JP2002164524A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2002164524A
JP2002164524A JP2000360133A JP2000360133A JP2002164524A JP 2002164524 A JP2002164524 A JP 2002164524A JP 2000360133 A JP2000360133 A JP 2000360133A JP 2000360133 A JP2000360133 A JP 2000360133A JP 2002164524 A JP2002164524 A JP 2002164524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrode pad
resin layer
semiconductor element
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000360133A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Miyahara
将章 宮原
Masami Yoshikawa
雅実 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2000360133A priority Critical patent/JP2002164524A/ja
Publication of JP2002164524A publication Critical patent/JP2002164524A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H01L2224/48996—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/48997—Reinforcing structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型化された半導体装置とするとともに、半導
体装置完成後の強い振動に対しても接続部が外れないも
のとすること。 【解決手段】上側主面に凹部１ａが形成され凹部１ａの
側壁１ｃ上面に電極パッド４が形成された基体１と、凹
部１ａの底面１ｂに載置され上面の中央部に受光部２ａ
が設けられかつ周縁部に電極３が形成された半導体素子
２と、電極３および電極パッド４を電気的に接続したボ
ンディングワイヤ５と、電極パッド４を覆うように側壁
１ｃ上面の全周に設けられた樹脂層６と、樹脂層６の上
部で接着されて半導体素子２を封止する透光性蓋体７と
を具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトダイオー
ド，ラインセンサ，イメージセンサ等の受光素子である
半導体素子またはこれらの受光部を有する半導体素子を
具備した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトダイオード（ＰＤ），ライ
ンセンサ，イメージセンサ等の受光素子である半導体素
子またはこれらの受光部を有する半導体素子を具備した
半導体装置は、以下のように構成されていた。セラミッ
クス等から成り半導体素子を載置する底板としての基体
と、セラミックス等から成り基体の周縁部に半導体素子
を囲繞するように設けられた枠体とから構成される容器
本体の内部に半導体素子を載置して接着固定し、半導体
素子の電極と基体上面の外部接続用の電極パッドとをボ
ンディングワイヤや基体上面に設けられたメタライズ層
等で接続し、枠体上面の外形と略同形状のガラス等から
成る蓋体を枠体上部に載置し樹脂により封止することに
よって作製される。
【０００３】例えば、上記構成に類似した従来例とし
て、外部光を受光して光電変換する受光素子部を含む半
導体素子と、半導体素子用のパッケージと、受光素子部
への光の入射を可能にするためにパッケージの半導体素
子と対向する位置に配置された透明保護部材と、透明保
護部材の外側表面において受光素子部以外の半導体素子
表面に相対する部分に設けられた遮光部材とを有するこ
とにより、不要光を遮光することにより高画質の画像を
検出可能な固体撮像素子が提案されている（特開平８−
８８３３９号公報参照）。
【０００４】また、他の従来例として、印刷回路基板上
の所定領域に取り付けられる半導体チップと、半導体チ
ップ上部に付着され受光ないし発光作用を行なう光素子
と、半導体チップを側面から保護するように印刷回路基
板上の両側に取り付けられるウインドフレームと、ウイ
ンドフレーム上部に付着されるガラスリッドとを具備す
ることにより、フォトダイオード等の光素子の光透過率
を阻害せず、低コストに製造可能で実装面積を低減でき
る光電変換用半導体パッケージが知られている（特開平
５−２５９４８３号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例においては、半導体素子に信号を入出力させるた
めのボンディングワイヤは、半導体素子の上面の電極と
パッケージの半導体素子より外周側の底面等に形成され
た電極パッドとの間で接続されており、電極パッドがパ
ッケージ内の底面等にあることから、パッケージが大き
くなり小型化が困難であるという問題点があった。
【０００６】また、半導体素子の上面の電極とパッケー
ジ内の底面の電極パッドとを接続するボンディングワイ
ヤは、その曲がりが大きくなるとともに長さが長くなる
ためインダクタンスが大きくなり、信号の伝送損失が増
大するといった問題点もあった。
【０００７】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、小型軽量化が達成される
とともにボンディングワイヤのインダクタンスが小さく
なって信号の伝送損失を小さくし得るものとすることに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上側主面に凹部が形成され該凹部の側壁上面に電極パッ
ドが形成された基体と、前記凹部の底面に載置され上面
の中央部に受光部が設けられかつ周縁部に電極が形成さ
れた半導体素子と、前記電極および前記電極パッドを電
気的に接続したボンディングワイヤと、前記電極パッド
を覆うように前記側壁上面の全周に設けられた樹脂層
と、該樹脂層の上部で接着されて前記半導体素子を封止
する透光性蓋体とを具備したことを特徴とする。
【０００９】本発明は、上記の構成により、基体側の電
