグイ・パッドやリード等と樹脂モー
ルド部の密着を高めることにより、各種不良を生しない
ようにし、信顛性を高めることを目的とする。
ールド型半導体素子において、半導体ペレントを載置す
るリードフレームのグイ・パッドやリード等と樹脂モー
ルド部の密着を高めることにより、各種不良を生しない
ようにし、信顛性を高めることを目的とする。
［課題を解決するための手段〕
そのために本発明は、プリモールド型半導体装置におい
て、リード・フレームの半導体ペレットを搭載するグイ
・パット部やダイ・バット部を延設して形成されるタイ
バー部、リード等の側面に段差を設けて鍔を形成し、こ
の鍔を樹脂モールドに埋没させたことを特徴とするもの
である。また、このようなものとして’ＥＬ ＰＲＯＭ
のような記憶素子あるいは固体撮像素子などのように半
導体ベレソ［が受光部を有する素子であることを特徴と
するものである。
て、リード・フレームの半導体ペレットを搭載するグイ
・パット部やダイ・バット部を延設して形成されるタイ
バー部、リード等の側面に段差を設けて鍔を形成し、こ
の鍔を樹脂モールドに埋没させたことを特徴とするもの
である。また、このようなものとして’ＥＬ ＰＲＯＭ
のような記憶素子あるいは固体撮像素子などのように半
導体ベレソ［が受光部を有する素子であることを特徴と
するものである。
〔作用］
本発明では、半導体ペレットを搭載するグイ・バット、
グイ・バットを支えるタイバー部、リードの側面を雛壇
加工して鍔を形成し、モールド内に埋没させるので、各
リードフレーム部分と樹脂モールド部とのコンタクトを
強固にすることができる。従って、両者の密着状態が容
易に破壊されることがなくなり、安定したプリモールド
型半導体装置とすることができる。
グイ・バットを支えるタイバー部、リードの側面を雛壇
加工して鍔を形成し、モールド内に埋没させるので、各
リードフレーム部分と樹脂モールド部とのコンタクトを
強固にすることができる。従って、両者の密着状態が容
易に破壊されることがなくなり、安定したプリモールド
型半導体装置とすることができる。
（実施例〕
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は本発明に係るプリモールド型半導体装置の１実
施例を説明するためのプリモールド型プラスチックパッ
ケージの構成例を示す図であり、（ａ）は光透過窓枠内
の正面図、（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれｄ−ｄ’断面図
である。図中、７はリードフレーム内部端子（インナー
リード）、１０はリードフレーム・グイ・パッド部、１
１はモールド樹脂部をそれぞれ示している。
施例を説明するためのプリモールド型プラスチックパッ
ケージの構成例を示す図であり、（ａ）は光透過窓枠内
の正面図、（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれｄ−ｄ’断面図
である。図中、７はリードフレーム内部端子（インナー
リード）、１０はリードフレーム・グイ・パッド部、１
１はモールド樹脂部をそれぞれ示している。
第１図において、リードフレーム内部端子７およびリー
ドフレーム・グイ・バンド部１０は、側面部にそれぞれ
同図（ａｌの点線、（ｂ）、（Ｃ）の断面で示すように
樹脂モールド部１１内に埋設される鍔状の段差を設けた
ものである。このプリモールド型半導体装置におけるリ
ードフレーム・グイ・バンド部１０及びリードフし・−
ム内部端子７は、コバール等の薄板を打ち抜き形成した
ものである。第１図［有］）及び（Ｃ）に示す鍔は、同
図（ａ）に示す線分ｄ −ｄ′で切断した場合の断面図
を模式的に示したものであり、同図（ｂ）に示した断面
形状はマクロ的なスケッチを示したものであるが、ケミ
カル両面エツチング等によって鰐の形成を行った場合に
は断面形状を同図（Ｃ）のようにすることができる。
ドフレーム・グイ・バンド部１０は、側面部にそれぞれ
同図（ａｌの点線、（ｂ）、（Ｃ）の断面で示すように
樹脂モールド部１１内に埋設される鍔状の段差を設けた
ものである。このプリモールド型半導体装置におけるリ
ードフレーム・グイ・バンド部１０及びリードフし・−
ム内部端子７は、コバール等の薄板を打ち抜き形成した
ものである。第１図［有］）及び（Ｃ）に示す鍔は、同
図（ａ）に示す線分ｄ −ｄ′で切断した場合の断面図
を模式的に示したものであり、同図（ｂ）に示した断面
形状はマクロ的なスケッチを示したものであるが、ケミ
カル両面エツチング等によって鰐の形成を行った場合に
は断面形状を同図（Ｃ）のようにすることができる。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではな
（、種々の変形が可能である。上記の実施例では鍔部の
断面形状を２種類しか示していないが、モールド樹脂中
に埋め込むことができる形状であればよ（、また、例え
ば鍔部が断続的に存在するようなものでも良い。また、
図示しないが、リードフレーム・グイ・パッド部やリー
ドフレーム内部端子だけでなく、タイバー部にも同様に
鍔部を設けてもよいことは勿論である。
（、種々の変形が可能である。上記の実施例では鍔部の
断面形状を２種類しか示していないが、モールド樹脂中
に埋め込むことができる形状であればよ（、また、例え
ば鍔部が断続的に存在するようなものでも良い。また、
図示しないが、リードフレーム・グイ・パッド部やリー
ドフレーム内部端子だけでなく、タイバー部にも同様に
鍔部を設けてもよいことは勿論である。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導
