JPH08125166A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH08125166A JPH08125166A JP6253806A JP25380694A JPH08125166A JP H08125166 A JPH08125166 A JP H08125166A JP 6253806 A JP6253806 A JP 6253806A JP 25380694 A JP25380694 A JP 25380694A JP H08125166 A JPH08125166 A JP H08125166A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＣＣＤおよびその製造方法におい
て、段差の大きい部分での遮光膜のエッチング残りを発
生しにくくできるとともに、分厚い遮光膜によって入射
光の一部が遮られて感度が低下されるのを防止できるよ
うにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、Ｓｉ基板１１上に絶縁領域１４を略
短冊状に形成する。そして、この絶縁領域１４の相互間
に、ゲート絶縁膜１２を介して各相の転送電極１３をそ
れぞれ形成し、隣接する、各相の転送電極１３の相互を
絶縁領域１４によって電気的に分離する。こうして、各
相の転送電極１３を同一平面上に配設した平坦構造とす
ることで、遮光膜１７の薄膜化を図る構成となってい
る。
て、段差の大きい部分での遮光膜のエッチング残りを発
生しにくくできるとともに、分厚い遮光膜によって入射
光の一部が遮られて感度が低下されるのを防止できるよ
うにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、Ｓｉ基板１１上に絶縁領域１４を略
短冊状に形成する。そして、この絶縁領域１４の相互間
に、ゲート絶縁膜１２を介して各相の転送電極１３をそ
れぞれ形成し、隣接する、各相の転送電極１３の相互を
絶縁領域１４によって電気的に分離する。こうして、各
相の転送電極１３を同一平面上に配設した平坦構造とす
ることで、遮光膜１７の薄膜化を図る構成となってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば固体撮像装
置およびその製造方法に関するもので、特にＣＣＤ（Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）に使用さ
れるものである。
置およびその製造方法に関するもので、特にＣＣＤ（Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）に使用さ
れるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤの画素領域は、たとえば図
１０に示すように、Ｓｉ基板１０１、ゲート絶縁膜１０
２、第１層目の電極１０３、絶縁膜１０４、第２層目の
電極１０５、層間膜１０６、遮光膜（光遮蔽層）１０
７、平坦化層１０８、およびマイクロレンズ１０９など
から構成されている。そして、入射光は、上記マイクロ
レンズ１０９で集光されて、受光部で受光されるように
なっている。
１０に示すように、Ｓｉ基板１０１、ゲート絶縁膜１０
２、第１層目の電極１０３、絶縁膜１０４、第２層目の
電極１０５、層間膜１０６、遮光膜（光遮蔽層）１０
７、平坦化層１０８、およびマイクロレンズ１０９など
から構成されている。そして、入射光は、上記マイクロ
レンズ１０９で集光されて、受光部で受光されるように
なっている。
【０００３】このような構成のＣＣＤにおいては、ま
ず、ゲート絶縁膜１０２上に、たとえば多結晶シリコン
からなる第１層目の電極材料が堆積される。そして、こ
の第１層目の電極材料が、図示しないパターニングされ
たレジストをマスクにエッチングされて、第１層目の電
極１０３が形成される（図１１（ａ））。
ず、ゲート絶縁膜１０２上に、たとえば多結晶シリコン
からなる第１層目の電極材料が堆積される。そして、こ
の第１層目の電極材料が、図示しないパターニングされ
たレジストをマスクにエッチングされて、第１層目の電
極１０３が形成される（図１１（ａ））。
【０００４】この第１層目の電極１０３の表面が酸化さ
れて０．２μｍ厚程度の絶縁膜１０４が形成された後、
第２層目の電極材料が堆積される。そして、この第２層
目の電極材料が、図示しないパターニングされたレジス
トをマスクにエッチングされて、第２層目の電極１０５
が形成される（図１１（ｂ））。
れて０．２μｍ厚程度の絶縁膜１０４が形成された後、
第２層目の電極材料が堆積される。そして、この第２層
目の電極材料が、図示しないパターニングされたレジス
トをマスクにエッチングされて、第２層目の電極１０５
が形成される（図１１（ｂ））。
【０００５】こうして、第１層目の電極１０３と第２層
目の電極１０５との形成に際して、それぞれの電極材料
