JPS63276002A - カラ−固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
カラ−固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPS63276002A JPS63276002A JP62111778A JP11177887A JPS63276002A JP S63276002 A JPS63276002 A JP S63276002A JP 62111778 A JP62111778 A JP 62111778A JP 11177887 A JP11177887 A JP 11177887A JP S63276002 A JPS63276002 A JP S63276002A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の目的】
(産業上の利用分野)
本発明は、カラー固体撮像装置及びその製造方法に関す
る。 (従来技術) カラー固体撮像装置は、光学系を介して入射された光を
、赤1 f!il緑あるいはこれらの補色等のカラー信
号に分離して、それぞれ電気信号として取り出すもので
ある。このカラー撮像装置は、撮像管に比較して、小型
軽量、低消費電力、高信頼性及び長寿命などの優れた特
徴を有し、幅広い用途が考えられている。 第6図は、従来のカラー固体撮像装置における色フィル
タの平面的位置関係を示す平面図である。 同図に示すように、従来のカラー固体撮像装置において
は、イエロー(Ye)、シアン(Cy)、グリーン(G
)及びマゼンタ(Mg)の4色の色フィルタが、色差線
順次方式で配列されている。 (発明が解決しようとする問題点) ト述の第6図の色差線順次方式の色配列パターンの色フ
ィルタを宵するカラー固体撮像装置には以下のような難
点がある。即ち、上記カラー固体撮像装置により画像を
出す場合においては、光源の色温度が約5000″に以
上になると、高くなるほど青色の信号量が多くなると共
に、第7図に示すように、偽信号が大きくなって色再現
性が悪くなるという開力がある。 また、上記色差線順次方式のものを含めて、補色型色フ
ィルターのものには、グリーンの彩度が小さく、そのた
めグリーンがくすんで見え、色再現性が悪いという問題
がある。 本発明は、上記各種の問題に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、色再現性の改善されたカラー固体撮像装置及
びその製造方法を提供することにある。 〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 本発明のカラー固体撮像装置は、半導体基板の表面に形
成された光電変換機能を有する複数の感光画素部と、前
記感光画素部間での電荷転送を司る電荷転送部と、前記
感光画素部上にそれぞれ形成された複数種の色の色フィ
ルタと、を備えたカラー固体撮像装置において、前記感
光画素部のうちの特定のものを除いた残りのものの上方
に形成された色再現性補償用の色フィルタを備えるもの
として構成される。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法は、半導体基板
の表面に光電変換機能を冑する複数の感光画素部を形成
する工程と、前記感光画素部間での電荷転送を司る電荷
転送部を形成する工程と、前記感光画素部上に複数種の
色の色フィルタをそれぞれ形成する工程と、を備えたカ
ラー固体撮像装置の製造方法において、色再現性補償用
の色フィルタを形成するための層を前記複数の感光画素
部の上方全面に形成するための工程と、前記層における
前記感光画素部のうちの特定のものの上方部分を除去す
る工程と、を含むものとして構成される。 (作 用) 本発明のカラー固体撮像装置においては、入射光は感光
画素部で電気信号に光電変換される。変換された電気信
号は電荷転送部によって転送される。 上記感光画素部上には種々の色フィルタが形成されてい
る。そのため、各感光画素部においては、その上方に形
成された色フィルタに応じたカラーの電気信号が変換さ
れる。しかも、感光画素部のうち特定のものを除いた残
りのものの上方に、色再現性補償用の色フィルタが形成
されている。このため、感光画素部のうち特定のものを
除いた残りのもので変換される色電気信号が補償される
。 即ち、ある特定の色についての電気信号はそのまま得ら
れ、その他の色についての電気信号は補償された状態で
得られる。これにより、装置全体としての色再現性が向
上する。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法においては、上
述の機能を有するカラー固体撮像装置が、従来の装置の
製造方法に僅かに他の工程を付加した方法によって、容
品に得られる。 (実施例) 第1図(a)〜(f)を参照して、本発明のカラー固体
撮像装置の製造方法の一実施例を説明する。なお、同図
(a)〜(f)は、第6図のl−1線での断面に対応す
