JP2004047682A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板表面及び内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極く小さくして入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に形成された固体撮像装置のパッシベーション膜6、フォトダイオード2が形成されたシリコン半導体基板1の表面もしくは半導体基板表面上に形成された多層の絶縁膜3、6のうち屈折率が異なる界面の下層の絶縁膜に入射光の波長以下の周期で、アスペクト比1以上の微細突起7を設ける。図ではパッシベーション膜に形成するが、フォトダイオード2の表面、絶縁膜3の表面に反射防止構造体を設けることができる。微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板1上に形成された固体撮像装置のパッシベーション膜6、フォトダイオード2が形成されたシリコン半導体基板1の表面もしくは半導体基板表面上に形成された多層の絶縁膜3、6のうち屈折率が異なる界面の下層の絶縁膜に入射光の波長以下の周期で、アスペクト比1以上の微細突起7を設ける。図ではパッシベーション膜に形成するが、フォトダイオード2の表面、絶縁膜3の表面に反射防止構造体を設けることができる。微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置に関し、とくに新規な構造を有する反射防止層を備えた感度特性の優れた固体撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電荷結合素子(CCD:Charged Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor )センサー等の固体撮像装置では、通常パッシベーション膜として表面にSiO2 やSiN等の絶縁薄膜が形成されている。光が固体撮像装置に入射すると、空気(n=1)とSiN(n〜2.0(略2.0))の屈折率差のために界面での光反射が起こり、反射した光はその下に形成されたフォトダイオードに到達せず、その結果入射光量に対して、十分な感度が得られない等の問題があった。
【0003】
従来の固体撮像装置を図9に示されたCCDエリアイメージセンサを例にして説明する。CCDエリアイメージセンサは、例えば、デジタルカメラやビデオに用いられる。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板101に形成される。半導体基板101の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その内の1種類はフォトダイオード102を構成し、半導体基板101の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード102は、画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード102は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ111を構成する他のn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ111の上には、絶縁膜を介して積層された電極104が形成されている。CCDレジスタ111の直上にはポリシリコン等からなる第1の電極141が形成され、その上にポリシリコンなどからなる第2の電極142が形成されている。電極104及びCCDレジスタ111は、垂直電荷転送レジスタを構成している。第1の電極141によりフォトダイオード102(光電変換部)で変換された電荷は、CCDレジスタ111へシフトされ、第2の電極142により垂直電荷転送レジスタ内を送られて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、この水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0004】
フォトダイオード102、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板101上にCVD法などによりSiO2 絶縁膜103が堆積される。この絶縁膜103上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード102を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜105を選択的に形成する。次に、遮光膜105及び絶縁膜103を被覆するように半導体基板101上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜106を形成する。このパッシベーション膜106上に有機樹脂からなるカラーフィルタ平坦化膜112を介して赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ108を形成する。パッシベーション膜106の上には有機樹脂からなるカラーフィルタ平坦化膜112が形成されている。カラーフィルタ108は、有機樹脂よりなる絶縁膜109で固定され、絶縁膜109上には、マイクロレンズ110が形成されている。そして、カラーフィルタ108及びマイクロレンズ110は、フォトダイオード102の上に配置されるように形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の固体撮像装置において、変換効率を高めるためには、入射する光が反射することなく光電変換部において変換されることが必要である。可能な限り反射を少なくするための反射防止の方法としては、単層もしくは多層干渉膜を利用した反射防止膜のコーティングが知られている。これらは、特定の波長域で優れた反射防止特性を有しているが、可視光全域において優れた反射防止膜を形成することは困難である。また、これらの方法は、各膜の膜厚に敏感であり、安定した反射防止特性を維持するためには製造上の管理が困難であるなどの多くの問題を抱えている。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、基板表面及び内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくして入射光量の損失が小さく、感度特性に優れた固体撮像装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板上に形成された固体撮像装置のパッシベーション膜、フォトダイオードが形成されたシリコン表面もしくはシリコン表面上に形成された多層の絶縁膜のうち屈折率が異なる界面の下層の絶縁膜に可視光や赤外線などの入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細な突起を形成したことを特徴としている。