によって開口が形成されることにより、受光部および各
相の転送電極が形成されるようになっている。
目の電極１０５との形成に際して、それぞれの電極材料
によって開口が形成されることにより、受光部および各
相の転送電極が形成されるようになっている。
【０００６】さて、上記したＣＣＤの場合、図示Ａ−Ａ
線に沿う断面において、第１層目の電極１０３と第２層
目の電極１０５とが部分的に積層された構造となってい
る。すなわち、従来のＣＣＤでは、図１０に示すよう
に、第１層目の電極１０３と第２層目の電極１０５とを
重ね合わせることで、電極間の距離をできるだけ小さく
するようになっている。
線に沿う断面において、第１層目の電極１０３と第２層
目の電極１０５とが部分的に積層された構造となってい
る。すなわち、従来のＣＣＤでは、図１０に示すよう
に、第１層目の電極１０３と第２層目の電極１０５とを
重ね合わせることで、電極間の距離をできるだけ小さく
するようになっている。
【０００７】しかしながら、第１層目の電極１０３と第
２層目の電極１０５との積層部分で大きな段差をもつた
め、第１層目の電極１０３および第２層目の電極１０５
の側壁部分を覆うには遮光膜１０７を十分に厚くしなけ
ればならない。したがって、遮光膜１０７が不要な部分
ではこれを完全に除去するのが困難になり、特に段差の
大きな部分で遮光膜１０７のエッチング残りが発生しや
すいという不具合があった。
２層目の電極１０５との積層部分で大きな段差をもつた
め、第１層目の電極１０３および第２層目の電極１０５
の側壁部分を覆うには遮光膜１０７を十分に厚くしなけ
ればならない。したがって、遮光膜１０７が不要な部分
ではこれを完全に除去するのが困難になり、特に段差の
大きな部分で遮光膜１０７のエッチング残りが発生しや
すいという不具合があった。
【０００８】また、遮光膜１０７を厚くすると、これが
マイクロレンズ１０９で集光された入射光の光路の一部
を遮る結果となって、感度の低下を招くといった問題も
あった。
マイクロレンズ１０９で集光された入射光の光路の一部
を遮る結果となって、感度の低下を招くといった問題も
あった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、第１層目の電極１０３と第２層目の電極１
０５との積層部分で大きな段差をもつために遮光膜１０
７を厚く形成する必要があり、これがエッチング残りや
感度の低下を招くなどの問題があった。
においては、第１層目の電極１０３と第２層目の電極１
０５との積層部分で大きな段差をもつために遮光膜１０
７を厚く形成する必要があり、これがエッチング残りや
感度の低下を招くなどの問題があった。
【００１０】そこで、この発明は、エッチング残りを発
生しにくくできるとともに、感度が低下されるのを防止
することが可能な固体撮像装置およびその製造方法を提
供することを目的としている。
生しにくくできるとともに、感度が低下されるのを防止
することが可能な固体撮像装置およびその製造方法を提
供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の固体撮像装置にあっては、半導体基板
上に絶縁膜を介して多数相の転送電極を設けてなるもの
において、前記各相の転送電極を、その相互にそれぞれ
絶縁領域を介在させて同一平面上に配設してなる構成と
されている。
めに、この発明の固体撮像装置にあっては、半導体基板
上に絶縁膜を介して多数相の転送電極を設けてなるもの
において、前記各相の転送電極を、その相互にそれぞれ
絶縁領域を介在させて同一平面上に配設してなる構成と
されている。
【００１２】また、この発明の固体撮像装置にあって
は、半導体基板上に設けられた複数の絶縁領域と、この
絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜を介して配設された
多数相の転送電極とを具備し、前記絶縁領域によって、
前記各相の転送電極の相互をそれぞれ同一平面上におい
て電気的に分離してなる構成とされている。
は、半導体基板上に設けられた複数の絶縁領域と、この
絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜を介して配設された
多数相の転送電極とを具備し、前記絶縁領域によって、
前記各相の転送電極の相互をそれぞれ同一平面上におい
て電気的に分離してなる構成とされている。
【００１３】さらに、この発明の固体撮像装置の製造方
法にあっては、半導体基板上に絶縁層を形成する工程
と、この絶縁層を選択的に除去して複数の絶縁領域を形
成する工程と、この絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜
を介して複数相の転送電極を形成する工程とからなり、
前記絶縁領域によって各相の転送電極の相互をそれぞれ
同一平面上において電気的に分離するようになってい
る。
法にあっては、半導体基板上に絶縁層を形成する工程
