JPH01309370A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH01309370A JPH01309370A JP63141196A JP14119688A JPH01309370A JP H01309370 A JPH01309370 A JP H01309370A JP 63141196 A JP63141196 A JP 63141196A JP 14119688 A JP14119688 A JP 14119688A JP H01309370 A JPH01309370 A JP H01309370A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特にカラー固体撮像素子
に関する。
に関する。
カラー固体撮像素子はカメラの光学系を介して入射され
た光を赤、青、緑あるいはこれらの補色色等に色分離し
、カラー信号を電気信号として取り出すものである。
た光を赤、青、緑あるいはこれらの補色色等に色分離し
、カラー信号を電気信号として取り出すものである。
従来、この種のカラー固体撮像素子は第3図。
第4図に示すような構造となっている。
第3図は固体撮像素子のカラーフィルタを示すレイアウ
ト図、第4図は第3図のA−A’線相当部のセンサチッ
プの断面図である。
ト図、第4図は第3図のA−A’線相当部のセンサチッ
プの断面図である。
半導体基板(ρ型Si基板1)の表面に入射光を光電変
換し、電荷を蓄わえる受光部(p rh接合ホトダイオ
ードのn+型ホトダイオード領域2を示す)を有してい
て、蓄わえられた電荷は垂直転送電極6に特定のパルス
を加えることにより垂直転送部のn型埋込チャネル3に
転送される。
換し、電荷を蓄わえる受光部(p rh接合ホトダイオ
ードのn+型ホトダイオード領域2を示す)を有してい
て、蓄わえられた電荷は垂直転送電極6に特定のパルス
を加えることにより垂直転送部のn型埋込チャネル3に
転送される。
このような構成の受光部の上部には層間膜6を介して光
の入射光量に対する開孔を規定するアルミニウム遮光膜
7を有している。さらにその上部には基板表面を平滑に
するのを目的とした中間層8−1(例えばポリメチルメ
タクリレート(PMMA)、ポリグリシヂルメタクリレ
ート(PGMA)、GCMなどの透明高分子樹脂膜)を
介して所定の形状にパターニングされ染色されたマゼン
ダ染色層9を有している。この染色母体にはゼラチン、
カゼイン、グルー等の蛋白質、又はポリビニルアルコー
ルに重クロム酸塩を添加した水溶性レジストが用いられ
る。さらに中間層8−2を介しシアン染色層10を有し
同様に中間層8−3を介しイエロー染色層11を有し最
上層には基板表面を平坦にするためにかなり厚い中間層
8−4を有した構造となっている。
の入射光量に対する開孔を規定するアルミニウム遮光膜
7を有している。さらにその上部には基板表面を平滑に
するのを目的とした中間層8−1(例えばポリメチルメ
タクリレート(PMMA)、ポリグリシヂルメタクリレ
ート(PGMA)、GCMなどの透明高分子樹脂膜)を
介して所定の形状にパターニングされ染色されたマゼン
ダ染色層9を有している。この染色母体にはゼラチン、
カゼイン、グルー等の蛋白質、又はポリビニルアルコー
ルに重クロム酸塩を添加した水溶性レジストが用いられ
る。さらに中間層8−2を介しシアン染色層10を有し
同様に中間層8−3を介しイエロー染色層11を有し最
上層には基板表面を平坦にするためにかなり厚い中間層
8−4を有した構造となっている。
上述した従来のカラー固体撮像素子は受光面積(開口率
)が全体の30〜50%と小さいため感度が低く、また
斜めに入射した光は垂直転送部に入る場合がありスミア
が発生するという欠点がある。
)が全体の30〜50%と小さいため感度が低く、また
斜めに入射した光は垂直転送部に入る場合がありスミア
が発生するという欠点がある。
本発明の固体撮像素子は半導体基板に設けられた多数の
光電変換素子を含む受光部を備えた固体撮像素子におい
て、前記受光部を被覆する表面が平坦で透明な中間層と
、前記中間層上に前記光電変換素子にそれぞれ対応して
選択的に設けられた透明感光性樹脂層及びその表面を被
覆する他の透明な中間層からなる凸レンズとを有してい
る。
光電変換素子を含む受光部を備えた固体撮像素子におい
て、前記受光部を被覆する表面が平坦で透明な中間層と
、前記中間層上に前記光電変換素子にそれぞれ対応して
選択的に設けられた透明感光性樹脂層及びその表面を被
覆する他の透明な中間層からなる凸レンズとを有してい
る。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すセンサチップの断面図
であり、従来例を示す第4図に対応する。第2図はこの
実施例における光路図である。
であり、従来例を示す第4図に対応する。第2図はこの
実施例における光路図である。
この実施例は、p型Si基板1に設けられた多数の充電
変換素子のn+型ホトダイオード領域2を含む受光部を
備えた固体撮像素子において、前述の受光部を被覆する
表面が平坦で透明な中間層8−1〜8−4と、この中間