微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。本発明に用いるパッシベーション膜にはシリコン窒化膜(SiN)あるいはPSGなどのシリコン酸化膜(SiO2 )などが用いられる。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部と、前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部及び前記電荷転送部を被覆するパッシベーション膜とを具備し、前記パッシベーション膜は、微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期、1以上のアスペクト比で配列形成されているようにしても良い。前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比が変化するようにしても良い。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さいようにしても良い。
【0007】
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、前記光電変換部は、その表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さくしても良い。
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、前記光電変換部の上層には透明な材質からなる多層の絶縁膜が形成され、この多層の絶縁膜のうち、異なる屈折率からなる絶縁膜の界面において、その下層側の絶縁膜は、表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さくしても良い。入射光の波長以下の凹凸(微細突起)がある場合、光は、突起の底部から先端まで屈折率が滑らかな傾斜を持って変わる(Graded Index)層と見なすため、界面での急激な屈折率変化がなく、透過の際の損失が殆どなくなるという効果がある。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図1乃至図4を参照して第1の実施例を説明する。
図1は、固体撮像装置の断面図、図2は、図1の固体撮像装置の製造工程断面図、図3は、図1の固体撮像装置のフォトダイオード(光電変換部)及び電極を説明する半導体基板の平面図、図4は、図1の固体撮像装置のカラーフィルタを説明する半導体基板の平面図である。図3のA−A′線に沿う部分の断面図が図1に示されている。この実施例を図1に示されたCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。
【0009】
CCDエリアイメージセンサは、例えば、デジタルカメラやビデオに用いられる。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板1に形成される。半導体基板1の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は複数のフォトダイオード(PD)2を構成し、半導体基板1の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード2は、光電変換画素、いわゆる画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード2は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ11を構成するフォトダイオードとは異なる他のn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ11の上には、SiO2 などからなる絶縁膜3を介して積層された電極4が形成されている。積層された電極4の内、CCDレジスタ11の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極41が形成され、その上に絶縁膜3を介してポリシリコンなどからなる第2の電極42が形成されている。電極4及びCCDレジスタ11は、垂直電荷転送レジスタを構成している。2つの電極41、42は、その端部をオーバーラップさせて形成される。フォトダイオード2(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極41によりCCDレジスタ11へシフトされ、第1及び第2の電極41、42により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに、この水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0010】
フォトダイオード2、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板1上にCVD法などにより絶縁膜3が堆積される。この絶縁膜3上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード2を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜5を選択的に形成する。次に、遮光膜5及び絶縁膜3を被覆するように半導体基板1上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜6を形成する。このパッシベーション膜にはシリコン酸化膜などの他の材料を用いることができる。このパッシベーション膜6上に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ8が形成されている。カラーフィルタ8は、有機樹脂よりなる絶縁膜9で固定され、絶縁膜9上には、マイクロレンズ10が形成される。カラーフィルタ8及びマイクロレンズ10は、フォトダイオード2を覆うように配置されている。
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、パッシベーション膜に形成される。図に示すように、パッシベーション膜6の表面には反射防止構造体として微細突起7が形成されている。パッシベーション膜6は、厚さDの内表面の厚さdに微細突起7が形成されている。したがって、下側の厚さhの部分がパッシベーション膜としての機能を主として持っている。
【0011】
反射防止構造体を構成する微細突起は、フォトダイオード(光電変換部)に入射する光の波長より小さくなるように形成すると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、本発明では、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