と、この絶縁層を選択的に除去して複数の絶縁領域を形
成する工程と、この絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜
を介して複数相の転送電極を形成する工程とからなり、
前記絶縁領域によって各相の転送電極の相互をそれぞれ
同一平面上において電気的に分離するようになってい
る。
【００１４】
【作用】この発明は、上記した手段により、段差をなく
すことができるようになるため、遮光膜を薄くすること
が可能となるものである。
すことができるようになるため、遮光膜を薄くすること
が可能となるものである。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかるＣＣＤ（Ｃｈ
ａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）の概略構成
を示すものである。なお、同図（ａ）はＣＣＤの要部を
示す平面図であり、同図（ｂ）は同じくＢ−Ｂ線に沿う
画素領域の断面図、同図（ｃ）は同じくＣ−Ｃ線に沿う
配線領域の断面図である。
照して説明する。図１は、本発明にかかるＣＣＤ（Ｃｈ
ａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）の概略構成
を示すものである。なお、同図（ａ）はＣＣＤの要部を
示す平面図であり、同図（ｂ）は同じくＢ−Ｂ線に沿う
画素領域の断面図、同図（ｃ）は同じくＣ−Ｃ線に沿う
配線領域の断面図である。
【００１６】すなわち、このＣＣＤは、たとえばＳｉ基
板１１上にゲート絶縁膜１２を介して形成された各相の
転送電極１３の相互が、絶縁領域１４によって電気的に
分離された構成となっている。
板１１上にゲート絶縁膜１２を介して形成された各相の
転送電極１３の相互が、絶縁領域１４によって電気的に
分離された構成となっている。
【００１７】ＣＣＤの画素領域ａにおいては、受光部を
形成するための開口１５が設けられるとともに、層間膜
１６を介して上記転送電極１３の側壁部分を覆うための
遮光膜（光遮蔽層）１７が形成され、さらに平坦化層１
８を介して上記受光部に入射光を集光するためのマイク
ロレンズ１９が設けられている。
形成するための開口１５が設けられるとともに、層間膜
１６を介して上記転送電極１３の側壁部分を覆うための
遮光膜（光遮蔽層）１７が形成され、さらに平坦化層１
８を介して上記受光部に入射光を集光するためのマイク
ロレンズ１９が設けられている。
【００１８】ＣＣＤの配線領域ｂにおいては、上記層間
膜１６上にアルミニウムなどからなる配線２０が形成さ
れて、各相の転送電極１３のそれぞれとコンタクトホー
ル２１を介して接続されている。上記各配線２０の上部
は、上記平坦化層１８によって覆われている。
膜１６上にアルミニウムなどからなる配線２０が形成さ
れて、各相の転送電極１３のそれぞれとコンタクトホー
ル２１を介して接続されている。上記各配線２０の上部
は、上記平坦化層１８によって覆われている。
【００１９】上記各相の転送電極１３は、絶縁領域１４
の相互間にそれぞれ配設されるようになっている。すな
わち、転送電極１３のそれぞれは同一平面上に平坦に形
成されて、２層の電極材料の重ね合わせによる段差をも
たない構造とすることができる。
の相互間にそれぞれ配設されるようになっている。すな
わち、転送電極１３のそれぞれは同一平面上に平坦に形
成されて、２層の電極材料の重ね合わせによる段差をも
たない構造とすることができる。
【００２０】上記絶縁領域１４は、上記転送電極１３の
形成前に、少なくとも各相の転送電極１３間の間隙に応
じて略短冊状に形成されるようになっている。上記受光
部を形成するための開口１５は、画素領域における、上
記絶縁領域１４およびこれに隣接する各相の転送電極１
３の一部をそれぞれ除去して、上記ゲート絶縁膜１２を
露出させる構成となっている。
形成前に、少なくとも各相の転送電極１３間の間隙に応
じて略短冊状に形成されるようになっている。上記受光
部を形成するための開口１５は、画素領域における、上
記絶縁領域１４およびこれに隣接する各相の転送電極１
３の一部をそれぞれ除去して、上記ゲート絶縁膜１２を
露出させる構成となっている。
【００２１】このような構成のＣＣＤでは、上記マイク
ロレンズ１９で集光された入射光が受光部で受光される
ことにより、図示していないフォトダイオードで信号電
荷が発生されて各相の転送電極１３の下に蓄えられ、し
かる後、それぞれの配線２０より取り出されるようにな
っている。
ロレンズ１９で集光された入射光が受光部で受光される
ことにより、図示していないフォトダイオードで信号電
荷が発生されて各相の転送電極１３の下に蓄えられ、し
かる後、それぞれの配線２０より取り出されるようにな
っている。
【００２２】次に、上記した構成のＣＣＤの製造方法に
ついて説明する。図２乃至図８は、ＣＣＤの画素領域に
おける製造プロセスの概略をそれぞれ示すものである。
ついて説明する。図２乃至図８は、ＣＣＤの画素領域に
