JPS61203663A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61203663A
JPS61203663A JP60025469A JP2546985A JPS61203663A JP S61203663 A JPS61203663 A JP S61203663A JP 60025469 A JP60025469 A JP 60025469A JP 2546985 A JP2546985 A JP 2546985A JP S61203663 A JPS61203663 A JP S61203663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
lens
flat
photoelectric conversion
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP60025469A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Tanigaki
勝己 谷垣
Yasuo Ishihara
石原 保雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60025469A priority Critical patent/JPS61203663A/ja
Publication of JPS61203663A publication Critical patent/JPS61203663A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像装置の製造方法に関するものである
〔従来技術〕
一般に固体撮像装置は、半導体基板主面に光電変換部及
び信号読み出し部を有するため、有効な光電変換領域と
して100チ使用することはできない。この欠点を解決
する手段として、光電変換領域と信号読み出し領域を分
離したC0D(電荷結合素子)フレーム・トランスファ
一方式、あるいはCODインターライン転送方式、MO
8型撮像素子上に光導電膜を形成し、光電変換効率を向
上させる構成が提案されている。しかし、これらの方法
はチップサイズの増大、製作の困難さ、光電変換以外の
特性劣化など間組点も多い。さらに固体撮像装置をカラ
ー撮像装置に応用する場合、光電変換領域とカラーフィ
ルタアレーとの目合せずれによって生じる混色の問題が
あった。
そこで、高感度で混色のない固体撮像装置を形成するた
めに、同一半導体基板上にモザイク上に形成された光電
変換素子群と、光電変換素子群で光電変換された信号を
読み出す手段とからなる固体撮像装置において、前記光
電変換素子群の各光電変換素子に対応し、なお且つ、こ
の光電変換素子の主面に色フイルタアレーが形成されて
なり、該色フイルタアレー上に感光性樹脂を用いて前記
光電変換素子に入射光を集光させるための集光レンズが
形成されていることtl−特徴とする固体撮像装置が開
発され特開昭59−122193号公報で公開されてい
る。簡単に、上記固体撮像装置について図を用いて説明
する。第2図(al〜(C1は主要工程における固体撮
像装置の断面概念図を示している。
f42図(alは通常のCODインターライン方式固体
撮像装置の断面を模式的に示したもので半導体基板10
の主面には例えばフォトダイオードからなる光電変換領
域11が配置されている。12は光電変換領域11で光
電変換した信号を読み出すCCDレジスタの領域で、第
2図(alには図示してないが光電変換領域11とCC
Dレジスタ12の間には信号電荷の伝送を制御するトラ
ンスファゲートが配置されている。またCCDレジスタ
およびトランスファゲート領域は例えば、11のような
光を通さない層13で遮光されている。CCDレジスタ
およびトランスファゲート領域の主面と遮光層13間に
は、絶縁層転送電極が配置されているが本発明の動作と
関係がないため図示されていない。第2図(blは第2
図(alに示したCODインターライン転送方式に色フ
ィルターを形成した場合の一191例である。14は例
えばポリビニールアルコール、アクリルなどの可染性樹
脂層で、フォトレジスト技術を用いて、次々に赤15.
緑16.青17の染料を染め分けたものである。第2図
+e)は素子表面上にモザイク状あるいはストライプ状
に色フィルターを形成した後、例えば可染性樹脂層14
あるいはPGMAのような透明で感光性のある樹脂層1
8ft形成する。樹脂層18は、染色層の保IIi膜と
しての役割も行っている。樹脂層18を被覆した後、撮
像装置のポンディングパッド部上のPGllへ有効に集
光するよう形成されたレンズアレーで19のような凸レ
ンズを形成した一例である。
入射光20はレンズ19の曲率半径と樹脂層18の厚さ
により光電変換領域の中に完全に集光することができる
。このように入射光を光電変換部の1点おるいは、小さ
な面積上に集光することKよプ、色フィルタ15,16
.17の目合せかずれても、充分マージンをもって混色
のない固体撮像装置を得ることができる。
〔従来技術の問題点〕
このような固体撮像装置においては、形成する除光を集
光させるために、透明性の良い2−3μmの平坦層1B
を形成し、しかもレンズ層19t−精度よくパターニン
グする必要がある。また、パターニングされた層をレン
ズ化するために、熱でレンズ層を形成するので、平坦層
は、このレンズ形成の場合に、レンズ層をレンズ化する
ための温度で変形しない事が必要である。しかし、2〜
3μmの膜厚の平坦層を得るためには、粘度の高い溶液
を用いねばならず、従って、塗布後の平坦層の表面に凹
凸が生じた9、レンズ層の感光性樹脂を塗布する際に、
レンズ層が下の平坦層とミキシングを生じるために、パ
ターニングがでキナくするという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、これらの欠点を解消するためになされたもの
であり、その目的とするところは、上記欠点をなくシ、
高感度で混色のない固体撮像装置の製造方法を提供する
事である。
〔発明の構成〕
本発明の固体撮像装置の製造方法は、同一半導体基板上
にモザイク状に形成された光電変換素子群と、前記光電
変換素子群で光電変換された信号を読み出す手段からな
る固体撮像装置で、前記光′I!変換素子群の各光電変
換素子に対応して、主面上に色フィルターアレーが形成
され、該色フィルターアレー上に感光性樹脂を用いて前
記各光電変換素子上に入射光を集光させるための感光性
透明樹脂平坦層とレンズ層からなる集光レンズが形成さ
れてなる固体撮像装置の製造方法において、前記フィル
ターアレー上に感光性樹脂層を複数層に分けて形成し各
層ごとに紫外線によシ架橋反応を生せしめ集光レンズ層
の平坦層を形成する工程と、該平坦層上に感光性樹脂層
を形成した後パターニングし、しかる後熱フロー処理を
施すことによりレンズ層を形成する工程とを含んで構成
される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第1図(al 、 (blは本発明の一実施例を説
明するための主要工程に於ける断面図である。
本実施例の製造方法で従来例の第2図(al 、 (b
lの工程は本実施例でも同一のため第2図(C) 、 
(dlに相当する工程を第1図(11、(b)として示
した。なお第2図ta)〜(d)に示す従来例と同一構
成要素は同一記号で表示しである。
まず第1図(alに示すように、第2図(al 、 (
