JPS59195861A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS59195861A JPS59195861A JP58069223A JP6922383A JPS59195861A JP S59195861 A JPS59195861 A JP S59195861A JP 58069223 A JP58069223 A JP 58069223A JP 6922383 A JP6922383 A JP 6922383A JP S59195861 A JPS59195861 A JP S59195861A
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Classifications
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
置等の固体撮像装置の製造方法に関し、特に、カラー化
に対応した固体撮像装置の製造方法に関する。
に対応した固体撮像装置の製造方法に関する。
固体撮像装置は、一般に、画像情報となる外部からの入
射光を受けて電荷を発生する受光部と、この受光部に発
生した電荷を転送するための転送部とを多数配列してな
るものであるが、その受光エリア内に光電変換機能を有
していない上記転送部が含まれているために、画像情報
の一部が電気信号に変換されず、したがって光感度が低
いという欠点を有している。
射光を受けて電荷を発生する受光部と、この受光部に発
生した電荷を転送するための転送部とを多数配列してな
るものであるが、その受光エリア内に光電変換機能を有
していない上記転送部が含まれているために、画像情報
の一部が電気信号に変換されず、したがって光感度が低
いという欠点を有している。
そこで、このような固体撮像装置の光感度の向上を図る
ために、固体撮像装置の各受光部に対してマイクロ集光
レンズの如き屈折光学素子を設は実効的に開口率を上げ
たシ、さらに上記固体撮像装置がカラー撮像装置である
場合には、上記屈折光学素子と受光部の間に色フィルタ
を形成して光ところで、このような固体撮像装置に上記
屈折光学素子や色フィルタを形成する場合には、種々の
困難が伴う。たとえば、上記屈折光学素子は混色を避け
るため上記受光部との距離を十分に小さくする必要があ
シ、このため色フィルタ上に密着して形成することが好
ましい。そして、従来は、上記屈折光学素子として所謂
レノチキーラーレンズ等をレンズシートとしてガラス等
によシ極めて薄く成形し、このレンズシートを貼層する
という方法が用いられている。
ために、固体撮像装置の各受光部に対してマイクロ集光
レンズの如き屈折光学素子を設は実効的に開口率を上げ
たシ、さらに上記固体撮像装置がカラー撮像装置である
場合には、上記屈折光学素子と受光部の間に色フィルタ
を形成して光ところで、このような固体撮像装置に上記
屈折光学素子や色フィルタを形成する場合には、種々の
困難が伴う。たとえば、上記屈折光学素子は混色を避け
るため上記受光部との距離を十分に小さくする必要があ
シ、このため色フィルタ上に密着して形成することが好
ましい。そして、従来は、上記屈折光学素子として所謂
レノチキーラーレンズ等をレンズシートとしてガラス等
によシ極めて薄く成形し、このレンズシートを貼層する
という方法が用いられている。
しかしながら、上記レンズシートは非常に薄いのでその
取シ扱いが著しく煩雑で、特に、貼9合わせは技術的に
非常に難しい。また、従来は、上記屈折光学素子や色フ
ィルタを別々に形成して上記撮像装置に貼着しているた
めに、これら屈折光学素子や色フィルタから入射した光
が混色を起こすことなく撮像装置の受光部に導かれるよ
うに受光部に対してそれぞれ高精度に位置合わせする必
要があシ、作業性が極めて悪く生産効率を著しく低下し
ている。
取シ扱いが著しく煩雑で、特に、貼9合わせは技術的に
非常に難しい。また、従来は、上記屈折光学素子や色フ
ィルタを別々に形成して上記撮像装置に貼着しているた
めに、これら屈折光学素子や色フィルタから入射した光
が混色を起こすことなく撮像装置の受光部に導かれるよ
うに受光部に対してそれぞれ高精度に位置合わせする必
要があシ、作業性が極めて悪く生産効率を著しく低下し
ている。
そこで、本発明は上述の従来の方法の有する欠点を解消
するために提案されたものであム位置合わせ作業を軽減
するとともに製造工程の簡略化を図シ、生産効率を向上
、することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
するために提案されたものであム位置合わせ作業を軽減
するとともに製造工程の簡略化を図シ、生産効率を向上
、することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、撮像素子
を形成してなる半導体基板上に屈折光学素子の外形に相
当する形状の凹部を有する透明基板を配置する工程と、
上記透明基板上に上記撮像素子の第1の受光部に対向し
て開口部を有する遮光層を形成するとともに上記各基板
間の間隙に着色を施した感光性樹脂を充填し、露光を施
して硬化し第1の屈折光学素子を形成する工程と、上記
撮像装置の第2の受光部に対向して透明基板の遮光層の
開口部を配置するとともに上記第1の屈折光学素子が形
成される部分以外の上記間隙に上記感光性樹脂と異なる
着色を施した感光性樹脂を充填し、露光を施し第2の屈
折光学素子を形成する工程とを少なくとも有し、最後に
上記透明基板を除去してなるものである。
を形成してなる半導体基板上に屈折光学素子の外形に相
当する形状の凹部を有する透明基板を配置する工程と、
上記透明基板上に上記撮像素子の第1の受光部に対向し
て開口部を有する遮光層を形成するとともに上記各基板
間の間隙に着色を施した感光性樹脂を充填し、露光を施
して硬化し第1の屈折光学素子を形成する工程と、上記
撮像装置の第2の受光部に対向して透明基板の遮光層の
開口部を配置するとともに上記第1の屈折光学素子が形
成される部分以外の上記間隙に上記感光性樹脂と異なる
着色を施した感光性樹脂を充填し、露光を施し第2の屈
折光学素子を形成する工程とを少なくとも有し、最後に
上記透明基板を除去してなるものである。
以下、本発明を単板式のカラー固体撮像装置の製造]工
程に適用した具体的な一実施例について、図面を参照し
なから説明する。
程に適用した具体的な一実施例について、図面を参照し
なから説明する。
先ず、この実姉例においては、型板となる透明基板に後
述の屈折光学素子の外形形状に相当する形状の凹部をあ
らかじめ形成しておく必要かある。
述の屈折光学素子の外形形状に相当する形状の凹部をあ
らかじめ形成しておく必要かある。
そこで、この透明基板に対して上記凹部を形成する手段
の一例から説明する。この例においては、5102 に
対してりんPをドープした場合、これがドープされない
ものに比して例えば弗化水素系エツチング液に対するエ
ツチング速度が速くなることに着目し、更にとのりんの
8102に対するドーピングはイオン注入法を適用する
ことによってその制御が自由に行い得ることを利用して
S io2 にその膜厚方向に関してエツチングが上層
側はど速くなるようなシんPの濃度分布を、このシんP
のイオン注入によって形成してその後のエツチングによ
って錐体状凹部を形成するものである。以下、この方法
によって透明基板を作成する手順を第1図ないし第4図
を参照して説明する。
の一例から説明する。この例においては、5102 に
対してりんPをドープした場合、これがドープされない
ものに比して例えば弗化水素系エツチング液に対するエ
ツチング速度が速くなることに着目し、更にとのりんの
8102に対するドーピングはイオン注入法を適用する
ことによってその制御が自由に行い得ることを利用して
S io2 にその膜厚方向に関してエツチングが上層
側はど速くなるようなシんPの濃度分布を、このシんP
のイオン注入によって形成してその後のエツチングによ
って錐体状凹部を形成するものである。以下、この方法
によって透明基板を作成する手順を第1図ないし第4図
を参照して説明する。
先ず第1図に示すように、シリコン或いはガラス等よV
)J’y36る基材1を設け、これの上に5i02%の
被エツチング膜2を熱酸化法等によって被着形成する。
)J’y36る基材1を設け、これの上に5i02%の
被エツチング膜2を熱酸化法等によって被着形成する。
そしてこの5in2膜2に対してりんPを5×1018
cm のドーズ量で5 Q keVをもってイオン注
入する。その後窒素N2ガス中で1000℃20分間の
熱処理を行う。このようにすると5I02112にその
表面におけるほどシんPの濃度が高められたドービー7
グがなされる。次に第3図に示すようにこの膜2上にエ
ツチングレジスト膜3例えばフォトレジストを塗布しこ
れに露光現像処理を施して所要の形状例えば正方形のパ
ターンを有する窓4を所要の幅及びピッチをもってたて
、よこに配列穿設する。そしてこの窓4を通じてS i
o2膜2に対して例えば弗化水素系エツチング液、例え
ば弗化アンモニウムと弗酸とが100:12に選定され
たエツチング液によってS iO,膜2の表面側からエ
ツチノグを行う。このようにするとそのエツチノグによ
ってSr 02膜2に凹部5が形成されるが、この場合
Sin、膜2がその表面側においてエツチノグ速度が速
いためにその表面側におけるほど横方向(面方向)への
エツチノグが犬となって断面錐形例えば四角錐体状の凹