おける製造プロセスの概略をそれぞれ示すものである。
【００２３】まず、図２に示すように、Ｓｉ基板１１上
に絶縁層３１が形成される。そして、この絶縁層３１
が、パターニングされたレジスト３２をマスクにエッチ
ングされる。マスクとして用いられた上記レジスト３２
は、エッチング終了後に除去される。
に絶縁層３１が形成される。そして、この絶縁層３１
が、パターニングされたレジスト３２をマスクにエッチ
ングされる。マスクとして用いられた上記レジスト３２
は、エッチング終了後に除去される。
【００２４】こうして、図３（ａ），（ｂ）にそれぞれ
示すように、少なくとも各相の転送電極１３が隣接する
間隙の部分にのみ絶縁層３１が残された、略短冊状の絶
縁領域１４が形成される。
示すように、少なくとも各相の転送電極１３が隣接する
間隙の部分にのみ絶縁層３１が残された、略短冊状の絶
縁領域１４が形成される。
【００２５】次いで、図４に示すように、上記Ｓｉ基板
１１の表面が酸化されて、その表面の上記絶縁領域１４
の相互間にゲート絶縁膜１２が形成される。そして、図
５に示すように、たとえば多結晶シリコンからなる電極
材料３３が上記Ｓｉ基板１１上に堆積される。
１１の表面が酸化されて、その表面の上記絶縁領域１４
の相互間にゲート絶縁膜１２が形成される。そして、図
５に示すように、たとえば多結晶シリコンからなる電極
材料３３が上記Ｓｉ基板１１上に堆積される。
【００２６】続いて、図６に示すように、上記Ｓｉ基板
１１上に堆積された電極材料３３が、たとえば先に形成
された絶縁領域１４をストッパとしてポリッシング処理
されて、その上面が平坦化される。これにより、上記絶
縁領域１４によって相互が電気的に絶縁されてなる各相
の転送電極１３が、同一平面上にそれぞれ形成される。
１１上に堆積された電極材料３３が、たとえば先に形成
された絶縁領域１４をストッパとしてポリッシング処理
されて、その上面が平坦化される。これにより、上記絶
縁領域１４によって相互が電気的に絶縁されてなる各相
の転送電極１３が、同一平面上にそれぞれ形成される。
【００２７】この後、画素領域ａにおいては、図７に示
すように、上記Ｓｉ基板１１上に形成された上記転送電
極１３および上記絶縁領域１４の一部が、パターニング
されたレジスト３４をマスクにエッチングされる。マス
クとして用いられた上記レジスト３４は、エッチング終
了後に除去される。
すように、上記Ｓｉ基板１１上に形成された上記転送電
極１３および上記絶縁領域１４の一部が、パターニング
されたレジスト３４をマスクにエッチングされる。マス
クとして用いられた上記レジスト３４は、エッチング終
了後に除去される。
【００２８】こうして、図８（ａ），（ｂ）にそれぞれ
示すように、上記Ｓｉ基板１１の画素領域ａ上に開口１
５が選択的に形成されて、上記転送電極１３および上記
絶縁領域１４の下部のゲート絶縁膜１２が露出されるこ
とにより、受光部が形成される。
示すように、上記Ｓｉ基板１１の画素領域ａ上に開口１
５が選択的に形成されて、上記転送電極１３および上記
絶縁領域１４の下部のゲート絶縁膜１２が露出されるこ
とにより、受光部が形成される。
【００２９】しかる後、上記Ｓｉ基板１１の全面に、層
間膜１６および遮光膜１７がそれぞれ形成される。そし
て、画素領域ａの非受光部を除く上記遮光膜１７、つま
り上記転送電極１３の側壁部分を覆う以外の上記遮光膜
１７はエッチング処理により除去される。この場合、上
記各相の転送電極１３は同一平面上に形成されて大きな
段差をもたないため、上記遮光膜１７は従来よりもずっ
と薄く形成でき、段差の大きな部分での遮光膜１７のエ
ッチング残りを発生しにくくできる。
間膜１６および遮光膜１７がそれぞれ形成される。そし
て、画素領域ａの非受光部を除く上記遮光膜１７、つま
り上記転送電極１３の側壁部分を覆う以外の上記遮光膜
１７はエッチング処理により除去される。この場合、上
記各相の転送電極１３は同一平面上に形成されて大きな
段差をもたないため、上記遮光膜１７は従来よりもずっ
と薄く形成でき、段差の大きな部分での遮光膜１７のエ
ッチング残りを発生しにくくできる。
【００３０】また、配線領域ｂでは、上記層間膜１６が
部分的に除去されて、各相の転送電極１３とのコンタク
トのためのホール２１および配線２０の形成が行われ
る。この配線２０の形成においては、各相の転送電極１
３の相互に設けられる絶縁領域１４を画素領域以外の素
子周辺部にまで設けるようにすることで、配線２０の平
坦面への形成が可能となり、配線２０の形成を容易化で
きる。
部分的に除去されて、各相の転送電極１３とのコンタク
トのためのホール２１および配線２０の形成が行われ
る。この配線２０の形成においては、各相の転送電極１
３の相互に設けられる絶縁領域１４を画素領域以外の素
子周辺部にまで設けるようにすることで、配線２０の平
坦面への形成が可能となり、配線２０の形成を容易化で
きる。
【００３１】そして、上記Ｓｉ基板１１の全面に、さら
に酸化膜などからなる平坦化層１８が形成されるととも
に、画素領域ａの上記平坦化層１８上に、上記受光部に
入射光を集光させるためのマイクロレンズ１９が形成さ
れて、図１に示したＣＣＤが製造される。
に酸化膜などからなる平坦化層１８が形成されるととも
に、画素領域ａの上記平坦化層１８上に、上記受光部に
入射光を集光させるためのマイクロレンズ１９が形成さ
れて、図１に示したＣＣＤが製造される。
【００３２】このような構成のＣＣＤによれば、上記各
相の転送電極１３を同一平面上に大きな段差をもたずに
形成することができるため、上記遮光膜１７を従来より
もずっと薄く形成できるようになる。したがって、段差
の大きな部分での遮光膜１７のエッチング残りを発生し
にくくできるとともに、マイクロレンズ１９で集光され
た入射光の光路を遮光膜１７が遮ることがなくなり、そ
の分、感度の向上が図れる。
相の転送電極１３を同一平面上に大きな段差をもたずに
形成することができるため、上記遮光膜１７を従来より
もずっと薄く形成できるようになる。したがって、段差
の大きな部分での遮光膜１７のエッチング残りを発生し
にくくできるとともに、マイクロレンズ１９で集光され
た入射光の光路を遮光膜１７が遮ることがなくなり、そ
の分、感度の向上が図れる。
【００３３】また、ＣＣＤの全体的な薄型化が可能にな
るとともに、配線２０の形成が容易化できるなど、製造
プロセスの簡素化が期待できる。上記したように、段差
をなくすことができるようにしている。
るとともに、配線２０の形成が容易化できるなど、製造
プロセスの簡素化が期待できる。上記したように、段差
をなくすことができるようにしている。
【００３４】すなわち、隣接する、各相の転送電極の相
互を絶縁領域によって電気的に分離して形成するように
している。これにより、各相の転送電極を大きな段差を
もたせずに同一平面上に配設した平坦構造として形成で
きるようになるため、厚さの薄い遮光膜によって十分に
光を遮蔽することが可能となる。したがって、遮光膜を
薄くすることが可能となり、遮光膜のエッチング残りを
発生しにくくできるとともに、感度が低下されるのを防
止できるものである。
互を絶縁領域によって電気的に分離して形成するように
している。これにより、各相の転送電極を大きな段差を
もたせずに同一平面上に配設した平坦構造として形成で
きるようになるため、厚さの薄い遮光膜によって十分に
光を遮蔽することが可能となる。したがって、遮光膜を
薄くすることが可能となり、遮光膜のエッチング残りを
発生しにくくできるとともに、感度が低下されるのを防
止できるものである。
【００３５】また、電極材料をポリッシングにより研磨
して各相の転送電極を平坦化するようにしているため、
作業性が良く、しかも平坦度の高い安定した転送電極の
形成が可能である。
して各相の転送電極を平坦化するようにしているため、
作業性が良く、しかも平坦度の高い安定した転送電極の
形成が可能である。
【００３６】なお、上記実施例においては、絶縁領域を
略短冊状に形成した場合について説明したが、これに限
らず、たとえば図９に示すように、各相の転送電極１３
の間隙の部分と受光部を形成するための開口１５の形成
部分とに絶縁層３１を選択的に残すような形状としても
良い。
略短冊状に形成した場合について説明したが、これに限
らず、たとえば図９に示すように、各相の転送電極１３
の間隙の部分と受光部を形成するための開口１５の形成
部分とに絶縁層３１を選択的に残すような形状としても
良い。
【００３７】この場合も、画素領域（ａ）以外の配線領
域（ｂ）を含む素子周辺部にまで絶縁領域１４を設ける
ようにすることで、配線２０の平坦面への形成が可能と
なり、配線２０の形成を容易化できる。
域（ｂ）を含む素子周辺部にまで絶縁領域１４を設ける
ようにすることで、配線２０の平坦面への形成が可能と
なり、配線２０の形成を容易化できる。
【００３８】また、各相の転送電極の平坦化はポリッシ
ングの方法に限らず、たとえば電極材料上にレジストを
堆積させ、そのレジストごと電極材料をＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により除去する
方法など、電極材料をほぼ同一のレートでエッチングで
きる方法であれば適用することが可能である。その他、
この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施
可能なことは勿論である。
ングの方法に限らず、たとえば電極材料上にレジストを
堆積させ、そのレジストごと電極材料をＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により除去する
方法など、電極材料をほぼ同一のレートでエッチングで
きる方法であれば適用することが可能である。その他、
この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施
可能なことは勿論である。
