JPH03190168A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH03190168A JPH03190168A JP1330763A JP33076389A JPH03190168A JP H03190168 A JPH03190168 A JP H03190168A JP 1330763 A JP1330763 A JP 1330763A JP 33076389 A JP33076389 A JP 33076389A JP H03190168 A JPH03190168 A JP H03190168A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、複数個の受光部の上方にマイクロレンズ層を
備えた固体撮像装置の製造方法に関するものである。
備えた固体撮像装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、固体撮像装置にカラーフィルターを組み合わせる
方式として、同フィルターを半導体基板上に直接形成す
る方式が主流となってきている。
方式として、同フィルターを半導体基板上に直接形成す
る方式が主流となってきている。
以下、従来のカラー固体撮像装置の構造について説明す
る。第２図は従来のカラー固体撮像装置の断面図であり
、半導体基板１にフォトダイオードからなる受光部２が
形成され、その上に絶縁膜３が形成された後、受光部２
以外の上方にポリシリコン２層からなるスイッチング部
４が形成され、さらにその上にアルミニウムからなる遮
光部５が形成される。さらにその上に表面保護膜６と透
明高分子樹脂からなる平坦化層７が形成される。続いて
カラーフィルター層として、感光性を持たせかつ粘度調
製されたカゼイン、ゼラチン等の材料を所望の受光部上
に形成し、適切な染料により染色することにより、所望
のカラーフィルター層８を得る。さらに、混色を防止す
るために平坦化層７に使用したものと同じ透明高分子樹
脂からなる中間層９が形成される。以下同様の工程を各
色フィルターごとに繰り返し、最後に、この上に平坦化
層７および中間層９に使用したものと同じ透明高分子樹
脂からなる保護膜１０を形成することにより、イエロー
・シアン・マゼンタ・グリーン・レッド・グリーン・ブ
ルー、等の色群からなるカラーフィルターを実現してい
る。
る。第２図は従来のカラー固体撮像装置の断面図であり
、半導体基板１にフォトダイオードからなる受光部２が
形成され、その上に絶縁膜３が形成された後、受光部２
以外の上方にポリシリコン２層からなるスイッチング部
４が形成され、さらにその上にアルミニウムからなる遮
光部５が形成される。さらにその上に表面保護膜６と透
明高分子樹脂からなる平坦化層７が形成される。続いて
カラーフィルター層として、感光性を持たせかつ粘度調
製されたカゼイン、ゼラチン等の材料を所望の受光部上
に形成し、適切な染料により染色することにより、所望
のカラーフィルター層８を得る。さらに、混色を防止す
るために平坦化層７に使用したものと同じ透明高分子樹
脂からなる中間層９が形成される。以下同様の工程を各
色フィルターごとに繰り返し、最後に、この上に平坦化
層７および中間層９に使用したものと同じ透明高分子樹
脂からなる保護膜１０を形成することにより、イエロー
・シアン・マゼンタ・グリーン・レッド・グリーン・ブ
ルー、等の色群からなるカラーフィルターを実現してい
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の技術では、固体撮像装
置の小型化あるいは高画素化に伴う、受光領域の面積の
減少による感度低下、Ｓ／Ｎ悪化という問題があった。
置の小型化あるいは高画素化に伴う、受光領域の面積の
減少による感度低下、Ｓ／Ｎ悪化という問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、簡単にか
つ精度よ（感度を向上させることのできる固体撮像装置
の製造方法を提供することを目的とする。
つ精度よ（感度を向上させることのできる固体撮像装置
の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
この目的を達成するために本発明の固体撮像装置の製造
方法は、半導体基板に形成された複数個の受光部の上方
に光透過率の高い材料で第１層のマイクロレンズ基幹部
パターンを食刻形成し、その上に光透過率の高い材料を
塗布して曲率を持たせた表面凸状のマイクロレンズ層を
形成する工程を備えている。
方法は、半導体基板に形成された複数個の受光部の上方
に光透過率の高い材料で第１層のマイクロレンズ基幹部
パターンを食刻形成し、その上に光透過率の高い材料を
塗布して曲率を持たせた表面凸状のマイクロレンズ層を
形成する工程を備えている。
作用
この構成によってマイクロレンズ層を形成することがで
き、簡単に固体撮像装置の感度を向上させることができ
る。さらに透明材料を塗布する工程において適切な粘度
に設定し、適切な膜厚となるように塗布してやれば、再
現性よくマイクロレンズ層を形成することができる。
き、簡単に固体撮像装置の感度を向上させることができ
る。さらに透明材料を塗布する工程において適切な粘度
に設定し、適切な膜厚となるように塗布してやれば、再
現性よくマイクロレンズ層を形成することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の断面
図を示すものである。ここで、１は半導体基板、２は受
光部、３は絶縁膜、４はスイッチング部、５は遮光部、
６は表面保護膜、７は平坦化層、８はカラーフィルター
層、９は中間層であり、これらは従来の固体撮像装置と
同じ構成である。
図を示すものである。ここで、１は半導体基板、２は受
光部、３は絶縁膜、４はスイッチング部、５は遮光部、
６は表面保護膜、７は平坦化層、８はカラーフィルター
層、９は中間層であり、これらは従来の固体撮像装置と
同じ構成である。
次に、中間層９で使用したものと同じ透明高分子樹脂か
らなるカラーフィルター・レンズ間層２０を形成する。
らなるカラーフィルター・レンズ間層２０を形成する。
ついで、この上に光透過率の高い材料、例えば、ゼラチ
ン系レジストを全面に１〜３μｍの膜厚で塗布する。プ
リベークの後、第１図（ａ）のように受光部の上方にド
ツト状のパターンが残るようにマスク露光および温水で
現像を行なうことにより、第１層のマイクロレンズ基幹
部パターン層２１を形成する。最後に、第１図（ｂ）の
ように光透過率の高い材料２例えば、中間層９で使用し
たものと同じ透明高分子樹脂を４０〜５０ｃｐの粘度に
して、０．３〜０．６μｍの膜厚で塗布する。以上の工
程を経てドツト状の表面凸のマイクロレンズ層が形成さ
れる。なおこの透明高分子樹脂は表面保護膜としても作
用する。
ン系レジストを全面に１〜３μｍの膜厚で塗布する。プ
リベークの後、第１図（ａ）のように受光部の上方にド
ツト状のパターンが残るようにマスク露光および温水で
現像を行なうことにより、第１層のマイクロレンズ基幹
部パターン層２１を形成する。最後に、第１図（ｂ）の
ように光透過率の高い材料２例えば、中間層９で使用し
たものと同じ透明高分子樹脂を４０〜５０ｃｐの粘度に
して、０．３〜０．６μｍの膜厚で塗布する。以上の工
程を経てドツト状の表面凸のマイクロレンズ層が形成さ
れる。なおこの透明高分子樹脂は表面保護膜としても作
用する。
本実施例ではドツト状のパターンでマイクロレンズ層を
形成したが、かまぼこ状に形成してもよいし、その他受