るものである。 第1図(a)において、半導体基板1上の画素領域に、
光電変換素子として機能するフォトダイオード2を所定
のピッチで形成する。フォトダイオード2間に、フォト
ダイオード2間での電荷転送を司る電荷転送部(図示せ
ず)を形成する。この半導体基板1及びフォトダイオー
ド2上に、酸化膜から成る絶縁膜3を形成する。この絶
縁膜3上に、パシベーション膜として機能するPSG(
phospho−silicate glass)膜4
を形成する。 PSG膜4」二にアルミニウム遮光膜5を介してシリコ
ン窒化膜6を形成する。半導体基板1上のフォトダイオ
ード2が形成された部分は、感光部となる部分であり、
従って、アルミニウム遮光膜5にはこの感光部に対応す
る領域に開口部が形設される。 次に、第1図(a)に示す中間段階の装置(CCD基板
)をカラー化するために、この装置上に色フィルタ層を
形成する。即ち、第1図(b)に示すように、シリコン
窒化膜6上に、CCD基板を回転させるスピン塗布技術
により、アクリル系レジストを用いて平滑層7を2μm
の膜厚に形成する。平滑層7上にして、且つ所定の感光
画素の1一方位置に、イエロー染色層8を形成する。即
ち、平滑層7上に、重クロム酸アンモニウムを含んだカ
ゼインレジストを1μmの膜厚となるようにスピン塗布
する。これをプリベークした後、所定のマスクを介して
高圧水銀ランプを用いて露光し、純水にて現像した後ベ
ークする。これにより、上記マスクの形状に対応して、
ガゼインレ、シスト膜のうち所定のシアン感光画素部と
なる部分のみが残存する。このようにして構成した中間
段階の装置を、基板ごと、60℃に保持されたシアン染
色液に浸漬して染色する。これを乾燥することにより、
第1図(b)に示すイエロー染色層8が形成される。 次に、第1図(C)に示すように、イエロー染色層8及
び平滑層7上に、混色防+1=のためにアクリル系レジ
ストを用いて第1中間層9を0.5μmの膜厚に形成す
る。 次に、第1図(d)に示すように、′:j41中間層9
上にして、且つ所定の感光画素の上方に、シアン染色層
10を形成する。シアン染色層10及び第1中間層9上
に、上記と同様に、混色防止のためにアクリル系レジス
トにより第2中間層11を形成する。 次に、第1図(ex)に示すように、第2中間層11上
にして、且つ所定の感光画素の上方に、マゼンタ染色層
12を形成する。マゼンタ染色層12及び第2中間層1
1上に、第2中間層11と同様に、アクリル系レジスト
により保護層13を形成する。 上述のシアン染色層10及びマゼンタ染色層12は、前
記イエロー染色層8とほぼ同様の工程によって形成され
る。即ち、基板のほぼ全面にカゼインレジスト層を形成
し、マスクを用いて露光、現像することによりイエロー
又はマゼンタ感光部となる部分」−にのみカゼインレジ
スト層を残存させ、60℃に保持されたイエロー又はマ
ゼンタ染色液に基板ごと浸漬して染色、乾燥する。 このようにして、第1図(et)に示す中間段階の装置
が得られる。 なお、上述したように、平滑層7、第1中間層9、第2
中間層11及び保護層13は、それぞれアクリル系レジ
ストからなり、P E P (phot。 lEngraving Process )法によりボ
ンディングパット部を除くチップ全体に形成される。 次に、保護層13上に、重クロム酸アンモニウムを含ん
だカゼインレジストを1μmの膜厚でスピン塗布する。 これを、プリベークした後、第4図に示すように、グリ
ーン感光画素部に対応する部分のみが遮光部21aとさ
れたマスク21を介して露光し、純水にて現像した後乾
燥する。これを、40℃に保持されたイエロー染色液に
基板ごと浸漬し、第5図に示す色濃度になるまで薄く染
色した後、乾燥する。これにより、第1図(f)に示す
ように、色再現性補償用のイエロ一層14が得られる。 イエロ一層14は、グリーン感光画素部のみが除去され
ている。次に、イエロ一層14及び保護層13上に、保
護層15を形成する。 保護層15は、平滑層7と同様にして形成される。 これにより、第1図(t”)に示すカラー固体撮像装置
が得られる。 次に、第1図(f)に示した半導体装置の他の製造方法
を説明する。 第1図(el)に示した中間段階の装置を製造後、第2
図(e2)に示すように、保護層13上の全面にイエロ
ーガラス21を蒸若する。そのイエローガラス21の上
面にレジストを塗布した後PEP法により所定の感光画
素部上のレジストを除去し、第2図(e2)に示すレジ
スト層22を形成する。これにより、第2図(e2)に
示す中間段階の装置が得られる。この後、レジスト層2
2をマスクとしてドライエツチングすることにより、イ
エローガラス21のグリーン感光画素部の上方部分を除
去する。これにより、第1図(f)のイエロ一層14が
得られる。こののちの、レジスト層22を取り除いて、
保護層13及びイエロ一層14上に保護層15を形成す
ることにより、第1図(f)に示す半導体装置が得られ
る。 次に、上述の方法とさらに異なる製造方法を説明する。 第1図(e)に示した中間段階の装置を製造後、第3図
