JP2002100692A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2002100692A
JP2002100692A JP2000291096A JP2000291096A JP2002100692A JP 2002100692 A JP2002100692 A JP 2002100692A JP 2000291096 A JP2000291096 A JP 2000291096A JP 2000291096 A JP2000291096 A JP 2000291096A JP 2002100692 A JP2002100692 A JP 2002100692A
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ultraviolet curable
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JP2000291096A
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Satoshi Miura
聡 三浦
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】小型軽量で薄型の半導体装置となり、半導体素
子の受光部に樹脂が侵入せず受光特性が低下しないもの
とすること。 【解決手段】上面に受光部2が設けられ上面の周縁部に
電極8が形成された半導体素子1が上側主面に載置さ
れ、上側主面の半導体素子1の載置部より周縁側に電極
パッド9が形成された基体5と、電極8と電極パッド9
を電気的に接続したボンディングワイヤ6と、電極8お
よびボンディングワイヤ6の電極8からの立ち上がり部
を覆って上面の周縁部の全周に設けられた第1の紫外線
硬化性樹脂4aと、第1の紫外線硬化性樹脂4aの上面
に設けられ幅が小さい第2の紫外線硬化性樹脂4bと、
半導体素子1を覆って第2の紫外線硬化性樹脂4bの上
部で接着された透光性部材3と、半導体素子1と第1,
第2の紫外線硬化性樹脂4a,4bおよび透光性部材3
の側部の全周を封止する封止樹脂7とを具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトダイオー
ド,ラインセンサ,イメージセンサ等の受光素子である
半導体素子またはこれらの受光部を有する半導体素子を
具備した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のフォトダイオード(PD),ライ
ンセンサ,イメージセンサ等の受光素子である半導体素
子またはこれらの受光部を有する半導体素子を具備した
半導体装置は、以下のように構成されていた。セラミッ
クス等から成り半導体素子を載置する底板としての基体
と、セラミックス等から成り基体の周縁部に半導体素子
を囲繞するように設けられた枠体とから構成される容器
本体の内部に半導体素子を載置して接着固定し、半導体
素子の電極と基体上面の外部接続用の電極パッドとを基
体上面に設けられたメタライズ層等で接続し、枠体上面
の外形と略同形状のガラス等から成る蓋体を枠体上部に
載置し樹脂により封止することによって作製される。
【0003】例えば、従来例として、端子が設けられた
ガラス基板と、ガラス基板面上に離隔し、撮像面のマイ
クロレンズを対向させて搭載、配置された固体撮像素子
と、固体撮像素子端子およびガラス基板端子間を電気的
に接続するバンプと、対向する固体撮像素子のマイクロ
レンズ面およびガラス基板面間に空間を形成しながら固
体撮像素子周面部を一体的に封止する樹脂層とを具備す
ることにより、マイクロレンズ面に異材質が直接接触す
ることを回避する構成を採ることができ、マイクロレン
ズ機能が常時十分に確保され、また組み立てが簡易化さ
れて生産性の高いものとなるというものが提案されてい
る(特開平7−231074号公報参照)。
【0004】また、他の従来例として、PD,ラインセ
ンサ,イメージセンサ等の受光素子を有する半導体素子
に対して、ガラス,石英,サファイア,透明樹脂等の透
明部材を、半導体素子の受光部表面との間に空間が形成
されるように半導体素子の受光部エリアにのみ配設し
て、受光部エリアを封止することにより、小型軽量化を
図ることができ、封止樹脂の受光部エリアへの侵入を防
止することができるものが知られている(特開平11−
26782号公報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例においては、固体撮像素子のマイクロレンズ面と
ガラス基板面間との間の空間、および、透明部材と半導
体素子の受光部表面との間の空間を形成するために、樹
