JPS5889844A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5889844A JPS5889844A JP18687981A JP18687981A JPS5889844A JP S5889844 A JPS5889844 A JP S5889844A JP 18687981 A JP18687981 A JP 18687981A JP 18687981 A JP18687981 A JP 18687981A JP S5889844 A JPS5889844 A JP S5889844A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌ）発明の技術分野
樹脂封止部半導体装置４二おける外Ｉ！１ｍｌの改良に
関する。
関する。
２）従来の技術
従来上えば再書込み可能な続出し専用メ毫り回路素子（
１ｒａｉａｂｌ＊ ＰｒｏｇｒＨＩＩｍａｂｌｅ Ｂ４
ａｄ Ｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ ： ＩＰＪＭ）Ｍ ）は
外囲量の１郎６二素子チップ（二露光できる透光部を設
ける必要から合成樹脂しよるトランスファモールドで形
成できず、セラミックス、サーディツプ等の外囲器を用
いていた。
１ｒａｉａｂｌ＊ ＰｒｏｇｒＨＩＩｍａｂｌｅ Ｂ４
ａｄ Ｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ ： ＩＰＪＭ）Ｍ ）は
外囲量の１郎６二素子チップ（二露光できる透光部を設
ける必要から合成樹脂しよるトランスファモールドで形
成できず、セラミックス、サーディツプ等の外囲器を用
いていた。
３）従来の技術の問題点
外囲器６；透光部を設ける必要から硝子を合成樹脂ｓ＝
ａ ｍする問題があり、これが両者間の膨張係数差（
；起因するという不可避の現象から解決できず、高価な
セラミックス、ｆ−ディップ等の外＠Ｉ器による他なか
った・また、樹脂封止部；はリード−との接合面剥離の
問題、半導体チップおよびボンデインダワイヤ等とモー
ルド樹脂との接触面１二両者の膨張係数の差４二もとづ
く応力が発生すること（二よる品質保証上の問題、樹脂
モールド時（二樹脂を圧入すること４：よるポンディン
グワイヤ変臘等の問題があり九。
ａ ｍする問題があり、これが両者間の膨張係数差（
；起因するという不可避の現象から解決できず、高価な
セラミックス、ｆ−ディップ等の外＠Ｉ器による他なか
った・また、樹脂封止部；はリード−との接合面剥離の
問題、半導体チップおよびボンデインダワイヤ等とモー
ルド樹脂との接触面１二両者の膨張係数の差４二もとづ
く応力が発生すること（二よる品質保証上の問題、樹脂
モールド時（二樹脂を圧入すること４：よるポンディン
グワイヤ変臘等の問題があり九。
４）発明の目的
従来の問題点を除去し九樹脂對止外囲器の半導体装置を
提供する。
提供する。
５）発明の構成（ｌＩ約）
ｌＩｌの封止樹脂で凹部を形成しこの凹部内６二リード
フレームのマウント体１：：、Ｊｌｌｌの封止−樹脂と
膨張係数の異なるふた体を耐熱弾性のシール部材を介し
＄２の封止樹脂で二体４二封止形成され九樹脂封止臘半
導体装置。
フレームのマウント体１：：、Ｊｌｌｌの封止−樹脂と
膨張係数の異なるふた体を耐熱弾性のシール部材を介し
＄２の封止樹脂で二体４二封止形成され九樹脂封止臘半
導体装置。
６）発明の実施例（構成１作用、効果）樹脂封止型半導
体装置の一例の再書込み可能な続出し専用メモリー路素
子（ｊ！ｒａ＠ａｂｌｅ Ｐｒｏ−ｇｒａｍｍａｂｌｅ
＆１！ａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｖｎｏｒｙ ；
門Ｐ−ＩＫ）Ｍ ）（二つき図面を参照して以下１：
詳述する。
体装置の一例の再書込み可能な続出し専用メモリー路素
子（ｊ！ｒａ＠ａｂｌｅ Ｐｒｏ−ｇｒａｍｍａｂｌｅ
＆１！ａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｖｎｏｒｙ ；
門Ｐ−ＩＫ）Ｍ ）（二つき図面を参照して以下１：
詳述する。
＃Ｉ１図ないし嬉３図において、（１）は第１の封止樹
脂体で板状１！Ｉ （１Ｍ）と枠部（１ｂ）とからなｐ
ｌこの両者はリードフレーム（２）を挾んでエポキシ樹
脂のような接着剤（図示省略）で接着され、リードフレ
ームのリード（２ａ）、（２ｂ）・・・開本充填され気
密封着が達成されて、かつ中央Ｓ（二のち４二空関とな
る凹＃（３）が形成されている。上記構造は板状部、枠
′部、およびリードフレームから叙上の如く形成せずζ
二、予めリードフレーム４：トランスファモールドを施
