JP3003597B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子のフォ
オトダイオード上層の膜構造に関する。
オトダイオード上層の膜構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子のフォトダイオード
の上部には、特開平４−３２６７６３号公報に示される
ように、蛍光発光膜が青感度増大を目的として用いられ
ている。図８に特開平４−３２６７６３に示される固体
撮像素子のフォトダイオード部の構造を示す。シリコン
基板２６上にフォトダイオード２７を有しその上層に保
護膜２８、蛍光発光膜２９が形成されている。蛍光発光
膜２９は感度改善を図ろうとする所望の波長域に吸収が
あり、その波長域よりも長波長側でありフォトダイオー
ド２７における感度が高い波長域で発光する。フォトダ
イオードの形成されているシリコン基板と上部シリコン
酸化膜界面とは屈折率差が大きく、これらの界面での反
射散乱に伴う青感度減衰が大きいので、シリコン基板と
酸化膜界面で青色光が減衰される前に蛍光顔料により長
波長光に変換することにより、青感度を向上させてい
る。また、裏面から信号を入射するタイプの固体撮像素
子においても、センサが形成されている基板へ入射する
際の青色光減衰が大きいため、裏面に蛍光発光膜を設け
ることにより青感度向上が図られている。
の上部には、特開平４−３２６７６３号公報に示される
ように、蛍光発光膜が青感度増大を目的として用いられ
ている。図８に特開平４−３２６７６３に示される固体
撮像素子のフォトダイオード部の構造を示す。シリコン
基板２６上にフォトダイオード２７を有しその上層に保
護膜２８、蛍光発光膜２９が形成されている。蛍光発光
膜２９は感度改善を図ろうとする所望の波長域に吸収が
あり、その波長域よりも長波長側でありフォトダイオー
ド２７における感度が高い波長域で発光する。フォトダ
イオードの形成されているシリコン基板と上部シリコン
酸化膜界面とは屈折率差が大きく、これらの界面での反
射散乱に伴う青感度減衰が大きいので、シリコン基板と
酸化膜界面で青色光が減衰される前に蛍光顔料により長
波長光に変換することにより、青感度を向上させてい
る。また、裏面から信号を入射するタイプの固体撮像素
子においても、センサが形成されている基板へ入射する
際の青色光減衰が大きいため、裏面に蛍光発光膜を設け
ることにより青感度向上が図られている。
【０００３】また、特開平４−３２２４６７に示される
ように、図９のごとく、図８の上部に信号をフォトダイ
オード３１に集光するためのマイクロレンズ３３が形成
された固体撮像素子ではマイクロレンズ３３に蛍光顔料
を混ぜ、さらに、マイクロレンズ３３上に１層より成る
蛍光反射膜３４を設けたものもある。蛍光反射膜３４
は、蛍光発光膜３３の発光波長の光を反射する膜であ
り、これによりフォトダイオード３１に入射しない蛍光
発光を効率的にフォトダイオード３１に入射できる。
ように、図９のごとく、図８の上部に信号をフォトダイ
オード３１に集光するためのマイクロレンズ３３が形成
された固体撮像素子ではマイクロレンズ３３に蛍光顔料
を混ぜ、さらに、マイクロレンズ３３上に１層より成る
蛍光反射膜３４を設けたものもある。蛍光反射膜３４
は、蛍光発光膜３３の発光波長の光を反射する膜であ
り、これによりフォトダイオード３１に入射しない蛍光
発光を効率的にフォトダイオード３１に入射できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開平４−３２６７６
３のように、図８に示すごとき構造では蛍光は四方八方
に発光されるためフォトダイオード２７に入射しない方
向への発光はロスとなる。また、隣のフォトダイオード
に入射すると誤信号となり解像度等が劣化してしまう。
３のように、図８に示すごとき構造では蛍光は四方八方
に発光されるためフォトダイオード２７に入射しない方
向への発光はロスとなる。また、隣のフォトダイオード
に入射すると誤信号となり解像度等が劣化してしまう。
【０００５】また、特開平４−３２２４６７のように、
図９に示すごとくマイクロレンズ３３に蛍光顔料を混ぜ
た場合、マイクロレンズ３３内の蛍光顔料の濃度が一定
でないことによって屈折率の分布が一様でなくなり、フ
ォトダイオード３１への集光効率が落ちてしまう。ま
た、蛍光反射膜３４も１層では効果が小さい。また、蛍
光発光の蛍光反射膜３４により反射光が隣のフォトダイ
オードに入射すると誤信号となり解像度等が劣化してし
まう。
図９に示すごとくマイクロレンズ３３に蛍光顔料を混ぜ
た場合、マイクロレンズ３３内の蛍光顔料の濃度が一定
でないことによって屈折率の分布が一様でなくなり、フ
ォトダイオード３１への集光効率が落ちてしまう。ま
た、蛍光反射膜３４も１層では効果が小さい。また、蛍
光発光の蛍光反射膜３４により反射光が隣のフォトダイ
オードに入射すると誤信号となり解像度等が劣化してし
まう。
【０００６】本発明は固体撮像素子の青感度を、蛍光顔
料を用いて、クロストークなく、効率よく高めることを
目的とする。
料を用いて、クロストークなく、効率よく高めることを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては上記課
題を、 １．マトリックス状に受光部を有し、隣接する受光部間