脂製枠体や樹脂製の封止枠を、固体撮像素子や半導体素
子の外周部に設けており、この樹脂製枠体や樹脂製の封
止枠が半導体装置の小型軽量化、薄型化を妨げていた。
また、樹脂製枠体や樹脂製の封止枠を別途作製して位置
精度良く配置する必要があるため、組み立ての作業性が
悪く、生産性が低下し易いものであった。
【0006】このような樹脂製枠体や樹脂製の封止枠に
代えて、封止樹脂により上記の空間を形成することもで
きるが、この場合塗布された封止樹脂が受光部エリアに
侵入し、受光部エリアの一部が封止樹脂で覆われて、受
光特性が劣化するという問題が発生し易いものであっ
た。
【0007】また、ガラス基板や透明部材を使用せず
に、受光部表面を含む半導体素子の上面および側面を透
明樹脂で覆う構成(樹脂モールド)も採り得るが、半導
体素子の発熱による熱的ストレスや透明樹脂の吸湿によ
り、受光部表面から透明樹脂が剥離し易いという問題が
あった。さらに、半導体素子がマイクロレンズ付のイメ
ージセンサである場合、またはそのようなイメージセン
サ部を有するものである場合、透明樹脂のマイクロレン
ズ面上への被覆により、レンズ効果が大幅に低下すると
いう問題もあった。
【0008】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、小型軽量化および薄型化
が達成されるとともに組み立ての作業性が良好であり、
生産性が良く、また封止樹脂が半導体素子の受光部エリ
アに侵入して受光特性が劣化するのを防止し得るものと
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上面に受光部が設けられかつ前記上面の周縁部に電極が
形成された半導体素子が上側主面に載置されるととも
に、該上側主面の前記半導体素子の載置部より周縁側に
電極パッドが形成された基体と、前記電極および前記電
極パッドを電気的に接続したボンディングワイヤと、前
記電極および前記ボンディングワイヤの前記電極からの
立ち上がり部を覆うように前記上面の周縁部の全周に設
けられた第1の紫外線硬化性樹脂と、該第1の紫外線硬
化性樹脂の上面に設けられた、前記第1の紫外線硬化性
樹脂よりも幅が小さい第2の紫外線硬化性樹脂と、前記
半導体素子を覆うように前記第2の紫外線硬化性樹脂の
上部でもって接着された、外形が前記半導体素子と略同
形の透光性部材と、前記半導体素子および前記第1,第
2の紫外線硬化性樹脂並びに前記透光性部材の側部の全
周を封止する封止樹脂とを具備したことを特徴とする。
【0010】本発明は、上記の構成により、第1の紫外
線硬化性樹脂が基体の周縁部に枠状に形成されるため、
半導体素子と透光性部材とで形成される空間の側壁と成
り、また第1の紫外線硬化性樹脂はボンディングワイヤ
の頂部の直上に透光性部材の周縁部が位置するように形
成できるため、きわめて小型軽量で薄型の半導体装置と
成し得る。また、第1の紫外線硬化性樹脂は塗布後直ち
に硬化させることができるため、半導体素子の受光部に
侵入するのを防ぐことができ、また第1の紫外線硬化性
樹脂中にボンディングワイヤが入り込む構造であること
から、第1の紫外線硬化性樹脂の硬化前の流れ出しを抑
制でき、硬化後の強度も十分に維持できる。従って、第
1の紫外線硬化性樹脂が半導体素子の受光部エリアに侵
入して受光特性が劣化するのを防止し得、別個の枠体等
を作製し配置する必要もないので、低コストに製造で
き、組み立ての作業性も良好となる。
【0011】また、第1,第2の紫外線硬化性樹脂を積
層させた2段構造としているため、第1の紫外線硬化性
樹脂を塗布し硬化して枠状の側壁を完成させ、その上面
に第2の紫外線硬化性樹脂を介して透光性部材を接着す
ることができる。従って、一旦第1の紫外線硬化性樹脂
を硬化させてから、第2の紫外線硬化性樹脂により透光
性部材を接着することができるため、透光性部材を接着
するまでの作業時間の間に未硬化の第1の紫外線硬化性
樹脂が受光部エリアに侵入するといったことがなくな
る。
【0012】さらに、半導体素子の受光部エリアの面と
透光性部材の主面とが平行に位置するように、透光性部
材の上面から押圧力を加えて傾きを調整する際に、第2
の紫外線硬化性樹脂の幅を第1の紫外線硬化性樹脂の幅
よりも小さくしているので、第2の紫外線硬化性樹脂が
押圧力により受光部エリアに侵入することを防ぐことが
できる。
【0013】本発明において、好ましくは、前記第1の
紫外線硬化性樹脂および/または第2の紫外線硬化性樹
脂が暗色系に着色されていることを特徴とする。
【0014】上記の構成により、外部より入射された光
が、紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光さ
