JP2007053335A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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裕 深井
Yutaka Harada
豊 原田
Seiichi Itoi
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Abstract

【課題】半導体装置をさらに小型化するとともに、固体撮像装置等の光デバイスとして構成するときのカバーガラス等の蓋板のずれを防止し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】シート基材8などの基板部および複数の壁部9aよりなる基台と、壁部9a間の間隙に露出する複数の導体部4とを有したパッケージ2と、その内部空間に搭載された固体撮像素子1などの半導体素子と、前記半導体素子と壁部9a間の導体部4とを電気的に接続した金属細線5と、導体部4と金属細線5との接続部を覆うように壁部9a間の間隙に埋め込まれた樹脂封止材7と、半導体素子を搭載したパッケージ2の内部空間を封止したカバーガラス6などの封止部材を備えた構造とする。金属細線5を接続するための領域が壁部9aの領域とオーバーラップするので、小型化、低背化を実現できる。カバーガラス6は壁部9aが支柱となるのでずれが生じにくい。
【選択図】図1

Description

本発明は導体部を設けたパッケージに半導体素子を搭載した半導体装置およびその製造方法に関する。
従来の半導体装置に、導体部を設けたパッケージに半導体素子をベアチップの状態で搭載したものがある。たとえば、図14に示すように、固体撮像素子21を凹状のパッケージ22内に搭載し、固体撮像素子21の主面に形成された複数の電極パッドとパッケージ22に形成された複数の導体部24の内部端子部とを金属細線25によりそれぞれ接続し、パッケージ22の上面にカバーガラス26を接着してパッケージ内を気密した固体撮像装置がある。
図15に示すように、パッケージ22の側壁上面に電極パッド22aを配置し、この電極パッド22aに対して、パッケージ22内に搭載した固体撮像素子21の電極パッドを金属細線25で接続し、電極パッド22aと金属細線25との接続部分を覆うようにパッケージ22の側壁上面の全周に樹脂層27を設け、樹脂層27上にカバーガラス26を接着することで、小型化を図った固体撮像装置もある(特許文献1参照)。
カバーガラスを固体撮像素子などの光素子の上に空間を設けて配置するのでなく、光素子の上面に貼り付けた光デバイスもある(特許文献2参照)。
特開2002−164524号公報 特開2003−197885号公報
しかしながら従来タイプの固体撮像装置は、パッケージのキャビティー内に導体部の内部端子部を配置して固体撮像素子からの金属細線を接続させているので、キャビティー内にそのための接続領域も必要となり、縦横サイズの縮小や低背化は困難である。
特許文献1に開示された固体撮像装置は、従来タイプの固体撮像装置に比べて縦横サイズを縮小可能であるものの、低背化はされず、またパッケージの側壁上面の電極パッドと金属細線との接続部分を覆う樹脂の塗布量を均一にできず、その上にカバーガラスを載せて樹脂の硬化を待つ間にカバーガラスが移動してしまい、X,Y方向やθ方向にずれ易いという問題もある。
特許文献2に開示された光デバイスは、パッケージに搭載してワイヤボンディングする場合にそのための接続領域がキャビティー内に必要となるのは、従来タイプの固体撮像装置と同様である。
本発明は上記問題を解決するもので、半導体装置をさらに小型化するとともに、固体撮像装置等の光デバイスとして構成するときのカバーガラス等の蓋板のずれを防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、基板部およびその周縁部分に立ち上がった複数の壁部よりなる基台と前記基板部の周方向に沿って隣り合う壁部間の間隙に露出する複数の導体部とを有したパッケージと、前記基台の内部空間に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記壁部間の導体部とを電気的に接続した金属細線と、前記導体部と金属細線との接続部を覆うように前記壁部間の間隙に埋め込まれた樹脂部と、前記半導体素子を搭載した基台の内部空間を封止した封止部材とを備えたことを特徴とする。
壁部は基板部の少なくともコーナー部分に配置されていることを特徴とする。壁部は基板部の各辺に沿って枠状に配列されていることを特徴とする。壁部間の間隙のそれぞれに1または複数の導体部が配置されていてよい。
封止部材は、壁部および壁部間の樹脂部の上面に前記樹脂部と同一あるいは異なる樹脂により固着された蓋板であってよい。半導体素子が光素子であるときには透光性の蓋板が使用される。
封止部材は、半導体素子の上面部をも覆うように基台の内部空間に充填された樹脂であってもよい。
半導体素子が光素子であるときには、封止部材は前記半導体素子上に位置する透光性の蓋板およびこの蓋板の周囲の基台の内部空間に充填された樹脂であってよい。
壁部に蓋板を位置決めする段差部が形成されているのが好都合である。壁部の外面と壁部間の樹脂部の外面とが面一であるのが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板部およびその周縁部分に立ち上がった複数の壁部よりなる基台と前記基板部の周方向に沿って隣り合う壁部間の間隙に露出する複数の導体部とを有したパッケージを形成する工程と、前記基台の内部空間に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の電極と前記壁部間の導体部とを金属細線で電気的に接続する工程と、前記導体部と金属細線との接続部を覆うように前記壁部間の間隙を樹脂で埋め込む工程と、前記基台の内部空間を封止部材で封止する工程とを有することを特徴とする。