上層に遮光膜を有する、すなわち、任意の受光部の周囲
の上層に遮光膜を有する固体撮像素子において、任意の
受光部上層、または受光部上層で遮光膜上端より下層に
波長変換部を有すること、 ２．固体撮像素子において、波長変換部上層に波長変換
部の吸収波長は透過し、発光波長は反射するような１層
または多層より成る干渉フィルタを有すること、そして ３．受光部がフォトダイオードより成る可視域の固体撮
像素子において、フォトダイオードを基板内深くまで形
成し、感度のピーク波長を比視感度曲線のピーク波長よ
り長波長側にシフトさせることにより解決している。
題を、 １．マトリックス状に受光部を有し、隣接する受光部間
上層に遮光膜を有する、すなわち、任意の受光部の周囲
の上層に遮光膜を有する固体撮像素子において、任意の
受光部上層、または受光部上層で遮光膜上端より下層に
波長変換部を有すること、 ２．固体撮像素子において、波長変換部上層に波長変換
部の吸収波長は透過し、発光波長は反射するような１層
または多層より成る干渉フィルタを有すること、そして ３．受光部がフォトダイオードより成る可視域の固体撮
像素子において、フォトダイオードを基板内深くまで形
成し、感度のピーク波長を比視感度曲線のピーク波長よ
り長波長側にシフトさせることにより解決している。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に本発明の固体撮像素子の一
実施の形態を示す。固体撮像素子の遮光膜５間のフォト
ダイオード１０上に波長変換部である蛍光発光膜９を埋
め込み、その上部に蛍光顔料の吸収波長の光信号は透過
し、発光波長の光信号は反射するような蛍光反射膜であ
る干渉フィルタ３を形成している。図２に固体撮像素子
の一例の平面図を示す。一般に固体撮像素子の受光部と
しての各フォトダイオード１０周囲上層はフォトダイオ
ード１０以外に入射するスミア（ｓｍｅａｒ）等の疑信
号を低減するため遮光膜５が設けられている。したがっ
て、遮光膜５間に蛍光発光膜９を埋め込めば四方八方へ
の蛍光発光による隣接フォトダイオードとのクロストー
クを防ぐことができる。
実施の形態を示す。固体撮像素子の遮光膜５間のフォト
ダイオード１０上に波長変換部である蛍光発光膜９を埋
め込み、その上部に蛍光顔料の吸収波長の光信号は透過
し、発光波長の光信号は反射するような蛍光反射膜であ
る干渉フィルタ３を形成している。図２に固体撮像素子
の一例の平面図を示す。一般に固体撮像素子の受光部と
しての各フォトダイオード１０周囲上層はフォトダイオ
ード１０以外に入射するスミア（ｓｍｅａｒ）等の疑信
号を低減するため遮光膜５が設けられている。したがっ
て、遮光膜５間に蛍光発光膜９を埋め込めば四方八方へ
の蛍光発光による隣接フォトダイオードとのクロストー
クを防ぐことができる。
【０００９】以下に製造方法を示す。固体撮像素子では
一般に遮光膜５形成後、カバー膜４（保護膜）が形成さ
れる。本発明では、その後、蛍光発光膜９を遮光膜５間
のみに形成するか、または、遮光膜５の上まで形成した
後エッチバック等により遮光膜５上に形成された蛍光発
光膜９を除去する。その後、蛍光顔料の吸収波長の信号
は透過し、発光波長の信号は反射するような蛍光反射膜
としての干渉フィルタ３を形成する。その後は、一般の
固体撮像素子のごとく、平坦化層２を形成し、必要に応
じマイクロレンズ１を形成する。
一般に遮光膜５形成後、カバー膜４（保護膜）が形成さ
れる。本発明では、その後、蛍光発光膜９を遮光膜５間
のみに形成するか、または、遮光膜５の上まで形成した
後エッチバック等により遮光膜５上に形成された蛍光発
光膜９を除去する。その後、蛍光顔料の吸収波長の信号
は透過し、発光波長の信号は反射するような蛍光反射膜
としての干渉フィルタ３を形成する。その後は、一般の
固体撮像素子のごとく、平坦化層２を形成し、必要に応
じマイクロレンズ１を形成する。
【００１０】なお、蛍光顔料の発光波長での蛍光反射膜
３の反射率を大きくすると、３板式カラーカメラの青色
センサとして利用できる。また、反射率をあまり大きく
しないと、現状より青感度の大きい、全波長域で使用可
能な固体撮像素子も形成できる。また、３板式の青色セ
ンサとして用いるなら、フォトダイオード１０のＮウェ
ルを深くまで形成することにより、さらに青感度を向上
できる。
３の反射率を大きくすると、３板式カラーカメラの青色
センサとして利用できる。また、反射率をあまり大きく
しないと、現状より青感度の大きい、全波長域で使用可
能な固体撮像素子も形成できる。また、３板式の青色セ
ンサとして用いるなら、フォトダイオード１０のＮウェ
ルを深くまで形成することにより、さらに青感度を向上
できる。
【００１１】以上、青感度向上について述べてきたが、
蛍光発光膜９の代わりに、ＹＡＧレーザの発光検出に用
いられるような赤色光を吸収し緑色光を発光するような
ＩＲコンバータ（波長変換部としての）を用いれば、固
体撮像素子の赤感度を隣接するフォトダイオードとのク
ロストークがなく、高めることができる。
蛍光発光膜９の代わりに、ＹＡＧレーザの発光検出に用
いられるような赤色光を吸収し緑色光を発光するような
ＩＲコンバータ（波長変換部としての）を用いれば、固
体撮像素子の赤感度を隣接するフォトダイオードとのク
ロストークがなく、高めることができる。