体ペレットをｔｇ載するリードフレーム・グイ・バンド
部、グイ・パント部より延設形成されたタイバー部、リ
ード等の側面部に鍔を設け、この鍔を樹脂モールド内に
埋没させるので、パンケージングされた後に、例えば熱
襲撃が加えられ、リードフレームと樹脂モールド部との
収縮係数の違いから収縮応力等が生した場合でも、各側
面に設けられた鍔の働きによりリードフレーム各部のが
たつきを防止することができる。
体ペレットをｔｇ載するリードフレーム・グイ・バンド
部、グイ・パント部より延設形成されたタイバー部、リ
ード等の側面部に鍔を設け、この鍔を樹脂モールド内に
埋没させるので、パンケージングされた後に、例えば熱
襲撃が加えられ、リードフレームと樹脂モールド部との
収縮係数の違いから収縮応力等が生した場合でも、各側
面に設けられた鍔の働きによりリードフレーム各部のが
たつきを防止することができる。
従って、従来の中空型セラミックパッケージと同等の信
頼性を得ることができる。しかも低コストのため、民生
用機器に使用される固体撮像素子などのパッケージとし
て大量使用にも供することができる。
頼性を得ることができる。しかも低コストのため、民生
用機器に使用される固体撮像素子などのパッケージとし
て大量使用にも供することができる。
第１図は本発明に係るプリモールド型半導体装置の１実
施例を説明するためのプリモールド型プラスチックパッ
ケージの構成例を示す図であり、（ａ）は光透過窓枠内
の正面図、（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれｄ−ｄ’断面図
、第２図は中空型セラミックパッケージの斜視図、第３
図は第２図の受光窓から内部を覗いた正面図、第４図は
従来のプリモールド型プラスチックパッケージの構造を
示す図であり、第３図（ｂ）は同図（ａ）に示す線分ｇ
−ｇ’で切断した断面図である。 ７・・・リードフレーム内部端子（インナーリード）、
ＩＯ・・・リードフレーム・グイ・バンド部、１１・・
・モールド樹脂部。 出 願 人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 阿 部 龍 吉（外５名）第 図 第３図 （ｂ） 第２ 図 第４ 図
施例を説明するためのプリモールド型プラスチックパッ
ケージの構成例を示す図であり、（ａ）は光透過窓枠内
の正面図、（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれｄ−ｄ’断面図
、第２図は中空型セラミックパッケージの斜視図、第３
図は第２図の受光窓から内部を覗いた正面図、第４図は
従来のプリモールド型プラスチックパッケージの構造を
示す図であり、第３図（ｂ）は同図（ａ）に示す線分ｇ
−ｇ’で切断した断面図である。 ７・・・リードフレーム内部端子（インナーリード）、
ＩＯ・・・リードフレーム・グイ・バンド部、１１・・
・モールド樹脂部。 出 願 人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 阿 部 龍 吉（外５名）第 図 第３図 （ｂ） 第２ 図 第４ 図
Claims (4)
- （１）半導体ペレットを搭載実装するリードフレームの
側面に段差を設け、該段差の下段部を樹脂モールド部に
埋没したことを特徴とするプリモールド型半導体装置。 - （２）半導体ペレットを搭載するダイ・パッド部の側面
に鍔状の段差を設けたことを特徴とする請求項１記載の
プリモールド型半導体装置。 - （３）ダイ・パッド部を延設して形成されるタイバー部
の側面に鍔状の段差を設けたことを特徴とする請求項１
記載のプリモールド型半導体装置。 - （４）インナーリードの側面部分に鍔状の段差を設けた
ことを特徴とする請求項１記載のプリモールド型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63282698A JPH02129948A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | プリモールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63282698A JPH02129948A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | プリモールド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129948A true JPH02129948A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17655890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63282698A Pending JPH02129948A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | プリモールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129948A (ja) |
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| US9082833B1 (en) | 2011-01-06 | 2015-07-14 | Amkor Technology, Inc. | Through via recessed reveal structure and method |
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