JP2002076154A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2002076154A JP2002076154A JP2000252244A JP2000252244A JP2002076154A JP 2002076154 A JP2002076154 A JP 2002076154A JP 2000252244 A JP2000252244 A JP 2000252244A JP 2000252244 A JP2000252244 A JP 2000252244A JP 2002076154 A JP2002076154 A JP 2002076154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor element
- curable resin
- electrode
- ultraviolet curable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型軽量で薄型の半導体装置となり、半導体素
子の受光部に樹脂が侵入せず受光特性が低下しないもの
とすること。 【解決手段】上面の中央部分に受光部２が設けられかつ
周縁部分に電極８が形成された半導体素子１が上側主面
に載置され、上側主面の半導体素子１の載置部より周縁
側に電極パッド９が形成された基体５と、電極８および
電極パッド９を電気的に接続したボンディングワイヤ６
と、電極８およびボンディングワイヤ６の電極８からの
立ち上がり部を覆うように上面の周縁部の全周に設けら
れた紫外線硬化性樹脂４と、半導体素子１を覆うように
紫外線硬化性樹脂４の上部でもって接着された、外形が
半導体素子１と略同形の透光性部材３と、半導体素子１
および紫外線硬化性樹脂４並びに透光性部材３の側部の
全周を封止する封止樹脂７とを具備し、紫外線硬化性樹
脂４は連通口１０が設けられている。
子の受光部に樹脂が侵入せず受光特性が低下しないもの
とすること。 【解決手段】上面の中央部分に受光部２が設けられかつ
周縁部分に電極８が形成された半導体素子１が上側主面
に載置され、上側主面の半導体素子１の載置部より周縁
側に電極パッド９が形成された基体５と、電極８および
電極パッド９を電気的に接続したボンディングワイヤ６
と、電極８およびボンディングワイヤ６の電極８からの
立ち上がり部を覆うように上面の周縁部の全周に設けら
れた紫外線硬化性樹脂４と、半導体素子１を覆うように
紫外線硬化性樹脂４の上部でもって接着された、外形が
半導体素子１と略同形の透光性部材３と、半導体素子１
および紫外線硬化性樹脂４並びに透光性部材３の側部の
全周を封止する封止樹脂７とを具備し、紫外線硬化性樹
脂４は連通口１０が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトダイオー
ド，ラインセンサ，イメージセンサ等の受光素子である
半導体素子またはこれらの受光部を有する半導体素子を
具備した半導体装置に関する。
ド，ラインセンサ，イメージセンサ等の受光素子である
半導体素子またはこれらの受光部を有する半導体素子を
具備した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトダイオード（ＰＤ），ライ
ンセンサ，イメージセンサ等の受光素子である半導体素
子またはこれらの受光部を有する半導体素子を具備した
半導体装置は、以下のように構成されていた。セラミッ
クス等から成り半導体素子を載置する底板としての基体
と、セラミックス等から成り基体の周縁部に半導体素子
を囲繞するように設けられた枠体とから構成される容器
本体の内部に半導体素子を載置して接着固定し、半導体
素子の電極と基体上面の外部接続用の電極パッドとを基
体上面に設けられたメタライズ層等で接続し、枠体上面
の外形と略同形状のガラス等から成る蓋体を枠体上部に
載置し樹脂により封止することによって作製される。
ンセンサ，イメージセンサ等の受光素子である半導体素
子またはこれらの受光部を有する半導体素子を具備した
半導体装置は、以下のように構成されていた。セラミッ
クス等から成り半導体素子を載置する底板としての基体
と、セラミックス等から成り基体の周縁部に半導体素子
を囲繞するように設けられた枠体とから構成される容器
本体の内部に半導体素子を載置して接着固定し、半導体
素子の電極と基体上面の外部接続用の電極パッドとを基
体上面に設けられたメタライズ層等で接続し、枠体上面
の外形と略同形状のガラス等から成る蓋体を枠体上部に
載置し樹脂により封止することによって作製される。
【０００３】例えば、従来例として、端子が設けられた
ガラス基板と、ガラス基板面上に離隔し、撮像面のマイ
クロレンズを対向させて搭載、配置された固体撮像素子
と、固体撮像素子端子およびガラス基板端子間を電気的
に接続するバンプと、対向する固体撮像素子のマイクロ
レンズ面およびガラス基板面間に空間を形成しながら固
体撮像素子周面部を一体的に封止する樹脂層とを具備す
ることにより、マイクロレンズ面に異材質が直接接触す
ることを回避する構成を採ることができ、マイクロレン
ズ機能が常時十分に確保され、また組み立てが簡易化さ
れて生産性の高いものとなるというものが提案されてい
る（特開平７−２３１０７４号公報参照）。
ガラス基板と、ガラス基板面上に離隔し、撮像面のマイ
クロレンズを対向させて搭載、配置された固体撮像素子
と、固体撮像素子端子およびガラス基板端子間を電気的
に接続するバンプと、対向する固体撮像素子のマイクロ
レンズ面およびガラス基板面間に空間を形成しながら固
体撮像素子周面部を一体的に封止する樹脂層とを具備す
ることにより、マイクロレンズ面に異材質が直接接触す
ることを回避する構成を採ることができ、マイクロレン
ズ機能が常時十分に確保され、また組み立てが簡易化さ
れて生産性の高いものとなるというものが提案されてい
る（特開平７−２３１０７４号公報参照）。
【０００４】また、他の従来例として、ＰＤ，ラインセ
ンサ，イメージセンサ等の受光素子を有する半導体素子
に対して、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等の透
明部材を、半導体素子の受光部表面との間に空間が形成
されるように半導体素子の受光部エリアにのみ配設し
て、受光部エリアを封止することにより、小型軽量化を
図ることができ、封止樹脂の受光部エリアへの侵入を防
止することができるものが知られている（特開平１１−
２６７８２号公報参照）。
ンサ，イメージセンサ等の受光素子を有する半導体素子
に対して、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等の透
明部材を、半導体素子の受光部表面との間に空間が形成
されるように半導体素子の受光部エリアにのみ配設し
て、受光部エリアを封止することにより、小型軽量化を
図ることができ、封止樹脂の受光部エリアへの侵入を防
止することができるものが知られている（特開平１１−
２６７８２号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例においては、固体撮像素子のマイクロレンズ面と
ガラス基板面間との間の空間、および、透明部材と半導
体素子の受光部表面との間の空間を形成するために、樹
脂製枠体や樹脂製の封止枠を、固体撮像素子や半導体素
子の外周部に設けており、この樹脂製枠体や樹脂製の封
止枠が半導体装置の小型軽量化、薄型化を妨げていた。
また、樹脂製枠体や樹脂製の封止枠を別途作製して位置
精度良く配置する必要があるため、組み立ての作業性が
悪く、生産性が低下し易いものであった。
従来例においては、固体撮像素子のマイクロレンズ面と
ガラス基板面間との間の空間、および、透明部材と半導