次に、図3を参照して図1に示すCCDエリアイメージセンサの半導体基板上の配置を説明する。半導体基板1のセンサ部にはフォトダイオード(PD)2の列とCCDレジスタ上に形成された電極4が交互にならんでいる。前述のようにフォトダイオード2(光電変換部)で変換された電荷は、CCDレジスタへシフトされ、電極4により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ12に送られ、この水平電荷転送レジスタ12から外部へ出力される。半導体基板1のセンサ部が形成されていない領域には入出力端子部や電極を駆動する周辺回路部が形成されている。
【0012】
次に、図4を参照して図3のセンサ部に取り付けられるカラーフィルタを説明する。カラーフィルタ8は、フォトダイオード2の上及びその近傍を被覆するようにパッシベーション膜上に形成される。フィルタのカラーは、フォトダイオード2毎に異なるように配置する。図に示すように、4つのフォトダイオード2上にそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ8を形成する。図に示された4つのカラーフィルタ8を1つのカラーパターンとして、このカラーパターンが基板上を覆ってCCDエリアイメージセンサの表面にカラーフィルタ8が形成される。カラーフィルタ8は、有機樹脂よりなる絶縁膜で固定され、この絶縁膜上にマイクロレンズが形成される。マイクロレンズは、フォトダイオード2の真上に配置されるように形成される。
【0013】
次に、図2を参照して図1に示されたCCDエリアイメージセンサの製造工程を説明する。まず、シリコンからなる半導体基板1にフォトダイオード2、CCDエリアイメージセンサ11を構成する不純物拡散領域を形成し、半導体基板1上にSiO2 などからなる絶縁膜3で被覆された電極4を形成し、電極4の上に絶縁膜3を介してアルミニウムの遮光膜5を形成する。半導体基板1に入射した光を光電変換するフォトダイオード2は、マトリクス状に設けられ、そして横方向に隣接する形で電荷を転送させるための電極4及びこれに対応する部分に遮光膜が形成される。そして、絶縁膜3の上にはパッシベーション膜6を構成するシリコン窒化膜(SiN)を厚さ400nm程度堆積させる(図2(a))。
【0014】
次に、半導体基板1にEB(電子ビーム)レジストを膜厚200nm塗布し、1辺が100nmで隣接パターンとのスペースが100nmとなるようにこれをEB描画、現像を行って島状のレジストパターン14を形成した(図2(b))。次に、島状のレジストパターンをマスクとして、RIE(Reactive Ion Etching)により、CF4 /Ar=20/80sccm、圧力10Torr、パワー200Wでレジストがなくなるまでエッチング(すなわち、SiN/レジストの低選択比エッチング)し、シリコン窒化膜(SiN)に周期200nm、アスペクト比1.5の微細突起7のパターンを形成する。このようにして、半導体基板1の表面に微細突起7からなる反射防止構造体が得られる(図2(c))。
さらに、微細突起7のパターン上にカラーフィルタ8、有機樹脂からなる絶縁膜9及びマイクロレンズ10を形成してCCDエリアイメージセンサが完成する(図1参照)。
【0015】
半導体基板表面のパッシベーション膜上に、微細突起パターンを形成することによりカラーフィルタとの界面反射が軽減され、従来構造のCCDエリアイメージセンサと比較して感度特性が8%向上した。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのパッシベーション膜(屈折率n=1.9〜2.0)とその表面上に形成されカラーフィルタを固定する絶縁膜(有機樹脂、n=1.5)とは屈折率が異なるものの、その界面の下層の絶縁膜(パッシベーション膜)に入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、パッシベーション膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
【0016】
次に、図5及び図6を参照して第2の実施例を説明する。
図5及び図6は、固体撮像装置の断面図である。この実施例をCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板21に形成される。半導体基板21の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は複数のフォトダイオード(PD)22を構成し、半導体基板21の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード22は、光電変換画素、いわゆる画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード22は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ31を構成するフォトダイオードとは異なるn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ31の上には、SiO2 などからなる絶縁膜23を介して積層された電極24が形成されている。積層された電極24の内、CCDレジスタ31の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極241が形成され、その上に絶縁膜23を介してポリシリコンなどからなる第2の電極242が形成されている。電極24及びCCDレジスタ31は、垂直電荷転送レジスタを構成している。フォトダイオード22(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極241によりCCDレジスタ31へシフトされ、第2の電極242により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0017】
フォトダイオード22、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板21上にCVD法などにより前述の絶縁膜23が堆積される。この絶縁膜23上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード2を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜25が選択的に形成されている。次に、遮光膜25及び絶縁膜23を被覆するように半導体基板21上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜26が形成されている。このパッシベーション膜26上に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ28が形成されている。カラーフィルタ28は、有機樹脂よりなる絶縁膜29で固定され、絶縁膜29上には、マイクロレンズ30が形成されている。カラーフィルタ28及びマイクロレンズ30は、フォトダイオード22を覆うように配置されている。
