JP2000340776A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000006558 Dental Calculus Diseases 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直方向に飛躍的に縮小された高画質な固体
撮像装置を得る。 【解決手段】 カラーフィルタ５０を、下地デバイス全
面にカラーフィルタ材料４９を直接塗布して凹部領域４
８を埋め込み、パターン転写露光した後現像処理を行っ
て形成する。こうして、レジストパターン層を介しない
低い位置からのカラーフィルタ材料４９の埋め込みによ
って厚さのストリエーションを改善する。また、カラー
フィルタ５０のエッジを順テーパ形状に形成して、隣接
して形成される他色のカラーフィルタ５１,５２との連
続性を確保する。また、上記パターン転写露光時に下地
アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラー
フィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小
さくして画質劣化を少なくする。また、平坦化層等の透
明層は形成せず、マイクロレンズ形成時に下地アライメ
ントマーク検出の誤差を低減して、更なる画質の向上を
図る。
撮像装置を得る。 【解決手段】 カラーフィルタ５０を、下地デバイス全
面にカラーフィルタ材料４９を直接塗布して凹部領域４
８を埋め込み、パターン転写露光した後現像処理を行っ
て形成する。こうして、レジストパターン層を介しない
低い位置からのカラーフィルタ材料４９の埋め込みによ
って厚さのストリエーションを改善する。また、カラー
フィルタ５０のエッジを順テーパ形状に形成して、隣接
して形成される他色のカラーフィルタ５１,５２との連
続性を確保する。また、上記パターン転写露光時に下地
アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラー
フィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小
さくして画質劣化を少なくする。また、平坦化層等の透
明層は形成せず、マイクロレンズ形成時に下地アライメ
ントマーク検出の誤差を低減して、更なる画質の向上を
図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体撮像装置お
よびその製造方法に関し、より詳しくはカラーフィルタ
が光電変換部(受光部)上に形成された固体撮像装置およ
びその製造方法に関する。
よびその製造方法に関し、より詳しくはカラーフィルタ
が光電変換部(受光部)上に形成された固体撮像装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ固体撮像装置として、図２
に単一セルの断面図を示すようなものがある。このＣＣ
Ｄ固体撮像装置における下地デバイスは、電極３や遮光
膜５が形成されているために数μmの周期的な段差を有
する。また、上記下地デバイスの最表面はＳi3Ｎ4等の
保護膜６で覆われている。そのために、上記下地デバイ
スの形成以降に行われる所謂オンチップ工程において
は、カラーフィルタ８,９,１０の形成に先行して透明平
坦化材料をスピンコートして平坦化層７を形成すること
によって上記下地デバイスの段差を軽減した後に、カラ
ーフィルタ８,９,１０の形成を行う必要がある。
に単一セルの断面図を示すようなものがある。このＣＣ
Ｄ固体撮像装置における下地デバイスは、電極３や遮光
膜５が形成されているために数μmの周期的な段差を有
する。また、上記下地デバイスの最表面はＳi3Ｎ4等の
保護膜６で覆われている。そのために、上記下地デバイ
スの形成以降に行われる所謂オンチップ工程において
は、カラーフィルタ８,９,１０の形成に先行して透明平
坦化材料をスピンコートして平坦化層７を形成すること
によって上記下地デバイスの段差を軽減した後に、カラ
ーフィルタ８,９,１０の形成を行う必要がある。
【０００３】しかしながら、画素の高集積化が進むにつ
れて、Ｘ,Ｙ方向の縮小はもとよりＺ方向の縮小が重要
且つ必要になってきている。尚、図２中、１は基板、２
は受光部(光電変換部)、４は層間絶縁膜、１１は保護
層、１２はマイクロレンズである。
れて、Ｘ,Ｙ方向の縮小はもとよりＺ方向の縮小が重要
且つ必要になってきている。尚、図２中、１は基板、２
は受光部(光電変換部)、４は層間絶縁膜、１１は保護
層、１２はマイクロレンズである。
【０００４】図３に、図２に示す単位セルにおける光学
系の概念図を示す。図３において、受光部２からマイク
ロレンズ１２までのＺ方向の距離Ｌが長い場合には、斜
め入射光１５が電極３等でなる凸部１３によって遮蔽さ
れることになり、入射光を有効に利用できなくなる。
尚、１４は垂直入射光である。
系の概念図を示す。図３において、受光部２からマイク
ロレンズ１２までのＺ方向の距離Ｌが長い場合には、斜
め入射光１５が電極３等でなる凸部１３によって遮蔽さ
れることになり、入射光を有効に利用できなくなる。
尚、１４は垂直入射光である。
【０００５】ところで、固体撮像素子が用いられた撮像
装置(カメラ等)は、高集積化の進展と共に光学系がコン
パクトになり、それに伴って射出瞳位置が極端に短いレ
ンズの採用が活発になってきている。この射出瞳位置が
極端に短いレンズの特徴は、図４に示すように、短瞳位
置レンズ１８の場合は通常レンズに比較して固体撮像素
子１６の表面への光の入射角度が大きくなるため、固体
撮像素子１６の撮像領域１７に入射する全光束に対する
斜め入射光２０の割合が高くなることにある。その結
果、撮像領域１７の中心部と周辺部とで入射光量が不均
一となりシェージング現象が発生する。このシェージン
グ現象の発生の主な原因は、斜め入射光２０の入射角度
が撮像領域１７の中心部より周辺部の方が大きいため
に、固体撮像素子１６の転送部領域でなる凸部(遮光膜
等を含む)によって光束の蹴られが生じやすいことにあ
る。そして、このシェージング現象は、上述したごとく
固体撮像素子１６の受光部からマイクロレンズまでのＺ
方向の距離が大きい程顕著に現れる。尚、１９は垂直入
射光である。
装置(カメラ等)は、高集積化の進展と共に光学系がコン
パクトになり、それに伴って射出瞳位置が極端に短いレ
ンズの採用が活発になってきている。この射出瞳位置が
極端に短いレンズの特徴は、図４に示すように、短瞳位
置レンズ１８の場合は通常レンズに比較して固体撮像素
子１６の表面への光の入射角度が大きくなるため、固体
撮像素子１６の撮像領域１７に入射する全光束に対する
斜め入射光２０の割合が高くなることにある。その結
果、撮像領域１７の中心部と周辺部とで入射光量が不均
一となりシェージング現象が発生する。このシェージン
グ現象の発生の主な原因は、斜め入射光２０の入射角度
が撮像領域１７の中心部より周辺部の方が大きいため
に、固体撮像素子１６の転送部領域でなる凸部(遮光膜
等を含む)によって光束の蹴られが生じやすいことにあ
る。そして、このシェージング現象は、上述したごとく
固体撮像素子１６の受光部からマイクロレンズまでのＺ
方向の距離が大きい程顕著に現れる。尚、１９は垂直入
射光である。
【０００６】一方において、画面の色調における高画質
化の要求があり、それに伴ってカラーフィルタの透過色
分光特性に対しても更なる高品質化を図る必要がある。