れるのを防ぐことができる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置について以下
に説明する。図1は本発明の半導体装置の断面図であ
り、同図において、1はフォトダイオード(PD),ラ
インセンサ,イメージセンサ,CCD(Charge Couple
d Device),EPROM(Erasable Programmable
ROM)等の受光素子である半導体素子またはこれらの
受光部を有する半導体素子、2は半導体素子の受光部、
3はガラス,石英,サファイア,透明樹脂等から成る透
光性部材、4aは第1の紫外線硬化性樹脂、4bは第2
の紫外線硬化性樹脂、5は半導体素子1を載置する基
体、6は半導体素子1の電極8と基体5の電極パッドと
を電気的に接続するボンディングワイヤ、7は封止樹脂
である。
【0016】本発明において、半導体素子1は、その上
面の中央部等の一部に受光部2が設けられており、その
上面の受光部2の周囲側である周縁部には、入出力用の
電極8が形成されている。
【0017】また、半導体素子1が載置される基体5の
上側主面には、半導体素子1の載置部より周縁側に電極
パッド9が設けられており、この電極パッド9は基体5
の配線パターン(図示せず)や外部電気回路等に接続さ
れる。
【0018】この基体5は、アルミナ(Al23)セラ
ミックス,ムライト(3Al23・2SiO2)セラミ
ックス等のセラミックス材料、ガラスセラミックス材料
等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂(ポリテトラフル
オロエチレン;PTFE),四ふっ化エチレン・エチレ
ン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合樹脂;ETFE),四ふっ化エチレン・パーフルオロ
アルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレ
ン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;
PFA)等のフッ素樹脂,ガラスエポキシ樹脂,ポリイ
ミド等の樹脂系材料、またはAl,Cu,Fe−Ni−
Co合金,Fe−Ni合金,Cu−W合金等の金属材料
が使用できる。
【0019】電極8および電極パッド9は、Cu、Mo
−Mnのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッ
キ層を被着させたもの、Wのメタライズ層上にNiメッ
キ層およびAuメッキ層を被着させたもの、Cr−Cu
合金層、Cr−Cu合金層上にNiメッキ層およびAu
メッキ層を被着させたもの、Ta2N層上にNi−Cr
合金層およびAuメッキ層を被着させたもの、Ti層上
にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの、または
Ni−Cr合金層上にPt層およびAuメッキ層を被着
させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜
形成方法やメッキ法等により形成される。
【0020】また、電極8と電極パッド9とは、アルミ
ニウム(Al),金(Au)等から成るボンディングワ
イヤ6で電気的に接続されており、ボンディングワイヤ
6は電極8から立ち上がり、次いで基体5の上側主面の
周縁部の電極パッド9へ向かって下方へ折り曲げられて
おり、その折り曲げ部が頂部となる。
【0021】そして、ボンディングワイヤ6の少なくと
も立ち上がり部が第1の紫外線硬化性樹脂4aで覆われ
ており、かつ半導体素子1の上面の周縁部の全周に第1
の紫外線硬化性樹脂4aが設けられる。第1の紫外線硬
化性樹脂4aの上面に第2の紫外線硬化性樹脂4bが設
けられ、第2の紫外線硬化性樹脂4bの幅が第1の紫外
線硬化性樹脂4aの幅よりも小さくなっている。これら
の第1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,4bは、アクリ
ル系樹脂,エポキシ系樹脂,シリコーン系樹脂,ポリエ
ーテルアミド系樹脂であり、紫外線硬化性と熱硬化性の
両特性を有する併用型であってもよい。また、ボンディ
ングワイヤ6の立ち上がり部から折り曲げ部までの部分
を第1の紫外線硬化性樹脂4aで覆ってもよく、その折
り曲げ部は頂部に至らない部分まで、略頂部まで、また
は頂部から下向きに折り曲がった部分までのいずれであ
ってもよい。
【0022】本発明において、第1の紫外線硬化性樹脂
4a及び第2の紫外線硬化性樹脂4bの高さによって規
定される、半導体素子1と透光性部材3との間隔が0.