パッケージを形成する工程では、基台と複数の導体部とを一体的に、且つ複数組配列して、隣り合う基台の基板部および壁部が少なくとも連続するように形成し、基台の内部空間を封止部材で封止する工程の後に、前記隣り合う基台間で連続している壁部を2分する方向にダイシングすることにより、半導体素子を内包した個々の半導体装置に分割する工程を行うようにしてもよい。
基台の内部空間を封止する工程では、前記基台の上端開口を覆う蓋板を封止部材として用いて、前記基台の壁部および壁部間の樹脂部の上面に前記樹脂部と同一あるいは異なる樹脂により固着するようにしてもよい。半導体素子が光素子であるときに透光性の蓋板を用いる。蓋板を固着する樹脂は、壁部間の間隙を樹脂で埋め込む際に同時に壁部の上面に配置するのが好都合である。
基台の内部空間を封止する工程では、樹脂を封止部材として用いて、前記基台の内部空間に半導体素子の上面部をも覆うように充填するようにしてもよい。
半導体素子が光素子であるときには、基台の内部空間を封止する工程として、半導体素子の上面部にカバーシートで覆った透光性の蓋板を配置するステップと、壁部間の間隙を埋め込む樹脂を前記基台の内部空間に前記透光性の蓋板の上面位置まで充填するステップと、前記樹脂の硬化後にカバーシートを剥がすステップとを行うようにしてもよい。
樹脂を充填するステップは射出成形法により行うことができる。樹脂を充填するステップを塗布法により行い、カバーシートを剥がした後に透光性の蓋板の周囲に樹脂をポッティングするステップを行ってもよい。
基台の内部空間に充填する樹脂は、壁部間の間隙を樹脂で埋め込む際に同時に充填するのが好都合である。
本発明の半導体装置は、パッケージの外殻をなす壁部間の間隙に導体部を設けているので、半導体素子からの金属細線を接続するための領域が壁部の領域とオーバーラップし、パッケージが従来よりも寸法縮小され、従来装置と較べて、小型化、低背化を実現できる。またパッケージが寸法縮小される結果、半導体素子から外部端子部までの電気導通経路が短くなり、インダクタが小さくなり、信号の伝送損失を改善できる。
金属細線と導体部との接続部分は樹脂で覆うので、強固な接続となり、接続信頼性を確保できる。蓋板を貼付するときには、壁部が支持体となり、従来装置のように接続部分を覆った樹脂が支持体となるのではないので、容易に安定して固着される。光デバイスを構成する場合に用いる透光性の蓋板は、前記壁部上に貼付することで、あるいは素子上に貼付することで、ずれを回避できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1(a)は本発明の第1実施形態の半導体装置としての固体撮像装置の構成を示す平面図、図1(b)〜(d)はそれぞれ、同固体撮像装置の図1(a)におけるa−a’断面、b−b’断面、c−c’断面を示す断面図である。
図1に示した固体撮像装置において、固体撮像素子1はノンリード型の中空パッケージ2(以下、単にパッケージ2という)の内底面にペースト状固着剤3により固着され、固体撮像素子1の主面周縁部に形成された複数の電極パッド1aとパッケージ2に形成された複数の導体部4とが金属細線5によりそれぞれ電気的に接続され、パッケージの上面には透光性窓部材たる所定厚みの平板状カバーガラス6が樹脂封止材7により接着されていて、パッケージ内は気密されている。
固体撮像素子1は、撮像回路や受光回路が備わっている、CCD型、あるいはCMOSセンサー型などの固体撮像素子である。他の受光回路等を有する撮像素子、センサー素子に代えても構わない。
ペースト状固着剤3は、熱硬化性エポキシ樹脂にAgフィラーが含有されたAgペーストなどが用いられる。金属細線5は、Al、Auなどを主体としたもので、φ10〜100μmの線径のものが用いられる。カバーガラス6は必ずしもガラス材でなくてもよく、プラスチックあるいはハードコート・プラスチック等の透光性蓋板等を用いてもよい。
パッケージ2は、セラミック製のシート基材8の周縁部に枠体9が一体化されて、枠体9の内側にキャビティー10が形成された基台と、キャビティー10に臨む内部端子部を有し、パッケージ外側面へ引き出された複数の導体部4とを備えている。
この固体撮像装置が従来のものと相違するのは、パッケージ2に、枠体9を幅方向に横切る複数の溝部11が設けられ、各溝部11内の底面に、上述した導体部4が露出している点である。換言すると、シート基材8の上面にキャビティー10を形成するように複数の壁部9aがシート基材8の周方向に沿って枠状に配列され、壁部9a間の間隙である溝部11のそれぞれに導体部4が1つずつ形成されている。
各々の導体部4はシート基材8に対し段差を有している。各々の導体部4は、溝部11内に内部端子部4aがあり、パッケージ底面(裏面)に露出するビア4bなどが接続していて、その露出部に所定形状の外部端子(図示せず)が形成されている。固体撮像素子1と導通させるための金属細線5は溝部11内の内部端子部4aに対して接続されている。その接続部分を覆い且つ溝部11内を埋めるように樹脂封止材7が配置されている。
この固体撮像装置の構造は、固体撮像素子1からの金属細線5を導体部4に接続するための必要領域を、カバーガラス6を貼付するための必要領域にオーバーラップさせたものであり、従来タイプの固体撮像装置と較べて、縦横寸法を小型化可能である。装置高さについても、パッケージ側壁上で電極と金属細線とを接続する特許文献1の装置に較べて低背化される。
具体的には、金属細線5を導体部4に接続するための必要寸法(枠体9の幅方向寸法)は0.4mmであり、図示したようにパッケージ2の一対の対辺のそれぞれに沿って導体部4を配列した場合には、従来タイプの固体撮像装置ではキャビティー10内に0.4mm×2ヶ所=0.8mmが必要であるのに対し、本発明装置では壁部9a間の溝部11内で接続するので、キャビティー10内にそのための寸法は要さず、その分だけ従来装置より寸法の縮小化が可能である。