そして、そのためには、色相の質の向上を図る必要があ
り、カラーフィルタの膜厚を厚くすることで対応可能で
ある。ところが、カラーフィルタの膜厚を厚くすること
は、上述したＺ方向の縮小要求とは相反する。
化の要求があり、それに伴ってカラーフィルタの透過色
分光特性に対しても更なる高品質化を図る必要がある。
そして、そのためには、色相の質の向上を図る必要があ
り、カラーフィルタの膜厚を厚くすることで対応可能で
ある。ところが、カラーフィルタの膜厚を厚くすること
は、上述したＺ方向の縮小要求とは相反する。
【０００７】また、上述したような高集積化によって、
固体撮像装置を形成する際に、図２において、カラーフ
ィルタ８,９,１０やマイクロレンズ１２の形成工程にお
ける上記下地デバイスヘのレジストレーション(アライ
メント精度)が、従来に比して強く要求されようになっ
てきている。ここで、ウェハアライメントにおいては、
下地デバイスに形成されたアライメント用マークからの
レーザ光の反射・回折光を平坦化層７を介して検出する
ことによって、上記下地デバイスと上層との位置合わせ
を行っている。ところが、厚さ数μmの平坦化層７を介
してのアライメント用マークの結像位置検出は、光学的
に大きなズレを生じやすい。
固体撮像装置を形成する際に、図２において、カラーフ
ィルタ８,９,１０やマイクロレンズ１２の形成工程にお
ける上記下地デバイスヘのレジストレーション(アライ
メント精度)が、従来に比して強く要求されようになっ
てきている。ここで、ウェハアライメントにおいては、
下地デバイスに形成されたアライメント用マークからの
レーザ光の反射・回折光を平坦化層７を介して検出する
ことによって、上記下地デバイスと上層との位置合わせ
を行っている。ところが、厚さ数μmの平坦化層７を介
してのアライメント用マークの結像位置検出は、光学的
に大きなズレを生じやすい。
【０００８】このようなズレは、上記平坦化層７上にカ
ラーフィルタ８,９,１０を形成する場合に当て嵌める
と、以下のごとく敏感に画質に悪影響を及ぼす。即ち、
図５に示すように、画素２１とカラーフィルタ８,９,１
０とのズレ量Ｄが同じであっても平坦化層７の厚みＨが
大きい程、隣接画素２１'へのクロストーク光(混色光)
２２の正常光２３対する割合が大きくなるのである。
ラーフィルタ８,９,１０を形成する場合に当て嵌める
と、以下のごとく敏感に画質に悪影響を及ぼす。即ち、
図５に示すように、画素２１とカラーフィルタ８,９,１
０とのズレ量Ｄが同じであっても平坦化層７の厚みＨが
大きい程、隣接画素２１'へのクロストーク光(混色光)
２２の正常光２３対する割合が大きくなるのである。
【０００９】以上、幾つかの問題点について述べてきた
が、これらの問題は固体撮像素子の高集積化の進展に伴
って問題として浮上したものである。そして、これらの
問題は、上記下地デバイス上に厚い平坦化層７を形成し
た後に(つまり、Ｚ方向の間隔を大きくして)カラーフィ
ルタ８,９,１０を形成することに起因している。
が、これらの問題は固体撮像素子の高集積化の進展に伴
って問題として浮上したものである。そして、これらの
問題は、上記下地デバイス上に厚い平坦化層７を形成し
た後に(つまり、Ｚ方向の間隔を大きくして)カラーフィ
ルタ８,９,１０を形成することに起因している。
【００１０】上述したような問題点を解消する方法とし
て、例えば、特開平３−９８００２号公報に開示された
固体撮像素子用光学カラーフィルタの製造方法が知られ
ている。以下、この固体撮像素子用光学カラーフィルタ
の製造方法について、図６に従って説明する。
て、例えば、特開平３−９８００２号公報に開示された
固体撮像素子用光学カラーフィルタの製造方法が知られ
ている。以下、この固体撮像素子用光学カラーフィルタ
の製造方法について、図６に従って説明する。
【００１１】先ず、図６(a)に示すように、基板２５上
における受光部(光電変換部)２６間に電極や遮光膜等で
なる段部２７が形成されて、固体撮像デバイスが得られ
る。そして、この固体撮像デバイスに対してレジスト層
２８が塗布されて各段部２７間の段差部が埋め込まれ
る。次に、図６(b)に示すように、レジスト層２８にお
ける同じ色用の各受光部２６を中心とする複数の所定領
域を開口し、この開口部も含めて全面に該等色の染料を
含んだ高分子樹脂の層(以下、染色層と言う)２９を形成
して、上記所定領域に染色層２９を埋め込む。次に、図
６(c)に示すように、染色層２９をエッチバックして、
上記開口部のみに染色層２９を残す。その後、図６(d)
に示すように、剥離液によってレジスト層２８を除去す
る。
における受光部(光電変換部)２６間に電極や遮光膜等で
なる段部２７が形成されて、固体撮像デバイスが得られ
る。そして、この固体撮像デバイスに対してレジスト層
２８が塗布されて各段部２７間の段差部が埋め込まれ
る。次に、図６(b)に示すように、レジスト層２８にお
ける同じ色用の各受光部２６を中心とする複数の所定領
域を開口し、この開口部も含めて全面に該等色の染料を
含んだ高分子樹脂の層(以下、染色層と言う)２９を形成
して、上記所定領域に染色層２９を埋め込む。次に、図
６(c)に示すように、染色層２９をエッチバックして、
上記開口部のみに染色層２９を残す。その後、図６(d)
に示すように、剥離液によってレジスト層２８を除去す
る。
【００１２】以下、図６(a)乃至図６(d)に示す一連の工
程を全色の受光部２６に関して繰り返し行って、複数の
染色層２９a〜２９dを全受光部２６上に埋め込み、各染
色層２９a〜２９dをカラーフィルタとする。その後に平
坦化層３０を形成する。
程を全色の受光部２６に関して繰り返し行って、複数の
染色層２９a〜２９dを全受光部２６上に埋め込み、各染
色層２９a〜２９dをカラーフィルタとする。その後に平
坦化層３０を形成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平３−９８００２号公報に開示された固体撮像素子用
光学カラーフィルタの製造方法には、以下のような問題
がある。すなわち、図６(b)に示す工程において、レジ
スト層２８をパターニングした後に染色層(高分子樹脂
層)２９を埋め込んでいる。したがって、レジスト層２
８をパターニングした際に生ずるレジスト段差３１が元
々在る段差部３２に追加されることになり、より大きな
段差に対して染色層２９が埋め込まれることになる。そ
のため、染色層２９の塗布膜厚が不均一(ストリエーシ
ョン)になり、極端な場合には「レジスト段差３１＋段差
部３２」でなる段差を完全に埋め込むことができない場
合がある。
開平３−９８００２号公報に開示された固体撮像素子用
光学カラーフィルタの製造方法には、以下のような問題
がある。すなわち、図６(b)に示す工程において、レジ
スト層２８をパターニングした後に染色層(高分子樹脂
層)２９を埋め込んでいる。したがって、レジスト層２
８をパターニングした際に生ずるレジスト段差３１が元
々在る段差部３２に追加されることになり、より大きな
段差に対して染色層２９が埋め込まれることになる。そ
のため、染色層２９の塗布膜厚が不均一(ストリエーシ
ョン)になり、極端な場合には「レジスト段差３１＋段差
部３２」でなる段差を完全に埋め込むことができない場
合がある。
【００１４】また、上記レジスト層２８のパターニング
は、段部２７上部の遮光膜(図示せず)上で行われる。と
ころが、その場合には、上記遮光膜からのハレーション