極パッドが、透光性蓋体の接合部である基体の側壁上面
に形成されているため、基体の平面視における面積が小
さくなり小型化されたものとなる。また、基体側の電極
パッドおよびボンディングワイヤの電極パッドとの接続
部が樹脂層で覆われていることから、半導体装置完成後
に強い振動が加わっても接続部が外れてしまうことを防
止するという作用効果も有する。
【００１０】本発明において、好ましくは、前記電極パ
ッドは前記電極よりも０．０７〜０．７ｍｍ高い位置に
形成されていることを特徴とする。
【００１１】本発明は、上記の構成により、ボンディン
グワイヤの曲がりが緩やかになるとともに短線化される
ため、ボンディングワイヤのインダクタンスが小さくな
って信号の伝送損失が小さくなる。
【００１２】また、本発明において、好ましくは、前記
樹脂層が暗色系に着色されていることを特徴とする。
【００１３】本発明は、上記の構成により、外部より入
射された光が、樹脂層で散乱されてノイズとして受光さ
れるのを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置について以下
に説明する。図１は本発明の半導体装置の断面図であ
り、同図において、１は、半導体素子２を上側主面に形
成された凹部１ａの底面１ｂに載置するとともに上側主
面の凹部１ａの周囲の側壁１ｃ上面に電極パッド４が形
成された基体である。２は、上面に受光部２ａが設けら
れかつ上面の周縁部に電極３が形成された半導体素子で
あり、フォトダイオード（ＰＤ），ラインセンサ，イメ
ージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device），Ｅ
ＰＲＯＭ（Erasable Programmable ＲＯＭ）等の受光
素子である半導体素子またはこれらの受光部を有する半
導体素子。５は、電極３および電極パッド４を電気的に
接続するボンディングワイヤ、６は、電極パッド４およ
びボンディングワイヤ５の電極パッド４との接続部を覆
うように側壁１ｃ上面の全周に設けられた樹脂層であ
る。７は、樹脂層６の上部で接着されて半導体素子２を
封止する透光性蓋体であり、ガラス，石英，サファイ
ア，透明樹脂等から成る。
【００１５】本発明において、半導体素子２は、その上
面の中央部に受光部２ａが設けられており、その上面の
受光部２ａの周囲側である周縁部には、入出力用の電極
３が形成されている。
【００１６】また、半導体素子２が載置される基体１の
上側主面には、半導体素子２を収容し底面に載置するた
めの凹部１ａが形成されており、その凹部１ａの側壁１
ｃ上面には電極パッド４が設けられている。この電極パ
ッド４は基体１の側壁１ｃ外面および下側主面等に形成
されたメタライズ層等から成る配線パターンやリード端
子等（図示せず）を介して外部電気回路等に接続され
る。
【００１７】この基体１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラ
ミックス，ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミ
ックス等のセラミックス材料、ガラスセラミックス材料
等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフル
オロエチレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン・エチレ
ン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合樹脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン・パーフルオロ
アルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレ
ン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；
ＰＦＡ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリイ
ミド等の樹脂系材料等の絶縁材料が使用できる。
【００１８】電極３および電極パッド４は、Ｃｕ、Ｍｏ
−Ｍｎのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッ
キ層を被着させたもの、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッ
キ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｔａ2Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ
合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、または
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着
させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜
形成方法やメッキ法等により形成される。
【００１９】また、電極３と電極パッド４とは、アルミ
ニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）等から成るボンディングワ
イヤ５で電気的に接続されているが、この場合、電極パ
ッド４は電極３よりも０．０７〜０．７ｍｍ高い位置に
形成されていることが好ましい。即ち、半導体素子２の
上面よりも側壁１ｃ上面が０．０７〜０．７ｍｍ高く形
成されていることがよい。０．０７ｍｍ未満では、ボン
ディングワイヤ５の曲がり形状が半円状等となり、曲が
り具合が大きくなるためインダクタンスが大きくなり、
信号の伝送損失が大きくなる。また、０．７ｍｍを超え
ると、ボンディングワイヤ５の長さが長くなるととも
に、ボンディングワイヤ５の電極パッド４との接続部で
曲がり具合が急になり、電気抵抗およびインダクタンス
が大きくなる。さらに半導体装置の厚さが厚くなる。
【００２０】本発明の樹脂層６は、ポリイミド，フェノ
ール系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，シリコ
ーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の紫外線硬化
性樹脂であり、または紫外線硬化性と熱硬化性の両特性
を有する併用型であってもよい。