【００１２】ここで、固体撮像素子の作用について述べ
る。図７にＣＣＤの分光量子効率の一例を示す。適用す
る蛍光顔料の吸収波長はλ1 ｎｍで発光波長がλ2 ｎｍ
であり、発光効率（発光量／入射量）はαであるとす
る。蛍光顔料による発光は四方八方に行われるため、発
光のうちβがフォトダイオードに達するとする。また、
フォトダイオードの吸収波長での量子効率をη1 、発光
波長での量子効率をη2とする。吸収波長の信号につい
て考える。蛍光顔料をフォトダイオード上に塗布した場
合には、α・β・η2 の青色信号がフォトダイオードに
達するのに対し、蛍光顔料なしの場合には、η1 の青色
信号がフォトダイオードに達する。したがって、 α・β・η2 ／η1 ＞１ （１） であれば、蛍光顔料塗布時の青色感度の方が大きくな
る。
る。図７にＣＣＤの分光量子効率の一例を示す。適用す
る蛍光顔料の吸収波長はλ1 ｎｍで発光波長がλ2 ｎｍ
であり、発光効率（発光量／入射量）はαであるとす
る。蛍光顔料による発光は四方八方に行われるため、発
光のうちβがフォトダイオードに達するとする。また、
フォトダイオードの吸収波長での量子効率をη1 、発光
波長での量子効率をη2とする。吸収波長の信号につい
て考える。蛍光顔料をフォトダイオード上に塗布した場
合には、α・β・η2 の青色信号がフォトダイオードに
達するのに対し、蛍光顔料なしの場合には、η1 の青色
信号がフォトダイオードに達する。したがって、 α・β・η2 ／η1 ＞１ （１） であれば、蛍光顔料塗布時の青色感度の方が大きくな
る。
【００１３】次に蛍光反射膜について述べる。これは、
上式（１）のβを高めるものである。蛍光反射膜は蛍光
顔料の吸収波長の信号を透過し、発光波長の信号を反射
する干渉フィルタ膜を指し、蛍光発光膜上に形成するこ
とにより、蛍光顔料による四方八方への発光のうち、フ
ォトダイオードと逆方向に出るものを、フォトダイオー
ドに入射するようにするものである。
上式（１）のβを高めるものである。蛍光反射膜は蛍光
顔料の吸収波長の信号を透過し、発光波長の信号を反射
する干渉フィルタ膜を指し、蛍光発光膜上に形成するこ
とにより、蛍光顔料による四方八方への発光のうち、フ
ォトダイオードと逆方向に出るものを、フォトダイオー
ドに入射するようにするものである。
【００１４】図５のような多層膜で、各膜の屈折率が上
からｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 で、中央の膜の厚さをｄ、入射光
波長をλとする。ｎ1 ＜ｎ2 ＞ｎ3 の場合、光線１と光
線２は反射時に位相がπずれるので、 ｄ−ｍ・λ／４／ｎ2 ｍ：奇数のとき反射が促進され、 ｄ＝ｍ・λ／４／ｎ2 ｍ：偶数のとき反射が抑制される。 （Ａ） よって、膜厚ｄを調整することにより、ある波長λ1 で
反射を促進し、ある波長λ2 で反射を抑制することがで
きる。ただし、反射の強さは屈折率差で決定されるた
め、この構造では膜種変更でしか反射の強さを変更でき
ない。しかし、図６のように、もっと層数の多い多層膜
構造とし、ｉ番目の膜厚を、波長λ1 は反射をゼロ近く
に抑え、波長λ2 は反射を増加させる膜厚とすれば、多
重反射は無視しているが、ほぼ、波長λ1 の反射はゼロ
近くのまま、波長λ2 の反射のみを増加できる。この構
造では２種類の膜を交互に重ねるのが簡単と考えられ
る。
からｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 で、中央の膜の厚さをｄ、入射光
波長をλとする。ｎ1 ＜ｎ2 ＞ｎ3 の場合、光線１と光
線２は反射時に位相がπずれるので、 ｄ−ｍ・λ／４／ｎ2 ｍ：奇数のとき反射が促進され、 ｄ＝ｍ・λ／４／ｎ2 ｍ：偶数のとき反射が抑制される。 （Ａ） よって、膜厚ｄを調整することにより、ある波長λ1 で
反射を促進し、ある波長λ2 で反射を抑制することがで
きる。ただし、反射の強さは屈折率差で決定されるた
め、この構造では膜種変更でしか反射の強さを変更でき
ない。しかし、図６のように、もっと層数の多い多層膜
構造とし、ｉ番目の膜厚を、波長λ1 は反射をゼロ近く
に抑え、波長λ2 は反射を増加させる膜厚とすれば、多
重反射は無視しているが、ほぼ、波長λ1 の反射はゼロ
近くのまま、波長λ2 の反射のみを増加できる。この構
造では２種類の膜を交互に重ねるのが簡単と考えられ
る。
【００１５】次に、図３に、再度、ＣＣＤの分光量子効
率を示す。一般にＣＣＤの分光感度のピークは比視感度
に併せて波長５５０ｎｍに設定されるので、分光量子効
率のピーク波長は図７のように４６０ｎｍ程度になる。
この場合のフォトダイオードの深さは１μｍ程度であ
る。しかし、この場合、図７からわかるように、（１）
式のη2 ／η1 が小さい。図３はη2 ／η1 を大きくす
べく、フォトダイオードのＮウェルをより深くまで形成
し、感度のピークを長波長側にシフトさせた場合の分光
量子効率である。このような特性のＣＣＤを用いれば、
さらに、青感度向上が図れる。（１）式のαは、使用す
る蛍光顔料で決まってしまう。
率を示す。一般にＣＣＤの分光感度のピークは比視感度
に併せて波長５５０ｎｍに設定されるので、分光量子効
率のピーク波長は図７のように４６０ｎｍ程度になる。
この場合のフォトダイオードの深さは１μｍ程度であ
る。しかし、この場合、図７からわかるように、（１）