blの工程と同様にして半導体基板10に光電変換領域
11゜信号読み出し領域12.遮光層132色フィルタ
15.16.17を形成する。
次いで、感光性透明樹脂平坦層18を形成する。
本実施例における感光性透明樹脂平坦層の形成は、先ず
架橋型のネガレジス)21mlスピンコーティング法で
約1μmの膜厚忙形成した後、遠紫外線で充分架橋を生
せしめる。更にその上に同様なスピンコーティングによ
りネガレジスト層21bを形成し遠紫外線で架橋する。
この工程を繰り返すことにより21c 、21d等を積
み重ね形成し、3〜4μmの平坦な樹脂層18を形成す
る。この感光性透明樹脂平坦層18は遠紫外線照射工程
で、各々のネガレジスト層を不溶化できるため、多層塗
布で平坦な層が形成できる。
次に、第1図(b)に示すように感光性樹脂平坦層18
上にレンズ樹脂層19t−形成し、パターン化し、次い
で熱フロー処理を行いレンズ化すると本発明の一実施例
の半導体装置は光取する。
なお、感光性樹脂平坦層18は上記したように、平坦で
しかも不溶化されているので、レンズ樹脂層塗布する際
に、感光性樹脂平坦層18とレンズ樹脂層19はミキシ
ングをしないのでレンズ樹脂層19のパターン形成の際
に障害を起すことはない。
更に、複数のネガレジスト層21a〜21 d カらな
る感光性樹脂平坦層18は充分架橋しているので、ガラ
ス転位温度が上昇し、感光性樹脂平坦層1B上に形成す
るレンズ樹脂層19を熱フローでレンズ化する際に用い
る温度も高くすることができる。従ってレンズアレーを
形成する樹脂層19を広い範囲から選ぶことができる。
このような平坦層に用いるネガレジストの特性としては
、透明性が良くて遠紫外線に対して感度を有し、出来る
だけガラス転移温度が高い事が要求される。従って、り
aルメチル化ポリスチレン。
クロルメチル化ポリ(α−メチルスチレン)、ポリ(ク
ロルα−メチルスチレン)、ボ!J(クロルメチルスチ
レン)、ポリ(ハロゲノスチレン)等を用いる事ができ
る。また、上層のレンズ層に用いるレジストとしては平
坦層よりもガラス転移温度が低く、透明性があり、遠紫
外線照射によりパターニングできる事が必要である。従
って、レンズ層に用いるレジストとしては、ポリメチル
イソプロペニルケトン、ポリメチルメタクリレート。
ポリグリシジルメタマクリレート、ポリビニルアルコー
ル、ポリ(ヒドロキシスチレン)ドアシト化合物の混合
系レジスト等を用いる事ができる。
〔発明の効果〕
以上、説明したように、本発明による固体撮像装置の製
造方法は、集光レンズ層を、各層ごとに遠紫外線により
架橋反応を生ぜしめたネガレジスト数層からなる平坦層
を形成し、次いで、レンズ形成層のレジスト層を形成し
、パターニングした後。
熱フローによシレンズを形成する工程からなるので平坦
な厚い3〜4μmの膜が容易に得られるばかシでなく、
レンズ形成層は、塗布時に、架橋反応によυ不溶化して
いる平坦層とミキシングを生じないために、パターニン
グの際に障害を生じないという効果を有する。更には、
架橋反応を充分に生じさせる事にょシ、平坦層のガラス
転移温度が高くなシ、熱フロ一温度の限界を高くする事
ができ、レンズ層に用いるレジストの選択の範囲が広が
るという効果を有する。
従って本発明は固体撮像装置の形成方法に有用なもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(al 、 (blは本発明の一実施例を説明す
るため工程順に示した主要工程の断面図、第2図(al
〜(dlは従来の固体撮像装置の製造方法を説明するた
めに工程順に示した主要工程の断面図である。 10・・・・・・半導体基板、11・・・・・・光電変
換領域、12・・・・・・信号読み出し領域、13・・
・・・・遮光層、14・・・・・・可染性樹脂層、15
,16.17・・・・・・色フィルタ、18・・・・・
・感光性透明樹脂平坦層、19・・・・・・レンズ層、
21a、21b、21c、21d−−−−・−ネガレジ
スト層。 代理人 弁理士  内 原   晋、′−1竿1@

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一半導体基板上にモザイク状に形成された光電変換素
    子群と、前記光電変換素子群で光電変換された信号を読
    み出す手段からなる固体撮像装置で、前記光電変換素子
    群の各光電変換素子に対応して、主面上に色フィルター
    アレーが形成され、該色フィルターアレー上に感光性樹
    脂を用いて前記各光電変換素子上に入射光を集光させる
    ための感光性透明樹脂平坦層とレンズ層からなる集光レ
    ンズが形成されてなる固体撮像装置の製造方法において
    、前記フィルターアレー上に感光性樹脂層を複数層に分
    けて形成し各層ごとに紫外線により架橋反応を生ぜしめ
    集光レンズ層の平坦層を形成する工程と、該平坦層上に
    感光性樹脂層を形成した後パターニングし、しかる後熱
    フロー処理を施すことによりレンズ層を形成する工程と
    を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
JP60025469A 1985-02-13 1985-02-13 固体撮像装置の製造方法 Withdrawn JPS61203663A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60025469A JPS61203663A (ja) 1985-02-13 1985-02-13 固体撮像装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60025469A JPS61203663A (ja) 1985-02-13 1985-02-13 固体撮像装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61203663A true JPS61203663A (ja) 1986-09-09

Family

ID=12166891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60025469A Withdrawn JPS61203663A (ja) 1985-02-13 1985-02-13 固体撮像装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61203663A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251754A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Sony Corp 固体撮像装置
JPH0226071A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像装置
JPH03142881A (ja) * 1989-10-27 1991-06-18 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
FR2671198A1 (fr) * 1990-12-31 1992-07-03 Samsung Electronics Co Ltd Filtre colore et son procede de fabrication.