光部に光が集光するような表面凸の形状であれば、どの
様な形状でマイクロレンズ層を形成してもよいことは言
うまでもない。また、マイクロレンズ層に充分な集光能
力があれば、マイクロレンズ層の材料が高い透過率を持
つものでなくとも有効である。
形成したが、かまぼこ状に形成してもよいし、その他受
光部に光が集光するような表面凸の形状であれば、どの
様な形状でマイクロレンズ層を形成してもよいことは言
うまでもない。また、マイクロレンズ層に充分な集光能
力があれば、マイクロレンズ層の材料が高い透過率を持
つものでなくとも有効である。
さらに本実施例では、半導体基板状に直接カラーフィル
ターを形成するカラー固体撮像装置について述べたが、
カラーフィルターを形成しない白黒固体撮像装置にも効
果がある。
ターを形成するカラー固体撮像装置について述べたが、
カラーフィルターを形成しない白黒固体撮像装置にも効
果がある。
発明の効果
本発明によれば、半導体基板に形成された受光部の上方
に、透光性材料で第１層のマイクロレンズ基幹部パター
ンを形成し、その上に透光性材料を塗布して曲率を持た
せた表面凸状のマイクロレンズ層を形成することにより
、感度を向上させることのできる優れた固体撮像装置の
製造方法を実現できるものである。
に、透光性材料で第１層のマイクロレンズ基幹部パター
ンを形成し、その上に透光性材料を塗布して曲率を持た
せた表面凸状のマイクロレンズ層を形成することにより
、感度を向上させることのできる優れた固体撮像装置の
製造方法を実現できるものである。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例における固体
撮像装置の製造工程を示す工程順断面図、第２図は従来
の固体撮像装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・受光部、３
・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・スイッチング部、
５・・・・・・遮光部、６・・・・・・表面保護膜、７
・・・・・・平坦化層、８・・・・・・カラーフィルタ
ー層、９・・・・・・中間層、１０・・・・・・保護膜
２０・・・・・・カラーフィルター・レンズ間層、２１
・・・・・・パターン層、２２・・・・・・保護膜。 男２図
撮像装置の製造工程を示す工程順断面図、第２図は従来
の固体撮像装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・受光部、３
・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・スイッチング部、
５・・・・・・遮光部、６・・・・・・表面保護膜、７
・・・・・・平坦化層、８・・・・・・カラーフィルタ
ー層、９・・・・・・中間層、１０・・・・・・保護膜
２０・・・・・・カラーフィルター・レンズ間層、２１
・・・・・・パターン層、２２・・・・・・保護膜。 男２図
Claims (1)
- 半導体基板に形成された複数個の受光部の上方に、透光
性材料で第１層のマイクロレンズ基幹部パターンを食刻
形成し、その上に透光性材料で第２層を塗布することに
より曲率を持たせた表面凸状のマイクロレンズ層を形成
する工程を備えた固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330763A JPH03190168A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330763A JPH03190168A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190168A true JPH03190168A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18236270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330763A Pending JPH03190168A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190168A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5672519A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of fabricating solid state image sensing elements |
| KR100259085B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체촬상소자구조및이의제조방법 |
| KR100259066B1 (ko) * | 1992-06-12 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체 촬상소자 제조방법 |
| GB2387967A (en) * | 2002-02-05 | 2003-10-29 | Sharp Kk | Semiconductor device intralayer lens |
| WO2020059569A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光学素子、光学素子アレイ、レンズ群、電子機器、及び光学素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1330763A patent/JPH03190168A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259066B1 (ko) * | 1992-06-12 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체 촬상소자 제조방법 |
| US5672519A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of fabricating solid state image sensing elements |
| KR100259085B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체촬상소자구조및이의제조방법 |
| GB2387967A (en) * | 2002-02-05 | 2003-10-29 | Sharp Kk | Semiconductor device intralayer lens |
| GB2387967B (en) * | 2002-02-05 | 2004-07-07 | Sharp Kk | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6903395B2 (en) | 2002-02-05 | 2005-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including interlayer lens |
| WO2020059569A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光学素子、光学素子アレイ、レンズ群、電子機器、及び光学素子の製造方法 |
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