層上にn+型ホ1〜ダイオード領域に対応して選択的に
設けられた透明感光性樹脂層13及びその表面を被覆す
る他の透明な中間層8−5からなる凸レンズとを有して
いる。
変換素子のn+型ホトダイオード領域2を含む受光部を
備えた固体撮像素子において、前述の受光部を被覆する
表面が平坦で透明な中間層8−1〜8−4と、この中間
層上にn+型ホ1〜ダイオード領域に対応して選択的に
設けられた透明感光性樹脂層13及びその表面を被覆す
る他の透明な中間層8−5からなる凸レンズとを有して
いる。
中間層8−1〜8−5はPGMAよりなり、透明感光性
樹脂層13はゼラチンよりなる。これらの屈折率は1.
5であり、各染色層の屈折率とは、ぼ等しいので、入射
光がレンズに対し垂直に入射されると仮定した場合第2
図に示した中間層の厚さt、及び凸部の厚さt′が次式
を満足するとき、開口率はほぼ100%になる。
樹脂層13はゼラチンよりなる。これらの屈折率は1.
5であり、各染色層の屈折率とは、ぼ等しいので、入射
光がレンズに対し垂直に入射されると仮定した場合第2
図に示した中間層の厚さt、及び凸部の厚さt′が次式
を満足するとき、開口率はほぼ100%になる。
ここでnQ、nlはそれぞれ空気、中間層の屈折率、p
が水平方向セルピッチの1/2である。
が水平方向セルピッチの1/2である。
各中間層膜厚及び最上部の透明感光性樹脂層13の膜厚
は、この(1)式を基準に定めればよい。例えば、p=
5μm、t’ =2μm、no=l、H,l=l、5の
とき、t=12.5μmを設計中心とすればよい。
は、この(1)式を基準に定めればよい。例えば、p=
5μm、t’ =2μm、no=l、H,l=l、5の
とき、t=12.5μmを設計中心とすればよい。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
従来のカラー固体撮像素子と同様に半導体基板上に受光
部や転送部を形成した後に、常圧CVD法により層間膜
6として酸化シリコンを厚さ1μmに形成し、続いてア
ルミニウム遮光膜7を1μm形成する。次にPGMAを
4.5μm塗布し140°C130分ベークし熱硬化さ
せて中間層8−1を形成する。つづいて2%の重クロム
酸アンモニウムを含んだゼラチンを1μmの厚さに塗布
し70℃、15分のプリベークをした後、高圧水銀ラン
プを用いて露光する。その後、純水中に1分間浸漬し、
所定のパターンを形成する。さらにこれを60℃のマゼ
ンダ染色液に2分間浸漬して、マゼンダ染色層6を形成
する。その上にPGMAを1μm形成し、マゼンダ染色
層6と同様にシアン染色層7、更にはイエロー染色層】
1を積層し最上層にP G M Aを4μm形成して基
板表面を完全平坦化する。ここまでは従来例の製造法と
同じである。さらに各n“型ホトダイオード領域2に対
応する位置及び平面形状にゼラチンを3μmの厚さでパ
ターニングして透明感光性樹脂層13を形成する。その
後、P G M Aを平均1μmの厚さに形成すると、
表面が凸状になる。
部や転送部を形成した後に、常圧CVD法により層間膜
6として酸化シリコンを厚さ1μmに形成し、続いてア
ルミニウム遮光膜7を1μm形成する。次にPGMAを
4.5μm塗布し140°C130分ベークし熱硬化さ
せて中間層8−1を形成する。つづいて2%の重クロム
酸アンモニウムを含んだゼラチンを1μmの厚さに塗布
し70℃、15分のプリベークをした後、高圧水銀ラン
プを用いて露光する。その後、純水中に1分間浸漬し、
所定のパターンを形成する。さらにこれを60℃のマゼ
ンダ染色液に2分間浸漬して、マゼンダ染色層6を形成
する。その上にPGMAを1μm形成し、マゼンダ染色
層6と同様にシアン染色層7、更にはイエロー染色層】
1を積層し最上層にP G M Aを4μm形成して基
板表面を完全平坦化する。ここまでは従来例の製造法と
同じである。さらに各n“型ホトダイオード領域2に対
応する位置及び平面形状にゼラチンを3μmの厚さでパ
ターニングして透明感光性樹脂層13を形成する。その
後、P G M Aを平均1μmの厚さに形成すると、
表面が凸状になる。
各光電変換素子上に凸レンズが設けられているので、受
光部の開口率は向上し、スミアは減小する。
光部の開口率は向上し、スミアは減小する。
以上、カラー固体撮像素子について説明したが、染色層
を設けなければ白黒用の固体撮像素子となり、同様の効
果があることは明らかである。
を設けなければ白黒用の固体撮像素子となり、同様の効
果があることは明らかである。
以上説明したように本発明は、光電変換素子に対応する
位置の表面を凸レンズ状に隆起した構造にすることによ
り、入射光を効率よく光電変換素子の受光面に集光でき
るので斜め入射光も垂直転送部に入ることがなく、スミ
アを低減でき、かつ感度を向上できる効果がある。
位置の表面を凸レンズ状に隆起した構造にすることによ
り、入射光を効率よく光電変換素子の受光面に集光でき
るので斜め入射光も垂直転送部に入ることがなく、スミ
アを低減でき、かつ感度を向上できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係るカラー固体撮像素子の
断面図、第2図はこの実施例における光路図、第3図は