を受けやすく、レジスト層２８のエッジ形状は順テーパ
となる。そのため、染色層２９となる高分子樹脂を埋め
込むと、埋め込まれた染色層２９は、下地パターン(レ
ジスト層２８のエッジパターン)を反映して逆テーパに
なってしまう。その結果、隣接するカラーフィルタのエ
ッジ部分にボイドが発生する。つまり、図３に示すカラ
ーフィルタ８,９,１０のように隣接したカラ−フィルタ
２９同士を接触させて連続して形成できないのである。
そのために、画質が劣化してしまうという問題もある。
は、段部２７上部の遮光膜(図示せず)上で行われる。と
ころが、その場合には、上記遮光膜からのハレーション
を受けやすく、レジスト層２８のエッジ形状は順テーパ
となる。そのため、染色層２９となる高分子樹脂を埋め
込むと、埋め込まれた染色層２９は、下地パターン(レ
ジスト層２８のエッジパターン)を反映して逆テーパに
なってしまう。その結果、隣接するカラーフィルタのエ
ッジ部分にボイドが発生する。つまり、図３に示すカラ
ーフィルタ８,９,１０のように隣接したカラ−フィルタ
２９同士を接触させて連続して形成できないのである。
そのために、画質が劣化してしまうという問題もある。
【００１５】さらに、各色毎に染色層２９である高分子
樹脂の不要部分をエッチバック(一般にバラツキやすい)
によって除去するために、各染色層(フィルタ)２９の表
面が平坦にならないという問題もある。
樹脂の不要部分をエッチバック(一般にバラツキやすい)
によって除去するために、各染色層(フィルタ)２９の表
面が平坦にならないという問題もある。
【００１６】以上のごとく、上記特開平３−９８００２
号公報に開示された固体撮像素子用光学カラーフィルタ
の製造方法においては、隣接したカラ−フィルタ２９同
士を接触させて連続して形成できず、然も各カラ−フィ
ルタ２９の表面が平坦にならないために、平坦化層３０
を形成する必要がある。結果として、各段部２７間の段
差部に直接カラーフィルタ２９a〜２９dを埋め込んで形
成しているにも拘わらず、受光部２６からマイクロレン
ズ(図示せず)までの垂直方向の距離は縮小されず、上記
シェージング現象や下地アライメントマークの検出誤差
の改善はあまり期待できないのである。
号公報に開示された固体撮像素子用光学カラーフィルタ
の製造方法においては、隣接したカラ−フィルタ２９同
士を接触させて連続して形成できず、然も各カラ−フィ
ルタ２９の表面が平坦にならないために、平坦化層３０
を形成する必要がある。結果として、各段部２７間の段
差部に直接カラーフィルタ２９a〜２９dを埋め込んで形
成しているにも拘わらず、受光部２６からマイクロレン
ズ(図示せず)までの垂直方向の距離は縮小されず、上記
シェージング現象や下地アライメントマークの検出誤差
の改善はあまり期待できないのである。
【００１７】そこで、この発明の目的は、垂直方向に飛
躍的に縮小された高精度で高画質な固体撮像装置、およ
び、その製造方法を提供することにある。
躍的に縮小された高精度で高画質な固体撮像装置、およ
び、その製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、基板上に形成された転送部領域でな
る凸部領域と上記基板における上記凸部領域に隣接した
受光部領域でなる凹部領域で構成された単位セルと,上
記単位セル上に形成されたカラーフィルタ及びマイクロ
レンズを有する固体撮像装置において、上記カラーフィ
ルタは、上記凹部領域に直接埋め込まれ、且つ、隣接す
るカラーフィルタに接触して形成されると共に、表面が
略平坦に形成されていることを特徴としている。
め、第１の発明は、基板上に形成された転送部領域でな
る凸部領域と上記基板における上記凸部領域に隣接した
受光部領域でなる凹部領域で構成された単位セルと,上
記単位セル上に形成されたカラーフィルタ及びマイクロ
レンズを有する固体撮像装置において、上記カラーフィ
ルタは、上記凹部領域に直接埋め込まれ、且つ、隣接す
るカラーフィルタに接触して形成されると共に、表面が
略平坦に形成されていることを特徴としている。
【００１９】上記構成によれば、カラーフィルタは、基
板上に形成された転送部領域でなる各凸部領域間に在る
凹部領域に直接埋め込まれて形成されると共に、隣接し
たカラーフィルタは互いに接触して形成されている。し
たがって、斜め入射光の遮蔽が低減されて上記シェージ
ング現象が改善されると共に、画質の劣化が防止され
る。
板上に形成された転送部領域でなる各凸部領域間に在る
凹部領域に直接埋め込まれて形成されると共に、隣接し
たカラーフィルタは互いに接触して形成されている。し
たがって、斜め入射光の遮蔽が低減されて上記シェージ
ング現象が改善されると共に、画質の劣化が防止され
る。
【００２０】また、上記カラーフィルタは、平坦化層を
介さずにより基板に近い位置に形成されている。したが
って、上記カラーフィルタを形成する際における下地ア
ライメントマークの検出誤差が小さく、上記カラーフィ
ルタのズレ量は少ない。さらに、必然的に、マイクロレ
ンズも上記基板に近い位置に形成されている。したがっ
て、マイクロレンズを形成する際における上記下地アラ
イメントマーク検出誤差が小さく、上記マイクロレンズ
のズレ量は少ない。以上の結果、さらに高品位な画質が
得られる。
介さずにより基板に近い位置に形成されている。したが
って、上記カラーフィルタを形成する際における下地ア
ライメントマークの検出誤差が小さく、上記カラーフィ
ルタのズレ量は少ない。さらに、必然的に、マイクロレ
ンズも上記基板に近い位置に形成されている。したがっ
て、マイクロレンズを形成する際における上記下地アラ
イメントマーク検出誤差が小さく、上記マイクロレンズ
のズレ量は少ない。以上の結果、さらに高品位な画質が
得られる。
【００２１】また、第２の発明は、基板上に形成された
転送部領域でなる凸部領域と上記基板における上記凸部
領域に隣接した受光部領域でなる凹部領域で構成された
単位セルと,上記単位セル上に形成されたカラーフィル
タおよびマイクロレンズを有する固体撮像装置の製造方
法であって、上記カラーフィルタを、上記単位セルの列
上にカラーフィルタ材料を塗布した後に所定の凹部領域
を含む所定のパターンに成形して,当該凹部領域内に上
記カラーフィルタ材料を直接埋め込む工程を、カラーフ
ィルタの色の数だけ繰り返し行って、隣接するカラーフ
ィルタ同士は互いに接触するように形成することを特徴
としている。
転送部領域でなる凸部領域と上記基板における上記凸部
領域に隣接した受光部領域でなる凹部領域で構成された
単位セルと,上記単位セル上に形成されたカラーフィル
タおよびマイクロレンズを有する固体撮像装置の製造方
法であって、上記カラーフィルタを、上記単位セルの列
上にカラーフィルタ材料を塗布した後に所定の凹部領域
を含む所定のパターンに成形して,当該凹部領域内に上
記カラーフィルタ材料を直接埋め込む工程を、カラーフ
ィルタの色の数だけ繰り返し行って、隣接するカラーフ
ィルタ同士は互いに接触するように形成することを特徴
としている。
【００２２】上記構成によれば、カラーフィルタは、基
板上に形成された転送部領域でなる各凸部領域間に在る
凹部領域に、カラーフィルタ材料を直接埋め込んで形成
される。したがって、より低い段差に対して上記カラー
フィルタが形成されることになり、上記カラーフィルタ
の厚さのストリエーションが防止されて表面が略平坦に
形成される。そのため、平坦化層を形成する必要がな
