JPH03181168A - カラー固体撮像素子 - Google Patents

カラー固体撮像素子

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JPH03181168A
JPH03181168A JP1319963A JP31996389A JPH03181168A JP H03181168 A JPH03181168 A JP H03181168A JP 1319963 A JP1319963 A JP 1319963A JP 31996389 A JP31996389 A JP 31996389A JP H03181168 A JPH03181168 A JP H03181168A
Authority
JP
Japan
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film
chromosome
light
image sensor
shielding film
Prior art date
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Pending
Application number
JP1319963A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyasu Azuma
東 寛保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03181168A publication Critical patent/JPH03181168A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 !産業上の利用分野コ 本発明は、カラー固体撮像素子に関し、特に、千・Iプ
上に直接カラーフィルタが形成されているカラー固体撮
像素子に関する。
[従来の技術] この種カラー固体撮像素子においては、各受光素子上に
所望の波長の光を透過させるカラーフィルタ層を設け、
入射した光を色分離して各受光素子からカラー電気信号
を得ている。
第2図(a)は、従来の固体撮像素子の断面図である。
同図において、1はn型半導体基板、2はpウェル層、
3は光電変換領域、4は光電変換領域内で発生した信号
電荷の転送を受けこれのチャネルとなる電荷転送領域、
5は光電変換領域間および光電変換領域3−電荷転送領
域4間を分離するチャネルストップ領域、6はゲート酸
化膜、7は読み出し電極を兼ねる転送電極、8は眉間絶
縁膜、9はアルミニウムからなる遮光膜、11はPGM
A、PMM、A等の透明高分子樹脂からなる平坦化膜、
12.13は平坦化膜11と同様の材料により形成され
た第1、第2の防染膜、14〜16はカゼイン、ゼラチ
ン等を被染色母材とし、これを特定の染料により染色し
た第1乃至第3の染色体膜、17は保護膜である9 上記のオンウェハカラーフィルタは次のように形成され
る。第2図(b)に示すように、遮光膜9まで形威され
た固体撮像素子上に平坦化膜11を設け、その上に例え
ばカゼインを1μrnの厚さに塗布して被染色母材H1
4aを形成する。続馨で、フォトマスク18を用いて露
光して特定の画素(図の例では画素A)上に第1の染色
体膜14を形成し、これをシアン等の染料を用いて染色
づる。同様の工程を繰り返すことにより多層のカラーフ
ィルタ層を形成する。
「発明が解決しようとする課題] 上述の従来技術により製造されたカラー固体撮像素子は
以下の欠点を有する。即ち、第2図(b)に示すように
、平坦化膜11の下にはアルミニウムからなる遮光11
19が形成されているので、フォトマスク18を透過し
た露光光線19の一部は遮光膜9の表面で反射して隣の
画素B上に到達する。その結果、画素B上にも線状の染
色体膜が影威される。いま、例えば第1の染色体膜をマ
ゼンタに、第2の染色体膜をシアンに染色して素子を形
成する場合、前述した通り画素B上には線状のマゼンタ
色に染色されたパターンが形成され、その上に本来のシ
アン色に染色された第2の染色体膜が形成される。その
ため、画素B部分のみは他のシアン画素とは分光特性が
異なって形威され、この画素を有する素子は色むらの不
良となる。
上記問題に対し、遮光膜からの光の反射を防止するため
に、最下層の染色体膜を形成する前の工程において、基
板表面に露光光源の波長の光を吸収する有機化合物膜を
形成する方法が考えられたが、この方法では、受光部も
この有機化合物膜で覆われるため、受光素子の分光特性
が変化するという問題が生じる。
[課題を解決するための手段] 本発明の固体撮像素子は、半導体基板の表面領域内に複
数の光電変換領域が設けられ、半導体基板上には絶縁膜
を介して光電変換領域上に開口を有する金属遮光膜が、
さらにその上には透明防染膜と染色体層とが積層された
ものであって、前記金属遮光膜の表面および側面には染
色体層をパターニングする際の露光光線の波長の光を吸
収する電磁波吸収膜が設けられたものである。
[実施例コ 次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第1図<a>は、本発明の一実施例の製造途中段階にお
ける断面図である。同図において、第2図の従来例と共
通する部分には同一の参照番号が付されているので重複
した説明は省略する。
本実施例では、遮光膜9を形成したのち、遮光膜9の表
面および側面にtM法により光吸収膜10を形成する。
この膜は、後の染色体層のパターニングに用いられるg
線(波長436nm)を吸収できるようにこの波長の光
を吸収する染料または顔料とともに電着された高分子樹
脂膜である。
これ以降は、常法により、平坦化膜11、第1の染色体
膜14、第1の防染膜12、第2の染色体膜】5、第2
の防染Il!13、第3の染色体膜l示す固体撮像素子
を完成させる。
このようにして形成された固体撮像素子においては、染
色体層のパターニングに際して露光光線が反射されて不
所望の部分を露光することがないので、フォトマスクの
パターン通りのカラーフィルタを形成することができ、
色むらの発生が防止される。また、光吸収膜10は、電
着法を用いて形成されているので、この膜は、遮光膜9
に対して自己整合されて正確なパターンに形成されてお
り、そして薄くかつ均一な欠陥のない膜に形成されてい
る。
なお、光吸収膜10には、染色体層のパターニング時の
露光光に対して十分な光吸収特性を有するものを用いる
必要がある。また、この膜は、被染色体層を電着法によ
り形威し、然る後これを所望の光吸収特性を有する染料
によって染色して形成することもできる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、遮光膜の表面で、本発
明によれば、染色体膜のパターニングに際して遮光膜表
面まで達した露光光線をこの膜で吸収することができる
。したがって、本発明によれば、遮光膜表面で反射した
光が隣の画素まで入り込み不所望のパターンを形成する
ことがなくなり、色むら不良の発生を防止することがで
きる。
さらに、本発明は、受光素子上にまで紫外線吸収膜を設
けるものではないので、受光素子の分光特性を変化させ
ることもない。
【図面の簡単な説明】
第1図(b)は、本発明の一実施例を示す断面図、第1
図(a)は、その製造途中段階における断面図、第2図
(a>は、従来例の断面図、第2[A(b)は、従来例
の製造工程を説明するための断面図である。 1・・・n型半導体基板、 2・・・pウェル層、 3
・・・光電変換領域、 4・・・電荷転送領域、 5・
・・チャネルストップ領域、 6・・・ゲート酸化膜、
  7・・・転送電極、 8・・・層間絶縁膜、 9・
・・遮光膜、10・・・光吸収膜、  11・・・平坦
化膜、  12・・・第1の防染膜、 13・・・第2
の防染膜、 14〜16・・・第1〜第3の染色体膜、
  17・・・保護膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面領域内に複数の光電変換領域が形成されている半導
    体基板と、該半導体基板上に絶縁膜を介して形成された
    前記複数の光電変換領域上に開口を有する金属遮光膜と
    、該金属遮光膜の表面および側面を被覆する紫外線また
    はそれ以下の波長の電磁波を吸収する電磁波吸収膜と、
    該電磁波吸収膜を有する金属遮光膜上に設けられた、複
    数層の透明防染膜および複数層の染色体膜により構成さ
    れたカラーフィルタとを具備する固体撮像素子。
JP1319963A 1989-12-09 1989-12-09 カラー固体撮像素子 Pending JPH03181168A (ja)

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