体素子の受光部表面との間の空間を形成するために、樹
脂製枠体や樹脂製の封止枠を、固体撮像素子や半導体素
子の外周部に設けており、この樹脂製枠体や樹脂製の封
止枠が半導体装置の小型軽量化、薄型化を妨げていた。
また、樹脂製枠体や樹脂製の封止枠を別途作製して位置
精度良く配置する必要があるため、組み立ての作業性が
悪く、生産性が低下し易いものであった。
【０００６】このような樹脂製枠体や樹脂製の封止枠に
代えて、封止樹脂により上記の空間を形成することもで
きるが、この場合塗布された封止樹脂が受光部エリアに
侵入し、受光部エリアの一部が封止樹脂で覆われて、受
光特性が劣化するという問題が発生し易いものであっ
た。
代えて、封止樹脂により上記の空間を形成することもで
きるが、この場合塗布された封止樹脂が受光部エリアに
侵入し、受光部エリアの一部が封止樹脂で覆われて、受
光特性が劣化するという問題が発生し易いものであっ
た。
【０００７】また、ガラス基板や透明部材を使用せず
に、受光部表面を含む半導体素子の上面および側面を透
明樹脂で覆う構成（樹脂モールド）も採り得るが、半導
体素子の発熱による熱的ストレスや透明樹脂の吸湿によ
り、受光部表面から透明樹脂が剥離し易いという問題が
あった。さらに、半導体素子がマイクロレンズ付のイメ
ージセンサである場合、またはそのようなイメージセン
サ部を有するものである場合、透明樹脂のマイクロレン
ズ面上への被覆により、レンズ効果が大幅に低下すると
いう問題もあった。
に、受光部表面を含む半導体素子の上面および側面を透
明樹脂で覆う構成（樹脂モールド）も採り得るが、半導
体素子の発熱による熱的ストレスや透明樹脂の吸湿によ
り、受光部表面から透明樹脂が剥離し易いという問題が
あった。さらに、半導体素子がマイクロレンズ付のイメ
ージセンサである場合、またはそのようなイメージセン
サ部を有するものである場合、透明樹脂のマイクロレン
ズ面上への被覆により、レンズ効果が大幅に低下すると
いう問題もあった。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、小型軽量化および薄型化
が達成されるとともに組み立ての作業性が良好であり、
生産性が良く、また封止樹脂が半導体素子の受光部エリ
アに侵入して受光特性が劣化するのを防止し得るものと
することにある。
れたものであり、その目的は、小型軽量化および薄型化
が達成されるとともに組み立ての作業性が良好であり、
生産性が良く、また封止樹脂が半導体素子の受光部エリ
アに侵入して受光特性が劣化するのを防止し得るものと
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上面の中央部分に受光部が設けられかつ周縁部分に電極
が形成された半導体素子が上側主面に載置されるととも
に、該上側主面の前記半導体素子の載置部より周縁側に
電極パッドが形成された基体と、前記電極および前記電
極パッドを電気的に接続したボンディングワイヤと、前
記電極および前記ボンディングワイヤの前記電極からの
立ち上がり部を覆うように前記上面の周縁部の全周に設
けられた紫外線硬化性樹脂と、前記半導体素子を覆うよ
うに前記紫外線硬化性樹脂の上部でもって接着された、
外形が前記半導体素子と略同形の透光性部材と、前記半
導体素子および前記紫外線硬化性樹脂並びに前記透光性
部材の側部の全周を封止する封止樹脂とを具備した半導
体装置であって、前記紫外線硬化性樹脂はその内外を連
通させる連通口が設けられていることを特徴とする。
上面の中央部分に受光部が設けられかつ周縁部分に電極
が形成された半導体素子が上側主面に載置されるととも
に、該上側主面の前記半導体素子の載置部より周縁側に
電極パッドが形成された基体と、前記電極および前記電
極パッドを電気的に接続したボンディングワイヤと、前
記電極および前記ボンディングワイヤの前記電極からの
立ち上がり部を覆うように前記上面の周縁部の全周に設
けられた紫外線硬化性樹脂と、前記半導体素子を覆うよ
うに前記紫外線硬化性樹脂の上部でもって接着された、
外形が前記半導体素子と略同形の透光性部材と、前記半
導体素子および前記紫外線硬化性樹脂並びに前記透光性
部材の側部の全周を封止する封止樹脂とを具備した半導
体装置であって、前記紫外線硬化性樹脂はその内外を連
通させる連通口が設けられていることを特徴とする。
【００１０】本発明は、上記の構成により、紫外線硬化
性樹脂が基体の周縁部に枠状に形成されるため、半導体
素子と透光性部材とで形成される空間の側壁と成り、ま
た紫外線硬化性樹脂はボンディングワイヤの頂部の直上
に透光性部材の周縁部が位置するように形成できるた
め、きわめて小型軽量で薄型の半導体装置と成し得る。
また、紫外線硬化性樹脂は塗布後直ちに硬化させること
ができるため、半導体素子の受光部に侵入するのを防ぐ
ことができ、また紫外線硬化性樹脂中にボンディングワ
イヤが入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂
の硬化前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に
維持できる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の
受光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し
得、別個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低
コストに製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
性樹脂が基体の周縁部に枠状に形成されるため、半導体
素子と透光性部材とで形成される空間の側壁と成り、ま
た紫外線硬化性樹脂はボンディングワイヤの頂部の直上
に透光性部材の周縁部が位置するように形成できるた
め、きわめて小型軽量で薄型の半導体装置と成し得る。
また、紫外線硬化性樹脂は塗布後直ちに硬化させること
ができるため、半導体素子の受光部に侵入するのを防ぐ
ことができ、また紫外線硬化性樹脂中にボンディングワ
イヤが入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂
の硬化前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に
維持できる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の
受光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し
得、別個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低
コストに製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
【００１１】また、製造途中において、半導体素子の上
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間内
の気体が、この空間から外部に出ることができるように
連通口が紫外線硬化性樹脂に設けられているので、製造
途中の熱処理等による温度上昇等によりこの空間の内圧
が高くなって紫外線硬化性樹脂にクラックが発生するの
を防ぐことができる。
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間内
の気体が、この空間から外部に出ることができるように
連通口が紫外線硬化性樹脂に設けられているので、製造
途中の熱処理等による温度上昇等によりこの空間の内圧
が高くなって紫外線硬化性樹脂にクラックが発生するの
を防ぐことができる。
【００１２】本発明において、好ましくは、前記紫外線