部5′7り形成される。この場合、そのピッチを適当に
選定すればこれらが連続して所要のピンチに形成された
錐体状凹凸がSin、、膜2に形成される。その後第4
図に示すようにエツチノグレジスト膜3を除去すれば表
面に錐体状凹部5の配列による凹凸が形成された透明基
板6が形成される。このようにして形成された透明基板
6の錐体状凹凸は、5in2に対するシんPのドーピン
グの厚さ方向に関する濃度分布を適当に選定することに
よってその四部5の傾斜角θは任意に選ぶことができ、
例えば7°前後以下の6°程度にも正確に選定すること
ができる。
cm のドーズ量で5 Q keVをもってイオン注
入する。その後窒素N2ガス中で1000℃20分間の
熱処理を行う。このようにすると5I02112にその
表面におけるほどシんPの濃度が高められたドービー7
グがなされる。次に第3図に示すようにこの膜2上にエ
ツチングレジスト膜3例えばフォトレジストを塗布しこ
れに露光現像処理を施して所要の形状例えば正方形のパ
ターンを有する窓4を所要の幅及びピッチをもってたて
、よこに配列穿設する。そしてこの窓4を通じてS i
o2膜2に対して例えば弗化水素系エツチング液、例え
ば弗化アンモニウムと弗酸とが100:12に選定され
たエツチング液によってS iO,膜2の表面側からエ
ツチノグを行う。このようにするとそのエツチノグによ
ってSr 02膜2に凹部5が形成されるが、この場合
Sin、膜2がその表面側においてエツチノグ速度が速
いためにその表面側におけるほど横方向(面方向)への
エツチノグが犬となって断面錐形例えば四角錐体状の凹
部5′7り形成される。この場合、そのピッチを適当に
選定すればこれらが連続して所要のピンチに形成された
錐体状凹凸がSin、、膜2に形成される。その後第4
図に示すようにエツチノグレジスト膜3を除去すれば表
面に錐体状凹部5の配列による凹凸が形成された透明基
板6が形成される。このようにして形成された透明基板
6の錐体状凹凸は、5in2に対するシんPのドーピン
グの厚さ方向に関する濃度分布を適当に選定することに
よってその四部5の傾斜角θは任意に選ぶことができ、
例えば7°前後以下の6°程度にも正確に選定すること
ができる。
本発明においては、このようにして得られる透明基板6
を型板として用いて屈折光学素子を半導体基板上に形成
する。
を型板として用いて屈折光学素子を半導体基板上に形成
する。
以下、この透明基板6を用いてRG B方式の単板式カ
ラー固体撮像装置を製造する場合の製造工程について第
5図ないし第13図を参照して説明する。
ラー固体撮像装置を製造する場合の製造工程について第
5図ないし第13図を参照して説明する。
先ず、第5図に示すように屈折光学素子全被着形成すべ
き半導体基板7を用意し、この上に例えばスペー→ノー
8を介して上記透明基板6をその凹部5が上記半導体基
板7の後述する受光部と対向するように配置する。
き半導体基板7を用意し、この上に例えばスペー→ノー
8を介して上記透明基板6をその凹部5が上記半導体基
板7の後述する受光部と対向するように配置する。
上記半導体基板7は、画像情報となる入射光を受けて電
荷全発生蓄積する受光部9と、その受光部9に発生蓄積
した電荷を転送するための転送部10(光電変換機能を
有さす)とを多数配列形成し撮像集子を構成して成シ、
表面ケ平坦化するためにポリイミド樹脂等の透明樹脂に
よシ形成される樹脂層11があらかじめ被着形成されて
いる。
荷全発生蓄積する受光部9と、その受光部9に発生蓄積
した電荷を転送するための転送部10(光電変換機能を
有さす)とを多数配列形成し撮像集子を構成して成シ、
表面ケ平坦化するためにポリイミド樹脂等の透明樹脂に
よシ形成される樹脂層11があらかじめ被着形成されて
いる。
まプζ、上記透明基板6の上面には、上記受光部9のう
ち例えば赤色に対応する第1の受光部9aに対向して開
口部13全有する遮光層12がクロム等によシ被着形成
されている。
ち例えば赤色に対応する第1の受光部9aに対向して開
口部13全有する遮光層12がクロム等によシ被着形成
されている。
次に、上記半導体基板7と透明基板6の間隙に第6図に
示すように、赤色染料で着色される感光性樹脂材料14
を充填し、パターン露光を施して上記遮光層12の開口
部13に臨む部分、すなわち上記第1の受光部9a上に
位置する部分を選択的に硬化する。上記、感光性樹脂材
料14としては、カゼイ/やゼラチン、ポリビニルアル
コール等の水溶性有機樹脂に数係の重クロム酸塩を加え
て感光性を伺与したもの等、紫外線の如き光の照射によ
って硬化する所謂ネガ型感光性樹脂が用いられ、あらか
じめスミノール・ファーストレッド的の赤色の有機性染
料によって着色して用いられる。