01〜0.5mmであることが好ましく、0.01mm
未満では、受光部のマイクロレンズ等に蓋体3が接触す
るといった不具合を生じるおそれがあり、0.5mmを
超えると、小型化、薄型化が成されず実用性が低下す
る。
【0023】また、第1,第2の紫外線硬化性樹脂4
a,4bの少なくとも一方が、黒色、黒灰色、茶色、褐
色、黒褐色、濃緑色、濃青色、青緑色、濃紫色、暗赤色
等の暗色系に着色されているのがよく、この場合染料、
顔料等を紫外線硬化性樹脂4に混入させることで容易に
暗色系とし得る。このように、第1,第2の紫外線硬化
性樹脂4a,4bの少なくとも一方を暗色系とすること
で、第1の紫外線硬化性樹脂4aおよび/または第2の
紫外線硬化性樹脂4bの表面における光の反射、散乱を
抑制することができ、受光部2にノイズが入るのを大幅
に抑えることができる。
【0024】顔料としては、カーボン,チタン,酸化鉄
等であり、またはこれらの2種以上の混合物がよく、こ
の場合黒色系の顔料となり最も光吸収性に富むものとな
る。第1の紫外線硬化性樹脂4aおよび/または第2の
紫外線硬化性樹脂4bの全固形成分に対する顔料の含有
量は0.1〜50重量%がよく、0.1重量%未満では
着色が困難となり、50重量%を超えると第1,第2の
紫外線硬化性樹脂4a,4bに照射される紫外線が顔料
により遮断されて第1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,
4bの硬化が困難となる。また、カーボン等の導電性粒
子の場合その導電性粒子にアクリル樹脂等をコーティン
グしたものを用いれば、ボンディングワイヤ6から第
1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,4bを通じてのショ
ート等の問題が解消される。また、アルミナ等の粒子を
用いることもでき、これはCr等を混入することで濃紫
色とし得る。
【0025】また、顔料用の粒子の平均粒径は約0.0
5〜約1μmがよく、0.05μm未満ではフィラーが
凝集して分散性が低下し易くなる。1μmを超えると、
粒子間の隙間が大きくなり、また粒子径が大きいため紫
外線が粒子で遮断され易くなり、紫外線硬化性樹脂4の
硬化性および接着性が低下し易くなる。
【0026】第1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,4b
の明度、彩度、光透過性に関しては、全くの黒色等に着
色すると紫外線が粒子で遮断され易くなり、第1,第2
の紫外線硬化性樹脂4a,4bの硬化性が低下する。従
って、半光透過性にしたものや茶色系に着色したもの
が、硬化性を阻害しない点で好ましい。
【0027】また、染料を用いる場合、ゼラチン,グリ
ュー,ガゼイン等の天然樹脂あるいはアミン変性ポリビ
ニルアルコール等の合成樹脂から成る染色基材を酸性染
料等の染料で染色して、それを第1,第2の紫外線硬化
性樹脂4a,4bに混入させることにより着色し得る。
【0028】さらには、第1,第2の紫外線硬化性樹脂
4a,4bの表面の光の反射、散乱を抑制するために、
艶消し剤を含有させてもよい。
【0029】また、封止樹脂7は、半導体素子1および
第1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,4b並びに透光性
部材3の側部の全周を封止するように設けられ、半導体
素子1と透光性部材3と第1,第2の紫外線硬化性樹脂
4a,4bとで形成される内部の空間を気密に封止す
る。この封止樹脂7は、図1に示すように、基体5の周
縁側の電極パッド9およびボンディングワイヤ6の立ち
下がり部までを覆うように設けることができる。また、
半導体素子1と第1,第2の紫外線硬化性樹脂4a,4
bおよび透光性部材3の側部のみに設けることもでき、
従って、この側部に少なくとも塗布形成すればよい。
【0030】この封止樹脂7は、フェノール系樹脂,シ
リコーン系樹脂,アクリル系樹脂,ポリエーテルアミド
系樹脂,尿素樹脂,メラミン樹脂,ポリエステル樹脂,
エポキシ系樹脂,ケイ素樹脂,フタル酸ジアリル,ポリ
ウレタン等の熱硬化性樹脂がよく、このような熱硬化性
樹脂を用いることで、硬化した第1,第2の紫外線硬化