金属細線5と導体部4との接続部分は樹脂封止材7で覆うので、強固な接続となり、接続信頼性を確保できる。またこの接続部分は壁部9a間の溝部11内にあるので、カバーガラス6を貼付するときには、壁部9aが支柱となり、X,Y方向やθ方向にずれることなく容易に安定して固着される。さらに上記したように従来装置よりも寸法縮小されるため、固体撮像素子1の電極パッド1aから外部端子までの電気導通経路が短くなり、インダクタが小さくなり、信号の伝送損失を改善できる。
なお、図示した固体撮像装置では、主面の一対の対辺のそれぞれに沿って複数の電極パッド1aが配列された固体撮像素子1が搭載されているため、対応する一対の対辺にのみ溝部11,導体部4が配置されたパッケージ2が用いられているが、主面の4辺に沿って電極パッド1aが配列された固体撮像素子1を搭載する場合には、4辺に溝部11,導体部4が配置されたパッケージ2を用いればよく、それにより同様の効果が得られる。
また図示した固体撮像装置では、ノンリード型のパッケージ2であるため導体部4が上述したような構造であるが、導体部4として溝部11内からパッケージ外へ延びるリードを配置してもよく、その場合はリードをパッケージ外側面に沿って折り曲げることで、外部端子部をパッケージ底面に配置することができる(後述する図8参照)。
図1に示した固体撮像装置を製造する第1の製造方法を説明する。
図2(a)に示すように、上記したパッケージ2を準備する。パッケージ2のシート基材8,枠体9の材料たるセラミックとしては、この種のパッケージに一般に使用されているアルミナセラミックス(Al)、ムライトセラミックス(3Al・2Si0)、ガラスセラミック材などが使用される。各々の導体部4は、Cu、Mo−Mnのメタライズ上にNi−Auめっきを施すか、Wのメタライズ上にNi−Auめっきを施すか、Cr−Cuのメタライズ上にNi−Auめっきを施すなどの方法で形成される。
準備したパッケージ2の内底面の素子搭載領域のたとえば複数箇所に、ペースト状固着剤3を塗布する(ダイスボンド前工程)。
ペースト状固着剤3の塗布方法としては、ディスペンサー等に装着されたマルチノズルから塗布する方法や、スタンパーに装着された転写部から転写する方法などがある。この作業は、キャビティー10、溝部11、導体部4等にダストや被膜等が付着しないように、清浄化され且つ湿度・温度が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
図2(b)に示すように、パッケージ2の素子搭載領域上に固体撮像素子1を搭載する(ダイスボンド後工程)。
固体撮像素子1はたとえば、Siウェハー状態で、ステッパー等により受光回路などを形成し、回路の上層に集光のためのマイクロレンズを形成し(オンチップ工程)、ウェハー裏面を所定厚みに研削し(バックグラインド工程)、研削後のSiウェハーをダイシングシートに貼り付け、個片に分割することで形成される。
個片化された固体撮像素子1をコレットと呼ばれる治具でピックアップして搭載する。素子搭載領域上に塗布されたペースト状固着剤3が固体撮像素子1の裏面に塗れ広がるように、コレットによって固体撮像素子1を前後左右に数十μmスクラブ(揺動)する。なおこのとき、パッケージ2の所定の部分(たとえば壁部9aの上面)を基準にして、X、Y方向の2次元的位置及び固体撮像素子1の基準面からの高さや傾斜を、規定された範囲内の精度となるように調整する。そして100℃〜200℃に加熱してペースト状固着剤3を硬化させることにより、固体撮像素子1を素子搭載領域上に固着させる。素子搭載領域上にペースト状固着剤3を塗布するのでなく、固体撮像素子1の裏面に接着シートを貼り付け、この接着シートを介して固着してもよい。
図2(c)(c´)に示すように、パッケージ2の各導体部4の内部端子部(4a)と固体撮像素子1の各電極パッド1aとを金属細線5により電気的に接続する(ワイヤボンディング工程)。
金属細線5としてAuワイヤーを用いる場合は、超音波・熱圧着方法(ボールボンディング法)で接続する。つまり、キャピラリーと呼ばれるコーン状の治具の中心に開いた孔にAuワイヤーを通しておき、その先端部を放電にて溶融させて球状にし、電極パッド1aに熱圧着(150〜200℃)させつつ超音波を併用して合金化させることで接合させ、そのAuワイヤーをさらに導体部4へ導き、超音波振動を加えて接合させた後、キャピラリーのエッジで切断する。Auワイヤーとしてはφ10〜30μmの線径が多く用いられる。
金属細線5にAlワイヤーを用いる場合は、ウェッジボンディング法を用いて接続する。つまり、ウェッジボンディングツールと呼ばれる治具を用いて、常温にて超音波振動のみで電極パッド1aと導体部4とに接合させる。Alワイヤーとしてはφ20〜100μmの線径が多く用いられる。このウェッジボンディング法は、ボールボンディング法と比較して、電極パッド1a等を高温下に曝さなくてよいという利点があるが、ツールは一方向にしか動かせないため、パッケージ2の固定台座かボンディングヘッドを回転させる必要があり、タクトがかかる。
図2(d)に示すように、導体部4と金属細線5との接続部分が内部にある溝部11、および、壁部9aの上面に、熱硬化型、またはUV硬化型、若しくは両性能を備えたペースト状の樹脂封止材7、たとえば熱硬化型エポキシ樹脂を塗布する(樹脂塗布工程)。
そのための第1の方法としては、ディスペンサーに装着されたノズル12から、溝部11内を埋め込み且つ壁部9aの上面をも覆うように樹脂封止材7を塗布する。壁部9aの上面については、カバーガラス6が載るシール部となる領域に沿って描画塗布する。シール部や溝部11から樹脂封止材7が溢れ出すことのない適量とする。