硬化性樹脂が暗色系に着色されていることを特徴とす
る。
硬化性樹脂が暗色系に着色されていることを特徴とす
る。
【００１３】上記の構成により、外部より入射された光
が、紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光さ
れるのを防ぐことができる。
が、紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光さ
れるのを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置について以下
に説明する。図１は本発明の半導体装置の断面図、図２
（ａ），（ｂ）は図１の半導体装置の異なる実施の形態
をそれぞれ示す要部平面図であり、これらの図におい
て、１はフォトダイオード（ＰＤ），ラインセンサ，イ
メージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device），
ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ＲＯＭ）等の受
光素子である半導体素子またはこれらの受光部を有する
半導体素子、２は半導体素子の上面の中央部分に設けら
れた受光部、３はガラス，石英，サファイア，透明樹脂
等から成る透光性部材、４は紫外線硬化性樹脂、５は半
導体素子１を載置する基体、６は半導体素子１の上面の
周縁部分に設けられた電極８と基体５の電極パッド９と
を電気的に接続するボンディングワイヤ、７は封止樹
脂、１０は紫外線硬化性樹脂４の連通口である。
に説明する。図１は本発明の半導体装置の断面図、図２
（ａ），（ｂ）は図１の半導体装置の異なる実施の形態
をそれぞれ示す要部平面図であり、これらの図におい
て、１はフォトダイオード（ＰＤ），ラインセンサ，イ
メージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device），
ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ＲＯＭ）等の受
光素子である半導体素子またはこれらの受光部を有する
半導体素子、２は半導体素子の上面の中央部分に設けら
れた受光部、３はガラス，石英，サファイア，透明樹脂
等から成る透光性部材、４は紫外線硬化性樹脂、５は半
導体素子１を載置する基体、６は半導体素子１の上面の
周縁部分に設けられた電極８と基体５の電極パッド９と
を電気的に接続するボンディングワイヤ、７は封止樹
脂、１０は紫外線硬化性樹脂４の連通口である。
【００１５】本発明において、半導体素子１は、その上
面の中央部分に受光部２が設けられており、その上面の
受光部２の周囲側である周縁部分には、入出力用の電極
８が形成されている。
面の中央部分に受光部２が設けられており、その上面の
受光部２の周囲側である周縁部分には、入出力用の電極
８が形成されている。
【００１６】また、半導体素子１が載置される基体５の
上側主面には、半導体素子１の載置部より周縁側に電極
パッド９が設けられており、この電極パッド９は基体５
の配線パターン（図示せず）や外部電気回路等に接続さ
れる。
上側主面には、半導体素子１の載置部より周縁側に電極
パッド９が設けられており、この電極パッド９は基体５
の配線パターン（図示せず）や外部電気回路等に接続さ
れる。
【００１７】この基体５は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラ
ミックス，ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミ
ックス等のセラミックス材料、ガラスセラミックス材料
等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフル
オロエチレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン・エチレ
ン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合樹脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン・パーフルオロ
アルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレ
ン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；
ＰＦＡ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリイ
ミド等の樹脂系材料、またはＡｌ，Ｃｕ，Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｃｕ−Ｗ合金等の金属材料
が使用できる。
ミックス，ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミ
ックス等のセラミックス材料、ガラスセラミックス材料
等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフル
オロエチレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン・エチレ
ン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合樹脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン・パーフルオロ
アルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレ
ン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；
ＰＦＡ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリイ
ミド等の樹脂系材料、またはＡｌ，Ｃｕ，Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｃｕ−Ｗ合金等の金属材料
が使用できる。
【００１８】電極８および電極パッド９は、Ｃｕ、Ｍｏ
−Ｍｎのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッ
キ層を被着させたもの、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッ
キ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｔａ2Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ
合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、または
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着
させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜
形成方法やメッキ法等により形成される。
−Ｍｎのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッ
キ層を被着させたもの、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッ
キ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｔａ2Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ
合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、または