して一体４：形成してもよい。いずれｄ二おいても中央
の凹部底（＝はリードフレームの半導体チップベッド（
２Ｅｎ）着され、かつチップの電極はボンディングワイ
ヤ（５ｍ）、（５ｂ）・四−よって対応し導出されるリ
ー）’ （２ｍ）、（２ｂ）・・・４＝電気的ζ：ｗ！
続される。叙上の如く構成されたマウント体（６） ４
：、シリコンゴムのシール（７）を介して透光性ふた体
（８）を当接させエポキシモールド樹脂（９）でモール
ド封止して形成される。
脂体で板状１！Ｉ （１Ｍ）と枠部（１ｂ）とからなｐ
ｌこの両者はリードフレーム（２）を挾んでエポキシ樹
脂のような接着剤（図示省略）で接着され、リードフレ
ームのリード（２ａ）、（２ｂ）・・・開本充填され気
密封着が達成されて、かつ中央Ｓ（二のち４二空関とな
る凹＃（３）が形成されている。上記構造は板状部、枠
′部、およびリードフレームから叙上の如く形成せずζ
二、予めリードフレーム４：トランスファモールドを施
して一体４：形成してもよい。いずれｄ二おいても中央
の凹部底（＝はリードフレームの半導体チップベッド（
２Ｅｎ）着され、かつチップの電極はボンディングワイ
ヤ（５ｍ）、（５ｂ）・四−よって対応し導出されるリ
ー）’ （２ｍ）、（２ｂ）・・・４＝電気的ζ：ｗ！
続される。叙上の如く構成されたマウント体（６） ４
：、シリコンゴムのシール（７）を介して透光性ふた体
（８）を当接させエポキシモールド樹脂（９）でモール
ド封止して形成される。
叙上の如く形成される半導体装置の外８！Ｉはエポキシ
のような合成樹脂でトランスファモールド形成されるの
で、廉価で量産４二適する上に膨張係数差により外囲器
（；生ずる応力が低減され、ふた体とのシール部の剥離
、リード封着部の漏洩等を生ずることなく封止が達成さ
れる・次−二はボンディングワイヤ、半導体チップとも
刺止樹脂−二非接触であるため、モールド時にモールド
が変型されることが皆無であり、さら−二双方の膨張係
数の差６二よる事故が完全に防止され友。
のような合成樹脂でトランスファモールド形成されるの
で、廉価で量産４二適する上に膨張係数差により外囲器
（；生ずる応力が低減され、ふた体とのシール部の剥離
、リード封着部の漏洩等を生ずることなく封止が達成さ
れる・次−二はボンディングワイヤ、半導体チップとも
刺止樹脂−二非接触であるため、モールド時にモールド
が変型されることが皆無であり、さら−二双方の膨張係
数の差６二よる事故が完全に防止され友。
次６；、この発明はｊＩ４図ｓ Ｍｓｒｉａに示すよう
（二、ふた体（１８つ、（１８りの周縁シ：厚さを低減
する段！（纂４図（２８’）、テーパ部（第５図（２８
’））を設け、封止樹脂と係合させて（よい。このよう
−二すれば封止を容易にするとともＣ；、半導体装置の
外観形状゛を向上させることができるＯさら（１１１１
１６図６＝示すよう（＝、シール（７りをふた体（８）
の側方（二人れて４よい。
（二、ふた体（１８つ、（１８りの周縁シ：厚さを低減
する段！（纂４図（２８’）、テーパ部（第５図（２８
’））を設け、封止樹脂と係合させて（よい。このよう
−二すれば封止を容易にするとともＣ；、半導体装置の
外観形状゛を向上させることができるＯさら（１１１１
１６図６＝示すよう（＝、シール（７りをふた体（８）
の側方（二人れて４よい。
シールの形状は図示した断面０ ＠ ４＝１Ｎらず、角
（４角、３角）ｍｌ（ｉｌ示省略）で４中空でもよい。
（４角、３角）ｍｌ（ｉｌ示省略）で４中空でもよい。
７）発明の効果
半導体装置の外囲器が樹脂封止で中空部を有し、かつ一
部６二透光性を備えて形成されるので量産に適するとと
−（二逓光部の組込部やリードの封着部（；おける漏洩
の間−尋をすべて解決でき九二 “−
部６二透光性を備えて形成されるので量産に適するとと
−（二逓光部の組込部やリードの封着部（；おける漏洩
の間−尋をすべて解決でき九二 “−
嬉１図ないし第ａｍｌは１ｌｌ−例を示し第１１Ｑは上
面−１第２図は側面図、第３゛幽−は断面図、第４図′
ないし第６図は夫々が別の実施例を示し、かりいずれも
一部を示す断面図である。 １ ！＠１の封止樹脂体 １ｍ 板状部 １ｂ 枠部、臣
リードフレーム ２ａ＊２ｂ・・・ リ −ド２
ｍ チップベッド ３ｇ！関（凹部）４
半導体チップ ７ シール＄ 透光
性ふた体 ９ モールド樹脂代理人 弁理士
井 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図
面−１第２図は側面図、第３゛幽−は断面図、第４図′
ないし第６図は夫々が別の実施例を示し、かりいずれも
一部を示す断面図である。 １ ！＠１の封止樹脂体 １ｍ 板状部 １ｂ 枠部、臣
リードフレーム ２ａ＊２ｂ・・・ リ −ド２
ｍ チップベッド ３ｇ！関（凹部）４
半導体チップ ７ シール＄ 透光