【0018】
外部からの光が通る路(マイクロレンズ30−カラーフィルタ28−パッシベーション膜26−絶縁膜23−フォトダイオード22)は、パッシベーション膜26がシリコン窒化膜(SiN)の場合、屈折率nが他の膜より大きく(n=1.9〜2.0)、入射光が反射する機会が多くなり、感度特性を劣化させる原因の1つとなっている。そのために、この部分のパッシベーション膜を除去し、パッシベーション膜に膜のない部分(開口部)を形成することが考えられた。しかし、このように開口部を形成すると、その上に形成配置されているカラーフィルタが安定して設置されない。そこで、従来は、カラーフィルタが置かれる下地が平坦であるように、パッシベーション膜の上にカラーフィルタ平坦化膜を形成していた。この実施例ではこのような構造になっている。平坦化膜は、屈折率nが1.5程度の有機樹脂を用いている。
したがって、この実施例では、シリコン窒化膜を用いたパッシベーション膜26には、フォトダイオード22上にある光の通路の部分に開口部261を設けている。そして、遮光膜25は、積層された電極24を被覆する絶縁膜23を包むように、光の通路の側面をも被覆して遮光効果を高くしている。さらに、光の通路の下部であるフォトダイオード22と接触する部分にはシリコン酸化膜などの絶縁膜33がCVD法などにより形成されており、この絶縁膜33及びパッシベーション膜26の上に有機樹脂などからなるカラーフィルタ平坦化膜34が形成されている。
【0019】
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、シリコン酸化膜からなる絶縁膜33の表面部分に形成される。図に示すように、光の通路に設けられた絶縁膜33の表面には反射防止構造体として微細突起27が形成されている。反射防止構造体を構成する微細突起27の配列周期は、フォトダイオード22に入射する光の波長より小さくすると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのカラーフィルタ平坦化膜(屈折率n=略1.5)と、これと接するシリコン酸化膜からなる絶縁膜(n=1.45)とは屈折率がその差は小さくとも異なっており、反射が起きる環境にあるものの、その界面の下層の絶縁膜に入射光の波長以下の所定の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、絶縁膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
【0020】
なお、パッシベーション膜に開口部を形成するには、パッシベーション膜を堆積させてから、これを選択的にエッチングして開口形成をする場合と、最初から所定の部分を開口部形状にマスクしてパッシベーション膜を堆積する場合の2通りの方法を用いることができる。
図5に示す固体撮像装置は、パッシベーション膜に開口部が形成されている。しかし、この実施例では、パッシベーション膜に開口部を形成しないでそのまま使用することもできる。図6は、開口部のないパッシベーション膜を用いた例である。この例ではパッシベーション膜に開口部を形成する工程が省略できる。
【0021】
次に、図7を参照して第3の実施例を説明する。
図7は、固体撮像装置の断面図である。この実施例をCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板41に形成される。半導体基板41の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は、複数のフォトダイオード(PD)42を構成し、半導体基板41の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード(画素)42は、光電変換部を構成している。フォトダイオード42は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ51を構成するフォトダイオードとは異なるn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ51の上には、SiO2 などからなる絶縁膜43を介して積層された電極44が形成されている。積層された電極44の内、CCDレジスタ51の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極441が形成され、その上に絶縁膜43を介してポリシリコンなどからなる第2の電極442が形成されている。電極44及びCCDレジスタ51は、垂直電荷転送レジスタを構成している。フォトダイオード42(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極441によりCCDレジスタ51へシフトされ、第2の電極442により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0022】
フォトダイオード42、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板41上にCVD法などにより前述の絶縁膜43が堆積される。この絶縁膜43上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード42を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜45が選択的に形成されている。次に、遮光膜45及び絶縁膜43を被覆するように半導体基板41上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜46が形成されている。このパッシベーション膜46上に赤(R)、緑(G)、青 (B)のカラーフィルタ48が形成されている。カラーフィルタ48は、有機樹脂よりなる絶縁膜49で固定され、絶縁膜49上には、マイクロレンズ50が形成されている。カラーフィルタ48及びマイクロレンズ50は、フォトダイオード42を覆うように配置されている。
【0023】
第2の実施例と同様に外部からの光が通る路は、パッシベーション膜がシリコン窒化膜(SiN)の場合、屈折率nが他の膜より大きく(n=1.9〜2.0)、入射光が反射する機会が多くなり、感度特性を劣化させる原因の1つとなっているために、この実施例ではこの部分のパッシベーション膜を除去し、パッシベーション膜46に膜のない部分(開口部461)を形成する。そして、カラーフィルタが置かれる下地が平坦であるように、パッシベーション膜46の上にカラーフィルタ平坦化膜54を形成する。平坦化膜54は、屈折率nが1.5程度の有機樹脂を用いている。遮光膜45は、電極44を被覆する絶縁膜43を包むように、光の通路の側面をも被覆して遮光効果を高くしている。さらに、光の通路の下部であるフォトダイオード42と接触する部分にはシリコン酸化膜などの絶縁膜53がCVD法などにより形成されており、この絶縁膜53及びパッシベーション膜46上に前述のカラーフィルタ平坦化膜54が形成されている。