第2の方法としては、まず溝部11を樹脂封止材7で埋め込み、溝部11内の樹脂封止材7を熱または紫外線により硬化させた後に、壁部9aの上面と溝部11内の樹脂封止材7の上面とに均一に樹脂封止材7を塗布する。
第1の方法、第2の方法(工数がより多い)のいずれを選択するかは、溝部11の深さや数、次工程でカバーガラス6による気密封止が確実にされるかなどを考慮して決めればよい。いずれの方法でも、金属細線5と導体部4との接続部分を樹脂封止材7で覆うので、強固な接続となり、接続信頼性を得ることができる。溝部11内、壁部9a上のそれぞれに塗布する樹脂封止材7は、同一であっても異なってもよく、それぞれの目的、条件に合わせて、成分や粘度が違うものを選択すればよい。
図2(e)(e´)に示すように、パッケージ2の壁部9a上面に塗布された樹脂封止材7の上にカバーガラス6を貼り付け、樹脂封止材7を熱または紫外線により硬化させる(封止工程)。
このときには、カバーガラス6の表面がパッケージ2の基準面(たとえば壁部9aの上面)と平行になるように仮固定し、その状態でカバーガラス6の上方からの紫外線照射あるいは加熱により樹脂封止材7を硬化させてカバーガラス6を確実に固着させる。気密、防湿性が損なわれないよう、防湿剤等が配合された樹脂封止材7を使用するのが効果的である。
図1に示した固体撮像装置を製造する第2の製造方法を説明する。
図3(a)に示すように、パッケージユニット13が複数個、縦横に配列されたブロックシート14を準備する。パッケージユニット13は上述したパッケージ2に相応するもので、隣り合うパッケージユニット13間で、シート基材8,枠体9,溝部11,導体部4が連続している。ブロックシート14は、シート基材8、枠体9ともにセラミック材料を用いて形成してもよいし、セラミック製のシート基材8上に、溝付きの枠体9をエポキシ樹脂の射出成形により形成してもよい。
準備したブロックシート14のパッケージユニット13ごとのキャビティー10内にペースト状固着剤3を塗布する。
図3(b)に示すように、ペースト状固着剤3が塗布されたパッケージユニット13内に固体撮像素子1を搭載し、固着させる。
図3(c)(c´)に示すように、パッケージユニット13の導体部4と個体撮像素子1の電極パッド1aとを金属細線5により接続させる。
図4(a)(b)に示すように、溝部11内および壁部9aの上面に熱硬化型、またはUV硬化型、若しくは両性能を備えたペースト状の樹脂封止材7を塗布する。
この際に、溝部11内と壁部9aの上面とに同時に塗布してもよいし、順次に塗布してもよいが、隣り合う中空パッケージユニット13の溝部11どうしは繋がっているので、繋がった溝部11には同時に樹脂封止材7を塗布できる。図示を省略するが、パッケージユニット13どうしの境界部分に樹脂溜まりとなる溝や凹部を形成しておけば、樹脂封止材7の塗布量のばらつきを調整することも可能である。
図4(c)に示すように、各パッケージユニット13の壁部9aおよび壁部9a間の樹脂封止材7上にカバーガラス6を貼り付け、樹脂封止材7を硬化させる。
その後に、ブロックシート14をパッケージユニット13ごとにダイシングブレード15で分割して、図4(d)(d´)に示すような、個片のパッケージ2に個体撮像素子1,カバーガラス6が搭載された固体撮像装置を得る。
分割の際には、ブロックシート14をダイシングテープ(図示せず)に貼付し、ダイシングブレード15を一分間に数万回転させながら、シャワー水洗しながら切断する。パッケージユニット13どうしの境界部分に樹脂溜まりとなる溝や凹部を形成している場合は、この時点で切除することができる。ダイシングテープは、塩化ビニール、ポリオレフィンなどの伸縮性のある樹脂基材の上にUV接着剤が塗布されたものを使用できる。またダイシングブレード15はボンド材にダイヤモンドの砥粒を含有させたものを使用できる。
この第2の製造方法、つまり、ブロックシート14の状態で個体撮像素子1,カバーガラス6を搭載し、パッケージユニット13ごとに分割する方法によれば、パッケージ2を1個ずつ取り扱う第1の製造方法と較べて製造効率が向上する。また分割後の個片のパッケージ2では、壁部9aの外側面と溝部11内の樹脂封止材7の外側面とが面一になるので、美しく良好な外形を創出できるだけでなく、壁部9aと溝部11内の樹脂封止材7の境界に水分が入りにくくなって信頼性も良好となる。固体撮像装置を機器に搭載する際の位置決めにも有用である。
図5(a)は本発明の第2実施形態における固体撮像装置の構成を示す平面図、図5(b)は同固体撮像装置の断面図である。
この固体撮像装置が第1の実施の形態の固体撮像装置と相違するのは、パッケージ2が、シート基材8上の4隅にL形の壁部16が一体化されて形成され、壁部16どうしの間隙に複数の導体部4が互いに間隔をおいて配列されている点である。樹脂封止材7は、導体部4と金属細線5との接続部分を覆うように壁部16間の間隙に埋め込まれるとともに各壁部16上に塗布され、その上にカバーガラス6が貼付されている。
この固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様の効果が得られるほか、第1の実施形態の固体撮像装置よりも導体部4のピッチを狭くすることができる。枠状に並んだ壁部9a間の溝部11に導体部4を配置した第1の実施形態の構造では、溝部11ごとに、金属細線5を接続するための治具が入り込む寸法が少なくとも必要であるのに対し、4隅にのみ壁部16がある第2の実施形態の構造では、治具が入り込む寸法は特に考慮する必要がないからである。例えば図1を用いて説明した第1の実施形態では0.8mmピッチまでとすると、図5に示した第2の実施形態では0.4mmピッチまでが可能である。