く、垂直方向の寸法が縮小される。さらに、カラーフィ
ルタのエッジ形状は順テーパとなるために、隣接するカ
ラーフィルタのエッジ部分にボイドが発生することはな
い。したがって、隣接したカラーフィルタ同士は互いに
接触し、連続して形成される。その結果、画質の劣化が
防止される。
板上に形成された転送部領域でなる各凸部領域間に在る
凹部領域に、カラーフィルタ材料を直接埋め込んで形成
される。したがって、より低い段差に対して上記カラー
フィルタが形成されることになり、上記カラーフィルタ
の厚さのストリエーションが防止されて表面が略平坦に
形成される。そのため、平坦化層を形成する必要がな
く、垂直方向の寸法が縮小される。さらに、カラーフィ
ルタのエッジ形状は順テーパとなるために、隣接するカ
ラーフィルタのエッジ部分にボイドが発生することはな
い。したがって、隣接したカラーフィルタ同士は互いに
接触し、連続して形成される。その結果、画質の劣化が
防止される。
【００２３】また、上述のごとく上記平坦化層を介さず
により基板に近い位置にカラーフィルタが形成される。
したがって、上記カラーフィルタを形成する際における
下地アライメントマークの検出誤差が小さく、上記カラ
ーフィルタのズレが少なくなる。さらに、必然的に、マ
イクロレンズも基板に近い位置に形成されることにな
る。したがって、マイクロレンズを形成する際における
上記下地アライメントマーク検出誤差が低減され、マイ
クロレンズのズレが小さくなる。こうして、さらに高品
位な画質が得られる。
により基板に近い位置にカラーフィルタが形成される。
したがって、上記カラーフィルタを形成する際における
下地アライメントマークの検出誤差が小さく、上記カラ
ーフィルタのズレが少なくなる。さらに、必然的に、マ
イクロレンズも基板に近い位置に形成されることにな
る。したがって、マイクロレンズを形成する際における
上記下地アライメントマーク検出誤差が低減され、マイ
クロレンズのズレが小さくなる。こうして、さらに高品
位な画質が得られる。
【００２４】また、上記第２の発明は、上記カラーフィ
ルタ材料として、感光性樹脂からなる被染色性高分子材
料を用いることが望ましい。
ルタ材料として、感光性樹脂からなる被染色性高分子材
料を用いることが望ましい。
【００２５】上記構成によれば、感光性樹脂からなる被
染色性高分子材料を用いたカラーフィルタが上記凹部領
域に平坦化層を介さずに、且つ、隣接したカラーフィル
タと接触して形成される。こうして、画質の劣化が防止
される。
染色性高分子材料を用いたカラーフィルタが上記凹部領
域に平坦化層を介さずに、且つ、隣接したカラーフィル
タと接触して形成される。こうして、画質の劣化が防止
される。
【００２６】また、上記第２の発明は、上記カラーフィ
ルタ材料として、カラーレジストを用いることが望まし
い。
ルタ材料として、カラーレジストを用いることが望まし
い。
【００２７】上記構成によれば、カラーレジストを用い
たカラーフィルタが上記凹部領域に平坦化層を介さず
に、且つ、隣接したカラーフィルタと接触して形成され
る。こうして、画質の劣化が防止される。
たカラーフィルタが上記凹部領域に平坦化層を介さず
に、且つ、隣接したカラーフィルタと接触して形成され
る。こうして、画質の劣化が防止される。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態におけ
る固体撮像装置の製造方法を示す図である。図１(a)に
示すように、下地デバイスの単位画素セルは、基板４１
上に形成された受光部(光電変換部)４２と、各受光部４
２の間に形成された電極４３,層間絶縁膜４４,遮光膜４
５および保護膜４６からなる電荷転送部としての凸部領
域４７とのコンビネーションによって構成されている。
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態におけ
る固体撮像装置の製造方法を示す図である。図１(a)に
示すように、下地デバイスの単位画素セルは、基板４１
上に形成された受光部(光電変換部)４２と、各受光部４
２の間に形成された電極４３,層間絶縁膜４４,遮光膜４
５および保護膜４６からなる電荷転送部としての凸部領
域４７とのコンビネーションによって構成されている。
【００２９】先ず、図１(b)に示すように、各凸部領域
４７間の各凹部領域４８(受光部４２の領域)を含む全面
に、カラーフィルタ材料４９をスピンコート等によって
直接塗布する。こうすることによって、上述した特開平
３−９８００２号公報の場合のごとくパターニングされ
たレジスト層を介して高段差のある状態でカラーフィル
タ材料を埋め込む場合に比べて、上記ストリエーション
を改善することができる。
４７間の各凹部領域４８(受光部４２の領域)を含む全面
に、カラーフィルタ材料４９をスピンコート等によって
直接塗布する。こうすることによって、上述した特開平
３−９８００２号公報の場合のごとくパターニングされ
たレジスト層を介して高段差のある状態でカラーフィル
タ材料を埋め込む場合に比べて、上記ストリエーション
を改善することができる。
【００３０】この場合、上記カラーフィルタ材料４９
は、被染色基質であっても着色したカラーレジストであ
っても良い。尚、密着性や塗布性に問題がある場合に
は、密着性増強剤(例えば、ヘキサメチルジシラザン)を
上記下地デバイスの表面に気相塗布することや、界面活
性剤をカラーフィルタ材料４９中に添加することで対応
可能である。但し、受光部４２の凹部領域４８にカラー
フィルタ材料４９を均一に埋め込むためには、塗布する
カラーフィルタ材料４９の粘度を最適化した方が良い。
すなわち、例えば、１０ＣＰ以下の低粘度に調整し、且
つ、２０００rpm以下の比較的低速回転でのスピンでカ
ラーフィルタ材料４９を塗布することによって、上記ス
トリエーションの発生を防ぐことができるのである。
は、被染色基質であっても着色したカラーレジストであ
っても良い。尚、密着性や塗布性に問題がある場合に
は、密着性増強剤(例えば、ヘキサメチルジシラザン)を
上記下地デバイスの表面に気相塗布することや、界面活
性剤をカラーフィルタ材料４９中に添加することで対応
可能である。但し、受光部４２の凹部領域４８にカラー
フィルタ材料４９を均一に埋め込むためには、塗布する
カラーフィルタ材料４９の粘度を最適化した方が良い。
すなわち、例えば、１０ＣＰ以下の低粘度に調整し、且
つ、２０００rpm以下の比較的低速回転でのスピンでカ
ラーフィルタ材料４９を塗布することによって、上記ス
トリエーションの発生を防ぐことができるのである。
【００３１】次いで、均一に塗布されたカラーフィルタ
材料４９に対して、所定領域にカラーフィルタ材料４９
を残存させるためにパターン転写露光した後、以下のよ
うな現像処理を行う。すなわち、カラーフィルタ材料４
９が被染色基質である場合には、染色処理並びにタンニ
ン酸・吐酒石による定着処理を行う。また、カラーレジ
ストである場合には、上記定着処理の変わりに熱処理に
よる硬化処理を行うのである。こうして、図１(c)に示
すように、特定色に関する受光部４２を中心とする上記
所定領域のみに、上記特定色のカラーフィルタ５０が形
成される。
材料４９に対して、所定領域にカラーフィルタ材料４９
を残存させるためにパターン転写露光した後、以下のよ
うな現像処理を行う。すなわち、カラーフィルタ材料４
９が被染色基質である場合には、染色処理並びにタンニ