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、シリコンからなる半導体基板41の表面部分に形成される。図に示すように、光の通路に露出するフォトダイオード42の表面に反射防止構造体として微細突起47が形成されている。反射防止構造体を構成する微細突起47の配列周期は、フォトダイオード42に入射する光の波長より小さくすると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
【0024】
半導体基板上に形成されたカラーフィルタ平坦化膜と接するシリコン酸化膜からなる絶縁膜(n=1.45)53と半導体基板(n>3)41とは屈折率が大きく異なっており、反射が起きる環境にあるものの、その界面の下層の半導体基板41のフォトダイオード42に入射光の波長以下の所定の周期でアスペクト比1以上の微細突起47を形成したことにより、半導体基板で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
なお、パッシベーション膜に開口部を形成する方法は、第2の実施例で説明した通りである。
第2の実施例及び第3の実施例では、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減する反射防止構造体をそれぞれ1か所に形成しているが、本発明では屈折率の異なる界面において、環境が悪い場所が複数あれば全てに適用することが可能である。例えば、第2の実施例と第3の実施例を合わせるように2か所に反射防止構造体を設けることができる。
【0025】
次に、図8を参照して第4の実施例を説明する。
図8は、固体撮像装置の断面図である。この実施例では固体撮像装置としてCCDリニアイメージセンサを説明する。リニアイメージセンサは、光電変換部のフォトダイオード(画素)が1次元に配列している。半導体基板61に、光電変換部となるフォトダイオード62をリニアに設け、第1の実施例と同様の方法で、第1の電極641、第2の電極642から構成されたポリシリコンなどからなる電極64を形成し、アルミニウム遮光膜65をシリコン酸化膜からなる絶縁膜63を介して形成した。電極64の下の半導体基板61の表面領域には電極64と共に電荷転送レジスタを構成するCCDレジスタ(n型不純物拡散領域)68が形成されている。最上部の膜となるパッシベーション膜66には、リンドープのシリコン酸化膜(PSG)を厚さ400nmに形成した。
フォトダイオード62(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極641によりCCDレジスタ68へシフトされ、第2の電極642により電荷転送レジスタ内を転送され、ここから外部へ出力される。
【0026】
第1の実施例と同様に、EB描画によりフォトダイオード62上のPSGパッシベーション膜66にRIEにより微細突起67のパターンを形成した。ここでは、微細突起67の上部にカラーフィルタは形成せず、白黒用途とした。表面のPSGと空気との界面反射が抑制でき、従来構造のCCDリニアイメージセンサと比較して感度特性が4%向上した。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのパッシベーション膜(屈折率n=1.9〜2.0)とその表面に接触している空気(n=略1)とは屈折率が異なるものの、その界面の下層の絶縁膜(パッシベーション膜)に入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、パッシベーション膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDリニアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができる。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDリニアイメージセンサが得られる。
【0027】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減でき、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れた固体撮像装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図2】図1の固体撮像装置の製造工程断面図。
【図3】図1の固体撮像装置のフォトダイオード(光電変換部)及び電極を説明する半導体基板の平面図。
【図4】図1の固体撮像装置のカラーフィルタを説明する半導体基板の平面図。
【図5】本発明の第2の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図6】本発明の第2の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図7】本発明の第3の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図8】本発明の第4の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図9】従来の固体撮像装置であるCCDエリアイメージセンサの断面図。
【符号の説明】
1、21、41、61、101・・・半導体基板
2、22、42、62、102・・・フォトダイオード(光電変換部)
3、23、33、43、53、63、103・・・絶縁膜
4、24、44、64、104・・・電極
5、25、45、65、105・・・遮光膜
6、26、46、66、106・・・パッシベーション膜
7、27、47、67・・・微細突起(反射防止構造体)
8、28、48、108・・・カラーフィルタ
9、29、49、109・・・有機樹脂よりなる絶縁膜
10、30、50、110・・・マイクロレンズ
11、31、51、68、111・・・CCDレジスタ
12・・・水平電荷転送レジシタ
13・・・周辺回路 14・・・レジストパターン
34、54、112・・・カラーフィルタ平坦化膜
41、141、241、441、641・・・第1の電極
42、142、242、442、642・・・第2の電極
261、461・・・開口部