4隅の壁部16の上面を位置規制部位として用いてカバーガラス6と固体撮像素子1との平行度を保つことができるのは、第1の実施形態が壁部9aの上面を位置規制部位として用いるのと同様である。
なお図5に示した固体撮像装置では、主面の4辺に沿って電極パッド1aが配列された固体撮像素子1が搭載されるため、対応する4辺に導体部4が配置されたパッケージ2が用いられているが、主面の一対の対辺に沿ってのみ電極パッド1aが配列された固体撮像素子1が搭載される場合は、対応する2辺にのみ導体部4が配置されたパッケージ2を用いればよい。
図5に示した固体撮像装置の製造方法を説明する。
図6(a)に示すように、上記したパッケージ2を準備し、その内底面の素子搭載領域のたとえば複数箇所に、ペースト状固着剤3を塗布する。パッケージ2は、第1実施形態のものと同様に、セラミック材料のみで形成したものであってもよいし、壁部16をエポキシ樹脂で射出成形して形成したものであってもよい。
ペースト状固着剤3が塗布されたパッケージ2上に、図6(b)に示すように固体撮像素子1を搭載し、固着させる。
図6(c)に示すように、パッケージ2の導体部4と個体撮像素子1の電極パッド1aとを金属細線5により接続させる。
図6(d)に示すように、パッケージ2の壁部16間の間隙に、金属細線5と導体部4との接続部分を覆うように且つその間隙を埋め込むように、また壁部16の上面にも、熱硬化型、またはUV硬化型、若しくは両性能を備えたペースト状の樹脂封止材7を塗布し、塗布された樹脂封止材7の上からカバーガラス6を貼り付ける。
なお、樹脂封止材7を壁部16間の間隙に均一な高さに埋め込むのは、第1実施形態の溝部11に埋め込むのと較べて困難なので、図7に示すように、壁部16間の間隙内の最外周に段差部17を設けて封止材止めとしてもよい。この構造は壁部9に適用してもよい。
あるいは、樹脂封止材7を壁部16間の間隙に均一な高さに埋め込むために、図8に示すように、壁部16の内周にカバーガラス6を位置決めする段差部18を設け、この段差部18に嵌め込むカバーガラス6で樹脂封止材7を押さえるようにしてもよい。ここでは導体部4としてリードを用いている。
カバーガラス6を単に位置決めする目的で、カバーガラス6の周縁部に突部(図示省略)を設け、この突部に嵌め合う段差部(図示省略)を壁部16の外周あるいは上面に設けてもよい。
以上、固体撮像装置について説明してきたが、固体撮像装置以外の光デバイス、さらには光デバイス以外の半導体装置、たとえば、重力(加速度)、電波、音を使用するセンサー素子を搭載したもの(MEMSなどが代表例)にも上述した構造および製造方法を適用することができる。光デバイスでないときにはカバーガラス6に代えて透光性を有さない蓋板を用いることができる。
図9(a)は本発明の第3実施形態における固体撮像装置の構成を示す平面図、図9(b)〜(d)はそれぞれ、同固体撮像装置の図9(a)におけるa−a’断面、b−b’断面、c−c’断面を示す断面図である。
この固体撮像装置が第1の実施の形態の固体撮像装置と相違するのは、カバーガラス6を壁部9aおよび壁部9a間の樹脂封止材7の上面に固着するのでなく、固体撮像素子1の上に貼付け、カバーガラス6,固体撮像素子1の周囲のキャビティー10内に樹脂封止材7をカバーガラス6の上面位置まで充填している点である。この構造によれば、第1の実施の形態の固体撮像装置と比べて、固体撮像素子1とカバーガラス6との間に空隙が不要な分、低背化できる。
図9に示した固体撮像装置を製造する第1の方法を説明する。
図10(a)に示すように、先に図3を用いて説明したのと同様のブロックシート14を準備する。また固体撮像素子1の上にカバーガラス6を配置した一体品を準備する。カバーガラス6の表面はカバーシート19で覆っておく。
そして、パッケージユニット13ごとのキャビティー10内にペースト状固着剤3を塗布し、図10(b)に示すように、固体撮像素子1,カバーガラス6,カバーシート19の一体品を固体撮像素子1を下側にして固着させる。
図10(c)に示すように、パッケージユニット13ごとに個体撮像素子1の電極パッド1aとの導体部4とを金属細線5により接続させる。
その後に、カバーガラス6,固体撮像素子1,カバーシート19の周囲のキャビティー10内および壁部9a間の溝部(11)内に、熱硬化型、またはUV硬化型、若しくは両性能を備えたペースト状の樹脂封止材7を塗布して充填する。樹脂封止材7の量はカバーガラス6の上面位置までとする。
樹脂封止材7を硬化させた後、図10(d)に示すように、カバーシート19を剥がし、カバーガラス6の周囲および溝部11内の樹脂封止材7に発生している窪み部分に樹脂封止材7を垂らして表面を均一化する(ポッティング封止工程)。この際の樹脂封止材7としてはたとえば、熱硬化型エポキシ樹脂であって、常温(室温)で液状、100〜150℃で0.5〜1hで硬化するものを用いる。
この樹脂封止材7の硬化後に、図10(e)に示すように、ブロックシート14をパッケージユニット13ごとにダイシングブレード15で分割して、図10(f)に示すような、個片のパッケージ2に個体撮像素子1,カバーガラス6が搭載された固体撮像装置を得る。
この製造方法によれば、先に図3,4を用いて説明した方法よりもさらに製造効率が向上する。
図9に示した固体撮像装置を製造する第2の方法を説明する。
図11(a)に示すように、先に図10(a)(b)(c)を用いて説明したのと同様にして、ブロックシート14のパッケージユニット13ごとのキャビティー10内に、ペースト状固着剤3を塗布し、固体撮像素子1,カバーガラス6,カバーシート19の一体品を固体撮像素子1を下側にして固着させ、各固体撮像素子1の電極パッド(1a)と導体部4とを金属細線5により接続させる。