式のη2 ／η1 が小さい。図３はη2 ／η1 を大きくす
べく、フォトダイオードのＮウェルをより深くまで形成
し、感度のピークを長波長側にシフトさせた場合の分光
量子効率である。このような特性のＣＣＤを用いれば、
さらに、青感度向上が図れる。（１）式のαは、使用す
る蛍光顔料で決まってしまう。
【００１６】また、クロストークに関しては、実施例で
図面で示すが、ＣＣＤの遮光膜間に蛍光発光膜を埋め込
むことにより、隣のフォトダイオードとのクロストーク
を無くすことができる。
図面で示すが、ＣＣＤの遮光膜間に蛍光発光膜を埋め込
むことにより、隣のフォトダイオードとのクロストーク
を無くすことができる。
【００１７】また、膜に蛍光顔料を混ぜた場合、蛍光顔
料の濃度分布が一様とならないため屈折率の分布も一様
とならないという問題に関しては、マイクロレンズに混
入した場合は、集光を行わないといけないため問題とな
るが、本実施例では集光を要求されない膜に混ぜている
ので問題とならない。
料の濃度分布が一様とならないため屈折率の分布も一様
とならないという問題に関しては、マイクロレンズに混
入した場合は、集光を行わないといけないため問題とな
るが、本実施例では集光を要求されない膜に混ぜている
ので問題とならない。
【００１８】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。図面は実施
の形態のものと共通である。なお、遮光膜は図２に示す
ごとく、各フォトダイオード周囲の上層に形成されてい
る。半導体基板であるＳｉ基板（Ｎ−Ｓｕｂ）１２上に
Ｐウェル１３が形成され、Ｐウェル１３上にフォトダイ
オード１０部のＮウェル１４と電荷転送用ＣＣＤ１１部
のＮウェル１５が形成されている。ＣＣＤ部１１部上に
は下から順にゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）８、ゲート電極
（ｎドープポリシリコン）７、層間酸化膜（ＳｉＯ2 ）
６が形成され、その上層に遮光膜（タングステンまたは
アルミ）５とカバー膜（ＳｉＯ2 ）４がＣＣＤ部を覆う
ように形成され、さらに上層に干渉フィルタである蛍光
反射膜３、平坦化膜（ＳｉＯ2 または樹脂）２が形成さ
れている。フォトダイオード部１０上には層間酸化膜６
等のＳｉＯ2 膜、カバー膜４が形成され、その上層には
遮光膜５間を埋めるように蛍光発光膜９が形成されてい
る。その上層には、蛍光反射膜３、平坦化膜２、マイク
ロレンズ１が形成されている。
の形態のものと共通である。なお、遮光膜は図２に示す
ごとく、各フォトダイオード周囲の上層に形成されてい
る。半導体基板であるＳｉ基板（Ｎ−Ｓｕｂ）１２上に
Ｐウェル１３が形成され、Ｐウェル１３上にフォトダイ
オード１０部のＮウェル１４と電荷転送用ＣＣＤ１１部
のＮウェル１５が形成されている。ＣＣＤ部１１部上に
は下から順にゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）８、ゲート電極
（ｎドープポリシリコン）７、層間酸化膜（ＳｉＯ2 ）
６が形成され、その上層に遮光膜（タングステンまたは
アルミ）５とカバー膜（ＳｉＯ2 ）４がＣＣＤ部を覆う
ように形成され、さらに上層に干渉フィルタである蛍光
反射膜３、平坦化膜（ＳｉＯ2 または樹脂）２が形成さ
れている。フォトダイオード部１０上には層間酸化膜６
等のＳｉＯ2 膜、カバー膜４が形成され、その上層には
遮光膜５間を埋めるように蛍光発光膜９が形成されてい
る。その上層には、蛍光反射膜３、平坦化膜２、マイク
ロレンズ１が形成されている。
【００１９】フォトダイオードのＮウェル１４は通常よ
り深くまで形成され、図３のごとき分光量子効率を有す
る。また、蛍光発光膜９の蛍光顔料には吸収波長４００
ｎｍ、発光波長５５０ｎｍの lumogen 410（製品名）を
用いている。
り深くまで形成され、図３のごとき分光量子効率を有す
る。また、蛍光発光膜９の蛍光顔料には吸収波長４００
ｎｍ、発光波長５５０ｎｍの lumogen 410（製品名）を
用いている。
【００２０】蛍光発光膜９は、カバー膜４形成後、蛍光
顔料を混入したバイラリン（ポリイミドの１種）をスピ
ンナを用いて塗布し、オーブンで乾燥させ、その後、エ
ッチバックし遮光膜５上端より上層のバイラリンを除去
して形成される。フォトダイオード１０上の物質は屈折
率がどれもほぼ１．４６近くで透明である。蛍光発光膜
９の発光顔料を混ぜたバイラリンも屈折率が１．４６程
度で透明である。
顔料を混入したバイラリン（ポリイミドの１種）をスピ
ンナを用いて塗布し、オーブンで乾燥させ、その後、エ
ッチバックし遮光膜５上端より上層のバイラリンを除去
して形成される。フォトダイオード１０上の物質は屈折
率がどれもほぼ１．４６近くで透明である。蛍光発光膜
９の発光顔料を混ぜたバイラリンも屈折率が１．４６程
度で透明である。
【００２１】蛍光反射膜３は４００ｎｍの蛍光吸収波長
は透過し、５５０ｎｎｍの蛍光発光波長は反射する必要
がある。いま、蛍光反射膜３の構造として、屈折率２の
シリコン窒化膜と、屈折率１．４６のシリコン酸化膜が
交互に重なった多層膜を考える。例えば、図６の奇数番
目が窒化膜で偶数番目が酸化膜で、ｎ０部が平坦化膜
２、ｎs 部が蛍光発光膜９であるような構造である。蛍