性樹脂4a,4bを熱により軟化させることがなく、半
導体素子1と透光性部材3と第1,第2の紫外線硬化性
樹脂4a,4bとで形成される内部の空間を保持した状
態で気密に封止し得る。特に、この封止樹脂7は、シリ
コーン系樹脂,アクリル系樹脂,エポキシ系樹脂がよ
く、これらは密着封止性に優れている。
【0031】また、本発明の半導体装置は、母基板に多
数個を作製しておき、作製後ダイシング法等により個々
の半導体装置に切断し分割してもよい。その場合、図1
の破線部7aに示すように、封止樹脂7の上部および側
部は、半導体装置全体が直方体状を成すように角張って
いてもよい。
【0032】本発明の透光性部材3は、半導体素子1を
覆うような半導体素子1の外形と略同形の板状のもので
あり、外光を透過させる窓部および蓋体として機能す
る。この透光性部材3は、主面が平面状の平板状に限ら
ず、レンズ状に加工されたものでもよい。透光性部材3
の厚さは0.3〜1.0mm程度が良く、0.3mm未
満では、強度が小さいため組み立て中に破損したり、樹
脂封止によって反りが発生し取り込んだ画像が歪むとい
う問題が発生し易い。1.0mmを超えると、小型軽量
化および薄型化が成されず実用性が低下する。
【0033】また、透光性部材3としては、光透過率、
製造のし易さ、化学的安定性、強度等の点で、ソーダガ
ラス等のガラス、プラスチック、サファイア(アルミナ
の単結晶)、石英等が好ましい。
【0034】かくして、本発明は、第1,第2の紫外線
硬化性樹脂が半導体素子と透光性部材とで形成される空
間の側壁と成り、またボンディングワイヤの頂部の直上
に透光性部材の周縁部が位置するように形成できるた
め、きわめて小型軽量で薄型の半導体装置と成る。ま
た、第1の紫外線硬化性樹脂は塗布後直ちに硬化させる
ことができるため、半導体素子の受光部に第1の紫外線
硬化性樹脂が侵入するのを防ぐことができ、また第1の
紫外線硬化性樹脂中にボンディングワイヤが入り込む構
造であることから、第1の紫外線硬化性樹脂の硬化前の
流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に維持でき
る。また、一旦第1の紫外線硬化性樹脂を硬化させた後
に、幅の小さい第2の紫外線硬化性樹脂により透光性部
材を接着できるので、第1の紫外線硬化性樹脂のみなら
ず第2の紫外線硬化性樹脂の受光部エリアへの流れ出し
も抑制できる。
【0035】従って、第1の紫外線硬化性樹脂が半導体
素子の受光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを
防止し得、また別個の枠体等を作製し配置する必要もな
いので、低コストに製造でき、組み立ての作業性も良好
となる。
【0036】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【0037】
【発明の効果】本発明は、上面に受光部が設けられかつ
上面の周縁部に電極が形成された半導体素子が上側主面
に載置されるとともに、上側主面の半導体素子の載置部
より周縁側に電極パッドが形成された基体と、電極およ
び電極パッドを電気的に接続したボンディングワイヤ
と、電極およびボンディングワイヤの電極からの立ち上
がり部を覆うように上面の周縁部の全周に設けられた第
1の紫外線硬化性樹脂と、第1の紫外線硬化性樹脂の上
面に設けられた、第1の紫外線硬化性樹脂よりも幅が小
さい第2の紫外線硬化性樹脂と、半導体素子を覆うよう
に第2の紫外線硬化性樹脂の上部でもって接着された、
外形が半導体素子と略同形の透光性部材と、半導体素子
および第1,第2の紫外線硬化性樹脂並びに透光性部材
の側部の全周を封止する封止樹脂とを具備したことによ
り、第1の紫外線硬化性樹脂が基体の周縁部に枠状に形
成されるため、半導体素子と透光性部材とで形成される
空間の側壁と成り、また第1の紫外線硬化性樹脂はボン
ディングワイヤの頂部の直上に透光性部材の周縁部が位
置するように形成できるため、きわめて小型軽量で薄型
の半導体装置と成し得る。また、第1の紫外線硬化性樹
脂は塗布後直ちに硬化させることができるため、半導体
素子の受光部に侵入するのを防ぐことができ、また第1
の紫外線硬化性樹脂中にボンディングワイヤが入り込む
構造であることから、第1の紫外線硬化性樹脂の硬化前