【００３９】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、エッチング残りを発生しにくくできるとともに、感
度が低下されるのを防止することが可能な固体撮像装置
およびその製造方法を提供できる。
ば、エッチング残りを発生しにくくできるとともに、感
度が低下されるのを防止することが可能な固体撮像装置
およびその製造方法を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかるＣＣＤの要部を概
略的に示す構成図。
略的に示す構成図。
【図２】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の断面図。
示す要部の断面図。
【図３】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の構成図。
示す要部の構成図。
【図４】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の断面図。
示す要部の断面図。
【図５】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の断面図。
示す要部の断面図。
【図６】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の断面図。
示す要部の断面図。
【図７】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の断面図。
示す要部の断面図。
【図８】同じく、製造プロセスの概略を説明するために
示す要部の構成図。
示す要部の構成図。
【図９】この発明の他の実施例かかる絶縁領域の平面パ
ターンの一例を示す平面図。
ターンの一例を示す平面図。
【図１０】従来技術とその問題点を説明するために示す
ＣＣＤの概略断面図。
ＣＣＤの概略断面図。
【図１１】同じく、製造プロセスの概略を説明するため
に示す要部の平面図。
に示す要部の平面図。
１１…Ｓｉ基板、１２…ゲート絶縁膜、１３…各相の転
送電極、１４…絶縁領域、１５…開口、１６…層間膜、
１７…遮光膜（光遮蔽層）、１８…平坦化層、１９…マ
イクロレンズ、２０…配線、２１…コンタクトホール、
３１…絶縁層、３２，３４…レジスト、３３…電極材
料。
送電極、１４…絶縁領域、１５…開口、１６…層間膜、
１７…遮光膜（光遮蔽層）、１８…平坦化層、１９…マ
イクロレンズ、２０…配線、２１…コンタクトホール、
３１…絶縁層、３２，３４…レジスト、３３…電極材
料。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/148 (72)発明者 塩山 善之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 越野 裕 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を介して多数相の
転送電極を設けてなる固体撮像装置において、 前記各相の転送電極を、その相互にそれぞれ絶縁領域を
介在させて同一平面上に配設してなることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に設けられた複数の絶縁領
域と、 この絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜を介して配設さ
れた多数相の転送電極とを具備し、 前記絶縁領域によって、前記各相の転送電極の相互をそ
れぞれ同一平面上において電気的に分離してなることを
特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記絶縁領域は、少なくとも各相の転送
電極間の間隙に応じて短冊状に形成されてなることを特
徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記絶縁領域は、各相の転送電極間の間
隙および受光部を形成するための開口形状に応じて形成
されることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項５】 半導体基板上に絶縁層を形成する工程
と、 この絶縁層を選択的に除去して複数の絶縁領域を形成す
る工程と、 この絶縁領域の相互間にそれぞれ絶縁膜を介して複数相
の転送電極を形成する工程とからなり、 前記絶縁領域によって各相の転送電極の相互をそれぞれ
同一平面上において電気的に分離するようにしたことを
特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記工程における転送電極の形成は、前
記電極材料を堆積する工程と、この堆積された前記電極
材料の上面を平坦化する工程とからなることを特徴とす
る請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記工程における電極材料の平坦化は、
前記絶縁領域の上面をストッパとするポリッシング処理