示すように、赤色染料で着色される感光性樹脂材料14
を充填し、パターン露光を施して上記遮光層12の開口
部13に臨む部分、すなわち上記第1の受光部9a上に
位置する部分を選択的に硬化する。上記、感光性樹脂材
料14としては、カゼイ/やゼラチン、ポリビニルアル
コール等の水溶性有機樹脂に数係の重クロム酸塩を加え
て感光性を伺与したもの等、紫外線の如き光の照射によ
って硬化する所謂ネガ型感光性樹脂が用いられ、あらか
じめスミノール・ファーストレッド的の赤色の有機性染
料によって着色して用いられる。
そして、上記透明基板6を取り外し、さらに現像液によ
って上記感光性樹脂材料14の未硬化部分を溶解除去し
て、第7図に示すように第1の受光部9a上に配置し上
記透明基板6の四部5に対応して錐体状のマイクロレン
ズとして形成される第1の屈折光学素子15を得る。こ
の第1の屈折光学素子15は、入射光を集束して第1の
受光部9aに導くレンズとして作用するのみならず、赤
色染料で着色されているため赤色フィルタとしても作用
する所謂集光型色フィルタを構成する。
って上記感光性樹脂材料14の未硬化部分を溶解除去し
て、第7図に示すように第1の受光部9a上に配置し上
記透明基板6の四部5に対応して錐体状のマイクロレン
ズとして形成される第1の屈折光学素子15を得る。こ
の第1の屈折光学素子15は、入射光を集束して第1の
受光部9aに導くレンズとして作用するのみならず、赤
色染料で着色されているため赤色フィルタとしても作用
する所謂集光型色フィルタを構成する。
次に、第8図に示すように上記受光部9のうち例えば緑
色に対応する第2の受光部9bに対向して開口部17を
有する遮光層16を被着形成した透明基板6′ffニス
ペーサ8を介して半導体基板7上に配置する。なお、こ
のとき、先の遮光層12を被着した透明基板6をずらし
て配置し、上記開口’als13か第2の受光部9b上
に対向して配置するようになしてもよい。
色に対応する第2の受光部9bに対向して開口部17を
有する遮光層16を被着形成した透明基板6′ffニス
ペーサ8を介して半導体基板7上に配置する。なお、こ
のとき、先の遮光層12を被着した透明基板6をずらし
て配置し、上記開口’als13か第2の受光部9b上
に対向して配置するようになしてもよい。
そして、第9図に示すように上記半導体基板7と透明基
板6の間隙にスミノール・ミーリング・ブリリアント・
グリーン等の緑色染料によシ着色される感光性樹脂材料
18を充填し、パターン露光を施して上記遮光層16の
開口部17に臨む部分を選択的に硬化する。なお、この
とき上記第1の受光部9a上には第1の屈折光学素子1
5が形成されているので、この部分に上記緑色の感光性
樹脂材料18が入シ込むことはない。
板6の間隙にスミノール・ミーリング・ブリリアント・
グリーン等の緑色染料によシ着色される感光性樹脂材料
18を充填し、パターン露光を施して上記遮光層16の
開口部17に臨む部分を選択的に硬化する。なお、この
とき上記第1の受光部9a上には第1の屈折光学素子1
5が形成されているので、この部分に上記緑色の感光性
樹脂材料18が入シ込むことはない。
このように上記感光性樹脂材料18を硬化した後に、上
記透明基板6を取シ外して現像を施し、第10図に示す
ように第2の受光部9b上に配置し緑色に染色される第
2の屈折光学素子19を得る。
記透明基板6を取シ外して現像を施し、第10図に示す
ように第2の受光部9b上に配置し緑色に染色される第
2の屈折光学素子19を得る。
次に、第11図に示すように、上記第1の屈折光学素子
15及び第2の屈折光学素子19が形成される半導体基
板γ上に再び透明基板6を配置する。このとき、上記透
明基板6には、青色に対応する第3の受光部9Cに対向
して開口部21が配置するように遮光層20が被着形成
されている。
15及び第2の屈折光学素子19が形成される半導体基
板γ上に再び透明基板6を配置する。このとき、上記透
明基板6には、青色に対応する第3の受光部9Cに対向
して開口部21が配置するように遮光層20が被着形成
されている。
そして、第12図に示すように透明基板6と半導体基板
7の間隙にスミノール・レベリング・スカイブルー等の
青色染料で着色した感光性樹脂材料22を充填し、先の
各屈折光学素子15.19と同様にパターン露光や現像
を施して、第13図に示すように第3の受光部9C上に
配置され、青色に染色される第3の屈折光学素子23を
得る。
7の間隙にスミノール・レベリング・スカイブルー等の
青色染料で着色した感光性樹脂材料22を充填し、先の
各屈折光学素子15.19と同様にパターン露光や現像
を施して、第13図に示すように第3の受光部9C上に
配置され、青色に染色される第3の屈折光学素子23を
得る。