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着
させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜
形成方法やメッキ法等により形成される。
【００１９】また、電極８と電極パッド９とは、アルミ
ニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）等から成るボンディングワ
イヤ６で電気的に接続されており、ボンディングワイヤ
６は電極８から立ち上がり、次いで基体５の上側主面の
周縁部の電極パッド９へ向かって下方へ折り曲げられて
おり、その折り曲げ部が頂部となる。
ニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）等から成るボンディングワ
イヤ６で電気的に接続されており、ボンディングワイヤ
６は電極８から立ち上がり、次いで基体５の上側主面の
周縁部の電極パッド９へ向かって下方へ折り曲げられて
おり、その折り曲げ部が頂部となる。
【００２０】そして、ボンディングワイヤ６の少なくと
も立ち上がり部が紫外線硬化性樹脂４で覆われており、
かつ半導体素子１の上面の周縁部の略全周に紫外線硬化
性樹脂４が設けられる。この紫外線硬化性樹脂４は、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポ
リエーテルアミド系樹脂であり、紫外線硬化性と熱硬化
性の両特性を有する併用型であってもよい。また、ボン
ディングワイヤ６の立ち上がり部から折り曲げ部までの
部分を紫外線硬化性樹脂４で覆ってもよく、その折り曲
げ部は頂部に至らない部分まで、略頂部まで、または頂
部から下向きに折り曲がった部分までのいずれであって
もよい。
も立ち上がり部が紫外線硬化性樹脂４で覆われており、
かつ半導体素子１の上面の周縁部の略全周に紫外線硬化
性樹脂４が設けられる。この紫外線硬化性樹脂４は、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポ
リエーテルアミド系樹脂であり、紫外線硬化性と熱硬化
性の両特性を有する併用型であってもよい。また、ボン
ディングワイヤ６の立ち上がり部から折り曲げ部までの
部分を紫外線硬化性樹脂４で覆ってもよく、その折り曲
げ部は頂部に至らない部分まで、略頂部まで、または頂
部から下向きに折り曲がった部分までのいずれであって
もよい。
【００２１】また、図２に示すように、連通口（空隙）
１０は、半導体素子１の上面と紫外線硬化性樹脂４と透
光性部材３とで囲まれる空間内部の気体が、その空間か
ら出入り可能となるように設けてある。この連通口１０
は少なくとも１箇所に設ければよく、また複数箇所に設
けてもよい。連通口１０による空隙の間隔は０．０１〜
１ｍｍであることが好ましく、０．０１ｍｍ未満では、
気体の抜けの十分な効果が得られ難くなり、１ｍｍを超
えると、紫外線硬化性樹脂４の外側に設けられる封止樹
脂７が連通口１０から侵入し、半導体素子１の受光部２
に到達して受光特性が劣化し易くなる。
１０は、半導体素子１の上面と紫外線硬化性樹脂４と透
光性部材３とで囲まれる空間内部の気体が、その空間か
ら出入り可能となるように設けてある。この連通口１０
は少なくとも１箇所に設ければよく、また複数箇所に設
けてもよい。連通口１０による空隙の間隔は０．０１〜
１ｍｍであることが好ましく、０．０１ｍｍ未満では、
気体の抜けの十分な効果が得られ難くなり、１ｍｍを超
えると、紫外線硬化性樹脂４の外側に設けられる封止樹
脂７が連通口１０から侵入し、半導体素子１の受光部２
に到達して受光特性が劣化し易くなる。
【００２２】さらに、図２（ａ）のように、枠状に塗布
形成された紫外線硬化性樹脂４の一部を切り欠いたよう
にして連通口１０を形成してもよく、（ｂ）のように、
枠状に塗布形成された紫外線硬化性樹脂４の一部が連続
しておらず、かつその非連続部で間隔をおいて略平行に
重複するようにして連通口１０を形成してもよい。ま
た、紫外線硬化性樹脂４の内外側面を貫通するようにし
て連通口１０を形成してもよい。
形成された紫外線硬化性樹脂４の一部を切り欠いたよう
にして連通口１０を形成してもよく、（ｂ）のように、
枠状に塗布形成された紫外線硬化性樹脂４の一部が連続
しておらず、かつその非連続部で間隔をおいて略平行に
重複するようにして連通口１０を形成してもよい。ま
た、紫外線硬化性樹脂４の内外側面を貫通するようにし
て連通口１０を形成してもよい。
【００２３】本発明において、紫外線硬化性樹脂４の高
さによって規定される、半導体素子１と透光性部材３と
の間隔が０．０１〜０．５ｍｍであることが好ましく、
０．０１ｍｍ未満では、マイクロレンズに接触するとい
った不具合を生じるおそれがあり、０．５ｍｍを超える
と、小型化、薄型化が成されず実用性が低下する。
さによって規定される、半導体素子１と透光性部材３と
の間隔が０．０１〜０．５ｍｍであることが好ましく、
０．０１ｍｍ未満では、マイクロレンズに接触するとい
った不具合を生じるおそれがあり、０．５ｍｍを超える
と、小型化、薄型化が成されず実用性が低下する。
【００２４】また、紫外線硬化性樹脂４は、黒色、黒灰
色、茶色、褐色、黒褐色、濃緑色、濃青色、青緑色、濃
紫色、暗赤色等の暗色系に着色されているのがよく、こ
の場合染料、顔料等を紫外線硬化性樹脂４に混入させる
ことで容易に暗色系とし得る。このように、紫外線硬化
性樹脂４を暗色系とすることで、紫外線硬化性樹脂４の
表面における光の反射、散乱を抑制することができ、受
光部２にノイズが入るのを大幅に抑えることができる。
色、茶色、褐色、黒褐色、濃緑色、濃青色、青緑色、濃
紫色、暗赤色等の暗色系に着色されているのがよく、こ
の場合染料、顔料等を紫外線硬化性樹脂４に混入させる
ことで容易に暗色系とし得る。このように、紫外線硬化
性樹脂４を暗色系とすることで、紫外線硬化性樹脂４の
表面における光の反射、散乱を抑制することができ、受
光部２にノイズが入るのを大幅に抑えることができる。
【００２５】顔料としては、カーボン，チタン，酸化鉄
等があり、またはこれらの２種以上の混合物がよく、こ
の場合黒色系の顔料となり最も光吸収性に富むものとな
る。紫外線硬化性樹脂４の全固形成分に対する顔料の含
有量は０．１〜５０重量％がよく、０．１重量％未満で
は着色が困難となり、５０重量％を超えると紫外線硬化
性樹脂４に照射される紫外線が顔料により遮断されて紫
外線硬化性樹脂４の硬化が困難となる。また、カーボン
等の導電性粒子の場合その導電性粒子にアクリル樹脂等
をコーティングしたものを用いれば、ボンディングワイ
ヤ６から紫外線硬化性樹脂４を通じてのショート等の問
題が解消される。また、アルミナ等の粒子を用いること
もでき、これはＣｒ等を混入することで濃紫色とし得
る。
等があり、またはこれらの２種以上の混合物がよく、こ
の場合黒色系の顔料となり最も光吸収性に富むものとな
る。紫外線硬化性樹脂４の全固形成分に対する顔料の含
有量は０．１〜５０重量％がよく、０．１重量％未満で
は着色が困難となり、５０重量％を超えると紫外線硬化
性樹脂４に照射される紫外線が顔料により遮断されて紫
外線硬化性樹脂４の硬化が困難となる。また、カーボン
等の導電性粒子の場合その導電性粒子にアクリル樹脂等
をコーティングしたものを用いれば、ボンディングワイ
ヤ６から紫外線硬化性樹脂４を通じてのショート等の問
題が解消される。また、アルミナ等の粒子を用いること
もでき、これはＣｒ等を混入することで濃紫色とし得
る。
【００２６】また、顔料用の粒子の平均粒径は約０．０
５〜約１μｍがよく、０．０５μｍ未満ではフィラーが
凝集して分散性が低下し易くなる。１μｍを超えると、
粒子間の隙間が大きくなり、また紫外線が粒子で遮断さ