光反射膜の両端の物質の屈折率ｎ０とｎｓも今１．４６
となっている。
は透過し、５５０ｎｎｍの蛍光発光波長は反射する必要
がある。いま、蛍光反射膜３の構造として、屈折率２の
シリコン窒化膜と、屈折率１．４６のシリコン酸化膜が
交互に重なった多層膜を考える。例えば、図６の奇数番
目が窒化膜で偶数番目が酸化膜で、ｎ０部が平坦化膜
２、ｎs 部が蛍光発光膜９であるような構造である。蛍
光反射膜の両端の物質の屈折率ｎ０とｎｓも今１．４６
となっている。
【００２２】このような多層蛍光反射膜の各層の膜厚に
関し、前述の（Ａ）の条件により、屈折率が２の窒化膜
に関しては膜厚を２００ｎｍとしたとき、波長４００ｎ
ｍの信号に対しては次数ｍが２、波長５５０ｎｍの信号
に対しては次数ｍが３となり、４００ｎｍは反射が抑制
され、５５０ｎｍは反射が促進される。屈折率が１．４
６の酸化膜に関しては、膜厚を２６０ｎｍとしたとき、
１００ｎｍの信号に対しては次数ｍが２、５５０ｎｍの
信号に対しては次数ｍが３となり、同じく４００ｎｍは
反射が抑制され、５５０ｎｍは反射が促進される。
関し、前述の（Ａ）の条件により、屈折率が２の窒化膜
に関しては膜厚を２００ｎｍとしたとき、波長４００ｎ
ｍの信号に対しては次数ｍが２、波長５５０ｎｍの信号
に対しては次数ｍが３となり、４００ｎｍは反射が抑制
され、５５０ｎｍは反射が促進される。屈折率が１．４
６の酸化膜に関しては、膜厚を２６０ｎｍとしたとき、
１００ｎｍの信号に対しては次数ｍが２、５５０ｎｍの
信号に対しては次数ｍが３となり、同じく４００ｎｍは
反射が抑制され、５５０ｎｍは反射が促進される。
【００２３】したがって、屈折率２の窒化膜２００ｎｍ
と屈折率１．４６の酸化膜２６０ｎｍを交互に重ねれ
ば、波長４００ｎｍは反射が抑制され、波長５５０ｎｍ
は反射が促進され、かつ反射強度は重ねる膜数で制御で
きる蛍光反射膜を形成できる。
と屈折率１．４６の酸化膜２６０ｎｍを交互に重ねれ
ば、波長４００ｎｍは反射が抑制され、波長５５０ｎｍ
は反射が促進され、かつ反射強度は重ねる膜数で制御で
きる蛍光反射膜を形成できる。
【００２４】この多層蛍光反射膜３の反射率を層数が
１，３，５，７，９の場合について、図４に示す。層数
５とは、図６の奇数番目が窒化膜で偶数番目が酸化膜
で、ｎ0部が平坦化膜２、ｎs が蛍光発光膜９であるよ
うな場合である。図４を見ると、波長４００ｎｍの反射
率はほぼ０なので、膜数を増加させるにつれ、波長４０
０ｎｍの反射が小さいまま波長５５０ｎｍの反射が増加
している。
１，３，５，７，９の場合について、図４に示す。層数
５とは、図６の奇数番目が窒化膜で偶数番目が酸化膜
で、ｎ0部が平坦化膜２、ｎs が蛍光発光膜９であるよ
うな場合である。図４を見ると、波長４００ｎｍの反射
率はほぼ０なので、膜数を増加させるにつれ、波長４０
０ｎｍの反射が小さいまま波長５５０ｎｍの反射が増加
している。
【００２５】lumogen 410 のαは０．８であり、βは膜
数９の蛍光反射膜３を付けることにより図４より０．８
３にできる。また、η2 ／η1 は図３により２．２程度
となる。この場合、（１）式左辺は１．４６となり、蛍
光顔料を用いることにより４６％青感度の向上が実現で
きた。
数９の蛍光反射膜３を付けることにより図４より０．８
３にできる。また、η2 ／η1 は図３により２．２程度
となる。この場合、（１）式左辺は１．４６となり、蛍
光顔料を用いることにより４６％青感度の向上が実現で
きた。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、各受光部
の上方を取囲むように遮光膜を設けると共に、遮光膜間
のフォトダイオード上に蛍光発光膜を埋込み、蛍光発光
膜の上層に、蛍光発光膜の吸収波長は透過し、発光波長
は反射するフィルタを設けることにより、隣接するフォ
トダイオード間のクロストークを防ぎ、固体撮像素子の
青感度を効率良く高めることができる効果がある。
の上方を取囲むように遮光膜を設けると共に、遮光膜間
のフォトダイオード上に蛍光発光膜を埋込み、蛍光発光
膜の上層に、蛍光発光膜の吸収波長は透過し、発光波長
は反射するフィルタを設けることにより、隣接するフォ
トダイオード間のクロストークを防ぎ、固体撮像素子の
青感度を効率良く高めることができる効果がある。
【図１】本発明の固体撮像素子の一実施例の部分断面図
である。
である。
【図２】図１の固体撮像素子の平面図。
【図３】本発明のフォトダイオードの分光量子効率を示
す図。
す図。
【図４】本発明の多層膜干渉フィルタの反射率を示す
図。
図。
【図５】本発明の干渉フィルタの構成を示す図。
【図６】本発明の干渉フィルタの構成を示す図。
【図７】固体撮像素子の分光量子効率の一例を示す図。
【図８】従来例の固体撮像素子のフォトダイオード部の
構造を示す図。
構造を示す図。
【図９】従来例の固体撮像素子のフォトダイオードの構
造を示す図。
造を示す図。