このように、上記各工程を経て、半導体基板γ5の第1
の受光@l′S9a、第2の受光部9i)及び第3の受
光部9Cにそれぞれ対応して、赤色フィルタとして作用
する第1の屈折光学素子15、緑色フィルタとして作用
する第2の屈折光学素子19及び青色フィルタとして作
用する第3の屈折光学素子23が形成され、高感度のR
,GB方式のカラー固体撮像装置が製造される。
の受光@l′S9a、第2の受光部9i)及び第3の受
光部9Cにそれぞれ対応して、赤色フィルタとして作用
する第1の屈折光学素子15、緑色フィルタとして作用
する第2の屈折光学素子19及び青色フィルタとして作
用する第3の屈折光学素子23が形成され、高感度のR
,GB方式のカラー固体撮像装置が製造される。
上述の実施例においては、光学レンズと色フィルタを一
体化した屈折光学素子15,19.23を半導体基板γ
上に面接形成しているため、製造工程を著しく簡略化す
ることができ、−!だ、極めて薄いレノズ/−トを取り
扱う必要もなくなるため作業性を極めて向上することが
できるので生産効率の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
体化した屈折光学素子15,19.23を半導体基板γ
上に面接形成しているため、製造工程を著しく簡略化す
ることができ、−!だ、極めて薄いレノズ/−トを取り
扱う必要もなくなるため作業性を極めて向上することが
できるので生産効率の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
さらに、光学し/ズと色フィルタとの高精夏な位置合わ
せが不要となるため、位置ずれによる不良品の発生率を
低減化することか可能である。
せが不要となるため、位置ずれによる不良品の発生率を
低減化することか可能である。
ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、例□えば透明基板6の凹部5は撮像素子の構成に
応じてストライプ状等に加工してもよい。
なく、例□えば透明基板6の凹部5は撮像素子の構成に
応じてストライプ状等に加工してもよい。
さらに、上記R,G B方式ばかりでなく、より多色の
フィルタを必要とする固体撮像装置に適用することがで
きることは言う丑でもない。
フィルタを必要とする固体撮像装置に適用することがで
きることは言う丑でもない。
上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明によ
れば製造工程の簡略化を図るとともに高精度な位置合わ
せ作業を省略して作業性を向上することが可能となって
いるので一生産効率の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
れば製造工程の簡略化を図るとともに高精度な位置合わ
せ作業を省略して作業性を向上することが可能となって
いるので一生産効率の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
狽′41図ないし第4図は本発明に用いられる透明基板
の製造方法の一例の各工程における拡大断面図である。 第5図ないし第13図は本発明による固体撮像装置の製
造工程の工程順序を示す拡大断面図であシ、第5図、第
8図及び第11図は透明基板配置及び遮光層形成工程、
第6図、第9図及び第12図はパター7露光工程、第7
図、第10図及び第13図は屈折光学素子形成工程をそ
れぞれ示すものである。 5・・・凹部 6・・透明基板 γ・・半導体基板 9・・受光部 12.16−・、20・・遮光層 13.17.21・・・開口部 15・・第1の屈折光学素子 19 ・・第2−の 〃 23・・第3の 〃 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小 池 見
の製造方法の一例の各工程における拡大断面図である。 第5図ないし第13図は本発明による固体撮像装置の製
造工程の工程順序を示す拡大断面図であシ、第5図、第
8図及び第11図は透明基板配置及び遮光層形成工程、
第6図、第9図及び第12図はパター7露光工程、第7
図、第10図及び第13図は屈折光学素子形成工程をそ
れぞれ示すものである。 5・・・凹部 6・・透明基板 γ・・半導体基板 9・・受光部 12.16−・、20・・遮光層 13.17.21・・・開口部 15・・第1の屈折光学素子 19 ・・第2−の 〃 23・・第3の 〃 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小 池 見
Claims (1)
- 撮像素子を形成してなる半導体基板上に屈折光学素子の
外形に相当する形状の凹部を有する透明基板を配置する