カラー固体撮像索子のカラーフィルタを示すレイアウト
図、第4図は従来のカラー固体撮像素子の断面図である
。 1・・・p型Si基板、2・・・n+型ホトダイオード
領域、3・・・n型埋込チャネル、4・・・p+型チャ
ネルストッパ、5・・・転送電極、6・・・層間膜、7
・・・アルミニウム遮光膜、8−1〜8−5・・・中間
層、9・・・マゼンダ染色層、IO・・・シアン染色層
、11・・・イエロー染色層、12・・・緑フィルタ、
13・・・透明感光性樹脂層。 代理人 弁理士 内 原 パー 月1図 ス身士芭 竿2図 声 j 図 万 4図
断面図、第2図はこの実施例における光路図、第3図は
カラー固体撮像索子のカラーフィルタを示すレイアウト
図、第4図は従来のカラー固体撮像素子の断面図である
。 1・・・p型Si基板、2・・・n+型ホトダイオード
領域、3・・・n型埋込チャネル、4・・・p+型チャ
ネルストッパ、5・・・転送電極、6・・・層間膜、7
・・・アルミニウム遮光膜、8−1〜8−5・・・中間
層、9・・・マゼンダ染色層、IO・・・シアン染色層
、11・・・イエロー染色層、12・・・緑フィルタ、
13・・・透明感光性樹脂層。 代理人 弁理士 内 原 パー 月1図 ス身士芭 竿2図 声 j 図 万 4図
Claims (1)
- 半導体基板に設けられた多数の光電変換素子を含む受
光部を備えた固体撮像素子において、前記受光部を被覆
する表面が平坦で透明な中間層と、前記中間層上に前記
光電変換素子にそれぞれ対応して選択的に設けられた透
明感光性樹脂層及びその表面を被覆する他の透明な中間
層からなる凸レンズとを有することを特徴とする固体撮
像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63141196A JPH01309370A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63141196A JPH01309370A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01309370A true JPH01309370A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15286390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63141196A Pending JPH01309370A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01309370A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0511404A1 (en) * | 1990-11-16 | 1992-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
EP0523825A1 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A solid-state imaging device provided with microleuses |
US5672519A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of fabricating solid state image sensing elements |
GB2387967A (en) * | 2002-02-05 | 2003-10-29 | Sharp Kk | Semiconductor device intralayer lens |
JP2015185844A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | ソリッドステート撮像装置とその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60233852A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63141196A patent/JPH01309370A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60233852A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
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US9412775B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-08-09 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state imaging devices and methods of fabricating the same |
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