れ易くなり、紫外線硬化性樹脂４の硬化性および接着性
が低下し易くなる。
５〜約１μｍがよく、０．０５μｍ未満ではフィラーが
凝集して分散性が低下し易くなる。１μｍを超えると、
粒子間の隙間が大きくなり、また紫外線が粒子で遮断さ
れ易くなり、紫外線硬化性樹脂４の硬化性および接着性
が低下し易くなる。
【００２７】紫外線硬化性樹脂４の明度、彩度、光透過
性に関しては、全くの黒色等に着色すると紫外線が粒子
で遮断され易くなり、紫外線硬化性樹脂４の硬化性が低
下する。従って、半光透過性にしたものや茶色系に着色
したものが、紫外線硬化性樹脂４の硬化性を阻害しない
点で好ましい。
性に関しては、全くの黒色等に着色すると紫外線が粒子
で遮断され易くなり、紫外線硬化性樹脂４の硬化性が低
下する。従って、半光透過性にしたものや茶色系に着色
したものが、紫外線硬化性樹脂４の硬化性を阻害しない
点で好ましい。
【００２８】また、染料を用いる場合、ゼラチン，グリ
ュー，ガゼイン等の天然樹脂あるいはアミン変性ポリビ
ニルアルコール等の合成樹脂から成る染色基材を酸性染
料等の染料で染色して、それを紫外線硬化性樹脂４に混
入させることにより着色し得る。
ュー，ガゼイン等の天然樹脂あるいはアミン変性ポリビ
ニルアルコール等の合成樹脂から成る染色基材を酸性染
料等の染料で染色して、それを紫外線硬化性樹脂４に混
入させることにより着色し得る。
【００２９】さらには、紫外線硬化性樹脂４の表面の光
の反射、散乱を抑制するために、艶消し剤を含有させて
もよい。
の反射、散乱を抑制するために、艶消し剤を含有させて
もよい。
【００３０】また、封止樹脂７は、半導体素子１および
紫外線硬化性樹脂４並びに透光性部材３の側部の全周を
封止するように設けられ、半導体素子１と透光性部材３
と紫外線硬化性樹脂４とで形成される内部の空間を気密
に封止する。この封止樹脂７は、図１に示すように、基
体５の周縁側の電極パッド９およびボンディングワイヤ
６の立ち下がり部までを覆うように設けることができ
る。また、半導体素子１と紫外線硬化性樹脂４および透
光性部材３の側部のみに設けることもでき、従って、こ
の側部に少なくとも塗布形成すればよい。
紫外線硬化性樹脂４並びに透光性部材３の側部の全周を
封止するように設けられ、半導体素子１と透光性部材３
と紫外線硬化性樹脂４とで形成される内部の空間を気密
に封止する。この封止樹脂７は、図１に示すように、基
体５の周縁側の電極パッド９およびボンディングワイヤ
６の立ち下がり部までを覆うように設けることができ
る。また、半導体素子１と紫外線硬化性樹脂４および透
光性部材３の側部のみに設けることもでき、従って、こ
の側部に少なくとも塗布形成すればよい。
【００３１】この封止樹脂７は、フェノール系樹脂，シ
リコーン系樹脂，アクリル系樹脂，ポリエーテルアミド
系樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリエステル樹脂，
エポキシ系樹脂，ケイ素樹脂，フタル酸ジアリル，ポリ
ウレタン等の熱硬化性樹脂がよく、このような熱硬化性
樹脂を用いることで、硬化した紫外線硬化性樹脂４を熱
により軟化させることがなく、半導体素子１と透光性部
材３と紫外線硬化性樹脂４とで形成される内部の空間を
保持した状態で気密に封止し得る。特に、この封止樹脂
７は、シリコーン系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系
樹脂がよく、これらは密着封止性に優れている。
リコーン系樹脂，アクリル系樹脂，ポリエーテルアミド
系樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリエステル樹脂，
エポキシ系樹脂，ケイ素樹脂，フタル酸ジアリル，ポリ
ウレタン等の熱硬化性樹脂がよく、このような熱硬化性
樹脂を用いることで、硬化した紫外線硬化性樹脂４を熱
により軟化させることがなく、半導体素子１と透光性部
材３と紫外線硬化性樹脂４とで形成される内部の空間を
保持した状態で気密に封止し得る。特に、この封止樹脂
７は、シリコーン系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系
樹脂がよく、これらは密着封止性に優れている。
【００３２】また、本発明の半導体装置は、母基板に多
数個を作製しておき、作製後ダイシング法等により個々
の半導体装置に切断し分割してもよい。その場合、図１
の破線部７ａに示すように、封止樹脂７の上部および側
部は、半導体装置全体が直方体状を成すように角張って
いてもよい。
数個を作製しておき、作製後ダイシング法等により個々
の半導体装置に切断し分割してもよい。その場合、図１
の破線部７ａに示すように、封止樹脂７の上部および側
部は、半導体装置全体が直方体状を成すように角張って
いてもよい。
【００３３】本発明の透光性部材３は、半導体素子１を
覆うような半導体素子１の外形と略同形の板状のもので
あり、外光を透過させる窓部および蓋体として機能す
る。この透光性部材３は、主面が平面状の平板状に限ら
ず、レンズ状に加工されたものでもよい。透光性部材３
の厚さは０．３〜１．０ｍｍ程度が良く、０．３ｍｍ未
満では、強度が小さいため組み立て中に破損したり、樹
脂封止によって反りが発生し取り込んだ画像が歪むとい
う問題が発生し易い。１．０ｍｍを超えると、小型軽量
化および薄型化が成されず実用性が低下する。
覆うような半導体素子１の外形と略同形の板状のもので
あり、外光を透過させる窓部および蓋体として機能す
る。この透光性部材３は、主面が平面状の平板状に限ら
ず、レンズ状に加工されたものでもよい。透光性部材３
の厚さは０．３〜１．０ｍｍ程度が良く、０．３ｍｍ未
満では、強度が小さいため組み立て中に破損したり、樹
脂封止によって反りが発生し取り込んだ画像が歪むとい
う問題が発生し易い。１．０ｍｍを超えると、小型軽量
化および薄型化が成されず実用性が低下する。
【００３４】また、透光性部材３としては、光透過率、
製造のし易さ、化学的安定性、強度等の点で、ソーダガ
ラス等のガラス、プラスチック、サファイア（アルミナ
の単結晶）、石英等が好ましい。
製造のし易さ、化学的安定性、強度等の点で、ソーダガ
ラス等のガラス、プラスチック、サファイア（アルミナ
の単結晶）、石英等が好ましい。
【００３５】かくして、本発明は、紫外線硬化性樹脂が
半導体素子と透光性部材とで形成される空間の側壁と成
り、またボンディングワイヤの頂部の直上に透光性部材
の周縁部が位置するように形成できるため、きわめて小
型軽量で薄型の半導体装置と成る。また、紫外線硬化性
樹脂は塗布後直ちに硬化させることができるため、半導
体素子の受光部に紫外線硬化性樹脂が侵入するのを防ぐ
ことができ、また紫外線硬化性樹脂中にボンディングワ
イヤが入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂
の硬化前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に
維持できる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の
受光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し
得、別個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低
コストに製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
半導体素子と透光性部材とで形成される空間の側壁と成
り、またボンディングワイヤの頂部の直上に透光性部材
の周縁部が位置するように形成できるため、きわめて小
型軽量で薄型の半導体装置と成る。また、紫外線硬化性
樹脂は塗布後直ちに硬化させることができるため、半導