１ マイクロレンズ ２ 平坦化膜 ３ 蛍光反射膜（干渉フィルタ、フィルタ） ４ カバー膜（保護膜） ５ 遮光膜 ６ 層間膜 ７ ゲート電極 ８ ゲート酸化膜 ９ 蛍光発光膜（波長変換部） １０ フォトダイオード（受光部） １１ 電荷転送ＣＣＤ（電荷転送素子） １２ Ｎ−Ｓｕｂ（半導体基板） １３ Ｐウェル １４，１５ Ｎウェル ２６ シリコン基板 ２７ 受光領域 ２８ 保護膜 ２９ 蛍光発光膜 ３０ 半導体基板 ３１ フォトダイオード ３２ 薄膜 ３３ 蛍光顔料含有樹脂 ３４ 蛍光反射膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−86857（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−56766（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−93780（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−61536（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−129857（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−206296（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にマトリックス状に受光部を有
し、隣接する受光部間上層に設けられ、かつ、各受光部
の周囲を取囲むように遮光膜が形成されている固体撮像
素子であって、任意の受光部上層で前記遮光膜の上端よ
り下層に波長変換部を有し、受光部がフォトダイオード
より成り、フォトダイオードを基板内深くまで形成し、
感度のピーク波長を比視感度曲線より長波長側にシフト
させたことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 波長変換部上層に波長変換部の吸収波長
は透過し、発光波長は反射する２層以上の膜よりなるフ
ィルタを有する請求項１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306578A JP3003597B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 固体撮像素子 |
| EP97119374A EP0843363A1 (en) | 1996-11-18 | 1997-11-05 | Solid state camera element comprising a wavelength converter |
| US08/972,565 US6064069A (en) | 1996-11-18 | 1997-11-18 | Solid state camera element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306578A JP3003597B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 固体撮像素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150177A JPH10150177A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3003597B2 true JP3003597B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=17958753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8306578A Expired - Fee Related JP3003597B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 固体撮像素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6064069A (ja) |
| EP (1) | EP0843363A1 (ja) |
| JP (1) | JP3003597B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2001068658A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2003092395A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Sony Corp | 撮像装置 |
| KR100465540B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-01-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 |
| JP4806197B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2009539232A (ja) * | 2006-03-15 | 2009-11-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線を検出するための半導体装置 |
| JP4950541B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子 |