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置に関し、とくに新規な構造を有する反射防止層を備えた感度特性の優れた固体撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電荷結合素子(CCD:Charged Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor )センサー等の固体撮像装置では、通常パッシベーション膜として表面にSiO2 やSiN等の絶縁薄膜が形成されている。光が固体撮像装置に入射すると、空気(n=1)とSiN(n〜2.0(略2.0))の屈折率差のために界面での光反射が起こり、反射した光はその下に形成されたフォトダイオードに到達せず、その結果入射光量に対して、十分な感度が得られない等の問題があった。
【0003】
従来の固体撮像装置を図9に示されたCCDエリアイメージセンサを例にして説明する。CCDエリアイメージセンサは、例えば、デジタルカメラやビデオに用いられる。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板101に形成される。半導体基板101の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その内の1種類はフォトダイオード102を構成し、半導体基板101の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード102は、画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード102は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ111を構成する他のn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ111の上には、絶縁膜を介して積層された電極104が形成されている。CCDレジスタ111の直上にはポリシリコン等からなる第1の電極141が形成され、その上にポリシリコンなどからなる第2の電極142が形成されている。電極104及びCCDレジスタ111は、垂直電荷転送レジスタを構成している。第1の電極141によりフォトダイオード102(光電変換部)で変換された電荷は、CCDレジスタ111へシフトされ、第2の電極142により垂直電荷転送レジスタ内を送られて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、この水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0004】
フォトダイオード102、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板101上にCVD法などによりSiO2 絶縁膜103が堆積される。この絶縁膜103上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード102を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜105を選択的に形成する。次に、遮光膜105及び絶縁膜103を被覆するように半導体基板101上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜106を形成する。このパッシベーション膜106上に有機樹脂からなるカラーフィルタ平坦化膜112を介して赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ108を形成する。パッシベーション膜106の上には有機樹脂からなるカラーフィルタ平坦化膜112が形成されている。カラーフィルタ108は、有機樹脂よりなる絶縁膜109で固定され、絶縁膜109上には、マイクロレンズ110が形成されている。そして、カラーフィルタ108及びマイクロレンズ110は、フォトダイオード102の上に配置されるように形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の固体撮像装置において、変換効率を高めるためには、入射する光が反射することなく光電変換部において変換されることが必要である。可能な限り反射を少なくするための反射防止の方法としては、単層もしくは多層干渉膜を利用した反射防止膜のコーティングが知られている。これらは、特定の波長域で優れた反射防止特性を有しているが、可視光全域において優れた反射防止膜を形成することは困難である。また、これらの方法は、各膜の膜厚に敏感であり、安定した反射防止特性を維持するためには製造上の管理が困難であるなどの多くの問題を抱えている。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、基板表面及び内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくして入射光量の損失が小さく、感度特性に優れた固体撮像装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板上に形成された固体撮像装置のパッシベーション膜、フォトダイオードが形成されたシリコン表面もしくはシリコン表面上に形成された多層の絶縁膜のうち屈折率が異なる界面の下層の絶縁膜に可視光や赤外線などの入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細な突起を形成したことを特徴としている。微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。本発明に用いるパッシベーション膜にはシリコン窒化膜(SiN)あるいはPSGなどのシリコン酸化膜(SiO2 )などが用いられる。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部と、前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部及び前記電荷転送部を被覆するパッシベーション膜とを具備し、前記パッシベーション膜は、微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期、1以上のアスペクト比で配列形成されているようにしても良い。前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比が変化するようにしても良い。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さいようにしても良い。
【0007】
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、前記光電変換部は、その表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さくしても良い。