(e2’)に示すように、保護層13上にレジストを塗
布後エツチングして、グリーン感光画素部のF方部分に
のみレジスト層31を形成する。この後、保護層13及
びレジスト層31上に、昇華性の染料、顔料等のイエロ
ー色素層32を蒸着する。この後、レジスト層31をリ
フトオフにより除去する。この際、レジスト層31と共
にそのl)iのイエロー色素も取り除かれる。これによ
り、第3図(ea’)に示す中間段階の装置が得られる
。そして、保護層13及びイエロ一層14上に保護層1
5を形成する。これにより、第1図(f)に示す半導体
装置が得られる。 第1図(f)に示すカラー固体撮像装置においては、第
6図に示すYe、Cy%G及びMgの各色フィルタが形
成された感光画素部のうち、Gの色フィルタが形成され
た感光画素部を除いた感光画素部の上方に、イエロ一層
14が形成されている。 上記実施例においては、本発明の製造方法をCCD基板
に適用した場合について説明したが、CCD基板以外に
、MOS型撮像素子、BBD(パケットリレー型撮像素
子)及びCID(電荷注入型撮像素子)等にも適用可能
なのは勿論である。 上記実施例のカラー固体撮像装置においては、シアン、
イエロー及びマゼンタからなる通常の色フィルタを形成
した後、グリーン感光画素部に対応する領域を除いた他
の全部の感光画素部上に、薄染めのイエローフィルタを
形成するようにしたので、光源の色温度が高くなっても
、青色の出力信号が抑制され、且つ偽信号も小さくなり
、色再現性が改善される。 さらに、上記カラー固体撮像装置においては、上述した
ように、グリーン感光画素部上には上記薄染めイエロー
フィルタを形成しないようにしたので、グリーンの出力
信号は従来のものからの信号と変・化なく、相対的にグ
リーンの彩度が増大して色再現性は改濤され、性能は大
きく向l−する。 〔発明の効果〕 本発明のカラー固体撮像装置によれば、光源の色温度が
高くなってもある特定の色の出力信号の増大及び偽信号
の増大をそれぞれ押えることができ、且つ他の特定の色
の彩度も向上させることができ、装置全体としての色再
現性を改善することができる。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法によれば、上記
特定のカラー固体撮像装置を、従来のカラー固体撮像装
置の製造工程を大幅に改変することなく、新たな工程を
僅かに付加するだけという簡単な工程改変により容易に
得ることができる。
る。 (従来技術) カラー固体撮像装置は、光学系を介して入射された光を
、赤1 f!il緑あるいはこれらの補色等のカラー信
号に分離して、それぞれ電気信号として取り出すもので
ある。このカラー撮像装置は、撮像管に比較して、小型
軽量、低消費電力、高信頼性及び長寿命などの優れた特
徴を有し、幅広い用途が考えられている。 第6図は、従来のカラー固体撮像装置における色フィル
タの平面的位置関係を示す平面図である。 同図に示すように、従来のカラー固体撮像装置において
は、イエロー(Ye)、シアン(Cy)、グリーン(G
)及びマゼンタ(Mg)の4色の色フィルタが、色差線
順次方式で配列されている。 (発明が解決しようとする問題点) ト述の第6図の色差線順次方式の色配列パターンの色フ
ィルタを宵するカラー固体撮像装置には以下のような難
点がある。即ち、上記カラー固体撮像装置により画像を
出す場合においては、光源の色温度が約5000″に以
上になると、高くなるほど青色の信号量が多くなると共
に、第7図に示すように、偽信号が大きくなって色再現
性が悪くなるという開力がある。 また、上記色差線順次方式のものを含めて、補色型色フ
ィルターのものには、グリーンの彩度が小さく、そのた
めグリーンがくすんで見え、色再現性が悪いという問題
がある。 本発明は、上記各種の問題に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、色再現性の改善されたカラー固体撮像装置及
びその製造方法を提供することにある。 〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 本発明のカラー固体撮像装置は、半導体基板の表面に形
成された光電変換機能を有する複数の感光画素部と、前
記感光画素部間での電荷転送を司る電荷転送部と、前記
感光画素部上にそれぞれ形成された複数種の色の色フィ
ルタと、を備えたカラー固体撮像装置において、前記感
光画素部のうちの特定のものを除いた残りのものの上方
に形成された色再現性補償用の色フィルタを備えるもの
として構成される。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法は、半導体基板
の表面に光電変換機能を冑する複数の感光画素部を形成
する工程と、前記感光画素部間での電荷転送を司る電荷
転送部を形成する工程と、前記感光画素部上に複数種の
色の色フィルタをそれぞれ形成する工程と、を備えたカ