体素子の受光部に紫外線硬化性樹脂が侵入するのを防ぐ
ことができ、また紫外線硬化性樹脂中にボンディングワ
イヤが入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂
の硬化前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に
維持できる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の
受光部エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し
得、別個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低
コストに製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
【００３６】また、製造途中において、半導体素子の上
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間の
内部の気体が、その空間内部から出ていくための連通口
を設けているため、熱処理等による温度上昇等によりそ
の空間の内圧が高くなって紫外線硬化性樹脂にクラック
が発生するのを防ぐことができる。
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間の
内部の気体が、その空間内部から出ていくための連通口
を設けているため、熱処理等による温度上昇等によりそ
の空間の内圧が高くなって紫外線硬化性樹脂にクラック
が発生するのを防ぐことができる。
【００３７】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、上面の中央部分に受光部が設
けられかつ周縁部分に電極が形成された半導体素子が上
側主面に載置されるとともに、上側主面の半導体素子の
載置部より周縁側に電極パッドが形成された基体と、電
極および電極パッドを電気的に接続したボンディングワ
イヤと、電極およびボンディングワイヤの電極からの立
ち上がり部を覆うように上面の周縁部の全周に設けられ
た紫外線硬化性樹脂と、半導体素子を覆うように紫外線
硬化性樹脂の上部でもって接着された、外形が半導体素
子と略同形の透光性部材と、半導体素子および紫外線硬
化性樹脂並びに透光性部材の側部の全周を封止する封止
樹脂とを具備し、紫外線硬化性樹脂はその内外を連通さ
せる連通口が設けられていることにより、紫外線硬化性
樹脂が基体の周縁部に枠状に形成されて、半導体素子と
透光性部材とで形成される空間の側壁と成り、また紫外
線硬化性樹脂はボンディングワイヤの頂部の直上に透光
性部材の周縁部が位置するように形成できるため、きわ
めて小型軽量で薄型の半導体装置と成る。また、紫外線
硬化性樹脂は塗布後直ちに硬化させることができ、半導
体素子の受光部にそれが侵入するのを防ぐことができ
る。また、紫外線硬化性樹脂中にボンディングワイヤが
入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂の硬化
前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に維持で
きる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の受光部
エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し得、別
個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低コスト
に製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
けられかつ周縁部分に電極が形成された半導体素子が上
側主面に載置されるとともに、上側主面の半導体素子の
載置部より周縁側に電極パッドが形成された基体と、電
極および電極パッドを電気的に接続したボンディングワ
イヤと、電極およびボンディングワイヤの電極からの立
ち上がり部を覆うように上面の周縁部の全周に設けられ
た紫外線硬化性樹脂と、半導体素子を覆うように紫外線
硬化性樹脂の上部でもって接着された、外形が半導体素
子と略同形の透光性部材と、半導体素子および紫外線硬
化性樹脂並びに透光性部材の側部の全周を封止する封止
樹脂とを具備し、紫外線硬化性樹脂はその内外を連通さ
せる連通口が設けられていることにより、紫外線硬化性
樹脂が基体の周縁部に枠状に形成されて、半導体素子と
透光性部材とで形成される空間の側壁と成り、また紫外
線硬化性樹脂はボンディングワイヤの頂部の直上に透光
性部材の周縁部が位置するように形成できるため、きわ
めて小型軽量で薄型の半導体装置と成る。また、紫外線
硬化性樹脂は塗布後直ちに硬化させることができ、半導
体素子の受光部にそれが侵入するのを防ぐことができ
る。また、紫外線硬化性樹脂中にボンディングワイヤが
入り込む構造であることから、紫外線硬化性樹脂の硬化
前の流れ出しを抑制でき、硬化後の強度も十分に維持で
きる。従って、紫外線硬化性樹脂が半導体素子の受光部
エリアに侵入して受光特性が劣化するのを防止し得、別
個の枠体等を作製し配置する必要もないので、低コスト
に製造でき、組み立ての作業性も良好となる。
【００３９】また、製造途中において、半導体素子の上
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間内
の気体が、この空間から外部に出ることができるように
連通口が紫外線硬化性樹脂に設けられているので、熱処
理等による温度上昇等によりこの空間の内圧が高くなっ
て紫外線硬化性樹脂にクラックが発生するのを防ぐこと
ができる。
面と紫外線硬化性樹脂と透光性部材とで囲まれる空間内
の気体が、この空間から外部に出ることができるように
連通口が紫外線硬化性樹脂に設けられているので、熱処
理等による温度上昇等によりこの空間の内圧が高くなっ
て紫外線硬化性樹脂にクラックが発生するのを防ぐこと
ができる。
【００４０】好ましくは、紫外線硬化性樹脂が暗色系に
着色されていることにより、外部より入射された光が、
紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光される
のを防ぐことができる。
着色されていることにより、外部より入射された光が、
紫外線硬化性樹脂で散乱されてノイズとして受光される
のを防ぐことができる。
【図１】本発明の半導体装置の一実施形態の断面図であ
る。
る。
【図２】（ａ），（ｂ）は図１の半導体装置の異なる実
施の形態をそれぞれ示し、半導体装置の要部平面図であ
る。
施の形態をそれぞれ示し、半導体装置の要部平面図であ
る。
１：半導体素子 ２：受光部 ３：透光性部材 ４：紫外線硬化性樹脂 ５：基体 ６：ボンディングワイヤ ７：封止樹脂 ８：電極 ９：電極パッド １０：連通口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/02
Claims (2)
- 【請求項１】上面の中央部分に受光部が設けられかつ周
縁部分に電極が形成された半導体素子が上側主面に載置
されるとともに、該上側主面の前記半導体素子の載置部
より周縁側に電極パッドが形成された基体と、前記電極
および前記電極パッドを電気的に接続したボンディング
ワイヤと、前記電極および前記ボンディングワイヤの前
記電極からの立ち上がり部を覆うように前記上面の周縁
部の略全周に設けられた紫外線硬化性樹脂と、前記半導
体素子を覆うように前記紫外線硬化性樹脂の上部でもっ
て接着された、外形が前記半導体素子と略同形の透光性
部材と、前記半導体素子および前記紫外線硬化性樹脂並
びに前記透光性部材の側部の全周を封止する封止樹脂と