次に、図11(b)に示すように、ブロックシート14を成形金型M1,M2に装填し、必要に応じて壁部9aの上面にもカバーシート19を貼付け、カバーガラス6,壁部9aをカバーシート19を介して上金型M1で押さえた状態で、上下の金型M1,M2間のキャビティーに樹脂封止材7を圧入して、樹脂封止材7をパッケージユニット13ごとの壁部9a間の間隙および固体撮像素子1,カバーガラス6,カバーシート19の一体品の周囲に圧入し、硬化させる。この際の樹脂封止材7としてはたとえば、120〜200℃で液状化し、その後の高温下で硬化する熱硬化性エポキシ樹脂を用いる(トランスファーモールド法による封止工程)。
図示を省略するが、金型M1,M2には所定の位置にゲート(樹脂注入口)が設けられていて、ランナー(樹脂の通り道)を通じて、ポットに連結されている。金型M1,M2は所定温度に加熱されており、ランナーやポットも予め150〜200℃に加熱されている。このため、タブレット状のエポキシ樹脂をポット内に投入してプランジャーで押し込むと、エポキシ樹脂は、ポットや金型の熱によって溶融しながら移動し、ランナー、次いでゲートを通って、金型M1,M2間のキャビティーに流入する。それに伴ってゲートの反対側のエアベンドより排気される。
図11(c)に示すように、樹脂封止材7で封止されたブロックシート14を成形金型M1,M2より取り出し、カバーシート19を剥がす。その後に、図11(d)に示すように、パッケージユニット13ごとにダイシングブレード15で分割して、個片のパッケージ2に個体撮像素子1,カバーガラス6が搭載された固体撮像装置を得る。
この製造方法によれば、トランスファーモールド法を用いているため、塗布法を用いて紫外線硬化させる場合に固体撮像素子1の光学部分を保護するために必要な高精度のマスクは不要であり、カバーガラス6をカバーシート19で覆っているため樹脂バリが発生することもない。
カバーガラス6をカバーシート19を介して上金型M1で押さえた状態で樹脂封止材7を圧入し、硬化させるので、樹脂封止材7はカバーガラス6の上面位置までとなり、樹脂封止材7の上面はポッティング樹脂で埋め込む場合よりも平坦となり、且つカバーガラス6との境界から緩やかに傾斜して下る傾斜部分がカバーガラス6の側面を完全に覆う。その結果、カバーガラス6の表面とその周囲の樹脂封止材7および壁部16の表面とはほぼ面一になり、美しく良好な外形を創出できる。
図12(a)は本発明の第4実施形態における固体撮像装置の構成を示す平面図、図12(b)〜(d)はそれぞれ、同固体撮像装置の図12(a)におけるa−a’断面、b−b’断面、c−c’断面を示す断面図である。
この固体撮像装置が第3の実施の形態の固体撮像装置と相違するのは、パッケージ2の壁部9a間の間隙のそれぞれに複数の導体部4が互いに間隔をおいて形成され、壁部9a間の間隙に充填された樹脂封止材7が導体部4間の絶縁材としても機能している点である。この固体撮像装置も図10、11を用いて説明したのと同様にして製造できる。
固体撮像装置等の光デバイスでない半導体装置は、カバーガラス6を用いることなく、図13に示すように、固体撮像素子1の表面をも覆うようにキャビティー10内に樹脂封止材7を充填すればよい。樹脂封止材7の充填は塗布法を用いてもよいし成形金型を用いてもよい。
本発明に係る半導体装置は従来装置よりも小型化することができ、光デバイスとして構成する場合もカバーガラスなどの透光性部材のずれが生じないので、ビデオカメラ、デジタルカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話等の種々の電子機器に搭載して、製品を小型化するのに有用である。
本発明の第1の実施形態の半導体装置としての固体撮像装置の構成図 図1の固体撮像装置を製造する第1の製造方法を説明する工程図 図1の固体撮像装置を製造する第2の製造方法の前半工程を示す工程図 図1の固体撮像装置を製造する第2の製造方法の後半工程を示す工程図 本発明の第2の実施形態の半導体装置としての固体撮像装置の構成図 図5の固体撮像装置を製造する製造方法を示す工程図 本発明の固体撮像装置の細部を示した断面図 本発明の固体撮像装置の別の細部を示した断面図 本発明の第3の実施形態の半導体装置としての固体撮像装置の構成図 図9の固体撮像装置を製造する第1の製造方法を説明する工程図 図9の固体撮像装置を製造する第2の製造方法を説明する工程図 本発明の第4の実施形態の半導体装置としての固体撮像装置の構成図 本発明の第5の実施形態の半導体装置の構成図 従来の固体撮像装置の断面図 従来の他の固体撮像装置の断面図
符号の説明
1 固体撮像素子
1a 電極パッド
2 中空パッケージ
4 導体部
5 金属細線
6 カバーガラス
7 封止材
8 シート基材
9 枠体
9a 壁部
10 キャビティー
11 溝部
13 パッケージユニット
14 ブロックシート
16 壁部
17,18 段差部
19 カバーシート

Claims (20)

  1. 基板部およびその周縁部分に立ち上がった複数の壁部よりなる基台と前記基板部の周方向に沿って隣り合う壁部間の間隙に露出する複数の導体部とを有したパッケージと、前記基台の内部空間に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記壁部間の導体部とを電気的に接続した金属細線と、前記導体部と金属細線との接続部を覆うように前記壁部間の間隙に埋め込まれた樹脂部と、前記半導体素子を搭載した基台の内部空間を封止した封止部材とを備えた半導体装置。
  2. 壁部は基板部の少なくともコーナー部分に配置されている請求項1記載の半導体装置。
  3. 壁部は基板部の各辺に沿って枠状に配列されている請求項1記載の半導体装置。
  4. 壁部間の間隙のそれぞれに1または複数の導体部が配置されている請求項1記載の半導体装置。
  5. 封止部材は壁部および壁部間の樹脂部の上面に前記樹脂部と同一あるいは異なる樹脂により固着された蓋板である請求項1記載の半導体装置。