ラー固体撮像装置の製造方法において、色再現性補償用
の色フィルタを形成するための層を前記複数の感光画素
部の上方全面に形成するための工程と、前記層における
前記感光画素部のうちの特定のものの上方部分を除去す
る工程と、を含むものとして構成される。 (作 用) 本発明のカラー固体撮像装置においては、入射光は感光
画素部で電気信号に光電変換される。変換された電気信
号は電荷転送部によって転送される。 上記感光画素部上には種々の色フィルタが形成されてい
る。そのため、各感光画素部においては、その上方に形
成された色フィルタに応じたカラーの電気信号が変換さ
れる。しかも、感光画素部のうち特定のものを除いた残
りのものの上方に、色再現性補償用の色フィルタが形成
されている。このため、感光画素部のうち特定のものを
除いた残りのもので変換される色電気信号が補償される
。 即ち、ある特定の色についての電気信号はそのまま得ら
れ、その他の色についての電気信号は補償された状態で
得られる。これにより、装置全体としての色再現性が向
上する。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法においては、上
述の機能を有するカラー固体撮像装置が、従来の装置の
製造方法に僅かに他の工程を付加した方法によって、容
品に得られる。 (実施例) 第1図(a)〜(f)を参照して、本発明のカラー固体
撮像装置の製造方法の一実施例を説明する。なお、同図
(a)〜(f)は、第6図のl−1線での断面に対応す
るものである。 第1図(a)において、半導体基板1上の画素領域に、
光電変換素子として機能するフォトダイオード2を所定
のピッチで形成する。フォトダイオード2間に、フォト
ダイオード2間での電荷転送を司る電荷転送部(図示せ
ず)を形成する。この半導体基板1及びフォトダイオー
ド2上に、酸化膜から成る絶縁膜3を形成する。この絶
縁膜3上に、パシベーション膜として機能するPSG(
phospho−silicate glass)膜4
を形成する。 PSG膜4」二にアルミニウム遮光膜5を介してシリコ
ン窒化膜6を形成する。半導体基板1上のフォトダイオ
ード2が形成された部分は、感光部となる部分であり、
従って、アルミニウム遮光膜5にはこの感光部に対応す
る領域に開口部が形設される。 次に、第1図(a)に示す中間段階の装置(CCD基板
)をカラー化するために、この装置上に色フィルタ層を
形成する。即ち、第1図(b)に示すように、シリコン
窒化膜6上に、CCD基板を回転させるスピン塗布技術
により、アクリル系レジストを用いて平滑層7を2μm
の膜厚に形成する。平滑層7上にして、且つ所定の感光
画素の1一方位置に、イエロー染色層8を形成する。即
ち、平滑層7上に、重クロム酸アンモニウムを含んだカ
ゼインレジストを1μmの膜厚となるようにスピン塗布
する。これをプリベークした後、所定のマスクを介して
高圧水銀ランプを用いて露光し、純水にて現像した後ベ
ークする。これにより、上記マスクの形状に対応して、
ガゼインレ、シスト膜のうち所定のシアン感光画素部と
なる部分のみが残存する。このようにして構成した中間
段階の装置を、基板ごと、60℃に保持されたシアン染
色液に浸漬して染色する。これを乾燥することにより、
第1図(b)に示すイエロー染色層8が形成される。 次に、第1図(C)に示すように、イエロー染色層8及
び平滑層7上に、混色防+1=のためにアクリル系レジ
ストを用いて第1中間層9を0.5μmの膜厚に形成す
る。 次に、第1図(d)に示すように、′:j41中間層9
上にして、且つ所定の感光画素の上方に、シアン染色層
10を形成する。シアン染色層10及び第1中間層9上
に、上記と同様に、混色防止のためにアクリル系レジス
トにより第2中間層11を形成する。 次に、第1図(ex)に示すように、第2中間層11上
にして、且つ所定の感光画素の上方に、マゼンタ染色層
12を形成する。マゼンタ染色層12及び第2中間層1
1上に、第2中間層11と同様に、アクリル系レジスト
により保護層13を形成する。 上述のシアン染色層10及びマゼンタ染色層12は、前
記イエロー染色層8とほぼ同様の工程によって形成され
る。即ち、基板のほぼ全面にカゼインレジスト層を形成
し、マスクを用いて露光、現像することによりイエロー
又はマゼンタ感光部となる部分」−にのみカゼインレジ
スト層を残存させ、60℃に保持されたイエロー又はマ
ゼンタ染色液に基板ごと浸漬して染色、乾燥する。 このようにして、第1図(et)に示す中間段階の装置
が得られる。 なお、上述したように、平滑層7、第1中間層9、第2
中間層11及び保護層13は、それぞれアクリル系レジ
ストからなり、P E P (phot。 lEngraving Process )法によりボ
ンディングパット部を除くチップ全体に形成される。 次に、保護層13上に、重クロム酸アンモニウムを含ん
だカゼインレジストを1μmの膜厚でスピン塗布する。 これを、プリベークした後、第4図に示すように、グリ
ーン感光画素部に対応する部分のみが遮光部21aとさ