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、前記光電変換部の上層には透明な材質からなる多層の絶縁膜が形成され、この多層の絶縁膜のうち、異なる屈折率からなる絶縁膜の界面において、その下層側の絶縁膜は、表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴としている。前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さくしても良い。入射光の波長以下の凹凸(微細突起)がある場合、光は、突起の底部から先端まで屈折率が滑らかな傾斜を持って変わる(Graded Index)層と見なすため、界面での急激な屈折率変化がなく、透過の際の損失が殆どなくなるという効果がある。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図1乃至図4を参照して第1の実施例を説明する。
図1は、固体撮像装置の断面図、図2は、図1の固体撮像装置の製造工程断面図、図3は、図1の固体撮像装置のフォトダイオード(光電変換部)及び電極を説明する半導体基板の平面図、図4は、図1の固体撮像装置のカラーフィルタを説明する半導体基板の平面図である。図3のA−A′線に沿う部分の断面図が図1に示されている。この実施例を図1に示されたCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。
【0009】
CCDエリアイメージセンサは、例えば、デジタルカメラやビデオに用いられる。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板1に形成される。半導体基板1の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は複数のフォトダイオード(PD)2を構成し、半導体基板1の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード2は、光電変換画素、いわゆる画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード2は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ11を構成するフォトダイオードとは異なる他のn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ11の上には、SiO2 などからなる絶縁膜3を介して積層された電極4が形成されている。積層された電極4の内、CCDレジスタ11の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極41が形成され、その上に絶縁膜3を介してポリシリコンなどからなる第2の電極42が形成されている。電極4及びCCDレジスタ11は、垂直電荷転送レジスタを構成している。2つの電極41、42は、その端部をオーバーラップさせて形成される。フォトダイオード2(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極41によりCCDレジスタ11へシフトされ、第1及び第2の電極41、42により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに、この水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0010】
フォトダイオード2、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板1上にCVD法などにより絶縁膜3が堆積される。この絶縁膜3上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード2を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜5を選択的に形成する。次に、遮光膜5及び絶縁膜3を被覆するように半導体基板1上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜6を形成する。このパッシベーション膜にはシリコン酸化膜などの他の材料を用いることができる。このパッシベーション膜6上に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ8が形成されている。カラーフィルタ8は、有機樹脂よりなる絶縁膜9で固定され、絶縁膜9上には、マイクロレンズ10が形成される。カラーフィルタ8及びマイクロレンズ10は、フォトダイオード2を覆うように配置されている。
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、パッシベーション膜に形成される。図に示すように、パッシベーション膜6の表面には反射防止構造体として微細突起7が形成されている。パッシベーション膜6は、厚さDの内表面の厚さdに微細突起7が形成されている。したがって、下側の厚さhの部分がパッシベーション膜としての機能を主として持っている。
【0011】
反射防止構造体を構成する微細突起は、フォトダイオード(光電変換部)に入射する光の波長より小さくなるように形成すると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、本発明では、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
次に、図3を参照して図1に示すCCDエリアイメージセンサの半導体基板上の配置を説明する。半導体基板1のセンサ部にはフォトダイオード(PD)2の列とCCDレジスタ上に形成された電極4が交互にならんでいる。前述のようにフォトダイオード2(光電変換部)で変換された電荷は、CCDレジスタへシフトされ、電極4により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ12に送られ、この水平電荷転送レジスタ12から外部へ出力される。半導体基板1のセンサ部が形成されていない領域には入出力端子部や電極を駆動する周辺回路部が形成されている。
【0012】
次に、図4を参照して図3のセンサ部に取り付けられるカラーフィルタを説明する。カラーフィルタ8は、フォトダイオード2の上及びその近傍を被覆するようにパッシベーション膜上に形成される。フィルタのカラーは、フォトダイオード2毎に異なるように配置する。図に示すように、4つのフォトダイオード2上にそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ8を形成する。図に示された4つのカラーフィルタ8を1つのカラーパターンとして、このカラーパターンが基板上を覆ってCCDエリアイメージセンサの表面にカラーフィルタ8が形成される。カラーフィルタ8は、有機樹脂よりなる絶縁膜で固定され、この絶縁膜上にマイクロレンズが形成される。マイクロレンズは、フォトダイオード2の真上に配置されるように形成される。