を具備した半導体装置であって、前記紫外線硬化性樹脂
はその内外を連通させる連通口が設けられていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記紫外線硬化性樹脂が暗色系に着色され
ていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000252244A JP2002076154A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000252244A JP2002076154A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076154A true JP2002076154A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18741516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000252244A Pending JP2002076154A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076154A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100714776B1 (ko) | 2004-05-10 | 2007-05-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법 및 광학장치용 모듈 |
| JP2007235276A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Kyocera Corp | 撮像デバイス |
| JP2007234977A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2007311533A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tdk Corp | 光学半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008047889A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージとその製造方法 |
| WO2009011140A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Fujikura Ltd. | 半導体パッケージとその製造方法 |
| JP2009021307A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法 |
| WO2009113262A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | パナソニック株式会社 | 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP2010133946A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-06-17 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計 |
| JP2013016801A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステム |
| JP2014216475A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2018006760A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | センサパッケージ構造 |
| CN107591374A (zh) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
| CN107611148A (zh) * | 2015-09-25 | 2018-01-19 | 三星电机株式会社 | 图像传感器模块及其制造方法 |
| US10009523B2 (en) | 2015-05-11 | 2018-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| US10164602B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-12-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US10186538B2 (en) | 2016-07-06 | 2019-01-22 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
| JP2019036704A (ja) * | 2017-08-15 | 2019-03-07 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | 積層型センサ実装構造 |
| JP2019036701A (ja) * | 2017-08-16 | 2019-03-07 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | センサパッケージ構造 |
| US10600835B2 (en) | 2016-12-12 | 2020-03-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| US10692917B2 (en) | 2016-07-06 | 2020-06-23 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
-
2000
- 2000-08-23 JP JP2000252244A patent/JP2002076154A/ja active Pending
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100714776B1 (ko) | 2004-05-10 | 2007-05-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법 및 광학장치용 모듈 |
| US7456483B2 (en) | 2004-05-10 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device |
| CN100446223C (zh) * | 2004-05-10 | 2008-12-24 | 夏普株式会社 | 半导体器件及其制作方法和光学器件模块 |
| JP2007235276A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Kyocera Corp | 撮像デバイス |
| JP2007234977A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2007311533A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tdk Corp | 光学半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008047889A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージとその製造方法 |