の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に維持でき
る。従って、第1の紫外線硬化性樹脂が半導体素子の受
光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し
得、また別個の枠体等を作製し配置する必要もないの
で、低コストに製造でき、組み立ての作業性も良好とな
る。
【0038】また、第1,第2の紫外線硬化性樹脂を積
層させた2段構造としているため、第1の紫外線硬化性
樹脂を塗布し硬化して枠状の側壁を完成させ、その上面
に第2の紫外線硬化性樹脂を介して透光性部材を接着す
ることができる。従って、一旦第1の紫外線硬化性樹脂
を硬化させてから、第2の紫外線硬化性樹脂により透光
性部材を接着することができるため、透光性部材を接着
するまでの作業時間の間に未硬化の第1の紫外線硬化性
樹脂が受光部エリアに侵入するといったことがなくな
る。
【0039】さらに、半導体素子の受光部エリアの面と
透光性部材の主面とが平行に位置するように、透光性部
材の上面から押圧力を加えて傾きを調整する際に、第2
の紫外線硬化性樹脂の幅を第1の紫外線硬化性樹脂の幅
よりも小さくしているので、第2の紫外線硬化性樹脂が
押圧力により受光部エリアに侵入することを防ぐことが
できる。
【0040】本発明は、好ましくは、第1の紫外線硬化
性樹脂および/または第2の紫外線硬化性樹脂が暗色系
に着色されていることにより、外部より入射された光
が、紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光さ
れるのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の一実施形態の断面図であ
る。
【符号の説明】
1:半導体素子 2:受光部 3:透光性部材 4a:第1の紫外線硬化性樹脂 4b:第2の紫外線硬化性樹脂 5:基体 6:ボンディングワイヤ 7:封止樹脂 8:電極 9:電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/02 H01L 31/02 B

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面に受光部が設けられかつ前記上面の周
    縁部に電極が形成された半導体素子が上側主面に載置さ
    れるとともに、該上側主面の前記半導体素子の載置部よ
    り周縁側に電極パッドが形成された基体と、前記電極お
    よび前記電極パッドを電気的に接続したボンディングワ
    イヤと、前記電極および前記ボンディングワイヤの前記
    電極からの立ち上がり部を覆うように前記上面の周縁部
    の全周に設けられた第1の紫外線硬化性樹脂と、該第1
    の紫外線硬化性樹脂の上面に設けられた、前記第1の紫
    外線硬化性樹脂よりも幅が小さい第2の紫外線硬化性樹
    脂と、前記半導体素子を覆うように前記第2の紫外線硬
    化性樹脂の上部でもって接着された、外形が前記半導体
    素子と略同形の透光性部材と、前記半導体素子および前
    記第1,第2の紫外線硬化性樹脂並びに前記透光性部材
    の側部の全周を封止する封止樹脂とを具備したことを特
    徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】前記第1の紫外線硬化性樹脂および/また
    は第2の紫外線硬化性樹脂が暗色系に着色されているこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6649991B1 (en) * 2002-04-22 2003-11-18 Scientek Corp. Image sensor semiconductor package
JP2008124255A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Shinko Electric Ind Co Ltd パッケージ用キャップ

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