ン酸・吐酒石による定着処理を行う。また、カラーレジ
ストである場合には、上記定着処理の変わりに熱処理に
よる硬化処理を行うのである。こうして、図１(c)に示
すように、特定色に関する受光部４２を中心とする上記
所定領域のみに、上記特定色のカラーフィルタ５０が形
成される。
【００３２】その場合、残存したカラーフィルタ５０の
エッジは順テーパ形状に形成されているために、引き続
いて隣接して形成される他色のカラーフィルタとの連続
性を確保することができるのである。また、カラーフィ
ルタ材料４９を塗布した後におけるフォトリソグラフィ
において、下地に形成されたアライメント用ターゲット
マークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料
４９の面から直接検出することが可能である。したがっ
て、上述した特開平３−９８００２号公報の場合のごと
く厚い平坦化膜を介して基板４１から遠い位置から検出
する場合に比して、検出誤差は極めて少なく、図１(c)
に示すように仕上がりパターン形状は対称性が良い。
エッジは順テーパ形状に形成されているために、引き続
いて隣接して形成される他色のカラーフィルタとの連続
性を確保することができるのである。また、カラーフィ
ルタ材料４９を塗布した後におけるフォトリソグラフィ
において、下地に形成されたアライメント用ターゲット
マークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料
４９の面から直接検出することが可能である。したがっ
て、上述した特開平３−９８００２号公報の場合のごと
く厚い平坦化膜を介して基板４１から遠い位置から検出
する場合に比して、検出誤差は極めて少なく、図１(c)
に示すように仕上がりパターン形状は対称性が良い。
【００３３】その後、上述と同様のカラーフィルタ形成
工程を所定の色数分だけ繰り返すことによって、図１
(d)に示すように、全色のカラーフィルタ５０,５１,５
２が形成される。その状態で、図１(a)において下地デ
バイスに存在していた数μmの段差はおおよそ１/１０以
下に抑制されて、略平坦化されている。それと共に、互
いに隣接して形成された各カラーフィルタ５０,５１,５
２は連続して形成されており、画質の向上を図ることが
可能となる。
工程を所定の色数分だけ繰り返すことによって、図１
(d)に示すように、全色のカラーフィルタ５０,５１,５
２が形成される。その状態で、図１(a)において下地デ
バイスに存在していた数μmの段差はおおよそ１/１０以
下に抑制されて、略平坦化されている。それと共に、互
いに隣接して形成された各カラーフィルタ５０,５１,５
２は連続して形成されており、画質の向上を図ることが
可能となる。
【００３４】また、上記凹部領域４８に埋め込まれたカ
ラーフィルタ５０,５１,５２の実質的な膜厚は通常の２
倍以上になるため、カラーフィルタ５０,５１,５２の色
濃度を高める際の自由度が飛躍的に向上し、画質の改善
を図ることが可能となる。また、従来と同じ色濃度であ
れば、カラーレジスト材料の保存安定性や特性(レジス
ト感度)の向上を目的とした色素添加量(分散量ないし溶
解量)の削減という点においても自由度が大幅に向上す
る。すなわち、本実施の形態によれば、Ｚ方向への縮小
を図りつつ、色相の向上やカラーレジストの特性改善が
可能になるのである。
ラーフィルタ５０,５１,５２の実質的な膜厚は通常の２
倍以上になるため、カラーフィルタ５０,５１,５２の色
濃度を高める際の自由度が飛躍的に向上し、画質の改善
を図ることが可能となる。また、従来と同じ色濃度であ
れば、カラーレジスト材料の保存安定性や特性(レジス
ト感度)の向上を目的とした色素添加量(分散量ないし溶
解量)の削減という点においても自由度が大幅に向上す
る。すなわち、本実施の形態によれば、Ｚ方向への縮小
を図りつつ、色相の向上やカラーレジストの特性改善が
可能になるのである。
【００３５】次に、上記カラーフィルタ５０,５１,５２
形成後に、微少段差の平坦化とカラーフィルタ５０,５
１,５２を保護するために、アクリル等の透明材料によ
ってオーバーコート層を形成する。次いで、詳述しない
が、従来の固体撮像装置の製造の場合と同様に、マイク
ロレンズ形成工程に移行する。尚、このマイクロレンズ
形成工程においても、従来の固体撮像装置の製造方法の
場合にカラーフィルタ上に形成していた平坦化層等の透
明層が削除されているために、マイクロレンズ形成時の
下地アライメントマーク検出の誤差を低減できるのであ
る。したがって、更なる画質の向上を図ることが可能と
なる。
形成後に、微少段差の平坦化とカラーフィルタ５０,５
１,５２を保護するために、アクリル等の透明材料によ
ってオーバーコート層を形成する。次いで、詳述しない
が、従来の固体撮像装置の製造の場合と同様に、マイク
ロレンズ形成工程に移行する。尚、このマイクロレンズ
形成工程においても、従来の固体撮像装置の製造方法の
場合にカラーフィルタ上に形成していた平坦化層等の透
明層が削除されているために、マイクロレンズ形成時の
下地アライメントマーク検出の誤差を低減できるのであ
る。したがって、更なる画質の向上を図ることが可能と
なる。
【００３６】以上のごとく、本実施の形態においては、
下地デバイス全面にカラーフィルタ材料４９を直接塗布
して、凹部領域４８(受光部４２の領域)を埋め込むよう
にしている。したがって、パターニングされたレジスト
層を介して高い位置からカラーフィルタ材料を埋め込む
場合に比べて上記ストリエーションを改善することがで
きる。また、次いで、カラーフィルタ材料４９に対して
パターン転写露光した後現像処理をおこなってカラーフ
ィルタ５０を形成する。したがって、カラーフィルタ５
０のエッジは順テーパ形状に形成され、隣接して形成さ
れる他色のカラーフィルタ５１,５２との連続性を確保
することができる。また、上記パターン転写露光時に、
下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカ
ラーフィルタ材料４９の面から直接検出することができ
る。したがって、検出誤差を小さくして画質の劣化を少
なくできる。
下地デバイス全面にカラーフィルタ材料４９を直接塗布
して、凹部領域４８(受光部４２の領域)を埋め込むよう
にしている。したがって、パターニングされたレジスト
層を介して高い位置からカラーフィルタ材料を埋め込む
場合に比べて上記ストリエーションを改善することがで
きる。また、次いで、カラーフィルタ材料４９に対して
パターン転写露光した後現像処理をおこなってカラーフ
ィルタ５０を形成する。したがって、カラーフィルタ５
０のエッジは順テーパ形状に形成され、隣接して形成さ
れる他色のカラーフィルタ５１,５２との連続性を確保
することができる。また、上記パターン転写露光時に、
下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカ
ラーフィルタ材料４９の面から直接検出することができ
る。したがって、検出誤差を小さくして画質の劣化を少
なくできる。
【００３７】また、埋め込まれたカラーフィルタ５０,
５１,５２の実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、カ
ラーフィルタ５０,５１,５２の色濃度を高める自由度
や、従来と同じ色濃度であれば、カラーレジスト材料の
色素添加量を削減して特性の向上を図る自由度を、Ｚ方