US5426058A (en) * 1991-07-12 1995-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solid-state imaging device
JP2006245101A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc カラーフィルタを有する撮像装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119864A (en) * 1976-04-02 1977-10-07 Hitachi Ltd Manufacture of semi-conductor device
JPS5910266A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Hitachi Ltd 固体撮像素子の製造方法
JPS59122193A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Nec Corp 固体撮像装置
JPS6060757A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Hitachi Ltd マイクロレンズを備えた撮像素子及びその製造方法
JPS6060756A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Hitachi Ltd マイクロレンズ付固体撮像素子の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119864A (en) * 1976-04-02 1977-10-07 Hitachi Ltd Manufacture of semi-conductor device
JPS5910266A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Hitachi Ltd 固体撮像素子の製造方法
JPS59122193A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Nec Corp 固体撮像装置
JPS6060757A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Hitachi Ltd マイクロレンズを備えた撮像素子及びその製造方法
JPS6060756A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Hitachi Ltd マイクロレンズ付固体撮像素子の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251754A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Sony Corp 固体撮像装置
JPH0226071A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像装置
JPH03142881A (ja) * 1989-10-27 1991-06-18 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
FR2671198A1 (fr) * 1990-12-31 1992-07-03 Samsung Electronics Co Ltd Filtre colore et son procede de fabrication.
US5426058A (en) * 1991-07-12 1995-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solid-state imaging device
JP2006245101A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc カラーフィルタを有する撮像装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5677200A (en) Color charge-coupled device and method of manufacturing the same
US4667092A (en) Solid-state image device with resin lens and resin contact layer
US4721999A (en) Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions
US5691116A (en) Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers
JP2006295125A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ
US20090206430A1 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US20070102716A1 (en) Image sensor and fabricating method thereof
US6232590B1 (en) Solid state image sensor and method for fabricating the same
JPH0645569A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPH1093060A (ja) 固体撮像素子の構造及び製造方法
US5350490A (en) Forming a color filter on a semiconductor substrate
JPS61203663A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH0624232B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPS6164158A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH04343470A (ja) 固体撮像装置
JP2841037B2 (ja) Ccd固体撮像素子の製造方法
US5895943A (en) Color charge-coupled device
JP2802733B2 (ja) カラー固体撮像素子及びその製造方法
KR20050032867A (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JPS59122193A (ja) 固体撮像装置
KR20010061586A (ko) 이미지센서의 마이크로렌즈 형성 방법
JP2988556B2 (ja) マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2001085657A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP2951942B1 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPS59195861A (ja) 固体撮像装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees