JP2001068658A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線に対して充分な感度を有すると共に、
各種の特性が良好な固体撮像装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 センサ部１１上のオンチップレンズを含
む層１９，２０，２１が紫外線を透過する無機膜で形成
された固体撮像装置１を構成する。また、平坦化膜とな
る第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的
研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜
２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜
上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして
第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工
程とを有して固体撮像装置１を製造する。
各種の特性が良好な固体撮像装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 センサ部１１上のオンチップレンズを含
む層１９，２０，２１が紫外線を透過する無機膜で形成
された固体撮像装置１を構成する。また、平坦化膜とな
る第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的
研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜
２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜
上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして
第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工
程とを有して固体撮像装置１を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば紫外線を受
光検出する固体撮像装置に用いて好適な固体撮像装置及
びその製造方法に係わる。
光検出する固体撮像装置に用いて好適な固体撮像装置及
びその製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の通常のＣＣＤ固体撮像装置では、
オンチップレンズやその下地の平坦化膜が有機材料で形
成されていた。例えば平坦化膜及びオンチップレンズに
はフォトレジスト膜が用いられ、平坦化膜とオンチップ
レンズの間のカラーフィルタにはカゼイン等の有機材料
が用いられている。これら有機材料は、紫外線を透過し
ないことから、紫外線に対する感度がなかった。
オンチップレンズやその下地の平坦化膜が有機材料で形
成されていた。例えば平坦化膜及びオンチップレンズに
はフォトレジスト膜が用いられ、平坦化膜とオンチップ
レンズの間のカラーフィルタにはカゼイン等の有機材料
が用いられている。これら有機材料は、紫外線を透過し
ないことから、紫外線に対する感度がなかった。
【０００３】そのため、従来の構成のＣＣＤ固体撮像装
置において紫外線に対する感度をもたせようとすると、
オンチップレンズを形成することができない。オンチッ
プレンズを形成しないと、フォトセンサ周辺の遮光膜の
ある領域に入射する光を受光検出できないため、センサ
部の実効的開口率が小さくなり感度が低くなるという問
題があった。
置において紫外線に対する感度をもたせようとすると、
オンチップレンズを形成することができない。オンチッ
プレンズを形成しないと、フォトセンサ周辺の遮光膜の
ある領域に入射する光を受光検出できないため、センサ
部の実効的開口率が小さくなり感度が低くなるという問
題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の問題に対して、
例えば紫外線の感度を改善する目的で、次のような構成
の固体撮像装置が提案されている。 １．通常のＣＣＤ固体撮像装置の構成からセンサ部上の
有機膜を除去もしくは非常に薄くして、紫外線がセンサ
部に入射するようにした構成 ２．ＣＣＤ固体撮像装置の基板側を薄くして、この基板
の裏面側から光（紫外線）を照射する構成 ３．蛍光塗料等の紫外線を可視光線に波長変換する材料
をセンサ部上に塗布形成する構成
例えば紫外線の感度を改善する目的で、次のような構成
の固体撮像装置が提案されている。 １．通常のＣＣＤ固体撮像装置の構成からセンサ部上の
有機膜を除去もしくは非常に薄くして、紫外線がセンサ
部に入射するようにした構成 ２．ＣＣＤ固体撮像装置の基板側を薄くして、この基板
の裏面側から光（紫外線）を照射する構成 ３．蛍光塗料等の紫外線を可視光線に波長変換する材料
をセンサ部上に塗布形成する構成
【０００５】上記１．の構成では、センサ部以外に入射
した紫外線を感知することができないので、センサ部の
実効的開口率が低下する。また、センサ部を保護する膜
がないので、パッケージ等で水分等を通さないようにし
ないとセンサ部の半導体層が劣化してしまう。
した紫外線を感知することができないので、センサ部の
実効的開口率が低下する。また、センサ部を保護する膜
がないので、パッケージ等で水分等を通さないようにし
ないとセンサ部の半導体層が劣化してしまう。
【０００６】上記２．の構成では基板に入った紫外線が
散乱されて、隣接する画素にも広がってしまい、その結
果解像度が低下する問題がある。また、基板をなるべく
薄くする必要があり、感度を向上させるために基板をよ
り薄くしようとすると製造コストが増大してしまう、と
いう問題もある。
散乱されて、隣接する画素にも広がってしまい、その結
果解像度が低下する問題がある。また、基板をなるべく
薄くする必要があり、感度を向上させるために基板をよ
り薄くしようとすると製造コストが増大してしまう、と
いう問題もある。
【０００７】さらに、この２．構成では、フレームトラ
ンスファー（ＦＴ）型のＣＣＤ固体撮像装置として、ｐ
型の基板内にｎ型の埋め込みチャネルを形成してセンサ
部兼転送部としているため、暗電流が大きく、また基板
側に電荷を排出する電子シャッター動作ができない。
ンスファー（ＦＴ）型のＣＣＤ固体撮像装置として、ｐ
型の基板内にｎ型の埋め込みチャネルを形成してセンサ
部兼転送部としているため、暗電流が大きく、また基板
側に電荷を排出する電子シャッター動作ができない。
【０００８】また、上記３．の構成では、紫外線から可
視光線への波長変換の応答が遅く、残像が出やすくなる
欠点がある。
視光線への波長変換の応答が遅く、残像が出やすくなる
欠点がある。
【０００９】従って、１．〜３．の構成では、紫外線に
対して充分な感度を実現しようとしたために、その他の
特性が充分得られなくなっていた。
対して充分な感度を実現しようとしたために、その他の
特性が充分得られなくなっていた。
【００１０】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、紫外線に対して充分な感度を有すると共に、解
像度や応答等各種の特性が良好な固体撮像装置及びその
製造方法を提供するものである。
いては、紫外線に対して充分な感度を有すると共に、解
像度や応答等各種の特性が良好な固体撮像装置及びその
製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、センサ部上のオンチップレンズを含む層が紫外線を
透過する無機膜で形成されて成るものである。
は、センサ部上のオンチップレンズを含む層が紫外線を
透過する無機膜で形成されて成るものである。
【００１２】本発明の固体撮像装置の製造方法は、平坦
化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学
的機械的研磨法により平坦化膜を形成する工程と、平坦
化膜上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜
上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして
第２の無機膜によるオンチップレンズを形成する工程と
を有するものである。
化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学
的機械的研磨法により平坦化膜を形成する工程と、平坦
化膜上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜
上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして
第２の無機膜によるオンチップレンズを形成する工程と
を有するものである。
【００１３】上述の本発明の構成によれば、センサ部上
のオンチップレンズを含む層が紫外線を透過する無機膜
で形成されていることにより、紫外線に対して感度を有
する固体撮像装置を構成することができる。またオンチ
ップレンズにより、センサ部上以外に入射する紫外線を
集光してセンサ部に入射させることができる。
のオンチップレンズを含む層が紫外線を透過する無機膜
で形成されていることにより、紫外線に対して感度を有
する固体撮像装置を構成することができる。またオンチ
ップレンズにより、センサ部上以外に入射する紫外線を
集光してセンサ部に入射させることができる。
【００１４】上述の本発明製法によれば、第１の無機膜
を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平
坦化膜を形成することにより、その上にオンチップレン
ズを形成することが可能なように表面を平坦化すること
ができる。また、平坦化膜を第１の無機膜で形成し、オ
ンチップレンズを第２の無機膜で形成することにより、
紫外線に対する透過性を有する固体撮像装置を形成する
ことができる。
を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平
坦化膜を形成することにより、その上にオンチップレン
ズを形成することが可能なように表面を平坦化すること
ができる。また、平坦化膜を第１の無機膜で形成し、オ
ンチップレンズを第２の無機膜で形成することにより、
紫外線に対する透過性を有する固体撮像装置を形成する
ことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、センサ部上のオンチッ
プレンズを含む層が紫外線を透過する無機膜で形成され
て成る固体撮像装置である。
プレンズを含む層が紫外線を透過する無機膜で形成され
て成る固体撮像装置である。
【００１６】本発明は、平坦化膜となる第１の無機膜を
形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦
化膜を形成する工程と、平坦化膜上に第２の無機膜を形
成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト
層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチ
ップレンズを形成する工程とを有する固体撮像装置の製
造方法である。
形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦
化膜を形成する工程と、平坦化膜上に第２の無機膜を形
成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト
層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチ
ップレンズを形成する工程とを有する固体撮像装置の製
造方法である。
【００１７】図１は本発明の一実施形態として固体撮像
装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示す。こ
の固体撮像装置１は、本発明をＣＣＤ固体撮像装置に適
用したものである。この固体撮像装置１では、ｎ型半導
体基板２の上にｐ型半導体領域３が形成され、このｐ型
半導領域３内にそれぞれｎ型不純物領域４、ｐ型の正電
荷蓄積領域５、ｐ型半導体ウエル領域６、ｎ型の転送チ
ャネル領域７、ｐ型のチャネルストップ領域１４が不純
物の拡散により形成されている。このうち、ｎ型不純物
領域４と正電荷蓄積領域５によりセンサ部（受光部）１
１が構成され、転送チャネル領域７とｐ型半導体ウエル
領域６と後述する転送電極１６とからＣＣＤ構造の垂直
転送レジスタ１２が構成される。
装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示す。こ
の固体撮像装置１は、本発明をＣＣＤ固体撮像装置に適
用したものである。この固体撮像装置１では、ｎ型半導
体基板２の上にｐ型半導体領域３が形成され、このｐ型
半導領域３内にそれぞれｎ型不純物領域４、ｐ型の正電
荷蓄積領域５、ｐ型半導体ウエル領域６、ｎ型の転送チ
ャネル領域７、ｐ型のチャネルストップ領域１４が不純
物の拡散により形成されている。このうち、ｎ型不純物
領域４と正電荷蓄積領域５によりセンサ部（受光部）１
１が構成され、転送チャネル領域７とｐ型半導体ウエル
領域６と後述する転送電極１６とからＣＣＤ構造の垂直
転送レジスタ１２が構成される。
【００１８】センサ部１１は画素となるもので、複数の
センサ部１１が図示しないがマトリクス状に配置され
る。センサ部１１と垂直転送レジスタ１２との間には、
読み出しゲート部１３が形成される。
センサ部１１が図示しないがマトリクス状に配置され
る。センサ部１１と垂直転送レジスタ１２との間には、
読み出しゲート部１３が形成される。
【００１９】また、ｐ型半導体領域３より上方にはゲー
ト絶縁膜１５を介して例えば多結晶シリコンからなる転
送電極１６が形成され、この転送電極１６は読み出しゲ
ート部１３及び垂直転送レジスタ１２及びチャネルスト
ップ領域１４上に形成されている。転送電極１６上には
層間絶縁膜１７を介して、センサ部１１上の開口を除く
他の全面にＡｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）
等の金属膜から成る遮光膜１８が形成されている。遮光
膜１８上には例えばＳｉＯ2 膜又はＢＰＳＧ（ボロン・
リン・シリケートガラス）膜からなる絶縁膜１９を介し
て、平坦化膜２０が形成され、その上に表面がレンズ形
状の曲面とされたオンチップレンズ２１が形成されてい
る。
ト絶縁膜１５を介して例えば多結晶シリコンからなる転
送電極１６が形成され、この転送電極１６は読み出しゲ
ート部１３及び垂直転送レジスタ１２及びチャネルスト
ップ領域１４上に形成されている。転送電極１６上には
層間絶縁膜１７を介して、センサ部１１上の開口を除く
他の全面にＡｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）
等の金属膜から成る遮光膜１８が形成されている。遮光
膜１８上には例えばＳｉＯ2 膜又はＢＰＳＧ（ボロン・
リン・シリケートガラス）膜からなる絶縁膜１９を介し
て、平坦化膜２０が形成され、その上に表面がレンズ形
状の曲面とされたオンチップレンズ２１が形成されてい
る。
【００２０】本実施の形態においては、特に平坦化膜２
０及びオンチップレンズ２１を、プラズマＣＶＤ（化学
的気相成長）法により形成したＳｉＮ膜により構成す
る。これにより、平坦化膜２０及びオンチップレンズ２
１が紫外線に対して透過性を有するようになる。また、
その下の絶縁膜１９もＳｉＯ2 膜等なので紫外線を透過
する。従って、紫外線をセンサ部１１に入射させること
が可能になる。
０及びオンチップレンズ２１を、プラズマＣＶＤ（化学
的気相成長）法により形成したＳｉＮ膜により構成す
る。これにより、平坦化膜２０及びオンチップレンズ２
１が紫外線に対して透過性を有するようになる。また、
その下の絶縁膜１９もＳｉＯ2 膜等なので紫外線を透過
する。従って、紫外線をセンサ部１１に入射させること
が可能になる。
【００２１】さらに、ＳｉＮ膜は水分やナトリウム等の
可動イオンを通さないので、パッシベーション膜として
の機能を有している。従って、本実施の形態では、平坦
化膜２０及びオンチップレンズ２１をパッシベーション
膜と兼用することができる。
可動イオンを通さないので、パッシベーション膜として
の機能を有している。従って、本実施の形態では、平坦
化膜２０及びオンチップレンズ２１をパッシベーション
膜と兼用することができる。
【００２２】上述の本実施の形態によれば、センサ部１
１上の絶縁膜１９と平坦化膜２０とオンチップレンズ２
１が、いずれも紫外線を透過する無機膜で形成されてい
るので、紫外線をセンサ部１１に入射させることがで
き、紫外線に対する感度を有する。また、オンチップレ
ンズ２１によりセンサ部１１上以外に入射する光を集光
してセンサ部に入射させることができ、センサ部１１の
実効的な開口率が向上し、前述の基板の裏面側から紫外
線を照射する構成に匹敵する量子効率が得られるので、
高い感度とすることができる。
１上の絶縁膜１９と平坦化膜２０とオンチップレンズ２
１が、いずれも紫外線を透過する無機膜で形成されてい
るので、紫外線をセンサ部１１に入射させることがで
き、紫外線に対する感度を有する。また、オンチップレ
ンズ２１によりセンサ部１１上以外に入射する光を集光
してセンサ部に入射させることができ、センサ部１１の
実効的な開口率が向上し、前述の基板の裏面側から紫外
線を照射する構成に匹敵する量子効率が得られるので、
高い感度とすることができる。
【００２３】そして、特に平坦化膜２０とオンチップレ
ンズ２１が、紫外線の透過率の高いＳｉＮ膜により形成
されているので、紫外線に対して非常に高い感度を有し
ている。
ンズ２１が、紫外線の透過率の高いＳｉＮ膜により形成
されているので、紫外線に対して非常に高い感度を有し
ている。
【００２４】さらに、本実施の形態において、ｎ型半導
体基板２から遮光膜１８上の絶縁膜１９までの構成は、
通常のｎ型半導体基板によるＣＣＤ固体撮像装置と同様
である。従って、この通常のｎ型半導体基板によるＣＣ
Ｄ固体撮像装置と同様の製造プロセスを用いることがで
き、低コストで紫外線に感度を有する固体撮像装置１を
製造することができる。また、半導体基板２をｎ型とし
ているので、通常のｎ型半導体基板によるＣＣＤ固体撮
像装置と同様に、暗電流やスミアが少なく、残像が生じ
にくい特性を有する。さらに、基板側に電荷を排出して
電子シャッター動作を行うことが可能である。
体基板２から遮光膜１８上の絶縁膜１９までの構成は、
通常のｎ型半導体基板によるＣＣＤ固体撮像装置と同様
である。従って、この通常のｎ型半導体基板によるＣＣ
Ｄ固体撮像装置と同様の製造プロセスを用いることがで
き、低コストで紫外線に感度を有する固体撮像装置１を
製造することができる。また、半導体基板２をｎ型とし
ているので、通常のｎ型半導体基板によるＣＣＤ固体撮
像装置と同様に、暗電流やスミアが少なく、残像が生じ
にくい特性を有する。さらに、基板側に電荷を排出して
電子シャッター動作を行うことが可能である。
【００２５】本実施の形態の固体撮像装置１は、次のよ
うにして製造することができる。センサ部１１上に開口
を有するパターンに遮光膜１８を形成して、その上の絶
縁膜１９を形成する。ここまでの工程は、従来のＣＣＤ
固体撮像装置と同様であり、低いコストで実行すること
ができる。
うにして製造することができる。センサ部１１上に開口
を有するパターンに遮光膜１８を形成して、その上の絶
縁膜１９を形成する。ここまでの工程は、従来のＣＣＤ
固体撮像装置と同様であり、低いコストで実行すること
ができる。
【００２６】その後、図２Ａに示すように、プラズマＣ
ＶＤ法によりＳｉＮ膜を堆積させて第１の無機膜２２を
形成する。
ＶＤ法によりＳｉＮ膜を堆積させて第１の無機膜２２を
形成する。
【００２７】この第１の無機膜２２は、転送電極１６の
段差による絶縁膜１９の凹凸に対応してセンサ部１１上
の表面に凹部を有して形成される。従って、この第１の
無機膜２２上にオンチップレンズを形成するためには、
第１の無機膜２２の表面を平坦化する必要がある。
段差による絶縁膜１９の凹凸に対応してセンサ部１１上
の表面に凹部を有して形成される。従って、この第１の
無機膜２２上にオンチップレンズを形成するためには、
第１の無機膜２２の表面を平坦化する必要がある。
【００２８】次に、図２Ｂに示すように、第１の無機膜
２２の表面を平坦化してＳｉＮ膜からなる平坦化膜２０
を形成する。この平坦化は、第１の無機膜２２に対して
エッチバックまたはＣＭＰ（化学的機械的研磨法）を行
うことによりなされる。
２２の表面を平坦化してＳｉＮ膜からなる平坦化膜２０
を形成する。この平坦化は、第１の無機膜２２に対して
エッチバックまたはＣＭＰ（化学的機械的研磨法）を行
うことによりなされる。
【００２９】次に、図３Ｃに示すように、平坦化膜２０
上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜から成る第２の無
機膜２３を形成し、第２の無機膜２３の表面にレンズ形
状のレジスト層２４を形成する。このレンズ形状のレジ
スト層２４は、レジスト層をパターニングした後、例え
ば１００〜２００℃程度の温度で熱処理してリフローす
ることにより、レンズ形状にすることができる。
上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜から成る第２の無
機膜２３を形成し、第２の無機膜２３の表面にレンズ形
状のレジスト層２４を形成する。このレンズ形状のレジ
スト層２４は、レジスト層をパターニングした後、例え
ば１００〜２００℃程度の温度で熱処理してリフローす
ることにより、レンズ形状にすることができる。
【００３０】次に、レンズ形状のレジスト層２４をエッ
チバックすることにより、第２の無機膜２３にレンズ形
状を転写して、図３Ｄに示すように、表面がレンズ形状
のＳｉＮ膜からなるオンチップレンズ２１を形成する。
このようにして、紫外線に対して感度を有する本実施の
形態の固体撮像装置１を形成することができる。
チバックすることにより、第２の無機膜２３にレンズ形
状を転写して、図３Ｄに示すように、表面がレンズ形状
のＳｉＮ膜からなるオンチップレンズ２１を形成する。
このようにして、紫外線に対して感度を有する本実施の
形態の固体撮像装置１を形成することができる。
【００３１】続いて、本発明による固体撮像装置の他の
実施の形態について説明する。図４に本発明の他の実施
の形態の固体撮像装置の概略構成図（センサ部付近の断
面図）を示す。この固体撮像装置３０は、図１と同様の
ＳｉＮ膜からなる平坦化膜２０上に、プラズマＣＶＤ法
により形成したＳｉＯ膜からなるオンチップレンズ３１
を形成して構成されている。平坦化膜２０がＳｉＮ膜で
あるので、この平坦化膜２０をパッシベーション膜とし
て機能させることができる。
実施の形態について説明する。図４に本発明の他の実施
の形態の固体撮像装置の概略構成図（センサ部付近の断
面図）を示す。この固体撮像装置３０は、図１と同様の
ＳｉＮ膜からなる平坦化膜２０上に、プラズマＣＶＤ法
により形成したＳｉＯ膜からなるオンチップレンズ３１
を形成して構成されている。平坦化膜２０がＳｉＮ膜で
あるので、この平坦化膜２０をパッシベーション膜とし
て機能させることができる。
【００３２】その他の構成は、図１に示した固体撮像装
置１と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省
略する。
置１と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省
略する。
【００３３】プラズマＣＶＤ法により形成したＳｉＯ膜
は、図１の実施の形態のＳｉＮ膜と比較すると、より短
い波長の紫外線も透過する性質を有する。ＳｉＮ膜は、
波長が２６６ｎｍ程度の紫外線はほぼ１００％透過する
が、もっと短い波長の紫外線に対しては透過率が低下し
ていく。一方、ＳｉＯ膜はＳｉＮ膜が透過しない短波長
の紫外線も透過する性質を有している。従って、本実施
の形態の固体撮像装置３０は、先の実施の形態の固体撮
像装置１よりも、さらに短波長側まで高い感度を有して
いる。
は、図１の実施の形態のＳｉＮ膜と比較すると、より短
い波長の紫外線も透過する性質を有する。ＳｉＮ膜は、
波長が２６６ｎｍ程度の紫外線はほぼ１００％透過する
が、もっと短い波長の紫外線に対しては透過率が低下し
ていく。一方、ＳｉＯ膜はＳｉＮ膜が透過しない短波長
の紫外線も透過する性質を有している。従って、本実施
の形態の固体撮像装置３０は、先の実施の形態の固体撮
像装置１よりも、さらに短波長側まで高い感度を有して
いる。
【００３４】図５に本発明のさらに他の実施の形態の固
体撮像装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示
す。この固体撮像装置４０は、絶縁膜１９上にプラズマ
ＣＶＤ法によるＳｉＯ膜からなる平坦化膜３２が形成さ
れ、この平坦化膜３２上にプラズマＣＶＤ法によるＳｉ
Ｏ膜からなるオンチップレンズ３１が形成されている。
即ち本実施の形態は、平坦化膜及びオンチップレンズを
共にＳｉＯ膜で構成したものである。その他の構成は、
図１に示した固体撮像装置１と同様であるので、同一符
号を付して重複説明を省略する。
体撮像装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示
す。この固体撮像装置４０は、絶縁膜１９上にプラズマ
ＣＶＤ法によるＳｉＯ膜からなる平坦化膜３２が形成さ
れ、この平坦化膜３２上にプラズマＣＶＤ法によるＳｉ
Ｏ膜からなるオンチップレンズ３１が形成されている。
即ち本実施の形態は、平坦化膜及びオンチップレンズを
共にＳｉＯ膜で構成したものである。その他の構成は、
図１に示した固体撮像装置１と同様であるので、同一符
号を付して重複説明を省略する。
【００３５】本実施の形態の固体撮像装置４０は、平坦
化膜３２もＳｉＯ膜で構成したことにより、図４の実施
の形態の固体撮像装置３０と同様に短波長側まで高い感
度を有すると共に、図４の固体撮像装置３０より短波長
側の透過率を上げてさらに感度を向上させることができ
る。
化膜３２もＳｉＯ膜で構成したことにより、図４の実施
の形態の固体撮像装置３０と同様に短波長側まで高い感
度を有すると共に、図４の固体撮像装置３０より短波長
側の透過率を上げてさらに感度を向上させることができ
る。
【００３６】尚、ＳｉＯ膜には、ＳｉＮ膜のようなパッ
シベーション作用を有していないので、本実施の固体撮
像装置４０では、パッシベーション作用を有する膜が形
成されていない。従って、オンチップレンズ３１より外
側、例えば固体撮像装置のパッケージ等に水分や可動イ
オンを通さないようにする層を形成することが好まし
い。
シベーション作用を有していないので、本実施の固体撮
像装置４０では、パッシベーション作用を有する膜が形
成されていない。従って、オンチップレンズ３１より外
側、例えば固体撮像装置のパッケージ等に水分や可動イ
オンを通さないようにする層を形成することが好まし
い。
【００３７】図６に本発明の別の実施の形態の固体撮像
装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示す。こ
の固体撮像装置５０は、絶縁膜１９上にプラズマＣＶＤ
法によるＳｉＯ膜からなる平坦化膜３２が形成され、こ
の平坦化膜３２上にプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ膜か
らなるオンチップレンズ２１が形成されている。その他
の構成は、図１に示した固体撮像装置１と同様であるの
で、同一符号を付して重複説明を省略する。
装置の概略構成図（センサ部付近の断面図）を示す。こ
の固体撮像装置５０は、絶縁膜１９上にプラズマＣＶＤ
法によるＳｉＯ膜からなる平坦化膜３２が形成され、こ
の平坦化膜３２上にプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ膜か
らなるオンチップレンズ２１が形成されている。その他
の構成は、図１に示した固体撮像装置１と同様であるの
で、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３８】即ち本実施の形態では、オンチップレンズ
２１がＳｉＮ膜であるので、このオンチップレンズ２１
をパッシベーション膜として機能させることができる。
２１がＳｉＮ膜であるので、このオンチップレンズ２１
をパッシベーション膜として機能させることができる。
【００３９】上述の各実施の形態では、ＳｉＮ膜及びＳ
ｉＯ膜をプラズマＣＶＤ法により形成したが、普通のＣ
ＶＤ法により形成してもよい。プラズマＣＶＤ法によれ
ば、３００〜５００℃と普通のＣＶＤ法よりも低温で形
成できるので、遮光膜にＡｌ等の比較的低融点の金属膜
を使用することが可能となる。
ｉＯ膜をプラズマＣＶＤ法により形成したが、普通のＣ
ＶＤ法により形成してもよい。プラズマＣＶＤ法によれ
ば、３００〜５００℃と普通のＣＶＤ法よりも低温で形
成できるので、遮光膜にＡｌ等の比較的低融点の金属膜
を使用することが可能となる。
【００４０】また、上述の各実施の形態では、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ膜を用いて紫外線に対する高い感度を実現し
たが、本発明ではこれらの膜に限定されず、その他紫外
線に対する透過性を有する無機膜（ＳｉＯ2 膜等）を用
いてもよい。少なくともセンサ部上のオンチップレンズ
を含む膜を紫外線に対して透過性を有する無機膜により
構成することにより、センサ部に紫外線を入射させるこ
とが可能になると共に、オンチップレンズにより集光し
て実効的な開口率を向上させることができる。
及びＳｉＯ膜を用いて紫外線に対する高い感度を実現し
たが、本発明ではこれらの膜に限定されず、その他紫外
線に対する透過性を有する無機膜（ＳｉＯ2 膜等）を用
いてもよい。少なくともセンサ部上のオンチップレンズ
を含む膜を紫外線に対して透過性を有する無機膜により
構成することにより、センサ部に紫外線を入射させるこ
とが可能になると共に、オンチップレンズにより集光し
て実効的な開口率を向上させることができる。
【００４１】上述の各実施の形態では、ＣＣＤ固体撮像
装置に本発明を適用したが、ＭＯＳ型固体撮像装置等そ
の他の構成の固体撮像装置においても、本発明を適用す
ることができる。いずれの構成においてもセンサ部上に
オンチップレンズを形成しセンサ部上を紫外線を透過す
る無機膜で形成することにより、本発明の効果を得るこ
とができる。
装置に本発明を適用したが、ＭＯＳ型固体撮像装置等そ
の他の構成の固体撮像装置においても、本発明を適用す
ることができる。いずれの構成においてもセンサ部上に
オンチップレンズを形成しセンサ部上を紫外線を透過す
る無機膜で形成することにより、本発明の効果を得るこ
とができる。
【００４２】上述のように、本発明の固体撮像装置は紫
外線に対して感度を有するので、例えば紫外線を光源と
する顕微鏡に用いて好適である。
外線に対して感度を有するので、例えば紫外線を光源と
する顕微鏡に用いて好適である。
【００４３】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【００４４】
【発明の効果】上述の本発明によれば、センサ部に紫外
線を入射させることができ、紫外線に対して感度を有す
る固体撮像装置を構成することができる。さらに、オン
チップレンズにより、センサ部の実質的な開口率が向上
し、高い量子効率が得られ、紫外線の感度を高くするこ
とができる。
線を入射させることができ、紫外線に対して感度を有す
る固体撮像装置を構成することができる。さらに、オン
チップレンズにより、センサ部の実質的な開口率が向上
し、高い量子効率が得られ、紫外線の感度を高くするこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態の固体撮像装置の概略構
成図（センサ部付近の断面図）である。
成図（センサ部付近の断面図）である。
【図２】Ａ、Ｂ 図１の固体撮像装置の製造工程を示す
工程図である。
工程図である。
【図３】Ｃ、Ｄ 図１の固体撮像装置の製造工程を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の固体撮像装置の概略
構成図（センサ部付近の断面図）である。
構成図（センサ部付近の断面図）である。
【図５】本発明のさらに他の実施の形態の固体撮像装置
の概略構成図（センサ部付近の断面図）である。
の概略構成図（センサ部付近の断面図）である。
【図６】本発明の別の実施の形態の固体撮像装置の概略
構成図（センサ部付近の断面図）である。
構成図（センサ部付近の断面図）である。
【符号の説明】 １，３０，４０，５０ 固体撮像装置、２ ｎ型半導体
基板、３ ｐ型半導体領域、４ ｎ型不純物領域、５
正電荷蓄積領域、６ ｐ型半導体ウエル領域、７ 転送
チャネル領域、１１ センサ部（受光部）、１２ 垂直
転送レジスタ、１３ 読み出しゲート部、１４ チャネ
ルストップ領域、１５ ゲート絶縁膜、１６ 転送電
極、１７ 層間絶縁膜、１８ 遮光膜、１９ 絶縁膜、
２０，３２平坦化膜、２１，３１ オンチップレンズ、
２４ レジスト層
基板、３ ｐ型半導体領域、４ ｎ型不純物領域、５
正電荷蓄積領域、６ ｐ型半導体ウエル領域、７ 転送
チャネル領域、１１ センサ部（受光部）、１２ 垂直
転送レジスタ、１３ 読み出しゲート部、１４ チャネ
ルストップ領域、１５ ゲート絶縁膜、１６ 転送電
極、１７ 層間絶縁膜、１８ 遮光膜、１９ 絶縁膜、
２０，３２平坦化膜、２１，３１ オンチップレンズ、
２４ レジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅津 暢彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 和田 和司 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 東宮 祥哲 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 松田 健 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AB01 BA10 BA14 CA04 CA34 CA40 CB13 CB14 DA03 EA01 FA06 GB11 GD04
Claims (2)
- 【請求項１】 センサ部上のオンチップレンズを含む層
が紫外線を透過する無機膜で形成されて成ることを特徴
とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 平坦化膜となる第１の無機膜を形成し、
エッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦化膜を
形成する工程と、 上記平坦化膜上に第２の無機膜を形成する工程と、 上記第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト層を形成
し、エッチバックして上記第２の無機膜によるオンチッ
プレンズを形成する工程とを有することを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170699A JP2001068658A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US09/649,570 US8253142B1 (en) | 1999-08-27 | 2000-08-28 | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| US12/102,328 US8729650B2 (en) | 1999-08-27 | 2008-04-14 | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170699A JP2001068658A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068658A true JP2001068658A (ja) | 2001-03-16 |
| JP2001068658A5 JP2001068658A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=17078330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24170699A Pending JP2001068658A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8253142B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001068658A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051588A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2007059834A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
| US7423307B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-09-09 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US7732246B2 (en) | 2004-12-29 | 2010-06-08 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical CMOS image sensor |
| JP2019047037A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
| WO2023047663A1 (ja) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および電子機器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010238848A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
| US9091748B2 (en) * | 2012-04-18 | 2015-07-28 | Raytheon Company | Methods and apparatus for 3D UV imaging |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642377A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Ultraviolet ray erasable type rewritable read-only memory |
| JPS57211268A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Fujitsu Ltd | Image sensor and manufacture thereof |
| JPS59182561A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体イメ−ジセンサ |
| JPS60262458A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| US4731881A (en) * | 1986-06-30 | 1988-03-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Narrow spectral bandwidth, UV solar blind detector |
| JPH026902A (ja) * | 1988-03-22 | 1990-01-11 | Ricoh Co Ltd | マイクロレンズ及びその製造方法 |
| WO1990001805A1 (en) * | 1988-08-01 | 1990-02-22 | Eastman Kodak Company | Lens arrays for light sensitive devices |
| US4966831A (en) * | 1989-04-20 | 1990-10-30 | Eastman Kodak Company | Lens arrays for light sensitive devices |
| KR100357178B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2002-10-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
| JPH0424964A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP3166199B2 (ja) * | 1990-05-16 | 2001-05-14 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| GB2248964A (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-22 | Philips Electronic Associated | Plural-wavelength infrared detector devices |
| JPH04275460A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Sony Corp | 密着型固体撮像装置 |
| JPH04346472A (ja) | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH04349664A (ja) | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH0555535A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Nec Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP3153925B2 (ja) * | 1992-02-03 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製法 |
| EP0576144B1 (en) * | 1992-05-22 | 1998-08-05 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor and manufacturing method thereof |
| JPH0645572A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Nikon Corp | マイクロレンズを備えた固体撮像素子 |
| JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JP3012100B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2000-02-21 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP3291805B2 (ja) * | 1993-01-26 | 2002-06-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US5384231A (en) * | 1993-08-24 | 1995-01-24 | Eastman Kodak Company | Fabricating lens array structures for imaging devices |
| JPH08125166A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH08148665A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| EP0779097B1 (en) * | 1995-06-30 | 2003-06-11 | Shiseido Company, Ltd. | Emulsion composition |
| KR0172849B1 (ko) * | 1995-08-02 | 1999-02-01 | 문정환 | 고체촬상소자 및 그의 제조방법 |
| US5614950A (en) * | 1995-08-02 | 1997-03-25 | Lg Semicon Co., Ltd. | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor |
| JPH0964325A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JP3813215B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2006-08-23 | ソニー株式会社 | 光学部品およびその製造方法 |
| JP2917920B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP3003597B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH10189929A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP3674209B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2005-07-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3070513B2 (ja) * | 1997-04-07 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP3447510B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2003-09-16 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
| JP3695082B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2005-09-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 |
| JPH1187675A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-03-30 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
| JPH1168074A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP3677970B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2005-08-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JPH11223707A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Nikon Corp | 光学部材及びその製造方法 |
| JP3988239B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4232213B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2009-03-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP3015875B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2000-03-06 | 工業技術院長 | 自動車運転時の車線逸脱検出方法及び検出装置 |
| JP2000068491A (ja) | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 撮像素子、撮像素子の製造方法および露光装置 |
| US6171883B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Image array optoelectronic microelectronic fabrication with enhanced optical stability and method for fabrication thereof |
| US6221687B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-04-24 | Tower Semiconductor Ltd. | Color image sensor with embedded microlens array |
| JP4275460B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-06-10 | カルソニックコンプレッサー株式会社 | 気体圧縮機 |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24170699A patent/JP2001068658A/ja active Pending
-
2000
- 2000-08-28 US US09/649,570 patent/US8253142B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-14 US US12/102,328 patent/US8729650B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051588A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7732246B2 (en) | 2004-12-29 | 2010-06-08 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical CMOS image sensor |
| US7423307B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-09-09 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US8049257B2 (en) | 2004-12-30 | 2011-11-01 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor |
| JP2007059834A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
| JP2019047037A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
| WO2023047663A1 (ja) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および電子機器 |
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