JPS6164158A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置の感度向上に関するもので、特に
固体撮像装置上にレンズアレーを形成し、入射光を光電
変換部に集光させることにより光電感度を向上させる。
固体撮像装置上にレンズアレーを形成し、入射光を光電
変換部に集光させることにより光電感度を向上させる。
レンズアレーの製造方法に係るものである。
（従来技術とその問題点）
一般に固体撮像装置は、半導体基板上に元′？Ｌ変換部
および信号読み出し部を有するため、有効な光電変換領
域は、全面積の３０〜５０％に制限されている。この欠
点を解決する手段として固体撮像装置上に、透明なレン
ズを配置し入射元金光電変換部に集光する方法が提案さ
れている（特願昭５６−１０３９９）。
および信号読み出し部を有するため、有効な光電変換領
域は、全面積の３０〜５０％に制限されている。この欠
点を解決する手段として固体撮像装置上に、透明なレン
ズを配置し入射元金光電変換部に集光する方法が提案さ
れている（特願昭５６−１０３９９）。
しかし、このような従来の提案では実現的なレンズアレ
ーの形成方法はなかった。
ーの形成方法はなかった。
具体的に、固体撮像ｉｔ上に凸レンズアレーを形成する
方法は本願発明者によって’ Ａ Ｈｉ ｇｈＰｈｏｔ
ｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ＩＬ−ＣＣＤ Ｉｍａｇｅ
Ｓｅｎｓｏｒｗｉｔｈ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ １（
ｅｓｉｎ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ“ と題（、テＰｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ Ｊｎｔ
ｅｒｎａｔｉ −ｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ、ｐｐ、４９７〜５０（Ｌ
Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８３．で発表された。これ
は光゛電変換素子上に対応して透明な感光性樹脂パター
ンを形成した後、この感光性樹脂の軟化温度以上で熱処
理する。感光性樹脂パターンは、熱流動し凸レンズ状の
断面形状を作ることができる。
方法は本願発明者によって’ Ａ Ｈｉ ｇｈＰｈｏｔ
ｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ＩＬ−ＣＣＤ Ｉｍａｇｅ
Ｓｅｎｓｏｒｗｉｔｈ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ １（
ｅｓｉｎ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ“ と題（、テＰｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ Ｊｎｔ
ｅｒｎａｔｉ −ｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ、ｐｐ、４９７〜５０（Ｌ
Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８３．で発表された。これ
は光゛電変換素子上に対応して透明な感光性樹脂パター
ンを形成した後、この感光性樹脂の軟化温度以上で熱処
理する。感光性樹脂パターンは、熱流動し凸レンズ状の
断面形状を作ることができる。
しかし樹脂の熱流動を利用した凸レンズアレーの形成は
、感光性樹脂と下地の界面の影響が大きく不安定である
。
、感光性樹脂と下地の界面の影響が大きく不安定である
。
（発明の目的）
本発明は、上に述べた欠点をなくし、固体ｔｉｅ装置上
に集積化する凸レンズアレーの製造方法を提供するもの
である。
に集積化する凸レンズアレーの製造方法を提供するもの
である。
（発明の構成）
本発明によれば半導体基板上にモザイク状に形成された
光電変換素子群とこの光電変換素子群で光電変換された
信号を読み出す手段が形成されている固体撮像装置にお
いて、この固体撮像装置の主面に第１の透明樹脂層を被
覆し、次いで第１の透明樹脂層上に第２の樹脂層を被覆
し次いで前記光電変換素子群に対応する部分のｉｆＩ記
第２の樹脂層を除去し、次いで前記第２の樹脂層の開口
部に第３の透明樹脂を拡散させることにより前記光電変
換素子群に対応させ凸レンズアレーを形成する固体撮像
装置の製造方法が得られる。
光電変換素子群とこの光電変換素子群で光電変換された
信号を読み出す手段が形成されている固体撮像装置にお
いて、この固体撮像装置の主面に第１の透明樹脂層を被
覆し、次いで第１の透明樹脂層上に第２の樹脂層を被覆
し次いで前記光電変換素子群に対応する部分のｉｆＩ記
第２の樹脂層を除去し、次いで前記第２の樹脂層の開口
部に第３の透明樹脂を拡散させることにより前記光電変
換素子群に対応させ凸レンズアレーを形成する固体撮像
装置の製造方法が得られる。
（第１の実施例）
次に図面を用いて本発明を説明する。第１回〜第５図は
本発明による固体撮像装置の製造方法の一実施例を説明
するための図で主要工程における固体撮像装置の断面概
念図を示している。
本発明による固体撮像装置の製造方法の一実施例を説明
するための図で主要工程における固体撮像装置の断面概
念図を示している。
第１図はインターライン転送方式ＣＯＤ Ｊ囁像装置の
断面を模式的に示したもので、半導体基板１０の主面に
は例えばフォトダイオードからなる光電変換領域１１が
配置されている。１２ｆｆ元電変撲領域１１で光電変換
した信号を読み出す垂直ＣＣＤレジスタ領域で、光電変
換領域１１と垂直ＣＣＤレジスタ１２０間には、図示し
てないが信号電荷の転送を制御するトランスファゲート
が配置されている。
断面を模式的に示したもので、半導体基板１０の主面に
は例えばフォトダイオードからなる光電変換領域１１が
配置されている。１２ｆｆ元電変撲領域１１で光電変換
した信号を読み出す垂直ＣＣＤレジスタ領域で、光電変
換領域１１と垂直ＣＣＤレジスタ１２０間には、図示し
てないが信号電荷の転送を制御するトランスファゲート
が配置されている。
また垂直ＣＣＤレジスタおよびトランス７アゲート領域
は例えばアルミニウムのような光を通さない層１３で遮
光されている。垂直ＣＣＤレジスタ１２およびトランス
７アゲート領域の主面には絶縁物を介して転送電極が配
置されているが、本発明の動作と関係がないため図示さ
れてない。
は例えばアルミニウムのような光を通さない層１３で遮
光されている。垂直ＣＣＤレジスタ１２およびトランス
７アゲート領域の主面には絶縁物を介して転送電極が配
置されているが、本発明の動作と関係がないため図示さ
れてない。
第２図は、半導体基板主面１０にＣＣＤ撮像装置を形成
し比後、例えばノボラ、り樹脂、ポリエーテルサルフオ
ン等の疎水性樹脂層１４をｖ覆する。
し比後、例えばノボラ、り樹脂、ポリエーテルサルフオ
ン等の疎水性樹脂層１４をｖ覆する。
その後、撮像装置のボンデングパットおよびスフライフ
線上の樹脂層１４はフォトリングラフィの技ゼイ／、ゼ
ラチン、グルランあるいはポリビニールアルコールのよ
うな親水性樹脂に感光剤として重クロム酸カリウムを混
合した樹脂層１５を被覆する。その後光電変換領域１１
に対応する部分１６の親水性樹脂層１５を光化学化反応
によって除去する。
線上の樹脂層１４はフォトリングラフィの技ゼイ／、ゼ
ラチン、グルランあるいはポリビニールアルコールのよ
うな親水性樹脂に感光剤として重クロム酸カリウムを混
合した樹脂層１５を被覆する。その後光電変換領域１１
に対応する部分１６の親水性樹脂層１５を光化学化反応
によって除去する。
例えばインターライン転送方式ＣＣＤあるいはＭＯ８型
撮像装このように光電変換領域の垂直方向列の間に垂直
ＣＯＤレジスタあるいは信号読み出し線がある場合には
、第３図に示す親水性樹脂層の開口部分１６は垂直に配
置されている光電変換領域に対応するようなストライプ
形状でもよい。
撮像装このように光電変換領域の垂直方向列の間に垂直
ＣＯＤレジスタあるいは信号読み出し線がある場合には
、第３図に示す親水性樹脂層の開口部分１６は垂直に配
置されている光電変換領域に対応するようなストライプ
形状でもよい。
疎水性樹脂１４上に親水性樹脂１５のパターンを形成し
ｔ後、第４図に示すように１例えばＷｈｉｔｅｘＢＲＮ
（住友化学製）のような透明疎水性染料１７を熱転写
染色する。疎水性染料１７は親水性樹脂１５をマスクと
して開口部分１６の疎水性樹脂１４に染色される。
ｔ後、第４図に示すように１例えばＷｈｉｔｅｘＢＲＮ
（住友化学製）のような透明疎水性染料１７を熱転写
染色する。疎水性染料１７は親水性樹脂１５をマスクと
して開口部分１６の疎水性樹脂１４に染色される。
第５図は透明染料１７を染色した後の断面形状を示す。
染料１７が染色された部分の疎水性樹脂層は体積膨張圧
より凸状の断面形状になる。
より凸状の断面形状になる。
染料は染色のマスクとして作用する親水性樹脂層１５直
下にも横方向拡散によシ広がり、連続した凸レンズアレ
ーが形成できる。最後に親水性樹脂層１５を除去する。
下にも横方向拡散によシ広がり、連続した凸レンズアレ
ーが形成できる。最後に親水性樹脂層１５を除去する。
凸レンズの曲率は親水性、ｒｔＬＪ脂１５の開口部分の
幅と熱転写染色の温度で決定できる。″また疎水性樹脂
層１４の厚さは入射光が全て光電変換領域？こ集光され
るよう凸レンズの曲率、光電変換領域の開口率、染色層
と樹脂１４の屈折率を考慮して決定される。
幅と熱転写染色の温度で決定できる。″また疎水性樹脂
層１４の厚さは入射光が全て光電変換領域？こ集光され
るよう凸レンズの曲率、光電変換領域の開口率、染色層
と樹脂１４の屈折率を考慮して決定される。
（他の実施例）
第６図は他の実施例の固体撮像の断面模式図をる。第１
の実施例との違いは、固体撮像装置上にカラーフィルタ
が集積化されており、その上に第１の実施例で説明した
凸レンズアレーが形成されていることにある。
の実施例との違いは、固体撮像装置上にカラーフィルタ
が集積化されており、その上に第１の実施例で説明した
凸レンズアレーが形成されていることにある。
第６図において、固体撮像装置が形成された基板半導体
１０上に、例えば第４の実施例の疎水性樹脂層１４と同
一樹脂層１８を被覆し、次にゼラチン等の親水性樹脂層
１９を形成する。その後フォ） ＩＪングラフイの技術
を用いて１例えば赤冗、緑２１．青２２の染料全光電変
換部１１に対応して順次染色する。
１０上に、例えば第４の実施例の疎水性樹脂層１４と同
一樹脂層１８を被覆し、次にゼラチン等の親水性樹脂層
１９を形成する。その後フォ） ＩＪングラフイの技術
を用いて１例えば赤冗、緑２１．青２２の染料全光電変
換部１１に対応して順次染色する。
その後筒１の実施例の第２図に示す工程から第５図の工
程を経ることにより第６図に示す凸レンズアレーを形成
することができる。
程を経ることにより第６図に示す凸レンズアレーを形成
することができる。
また透明樹脂１４を親水性樹脂、染色マスク樹脂を疎水
性樹脂におきかえても良い。この場合に染料を酸性染料
にあるいは第６図に示すカラーフィルターを染色する樹
脂も疎水性樹脂に変えなければならない。
性樹脂におきかえても良い。この場合に染料を酸性染料
にあるいは第６図に示すカラーフィルターを染色する樹
脂も疎水性樹脂に変えなければならない。
（発明の効果）
以上詳細に述べた通り、本発明によれば凸レンズアレー
の曲率を制御よく形成でき、インターラインＣＣＤ撮像
装置、ＭＯ８型撮像装置の光電変換効率を約１００チ圧
することができる。
の曲率を制御よく形成でき、インターラインＣＣＤ撮像
装置、ＭＯ８型撮像装置の光電変換効率を約１００チ圧
することができる。
第１図〜第５図は本発明による固体撮像装置の製造方法
の一実施例を示す主要部分の断面模式図で、第６図は他
の実施例の断面模式図。を示４；１０は半導体基板、１
１は光電変換部、１２は信号読み出し部、１３は遮光部
、１４は透明樹脂、１５は染色マスク樹脂、１７は透明
染料、１９はカラーフィルタを染色する樹脂である。 享 １ 図 亭 ２ 図 審 ３ 図
の一実施例を示す主要部分の断面模式図で、第６図は他
の実施例の断面模式図。を示４；１０は半導体基板、１
１は光電変換部、１２は信号読み出し部、１３は遮光部
、１４は透明樹脂、１５は染色マスク樹脂、１７は透明
染料、１９はカラーフィルタを染色する樹脂である。 享 １ 図 亭 ２ 図 審 ３ 図
Claims (1)
- 半導体基板上にモザイク状に形成された光電変換素子
群とこの光電変換素子群で光電変換された信号を読み出
す手段が形成されている固体撮像装置において、この固
体撮像装置の主面に第１の透明樹脂層を被覆し、次いで
、第１の透明樹脂層上に第２の樹脂層を被覆し、次いで
前記光電変換素子群に対応する部分の前記第２の樹脂層
を除去し次いで、前記第２の樹脂層の開口部に第３の透
明樹脂を拡散させることにより、前記光電変換素子群に
対応させ凸レンズアレーを形成することを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186827A JPH069229B2 (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186827A JPH069229B2 (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164158A true JPS6164158A (ja) | 1986-04-02 |
| JPH069229B2 JPH069229B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16195303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186827A Expired - Lifetime JPH069229B2 (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069229B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5726719A (en) * | 1994-10-17 | 1998-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection-type color display device |
| US5760850A (en) * | 1995-02-10 | 1998-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type image display apparatus |
| US6144426A (en) * | 1997-12-17 | 2000-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory | Liquid crystal projector |
| US6678023B1 (en) | 1997-12-17 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal projector |
| US6939008B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type display device |
| US7002659B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal panel and liquid crystal projector |
| USRE42918E1 (en) | 1994-01-28 | 2011-11-15 | California Institute Of Technology | Single substrate camera device with CMOS image sensor |
| USRE42974E1 (en) | 1994-01-28 | 2011-11-29 | California Institute Of Technology | CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186827A patent/JPH069229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
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| USRE42974E1 (en) | 1994-01-28 | 2011-11-29 | California Institute Of Technology | CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip |
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| US7002659B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal panel and liquid crystal projector |
| US6939008B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069229B2 (ja) | 1994-02-02 |
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