向への縮小を図りつつ向上させることができるのであ
る。
５１,５２の実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、カ
ラーフィルタ５０,５１,５２の色濃度を高める自由度
や、従来と同じ色濃度であれば、カラーレジスト材料の
色素添加量を削減して特性の向上を図る自由度を、Ｚ方
向への縮小を図りつつ向上させることができるのであ
る。
【００３８】また、マイクロレンズを形成する場合も、
従来の平坦化層等の透明層は形成しないので下地アライ
メントマーク検出の誤差を低減できる。したがって、更
なる画質の向上を図ることが可能となるのである。
従来の平坦化層等の透明層は形成しないので下地アライ
メントマーク検出の誤差を低減できる。したがって、更
なる画質の向上を図ることが可能となるのである。
【００３９】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
固体撮像装置におけるカラーフィルタは、基板上に形成
された転送部領域でなる各凸部領域間に在る凹部領域に
直接埋め込まれると共に、隣接したカラーフィルタは互
いに接触して形成されているので、斜め入射光の遮蔽を
低減して上記シェージング現象を改善できると共に、画
質の劣化を防止することができる。
固体撮像装置におけるカラーフィルタは、基板上に形成
された転送部領域でなる各凸部領域間に在る凹部領域に
直接埋め込まれると共に、隣接したカラーフィルタは互
いに接触して形成されているので、斜め入射光の遮蔽を
低減して上記シェージング現象を改善できると共に、画
質の劣化を防止することができる。
【００４０】また、上記カラーフィルタは、平坦化層を
介さずにより基板に近い位置に形成されている。したが
って、上記カラーフィルタを形成する際における下地ア
ライメントマークの検出誤差が小さく、カラーフィルタ
のズレは少ない。さらに、必然的に、マイクロレンズも
基板に近い位置に形成されている。したがって、マイク
ロレンズを形成する際における上記下地アライメントマ
ークの検出誤差が小さく、マイクロレンズのズレは少な
い。したがって、更に高品質な画質を得ることができ
る。
介さずにより基板に近い位置に形成されている。したが
って、上記カラーフィルタを形成する際における下地ア
ライメントマークの検出誤差が小さく、カラーフィルタ
のズレは少ない。さらに、必然的に、マイクロレンズも
基板に近い位置に形成されている。したがって、マイク
ロレンズを形成する際における上記下地アライメントマ
ークの検出誤差が小さく、マイクロレンズのズレは少な
い。したがって、更に高品質な画質を得ることができ
る。
【００４１】すなわち、この発明によれば、デバイスの
性能を落とすことなく垂直方向の寸法を縮小できる。そ
の結果、上記シェーディング不良の改善、カラーフィル
タやマイクロレンズの実質的なアライメント精度の向
上、クロストークによる画質劣化の抑制が可能となり、
高精度,高精細な固体撮像装置を得ることができるので
ある。
性能を落とすことなく垂直方向の寸法を縮小できる。そ
の結果、上記シェーディング不良の改善、カラーフィル
タやマイクロレンズの実質的なアライメント精度の向
上、クロストークによる画質劣化の抑制が可能となり、
高精度,高精細な固体撮像装置を得ることができるので
ある。
【００４２】また、第２の発明の固体撮像装置の製造方
法においては、カラーフィルタを、基板上に形成された
転送部領域でなる各凸部領域間に在る凹部領域にカラー
フィルタ材料を直接埋め込んで形成するので、より低い
段差に対してカラーフィルタを形成することができる。
したがって、上記カラーフィルタの厚さのストリエーシ
ョンを防止して表面を略平坦に形成でき、平坦化層の形
成を省略して垂直方向の寸法を縮小できる。その結果、
斜め入射光の遮蔽を低減して上記シェージング現象を改
善できる。さらに、カラーフィルタのエッジ形状を順テ
ーパにできるので、隣接したカラーフィルタ同士を接触
させて連続して形成することができる。したがって、画
質の劣化を防止できる。
法においては、カラーフィルタを、基板上に形成された
転送部領域でなる各凸部領域間に在る凹部領域にカラー
フィルタ材料を直接埋め込んで形成するので、より低い
段差に対してカラーフィルタを形成することができる。
したがって、上記カラーフィルタの厚さのストリエーシ
ョンを防止して表面を略平坦に形成でき、平坦化層の形
成を省略して垂直方向の寸法を縮小できる。その結果、
斜め入射光の遮蔽を低減して上記シェージング現象を改
善できる。さらに、カラーフィルタのエッジ形状を順テ
ーパにできるので、隣接したカラーフィルタ同士を接触
させて連続して形成することができる。したがって、画
質の劣化を防止できる。
【００４３】また、上述のごとく上記平坦化層を介さず
により基板に近い位置にカラーフィルタが形成されるの
で、上記カラーフィルタ形成時における下地アライメン
トマークの検出誤差を小さくでき、上記カラーフィルタ
のズレを少なくできる。さらに、必然的に、マイクロレ
ンズも基板に近い位置に形成されることになるので、上
記マイクロレンズを形成する際における上記下地アライ
メントマークの検出誤差を低減でき、マイクロレンズの
ズレを小さくできる。したがって、更なる画質の高品質
化を図ることができる。
により基板に近い位置にカラーフィルタが形成されるの
で、上記カラーフィルタ形成時における下地アライメン
トマークの検出誤差を小さくでき、上記カラーフィルタ
のズレを少なくできる。さらに、必然的に、マイクロレ
ンズも基板に近い位置に形成されることになるので、上
記マイクロレンズを形成する際における上記下地アライ
メントマークの検出誤差を低減でき、マイクロレンズの
ズレを小さくできる。したがって、更なる画質の高品質
化を図ることができる。
【００４４】すなわち、この発明によれば、デバイスの
性能を落とすことなく垂直方向の寸法を縮小できる。そ
の結果、上記シェーディング不良の改善、カラーフィル
タやマイクロレンズの実質的なアライメント精度の向
上、クロストークによる画質劣化の抑制が可能となり、
高精度,高精細な固体撮像装置を得ることができるので
ある。
性能を落とすことなく垂直方向の寸法を縮小できる。そ
の結果、上記シェーディング不良の改善、カラーフィル
タやマイクロレンズの実質的なアライメント精度の向
上、クロストークによる画質劣化の抑制が可能となり、
高精度,高精細な固体撮像装置を得ることができるので
ある。
【００４５】また、上記第２の発明の固体撮像装置の製
造方法は、上記カラーフィルタ材料として、感光性樹脂
からなる被染色性高分子材料を用いることによって、感
光性樹脂からなる被染色性高分子材料を用いたカラーフ
ィルタを、上記凹部領域に平坦化層を介さずに直接埋め
込んで形成できる。したがって、上記カラーフィルタの
実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、色濃度を高める
際の自由度を、垂直方向への寸法縮小を図りつつ向上さ
せることができる。
造方法は、上記カラーフィルタ材料として、感光性樹脂
からなる被染色性高分子材料を用いることによって、感
光性樹脂からなる被染色性高分子材料を用いたカラーフ
ィルタを、上記凹部領域に平坦化層を介さずに直接埋め
込んで形成できる。したがって、上記カラーフィルタの
実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、色濃度を高める