工程と、上記透明基板上に上記撮像素子の第」の受光部
に対向して開口部を有する遮光層を形成するとともに上
記各基板間の間隙に着色を施した感光性樹脂を充填し、
露光を施して硬化し第1の屈折光学素子を形成する工程
と、上記撮像装置の第2の受光部に対向して透明基板の
遮光層の開口部を配置するとともに上記第1の屈折光学
素子が形成される部分以外の上記間隙に上記感光性樹脂
と異なる着色を施した感光性樹脂を充填し、露光を施し
第2の屈折光学素子を形成する工程とを少なくとも有し
、最後に上記透明基板を除去してなる固体撮像装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58069223A JPS59195861A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58069223A JPS59195861A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59195861A true JPS59195861A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13396508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58069223A Pending JPS59195861A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59195861A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4972243A (en) * | 1986-09-19 | 1990-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus with shielded cell |
US5466926A (en) * | 1992-01-27 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Colored microlens array and method of manufacturing same |
EP0718665A2 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-26 | Sony Corporation | Color display device |
KR19980056449A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 문정환 | 칼라 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
KR100410669B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58069223A patent/JPS59195861A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4972243A (en) * | 1986-09-19 | 1990-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus with shielded cell |
US5466926A (en) * | 1992-01-27 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Colored microlens array and method of manufacturing same |
EP0718665A2 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-26 | Sony Corporation | Color display device |
EP0718665A3 (en) * | 1994-12-22 | 1997-04-09 | Sony Corp | Color display device |
KR19980056449A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 문정환 | 칼라 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
KR100410669B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
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