JPS6079749A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6079749A
JPS6079749A JP58186710A JP18671083A JPS6079749A JP S6079749 A JPS6079749 A JP S6079749A JP 58186710 A JP58186710 A JP 58186710A JP 18671083 A JP18671083 A JP 18671083A JP S6079749 A JPS6079749 A JP S6079749A
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cap
light
pellet
ceramic
glass window
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JP58186710A
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Hiroshi Tsuneno
常野　宏
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に光透過窓を有する気密
封止型半導体装置のパッケージのキャップの機械的、熱
的ストレスに対する一度の向上を図るとともに、大面積
の半導体素子（ペレット）にも適用可能な気密封止型半
導体装置に関するものである。
〔背景技術〕
光を透過させることを目的としてガラス窓を設けた気密
封止型半導体装置のひとつとして、光透過用ガラス窓を
有したセラミック製キャップとセラミック製ペースとで
パッケージを構成するタイプがある。例えば、紫外線の
照射によりメモリな消去させるＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａ
ｂｌｅ　ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄ　０ｎｌｙ
　Ｍｅｍｏｒｙ）を備えた半導体素子ベレットは、通常
このタイプの気密封止型半導体装置に内装される。この
気密封止型半導体装置は、第１図及び第２図（第１図の
Ａ−Ａｉで切った矢視断面図）に示すように、セラミッ
ク製のベース１とキャップ２とでキャビティを構成し、
半導体素子ペレット（以下、ペレットという）３をその
内部のペースｌ上に固着し、ベース１とキャップ２間に
装着したり−ド４にペレット３をワイヤ５により電気的
に接続しに上で、低融点ガラス６を用いて、ベース１と
キャップ２とをキ、ヤビテイ内部の気密性を保つように
接合封止している。さらに、ペレット３の真上、に真円
形の紫外線透過用ガラス窓７をキャップ２のセラミック
と溶着せしめた構造となっている（特開昭５３−７４３
６８号公報）。
ところで、近年、ペレットは、ますます高集積化、大容
量化される傾向にあり、ノ（ツケージ本体内に内装され
るペレットも大寸法化される状態にある。そして、前記
ＥＦＲＯＭを備えたペレットにおいてもその傾向が著し
いものとなっている。
このため、気密封止型半導体装置は、そのパッケージ本
体及びそのキャビティを大型化してこの要求に対応する
必要があるが、同時に紫外線透過用ガラス窓も大型化し
て対応せねばならない。
しかしながら、本発明者の検討によれば、上述の技術を
製品に適用する上で、次のような問題があることがわか
った。第１図及び第２図に示す如く、リード４、特に外
部リード４ａは、その対向寸法Ｌ１が所定の値に規制さ
れているため、パッケージ本体の外形寸法（幅寸法）Ｌ
、の増太属は限界がある。このために、キャビティ（幅
）寸法り、及び紫外線透過用ガラス窓の直径寸法Ｌ４を
増大させていくことが考えられるが、１から紫外線透過
用ガラス窓の周辺部のセラミックの寸法もは縮小化され
ることとなる。このように、紫外線透過用ガラス窓周辺
部のセラミックの寸法（ガラス窓とパッケージ本体の端
部との最短距離）　、、ｅ＋が小さくなると、キャップ
２の構造体としての機械的強度が低下するため、パッケ
ージ本体に機械・的及び熱的ストレスが加わった場合に
セラミック又は低融点ガラスに亀裂が生じやすくなり、
気密封止型半導体装置の信頼性を低下させる要因となっ
てしまう。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、大寸法のＥＦＲＯＭを具備したベレッ
ト等の感光型半導体素子を内装するセラミックキャップ
の機械的強度を増し、かつ、気密封止の信頼性の向上を
図った気密封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、気密封止型半導体装置において、感光型半導
体素子に対向する光透過用ガラス窓の形状を真円形のも
のから楕円形状にしたものである。
〔実施例〕
第３図は、本発明の一実施例の斜視図、第４図は、第３
図のＡ−Ａａ！で切った矢視断面図、第５図は、第３図
の平面図である。
第３図、第４図及び第５図において、１１はセラミック
からなるパッケージのベース、１２はベース１１におい
てキャビティを構成する凹部、１３はＥＰＲＯＭを具備
したベレット等の感光型半導体素子（以下、単にペレッ
、トという）１４を前述の凹部１２に固着する銀（Ａｇ
）ペースト、１４はベレット、１５はセラミックからな
るパッケージのキャップ、１６は前記ベース１１におけ
る凹部１２とともにキャビティを構成する逆凹部、１７
はベレット１４と対回すキャップ１５０所定部に設けら
れた楕円形状の光透過用ガラス窓、１８はリード、１８
ａは内部リード、１８ｂは外部リード、１９は前記の内
部リード１８ａとベレット１４とを電気的に接続するワ
イヤ、２０はベース１１とキャップ１５の相対する白縁
部においてキャビティ内部の気密性を保つ接合封止のた
めの低融点ガラスである。
本実施例は、第３図及び第４図に示す如く、セラミック
のベース１１の上面中央部に凹部１２を形成し、この凹
部１２の内底面に銀ペースト１３等の接合材を用いてベ
レット１４を固着している。
一方、前記ベース１１の上部に取り付けられるキャップ
１５もセラミックで形成されており、その下面中央部に
は前記凹部１２とでキャビティを構成する逆凹部１６が
形成されており、ベレット１４の上部では楕円形状の光
透過用ガラス窓１７をキャップ１５のセラミックと溶着
した構造となっている。そして、前記ベース１１とキャ
ップ１５とは、周辺の相対的な白縁部において対向させ
た上で、低融点ガラス２０によって接合され、リード１
８が固着されており、前記ベレット１４と内部リード１
８ａとはワイヤ１９により電気的に接続されている。さ
らに、第３図および第５図に示すように、楕円形状を有
する光透過用ガラス窓１７における窓周辺部のセラミッ
クの寸法４．＋’！、ベレット１４に必要な光量を透過
させるにたりるようにガラス窓の面積を同一にした真円
形状の光透過用ガラス窓１７ａにおける窓周辺部のセラ
ミックの寸法ＪＩに比べて大きくなる。
以上説明した構成によれば、窓周辺部のセラミックの寸
法１．は、楕円形状の光透過用ガラス窓１７であるため
に、大きな長方形のペレット１４を搭載しても大きく取
れることとなる。光透過用ガラス窓１７を有するセラミ
ックキャンプ１５の機械的強度は、窓周辺部のセラミッ
クの寸法Ｊ。
に大きく依存し、この寸法が真円形の光透過用ガラス窓
１７ａにおける窓周辺部のセラミックの寸法Ｊ、程度に
小さすぎると熱的あるいは機械的ストレスが印加された
とぎにその部分のセラミック又は低融点ガラス亀裂が生
ずることに鑑みると、同一面積の真円形の光透過用ガラ
ス窓１７ａを有するよりも、楕円形状の光透過用ガラス
窓１７を有するパッケージ（Ａ、、Ｍ、）の方が、信頼
性が高い。すなわち、依頼性の高い気密制止型半導体装
置を提供し得ると云う一大利点をもたらすものであるこ
とが容易に理解される。また、同一信頼性な保つ上では
、楕円形状の光透過用ガラス窓１７を有するパッケージ
には、真円形の光透過用ガラス窓１７ａを有するパッケ
ージに比してより大容量（大面積）のペレット１４を搭
載し得ることが可能となる。
〔効　果〕
光透過用ガラス窓を有する構造において、楕円形状の光
透過用ガラス窓を形成しているので、キャップの機械的
強度を損ねることなく、大容量の半導体素子を搭載する
ことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。本発明は少なくともパ
ッケージに光透過用ガラス窓を有する半導体装置であれ
ば応用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の背景となった気密封止型半導体装置
の斜視図。 第２図は、第１図をＡ−Ａ線で切った矢視断面図、 第３図は、本発明の気密封止型半導体装置の一実施例の
斜視図、 第４図は、第３図をＡ−Ａ線で切札った矢視断面図、 第５図は、第３図の平面図である。 図中。 １１・・・ベース、１３・・・銀ペース）、１４・・・
ペレット、１５・・・キャップ、１７・・・光透過用ガ
ラス窓、１８・・・リード、１８ａ・・・内部リード、
１８ｂ・・・外部リード、１９・・・ワイヤ、２０・・
・低融点ガラス、。 第　１　図 第　２　図 第　３　図 第　４　図 ７

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、光透過窓を有する気密封止用キャップを備えた気密
    封止型半導体装置において、前記光透過窓を楕円形状と
    したことを特徴とする半導体装置。
JP58186710A 1983-10-07 1983-10-07 半導体装置 Pending JPS6079749A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204549A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Hirabayashi:Kk 半導体装置の製造方法
WO2006117710A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with glass housing
WO2007054819A2 (en) * 2005-11-10 2007-05-18 Hymite A/S Sealed package with glass window for optoelectronic components and assemblies incorporating the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204549A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Hirabayashi:Kk 半導体装置の製造方法
WO1987005442A1 (en) * 1986-03-05 1987-09-11 Kabushiki Kaisha Hirabayashi Semiconductor device and method of fabricating the same
JPH0548952B2 (ja) * 1986-03-05 1993-07-22 Hirabayashi Kk
WO2006117710A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with glass housing
WO2007054819A2 (en) * 2005-11-10 2007-05-18 Hymite A/S Sealed package with glass window for optoelectronic components and assemblies incorporating the same
WO2007054819A3 (en) * 2005-11-10 2008-01-03 Hymite As Sealed package with glass window for optoelectronic components and assemblies incorporating the same

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