れたマスク21を介して露光し、純水にて現像した後乾
燥する。これを、40℃に保持されたイエロー染色液に
基板ごと浸漬し、第5図に示す色濃度になるまで薄く染
色した後、乾燥する。これにより、第1図(f)に示す
ように、色再現性補償用のイエロ一層14が得られる。 イエロ一層14は、グリーン感光画素部のみが除去され
ている。次に、イエロ一層14及び保護層13上に、保
護層15を形成する。 保護層15は、平滑層7と同様にして形成される。 これにより、第1図(t”)に示すカラー固体撮像装置
が得られる。 次に、第1図(f)に示した半導体装置の他の製造方法
を説明する。 第1図(el)に示した中間段階の装置を製造後、第2
図(e2)に示すように、保護層13上の全面にイエロ
ーガラス21を蒸若する。そのイエローガラス21の上
面にレジストを塗布した後PEP法により所定の感光画
素部上のレジストを除去し、第2図(e2)に示すレジ
スト層22を形成する。これにより、第2図(e2)に
示す中間段階の装置が得られる。この後、レジスト層2
2をマスクとしてドライエツチングすることにより、イ
エローガラス21のグリーン感光画素部の上方部分を除
去する。これにより、第1図(f)のイエロ一層14が
得られる。こののちの、レジスト層22を取り除いて、
保護層13及びイエロ一層14上に保護層15を形成す
ることにより、第1図(f)に示す半導体装置が得られ
る。 次に、上述の方法とさらに異なる製造方法を説明する。 第1図(e)に示した中間段階の装置を製造後、第3図
(e2’)に示すように、保護層13上にレジストを塗
布後エツチングして、グリーン感光画素部のF方部分に
のみレジスト層31を形成する。この後、保護層13及
びレジスト層31上に、昇華性の染料、顔料等のイエロ
ー色素層32を蒸着する。この後、レジスト層31をリ
フトオフにより除去する。この際、レジスト層31と共
にそのl)iのイエロー色素も取り除かれる。これによ
り、第3図(ea’)に示す中間段階の装置が得られる
。そして、保護層13及びイエロ一層14上に保護層1
5を形成する。これにより、第1図(f)に示す半導体
装置が得られる。 第1図(f)に示すカラー固体撮像装置においては、第
6図に示すYe、Cy%G及びMgの各色フィルタが形
成された感光画素部のうち、Gの色フィルタが形成され
た感光画素部を除いた感光画素部の上方に、イエロ一層
14が形成されている。 上記実施例においては、本発明の製造方法をCCD基板
に適用した場合について説明したが、CCD基板以外に
、MOS型撮像素子、BBD(パケットリレー型撮像素
子)及びCID(電荷注入型撮像素子)等にも適用可能
なのは勿論である。 上記実施例のカラー固体撮像装置においては、シアン、
イエロー及びマゼンタからなる通常の色フィルタを形成
した後、グリーン感光画素部に対応する領域を除いた他
の全部の感光画素部上に、薄染めのイエローフィルタを
形成するようにしたので、光源の色温度が高くなっても
、青色の出力信号が抑制され、且つ偽信号も小さくなり
、色再現性が改善される。 さらに、上記カラー固体撮像装置においては、上述した
ように、グリーン感光画素部上には上記薄染めイエロー
フィルタを形成しないようにしたので、グリーンの出力
信号は従来のものからの信号と変・化なく、相対的にグ
リーンの彩度が増大して色再現性は改濤され、性能は大
きく向l−する。 〔発明の効果〕 本発明のカラー固体撮像装置によれば、光源の色温度が
高くなってもある特定の色の出力信号の増大及び偽信号
の増大をそれぞれ押えることができ、且つ他の特定の色
の彩度も向上させることができ、装置全体としての色再
現性を改善することができる。 本発明のカラー固体撮像装置の製造方法によれば、上記
特定のカラー固体撮像装置を、従来のカラー固体撮像装
置の製造工程を大幅に改変することなく、新たな工程を
僅かに付加するだけという簡単な工程改変により容易に
得ることができる。
第1図(a)〜(f)は本発明のカラー固体撮像装置の
製造方法の一実施例を示す工程断面図、第2図(e2)
はその製造方法の他の実施例を説明するための工程断面
図、第3図(e2′)、(ea’)はその製造方法のさ
らに異なる実施例を説明するための工程断面図、第4図
はその製造方法の実施に使用するマスクの一例の一部を
示す11也面図、第5図はその製造方法の実施によって
得られる色再現性補償用のイエロー染色層(イエローフ
ィルタ)の特性を示す線図、第6図は従来及び本発明の
カラー固体撮像装置の色フィルタの配列を示す平面図、
第7図は従来のカラー固体撮像装置による偽信号特性を
示す線図である。 1・・・半導体基板、2・・・フォトダイオード、8・
・・イエロー染色層、10・・・シアン染色層、12・
・・マゼンタ染色層、14・・・色11工現性補償用の
イエロ一層。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第1図 第1図 図面の浄さ 第1図 第2図 図面の浄書 tL長(nm)