| JP2009021307A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法 |
| WO2009011140A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Fujikura Ltd. | 半導体パッケージとその製造方法 |
| WO2009113262A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | パナソニック株式会社 | 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 |
| US8274125B2 (en) | 2008-03-11 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| JP2010133946A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-06-17 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計 |
| JP2013016801A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステム |
| JP2014216475A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US10602036B2 (en) | 2015-05-11 | 2020-03-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| US10009523B2 (en) | 2015-05-11 | 2018-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| US10164602B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-12-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| CN107611148A (zh) * | 2015-09-25 | 2018-01-19 | 三星电机株式会社 | 图像传感器模块及其制造方法 |
| US10186538B2 (en) | 2016-07-06 | 2019-01-22 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
| CN107591374A (zh) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
| US10236313B2 (en) | 2016-07-06 | 2019-03-19 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
| JP2018006760A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | センサパッケージ構造 |
| US10692917B2 (en) | 2016-07-06 | 2020-06-23 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
| EP3267486B1 (en) * | 2016-07-06 | 2020-12-30 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
| US10600835B2 (en) | 2016-12-12 | 2020-03-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| JP2019036704A (ja) * | 2017-08-15 | 2019-03-07 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | 積層型センサ実装構造 |
| JP2019036701A (ja) * | 2017-08-16 | 2019-03-07 | キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | センサパッケージ構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002076154A (ja) | 半導体装置 | |
| CN107195751B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| US10340397B2 (en) | Optical sensor device | |
| KR970005706B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| JP5198394B2 (ja) | 近接照度センサおよびその製造方法 | |
| US20180151781A1 (en) | Light emitting device package structure and manufacturing method thereof | |
| CN101065844B (zh) | 固体摄像装置及其制造方法 | |
| US20040201090A1 (en) | Electronic device with cavity and a method for producing the same | |
| WO2010001524A1 (ja) | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 | |
| JP4313503B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0621414A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JP2002043451A (ja) | 半導体装置 | |
| WO2014027476A1 (ja) | 半導体デバイス | |
| JP2002100692A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002164524A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08116042A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2003243673A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2002289718A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3690663B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH10144898A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05343655A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2003229506A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2008226895A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4203367B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004095595A (ja) | 光半導体装置 |