  6. 半導体素子が光素子であるときには透光性の蓋板が使用される請求項5記載の半導体装置。
  7. 封止部材は半導体素子の上面部をも覆うように基台の内部空間に充填された樹脂である請求項1記載の半導体装置。
  8. 半導体素子が光素子であるときには、封止部材は前記半導体素子上に位置する透光性の蓋板およびこの蓋板の周囲の基台の内部空間に充填された樹脂である請求項1記載の半導体装置。
  9. 壁部に蓋板を位置決めする段差部が形成されている請求項5記載の半導体装置。
  10. 壁部の外面と壁部間の樹脂部の外面とが面一である請求項1記載の半導体装置。
  11. 基板部およびその周縁部分に立ち上がった複数の壁部よりなる基台と前記基板部の周方向に沿って隣り合う壁部間の間隙に露出する複数の導体部とを有したパッケージを形成する工程と、前記基台の内部空間に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の電極と前記壁部間の導体部とを金属細線で電気的に接続する工程と、前記導体部と金属細線との接続部を覆うように前記壁部間の間隙を樹脂で埋め込む工程と、前記基台の内部空間を封止部材で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
  12. パッケージを形成する工程では、基台と複数の導体部とを一体的に、且つ複数組配列して、隣り合う基台の基板部および壁部が少なくとも連続するように形成し、基台の内部空間を封止部材で封止する工程の後に、前記隣り合う基台間で連続している壁部を2分する方向にダイシングすることにより、半導体素子を内包した個々の半導体装置に分割する工程を行う請求項11記載の半導体装置の製造方法。
  13. 基台の内部空間を封止する工程では、前記基台の上端開口を覆う蓋板を封止部材として用いて、前記基台の壁部および壁部間の樹脂部の上面に前記樹脂部と同一あるいは異なる樹脂により固着する請求項11記載の半導体装置の製造方法。
  14. 半導体素子が光素子であるときに透光性の蓋板を用いる請求項13記載の半導体装置の製造方法。
  15. 蓋板を固着する樹脂は、壁部間の間隙を樹脂で埋め込む際に同時に壁部の上面に配置する請求項13記載の半導体装置の製造方法。
  16. 基台の内部空間を封止する工程では、樹脂を封止部材として用いて、前記基台の内部空間に半導体素子の上面部をも覆うように充填する請求項11記載の半導体装置の製造方法。
  17. 半導体素子が光素子であるときには、基台の内部空間を封止する工程として、半導体素子の上面部にカバーシートで覆った透光性の蓋板を配置するステップと、壁部間の間隙を埋め込む樹脂を前記基台の内部空間に前記透光性の蓋板の上面位置まで充填するステップと、前記樹脂の硬化後にカバーシートを剥がすステップとを行う請求項11記載の半導体装置の製造方法。
  18. 樹脂を充填するステップを射出成形法により行う請求項17記載の半導体装置の製造方法。
  19. 樹脂を充填するステップを塗布法により行い、カバーシートを剥がした後に透光性の蓋板の周囲に樹脂をポッティングするステップを行う請求項17記載の半導体装置の製造方法。
  20. 基台の内部空間に充填する樹脂は、壁部間の間隙を樹脂で埋め込む際に同時に充填する請求項16または請求項17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009047949A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Alps Electric Co Ltd 光学素子の製造方法
CN102237388A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 新光电气工业株式会社 制造固态图像传感装置的方法及固态图像传感装置
JP2012182491A (ja) * 2007-09-28 2012-09-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール
JP2013211695A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Konica Minolta Inc 撮像装置
US8952412B2 (en) 2005-12-09 2015-02-10 Sony Corporation Method for fabricating a solid-state imaging package
KR20170051972A (ko) 2015-11-03 2017-05-12 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8493748B2 (en) * 2007-06-27 2013-07-23 Stats Chippac Ltd. Packaging system with hollow package and method for the same
DE102007058951B4 (de) * 2007-12-07 2020-03-26 Snaptrack, Inc. MEMS Package
JP2010062232A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Nec Electronics Corp 素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
TWI395312B (zh) * 2010-01-20 2013-05-01 矽品精密工業股份有限公司 具微機電元件之封裝結構及其製法
CN102447035B (zh) * 2010-10-06 2015-03-25 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 发光二极管、制造该发光二极管的模具及方法