製造方法の一実施例を示す工程断面図、第2図(e2)
はその製造方法の他の実施例を説明するための工程断面
図、第3図(e2′)、(ea’)はその製造方法のさ
らに異なる実施例を説明するための工程断面図、第4図
はその製造方法の実施に使用するマスクの一例の一部を
示す11也面図、第5図はその製造方法の実施によって
得られる色再現性補償用のイエロー染色層(イエローフ
ィルタ)の特性を示す線図、第6図は従来及び本発明の
カラー固体撮像装置の色フィルタの配列を示す平面図、
第7図は従来のカラー固体撮像装置による偽信号特性を
示す線図である。 1・・・半導体基板、2・・・フォトダイオード、8・
・・イエロー染色層、10・・・シアン染色層、12・
・・マゼンタ染色層、14・・・色11工現性補償用の
イエロ一層。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第1図 第1図 図面の浄さ 第1図 第2図 図面の浄書 tL長(nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板の表面に形成された光電変換機能を有す
る複数の感光画素部と、前記感光画素部間での電荷転送
を司る電荷転送部と、前記感光画素部上にそれぞれ形成
された複数種の色の色フィルタと、を備えたカラー固体
撮像装置において、前記感光画素部のうちの特定のもの
を除いた残りのものの上方に形成された色再現性補償用
の色フィルタを備えることを特徴とするカラー固体撮像
装置。 2、半導体基板の表面に光電変換機能を有する複数の感
光画素部を形成する工程と、前記感光画素部間での電荷
転送を司る電荷転送部を形成する工程と、前記感光画素
部上に複数種の色の色フィルタをそれぞれ形成する工程
と、を備えたカラー固体撮像装置の製造方法において、
色再現性補償用の色フィルタを形成するための層を前記
複数の感光画素部の上方全面に形成するための工程と、
前記層における前記感光画素部のうちの特定のものの上
方部分を除去する工程と、を含むことを特徴とするカラ
ー固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111778A JPS63276002A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | カラ−固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111778A JPS63276002A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | カラ−固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63276002A true JPS63276002A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14569929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62111778A Pending JPS63276002A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | カラ−固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63276002A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301904A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-08 | Sharp Corp | カラ−固体撮像素子 |
US5854091A (en) * | 1996-12-28 | 1998-12-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating color solid-state image sensor |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP62111778A patent/JPS63276002A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301904A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-08 | Sharp Corp | カラ−固体撮像素子 |
US5854091A (en) * | 1996-12-28 | 1998-12-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating color solid-state image sensor |
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