【００２１】また、樹脂層６は、黒色、黒灰色、茶色、
褐色、黒褐色、濃緑色、濃青色、青緑色、濃紫色、暗赤
色等の暗色系に着色されているのがよく、この場合染
料、顔料等を樹脂層６に混入させることで容易に暗色系
とし得る。このように、樹脂層６を暗色系とすること
で、樹脂層６の表面における光の反射、散乱を抑制する
ことができ、受光部２ａにノイズが入るのを大幅に抑え
ることができる。
【００２２】顔料としては、カーボン，チタン，酸化鉄
等であり、またはこれらの２種以上の混合物がよく、こ
の場合黒色系の顔料となり最も光吸収性に富むものとな
る。樹脂層６の全固形成分に対する顔料の含有量は０．
１〜５０重量％がよく、０．１重量％未満では着色が困
難となり、５０重量％を超えると樹脂層６に照射される
紫外線が顔料により遮断されて樹脂層６の硬化が困難と
なる。また、カーボン等の導電性粒子の場合その導電性
粒子にアクリル樹脂等をコーティングしたものを用いれ
ば、ボンディングワイヤ５から樹脂層６を通じてのショ
ート等の問題が解消される。また、アルミナ等の粒子を
用いることもでき、これはＣｒ等を混入することで濃紫
色とし得る。
【００２３】また、顔料用の粒子の平均粒径は約０．０
５〜約１μｍがよく、０．０５μｍ未満ではフィラーが
凝集して分散性が低下し易くなる。１μｍを超えると、
粒子間の隙間が大きくなり、また粒子径が大きいため紫
外線が粒子で遮断され易くなり、樹脂層６の硬化性およ
び接着性が低下し易くなる。
【００２４】樹脂層６の明度、彩度、光透過性に関して
は、全くの黒色等に着色すると紫外線が粒子で遮断され
易くなり、樹脂層６の硬化性が低下する。従って、半光
透過性にしたものや茶色系に着色したものが、硬化性を
阻害しない点で好ましい。
【００２５】また、染料を用いる場合、ゼラチン，グリ
ュー，ガゼイン等の天然樹脂あるいはアミン変性ポリビ
ニルアルコール等の合成樹脂から成る染色基材を酸性染
料等の染料で染色して、それを樹脂層６に混入させるこ
とにより着色し得る。
【００２６】さらには、樹脂層６の表面の光の反射、散
乱を抑制するために、艶消し剤を含有させてもよい。
【００２７】本発明の透光性蓋体７は、半導体素子２を
覆うように基体１の平面視形状の外形と略同形の板状の
ものであり、外光を透過させる窓部として機能する。こ
の透光性蓋体７は、主面が平面状の平板状に限らず、レ
ンズ状に加工されたものでもよい。透光性蓋体７の厚さ
は０．３〜１．０ｍｍ程度が良く、０．３ｍｍ未満で
は、強度が小さいため組み立て中に破損したり、樹脂層
６によって反りが発生し取り込んだ画像が歪むという問
題が発生し易い。１．０ｍｍを超えると、小型軽量化お
よび薄型化が成されず実用性が低下する。
【００２８】また、透光性蓋体７としては、光透過率、
製造のし易さ、化学的安定性、強度等の点で、ソーダガ
ラス等のガラス、プラスチック、サファイア（アルミナ
の単結晶）、石英等が好ましい。
【００２９】かくして、本発明は、基体側の電極パッド
が、透光性蓋体の接合部である基体の側壁上面に形成さ
れているため、基体の平面視における面積が小さくなり
小型化されたものとなる。また、基体側の電極パッドお
よびボンディングワイヤの電極パッドとの接続部が樹脂
層で覆われていることから、半導体装置完成後に強い振
動が加わっても接続部が外れてしまうことを防止すると
いう作用効果も有する。
【００３０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にお
いて種々の変更を行なうことは何等差し支えない。例え
ば、基体１は、平板状の基板の上側主面の周縁部に枠体
を接合させた構成であってもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、上側主面に凹部が形成され凹
部の側壁上面に電極パッドが形成された基体と、凹部の
底面に載置され上面の中央部に受光部が設けられかつ周
縁部に電極が形成された半導体素子と、電極および電極
パッドを電気的に接続したボンディングワイヤと、電極
パッドを覆うように側壁上面の全周に設けられた樹脂層
と、樹脂層の上部で接着されて半導体素子を封止する透
光性蓋体とを具備したことにより、基体側の電極パッド
が基体の側壁上面に形成されているため、基体の平面視
における面積が小さくなり小型化されたものとなる。ま
た、電極パッドおよびボンディングワイヤの電極パッド
との接続部が樹脂層で覆われていることから、半導体装
置完成後に強い振動が加わっても接続部が外れてしまう
ことを防止するという作用効果も有する。
【００３２】本発明は、好ましくは電極パッドは電極よ
りも０．０７〜０．７ｍｍ高い位置に形成されているこ
とにより、ボンディングワイヤの曲がりが緩やかになる
とともに短線化されるため、ボンディングワイヤのイン
ダクタンスが小さくなって信号の伝送損失が小さくな
る。
【００３３】また、本発明は、好ましくは樹脂層が暗色
系に着色されていることにり、外部より入射された光が
樹脂層で散乱されてノイズとして受光されるのを防ぐこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置について実施の形態の一例
を示す断面図である。
【符号の説明】
１：基体 １ａ：凹部 １ｂ：底面 １ｃ：側壁 ２：半導体素子 ３：電極 ４：電極パッド ５：ボンディングワイヤ ６：樹脂層 ７：透光性蓋体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA10 CA02 GD02 HA02 HA11 HA14 HA30 5C024 CY48 EX23 EX24 EX25 GX03 GY01 5F044 AA07 JJ03 5F088 AA01 BA15 BA16 EA04 EA16 FA09 JA07 JA10 JA11

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上側主面に凹部が形成され該凹部の側壁上
    面に電極パッドが形成された基体と、前記凹部の底面に
    載置され上面の中央部に受光部が設けられかつ周縁部に
    電極が形成された半導体素子と、前記電極および前記電
    極パッドを電気的に接続したボンディングワイヤと、前
    記電極パッドを覆うように前記側壁上面の全周に設けら
    れた樹脂層と、該樹脂層の上部で接着されて前記半導体
    素子を封止する透光性蓋体とを具備したことを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】前記電極パッドは前記電極よりも０．０７