により行うことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記工程における絶縁領域の形成は、少
なくとも各相の転送電極間の間隙に応じた短冊状の絶縁
領域を形成するものであることを特徴とする請求項５に
記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記工程における絶縁領域の形成は、各
相の転送電極間の間隙および受光部を形成するための開
口形状に応じた絶縁領域を形成するものであることを特
徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253806A JPH08125166A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR1019950034239A KR100226598B1 (ko) | 1994-10-19 | 1995-10-06 | 고체 촬상장치 및 그 제조방법 |
| US08/544,834 US5637894A (en) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | Solid state image sensor device with single-layered transfer electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253806A JPH08125166A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125166A true JPH08125166A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17256412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6253806A Pending JPH08125166A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5637894A (ja) |
| JP (1) | JPH08125166A (ja) |
| KR (1) | KR100226598B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3711211B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2005-11-02 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2001068658A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3319456B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| TW513753B (en) * | 2000-03-27 | 2002-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor display device and manufacturing method thereof |
| TW504846B (en) * | 2000-06-28 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102076783B1 (ko) | 2017-06-29 | 2020-02-13 | 기검 | 레져용 난로 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3142327B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH0697410A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP6253806A patent/JPH08125166A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-06 KR KR1019950034239A patent/KR100226598B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-10-18 US US08/544,834 patent/US5637894A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100226598B1 (ko) | 1999-10-15 |
| US5637894A (en) | 1997-06-10 |
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