性ふた体 ９ モールド樹脂代理人 弁理士
井 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- １１ＥＩの封止樹脂で凹部を形成し仁の凹部内にリード
フレームのマウント部分が露出して影威されたマウ／ト
体４：：、Ｊｌｌｆｌの封止樹脂と膨張係数の異なるふ
走体を耐熱弾性のシール部材を介しＪ１２の封止樹脂で
一体ζ；封止形成され丸樹脂封止蓋半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687981A JPS5889844A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687981A JPS5889844A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889844A true JPS5889844A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16196276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18687981A Pending JPS5889844A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034800A (en) * | 1988-06-22 | 1991-07-23 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Hollow plastic package for semiconductor devices |
| US5115299A (en) * | 1989-07-13 | 1992-05-19 | Gte Products Corporation | Hermetically sealed chip carrier with ultra violet transparent cover |
| EP1909488A1 (en) * | 2005-07-25 | 2008-04-09 | Olympus Corporation | Imaging device and method for manufacturing imaging device |
| TWI640101B (zh) * | 2014-02-04 | 2018-11-01 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP18687981A patent/JPS5889844A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034800A (en) * | 1988-06-22 | 1991-07-23 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Hollow plastic package for semiconductor devices |
| US5115299A (en) * | 1989-07-13 | 1992-05-19 | Gte Products Corporation | Hermetically sealed chip carrier with ultra violet transparent cover |
| EP1909488A1 (en) * | 2005-07-25 | 2008-04-09 | Olympus Corporation | Imaging device and method for manufacturing imaging device |
| EP1909488A4 (en) * | 2005-07-25 | 2009-03-04 | Olympus Corp | FIGURE APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING A PICTURE DEVICE |
| US7785024B2 (en) | 2005-07-25 | 2010-08-31 | Olympus Corporation | Imaging apparatus and method of manufacturing the same |
| TWI640101B (zh) * | 2014-02-04 | 2018-11-01 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
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