際の自由度を、垂直方向への寸法縮小を図りつつ向上さ
せることができる。
【００４６】また、上記第２の発明の固体撮像装置の製
造方法は、上記カラーフィルタ材料として、カラーレジ
ストを用いることによって、カラーレジストを用いたカ
ラーフィルタを、上記凹部領域に平坦化層を介さずに直
接埋め込んで形成できる。したがって、上記カラーフィ
ルタの実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、色濃度を
高める際の自由度や、カラーレジスト材料に対する色素
添加量削減による特性向上の自由度を、垂直方向への寸
法縮小を図りつつ向上させることができる。
造方法は、上記カラーフィルタ材料として、カラーレジ
ストを用いることによって、カラーレジストを用いたカ
ラーフィルタを、上記凹部領域に平坦化層を介さずに直
接埋め込んで形成できる。したがって、上記カラーフィ
ルタの実質的な膜厚を通常の２倍以上にして、色濃度を
高める際の自由度や、カラーレジスト材料に対する色素
添加量削減による特性向上の自由度を、垂直方向への寸
法縮小を図りつつ向上させることができる。
【図１】 この発明の固体撮像装置の製造方法を示す図
である。
である。
【図２】 従来のＣＣＤ固体撮像装置における単一セル
の断面図である。
の断面図である。
【図３】 図２の単一セルにおける光学系の概念図であ
る。
る。
【図４】 射出瞳位置が極端に短いレンズの特性説明図
である。
である。
【図５】 下地デバイスとカラーフィルタとの位置ズレ
が画質に及ぼす悪影響の説明図である。
が画質に及ぼす悪影響の説明図である。
【図６】 従来の固体撮像素子用光学カラーフィルタの
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
４１…基板、 ４２…受光部(光電変換部)、４３…電
極、 ４４…層間絶縁膜、４５
…遮光膜、 ４７…凸部領域、４
８…凹部領域、 ４９…カラーフィ
ルタ材料、５０,５１,５２…カラーフィルタ。
極、 ４４…層間絶縁膜、４５
…遮光膜、 ４７…凸部領域、４
８…凹部領域、 ４９…カラーフィ
ルタ材料、５０,５１,５２…カラーフィルタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BA15 BA45 BB02 BB07 BB10 BB28 BB46 4M118 AA05 AA10 AB01 BA10 CA02 CA40 GC07 GC17 GD04 5C024 AA01 CA31 EA04 EA08 FA01 FA11 GA11 5C065 AA01 BB42 DD02 EE03 EE11
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された転送部領域でなる凸
部領域と上記基板における上記凸部領域に隣接した受光
部領域でなる凹部領域で構成された単位セルと、上記単
位セル上に形成されたカラーフィルタおよびマイクロレ
ンズを有する固体撮像装置において、 上記カラーフィルタは、上記凹部領域に直接埋め込ま
れ、且つ、隣接するカラーフィルタに接触して形成され
ると共に、表面が略平坦に形成されていることを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】 基板上に形成された転送部領域でなる凸
部領域と上記基板における上記凸部領域に隣接した受光
部領域でなる凹部領域で構成された単位セルと、上記単
位セル上に形成されたカラーフィルタおよびマイクロレ
ンズを有する固体撮像装置の製造方法であって、 上記カラーフィルタを、 上記単位セルの列上にカラーフィルタ材料を塗布した後
に所定の凹部領域を含む所定のパターンに成形して、当
該凹部領域内に上記カラーフィルタ材料を直接埋め込む
工程を、カラーフィルタの色の数だけ繰り返し行って、
隣接するカラーフィルタ同士は互いに接触するように形
成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の固体撮像装置の製造方
法において、 上記カラーフィルタ材料として、感光性樹脂からなる被
染色性高分子材料を用いることを特徴とする固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載の固体撮像装置の製造方
法において、 上記カラーフィルタ材料として、カラーレジストを用い
ることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650999A JP3711211B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 固体撮像装置 |
| US09/545,594 US6630722B1 (en) | 1999-05-26 | 2000-04-07 | Solid state image sensing device having high image quality and fabricating method thereof |
| TW089106544A TW468281B (en) | 1999-05-26 | 2000-04-08 | Solid state image sensing device having high image quality and fabricating method thereof |
| KR1020000027485A KR20000077374A (ko) | 1999-05-26 | 2000-05-22 | 고화질을 가진 고체촬상장치 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650999A JP3711211B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003399431A Division JP4299643B2 (ja) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340776A true JP2000340776A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3711211B2 JP3711211B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=15409251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14650999A Expired - Fee Related JP3711211B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6630722B1 (ja) |
| JP (1) | JP3711211B2 (ja) |
| KR (1) | KR20000077374A (ja) |
| TW (1) | TW468281B (ja) |
Cited By (6)
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| KR20030048192A (ko) * | 2001-12-11 | 2003-06-19 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100410590B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 이미지센서 제조방법 |