JP5704231B2 (ja) * 2011-04-11 2015-04-22 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法
JP2014197575A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 セイコーエプソン株式会社 パッケージ、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、及び移動体
DE102013209248B4 (de) * 2013-05-17 2021-02-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil
CN104022145B (zh) * 2014-06-23 2017-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 基板的封装方法及封装结构
US9520307B2 (en) * 2015-01-29 2016-12-13 Texas Instruments Incorporated Method and nozzle for hermetically sealed packaged devices
JP6394649B2 (ja) * 2016-06-30 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10710875B2 (en) 2017-11-13 2020-07-14 Texas Instruments Incorporated Encapsulant barrier

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164524A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Kyocera Corp 半導体装置
JP2003179172A (ja) * 2001-10-01 2003-06-27 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2005050934A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Kyocera Corp 半導体装置
JP2006313868A (ja) * 2005-04-08 2006-11-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法並びに半導体収容パッケージ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005720B2 (en) * 2004-01-23 2006-02-28 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with photosensitive chip and fabrication method thereof
US7285434B2 (en) * 2005-03-09 2007-10-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164524A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Kyocera Corp 半導体装置
JP2003179172A (ja) * 2001-10-01 2003-06-27 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2005050934A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Kyocera Corp 半導体装置
JP2006313868A (ja) * 2005-04-08 2006-11-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法並びに半導体収容パッケージ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952412B2 (en) 2005-12-09 2015-02-10 Sony Corporation Method for fabricating a solid-state imaging package
JP2009047949A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Alps Electric Co Ltd 光学素子の製造方法
JP2012182491A (ja) * 2007-09-28 2012-09-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール
CN102237388A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 新光电气工业株式会社 制造固态图像传感装置的方法及固态图像传感装置
JP2013211695A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Konica Minolta Inc 撮像装置
KR20170051972A (ko) 2015-11-03 2017-05-12 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지

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