    〜０．７ｍｍ高い位置に形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記樹脂層が暗色系に着色されていること
    を特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装
    置。
JP2000360133A 2000-11-27 2000-11-27 半導体装置 Pending JP2002164524A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000360133A JP2002164524A (ja) 2000-11-27 2000-11-27 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000360133A JP2002164524A (ja) 2000-11-27 2000-11-27 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002164524A true JP2002164524A (ja) 2002-06-07

Family

ID=18831780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000360133A Pending JP2002164524A (ja) 2000-11-27 2000-11-27 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002164524A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020464A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Kyocera Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2006313868A (ja) * 2005-04-08 2006-11-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法並びに半導体収容パッケージ
JP2007053335A (ja) * 2005-07-19 2007-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007189108A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Sony Corp 固体撮像装置と鏡筒への固体撮像装置の組立方法
JP2013077701A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Canon Inc 電子部品および電子機器ならびにこれらの製造方法。

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020464A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Kyocera Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2006313868A (ja) * 2005-04-08 2006-11-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法並びに半導体収容パッケージ
JP2007053335A (ja) * 2005-07-19 2007-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7595540B2 (en) 2005-07-19 2009-09-29 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007189108A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Sony Corp 固体撮像装置と鏡筒への固体撮像装置の組立方法
JP2013077701A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Canon Inc 電子部品および電子機器ならびにこれらの製造方法。

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5198394B2 (ja) 近接照度センサおよびその製造方法
TWI672816B (zh) 光感測器裝置
JP2002076154A (ja) 半導体装置
US20030124773A1 (en) Optical module, circuit board and electronic device
JP2002164524A (ja) 半導体装置
JPH0621414A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JP4313503B2 (ja) 半導体装置
JP2004134713A (ja) イメージセンサ用半導体チップパッケージ及びその製造方法
JP2002043451A (ja) 半導体装置
JP2003243673A (ja) 光半導体装置
JP2002100692A (ja) 半導体装置
JPH02229453A (ja) 半導体装置及びその製造方法
WO2021097957A1 (zh) 影像传感芯片的封装结构
JP2003229506A (ja) 光半導体装置
JP3690663B2 (ja) 光半導体装置
JP3674777B2 (ja) 固体撮像装置
JP4203367B2 (ja) 半導体装置
JP2005101338A (ja) 光半導体装置
JP3872404B2 (ja) 光半導体装置
JP2004228607A (ja) 固体撮像装置
JP2003133563A (ja) 光半導体装置
JP3840167B2 (ja) 光半導体装置
KR20040075416A (ko) 칩 온 보드 타입 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법
TW506098B (en) Packaging method and structure of photodetective semiconductor element
JP2004356345A (ja) 光半導体装置