| KR100649857B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2006-11-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 칼라필터 형성 이전의 평탄화 공정을 생략할 수 있는이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100658921B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2006-12-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 칼라필터 형성 이전에 평탄화 공정을 생략할 수 있는 cmos 이미지 센서 제조 방법 |
| US7986018B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-07-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW513753B (en) * | 2000-03-27 | 2002-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor display device and manufacturing method thereof |
| TW504846B (en) * | 2000-06-28 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6843850B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-18 | International Business Machines Corporation | Catalyst-free growth of single-wall carbon nanotubes |
| JP4310093B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US7491428B2 (en) * | 2002-12-04 | 2009-02-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Controlled deposition and alignment of carbon nanotubes |
| JP2004260074A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法及びその実装方法、回路基板並びに電子機器 |
| KR100640531B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2006-10-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 자기 정렬 이미지 센서 제조방법 |
| US7768088B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-08-03 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device that efficiently guides light to a light-receiving part |
| KR100595601B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조방법 |
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| US7879631B2 (en) * | 2006-10-24 | 2011-02-01 | Hong Jim T | Systems and methods for on-die light sensing with low leakage |
| TWI458678B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-11-01 | Ind Tech Res Inst | 石墨烯層的形成方法 |
| US20220238733A1 (en) * | 2021-01-28 | 2022-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Sensor packages with wavelength-specific light filters |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0398002A (ja) | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Nec Kyushu Ltd | 固体撮像素子用光学カラーフィルタの製造方法 |
| JPH04196167A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH08125166A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH1127588A (ja) | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Fuji Film Micro Device Kk | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH11284158A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sony Corp | 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-26 JP JP14650999A patent/JP3711211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-07 US US09/545,594 patent/US6630722B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-08 TW TW089106544A patent/TW468281B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-22 KR KR1020000027485A patent/KR20000077374A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3711211B2 (ja) | 2005-11-02 |
| KR20000077374A (ko) | 2000-12-26 |
| US6630722B1 (en) | 2003-10-07 |
| TW468281B (en) | 2001-12-11 |
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