| US7541596B2 (en) * | 2006-07-05 | 2009-06-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and apparatus for increasing light absorption in an image sensor using energy conversion layer |
| US20080074505A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-03-27 | Intematix Corporation | Phosphors for enhancing sensor responsivity in short wavelength regions of the visible spectrum |
| US7830434B2 (en) * | 2006-08-16 | 2010-11-09 | Intematix Corporation | Semiconductor color image sensor responsive at shorter wavelengths |
| KR100835893B1 (ko) * | 2007-03-20 | 2008-06-09 | (주)실리콘화일 | 발광변환기를 갖는 포토다이오드 |
| DE102007049029A1 (de) * | 2007-10-11 | 2009-04-23 | Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch d. Bundesministerium f. Wirtschaft und Technologie, dieses vertreten durch d. Präsidenten d. Physikalisch-Technischen Bundesanstalt | Konversionsschicht, Detektor, Detektoranordnung und Verfahren zum Herstellen von Konversionsschichten |
| KR100997334B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US8350952B2 (en) * | 2008-06-04 | 2013-01-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensors with improved angle response |
| ES2727868T3 (es) | 2011-09-22 | 2019-10-21 | Univ George Washington | Sistemas para visualizar el tejido ablacionado |
| AU2012312066C1 (en) * | 2011-09-22 | 2016-06-16 | 460Medical, Inc. | Systems and methods for visualizing ablated tissue |
| WO2015073871A2 (en) | 2013-11-14 | 2015-05-21 | The George Washington University | Systems and methods for determining lesion depth using fluorescence imaging |
| US20150141847A1 (en) | 2013-11-20 | 2015-05-21 | The George Washington University | Systems and methods for hyperspectral analysis of cardiac tissue |
| CN113143440B (zh) | 2014-11-03 | 2024-07-30 | 乔治华盛顿大学 | 用于损伤评估的系统和方法 |
| JP6771731B2 (ja) | 2014-11-03 | 2020-10-21 | ４６０メディカル・インコーポレイテッド４６０Ｍｅｄｉｃａｌ， Ｉｎｃ． | 接触性評価システム及び方法 |
| US9635325B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-04-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Systems and methods for detecting ultraviolet light using image sensors |
| US10779904B2 (en) | 2015-07-19 | 2020-09-22 | 460Medical, Inc. | Systems and methods for lesion formation and assessment |
| CN108981910B (zh) * | 2017-06-05 | 2021-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电探测电路以及光电探测器 |
| WO2019116266A1 (en) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | Lfoundry S.R.L. | Semiconductor optical sensor for visible and ultraviolet light detection and corresponding manufacturing process |
| JP7227802B2 (ja) * | 2019-03-15 | 2023-02-22 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| WO2021142368A1 (en) | 2020-01-08 | 2021-07-15 | 460Medical, Inc. | Systems and methods for optical interrogation of ablation lesions |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4051374A (en) * | 1976-06-04 | 1977-09-27 | Eastman Kodak Company | Imaging device having improved blue response |
| JPS5783990A (en) * | 1980-11-13 | 1982-05-26 | Sony Corp | Three-dimensional video display device |
| US4577098A (en) * | 1982-04-14 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image sensor with a phototropic or fluorescent layer |
| JPS5956766A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
| JPS60115886A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Toshiba Corp | 放射線検知器 |
| JPS6286857A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線用固体撮像素子 |
| JPS6350077A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| EP0293094B1 (en) * | 1987-05-26 | 1993-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radiation detector |
| US5294288A (en) * | 1990-11-05 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Forming sol-gel dichroic color filters |
| JPH04181774A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04322467A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH04326763A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2547908B2 (ja) * | 1991-10-02 | 1996-10-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出装置 |
| DE69320113T2 (de) * | 1992-05-22 | 1999-03-11 | Matsushita Electronics Corp., Kadoma, Osaka | Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5510627A (en) * | 1994-06-29 | 1996-04-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Infrared-to-visible converter |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP8306578A patent/JP3003597B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-05 EP EP97119374A patent/EP0843363A1/en not_active Withdrawn
- 1997-11-18 US US08/972,565 patent/US6064069A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US6064069A (en) | 2000-05-16 |
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| EP0843363A1 (en) | 1998-05-20 |
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