【0013】
次に、図2を参照して図1に示されたCCDエリアイメージセンサの製造工程を説明する。まず、シリコンからなる半導体基板1にフォトダイオード2、CCDエリアイメージセンサ11を構成する不純物拡散領域を形成し、半導体基板1上にSiO2 などからなる絶縁膜3で被覆された電極4を形成し、電極4の上に絶縁膜3を介してアルミニウムの遮光膜5を形成する。半導体基板1に入射した光を光電変換するフォトダイオード2は、マトリクス状に設けられ、そして横方向に隣接する形で電荷を転送させるための電極4及びこれに対応する部分に遮光膜が形成される。そして、絶縁膜3の上にはパッシベーション膜6を構成するシリコン窒化膜(SiN)を厚さ400nm程度堆積させる(図2(a))。
【0014】
次に、半導体基板1にEB(電子ビーム)レジストを膜厚200nm塗布し、1辺が100nmで隣接パターンとのスペースが100nmとなるようにこれをEB描画、現像を行って島状のレジストパターン14を形成した(図2(b))。次に、島状のレジストパターンをマスクとして、RIE(Reactive Ion Etching)により、CF4 /Ar=20/80sccm、圧力10Torr、パワー200Wでレジストがなくなるまでエッチング(すなわち、SiN/レジストの低選択比エッチング)し、シリコン窒化膜(SiN)に周期200nm、アスペクト比1.5の微細突起7のパターンを形成する。このようにして、半導体基板1の表面に微細突起7からなる反射防止構造体が得られる(図2(c))。
さらに、微細突起7のパターン上にカラーフィルタ8、有機樹脂からなる絶縁膜9及びマイクロレンズ10を形成してCCDエリアイメージセンサが完成する(図1参照)。
【0015】
半導体基板表面のパッシベーション膜上に、微細突起パターンを形成することによりカラーフィルタとの界面反射が軽減され、従来構造のCCDエリアイメージセンサと比較して感度特性が8%向上した。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのパッシベーション膜(屈折率n=1.9〜2.0)とその表面上に形成されカラーフィルタを固定する絶縁膜(有機樹脂、n=1.5)とは屈折率が異なるものの、その界面の下層の絶縁膜(パッシベーション膜)に入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、パッシベーション膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
【0016】
次に、図5及び図6を参照して第2の実施例を説明する。
図5及び図6は、固体撮像装置の断面図である。この実施例をCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板21に形成される。半導体基板21の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は複数のフォトダイオード(PD)22を構成し、半導体基板21の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード22は、光電変換画素、いわゆる画素といい、光電変換部を構成している。フォトダイオード22は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ31を構成するフォトダイオードとは異なるn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ31の上には、SiO2 などからなる絶縁膜23を介して積層された電極24が形成されている。積層された電極24の内、CCDレジスタ31の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極241が形成され、その上に絶縁膜23を介してポリシリコンなどからなる第2の電極242が形成されている。電極24及びCCDレジスタ31は、垂直電荷転送レジスタを構成している。フォトダイオード22(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極241によりCCDレジスタ31へシフトされ、第2の電極242により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0017】
フォトダイオード22、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板21上にCVD法などにより前述の絶縁膜23が堆積される。この絶縁膜23上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード2を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜25が選択的に形成されている。次に、遮光膜25及び絶縁膜23を被覆するように半導体基板21上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜26が形成されている。このパッシベーション膜26上に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ28が形成されている。カラーフィルタ28は、有機樹脂よりなる絶縁膜29で固定され、絶縁膜29上には、マイクロレンズ30が形成されている。カラーフィルタ28及びマイクロレンズ30は、フォトダイオード22を覆うように配置されている。
【0018】
外部からの光が通る路(マイクロレンズ30−カラーフィルタ28−パッシベーション膜26−絶縁膜23−フォトダイオード22)は、パッシベーション膜26がシリコン窒化膜(SiN)の場合、屈折率nが他の膜より大きく(n=1.9〜2.0)、入射光が反射する機会が多くなり、感度特性を劣化させる原因の1つとなっている。そのために、この部分のパッシベーション膜を除去し、パッシベーション膜に膜のない部分(開口部)を形成することが考えられた。しかし、このように開口部を形成すると、その上に形成配置されているカラーフィルタが安定して設置されない。そこで、従来は、カラーフィルタが置かれる下地が平坦であるように、パッシベーション膜の上にカラーフィルタ平坦化膜を形成していた。この実施例ではこのような構造になっている。平坦化膜は、屈折率nが1.5程度の有機樹脂を用いている。
したがって、この実施例では、シリコン窒化膜を用いたパッシベーション膜26には、フォトダイオード22上にある光の通路の部分に開口部261を設けている。そして、遮光膜25は、積層された電極24を被覆する絶縁膜23を包むように、光の通路の側面をも被覆して遮光効果を高くしている。さらに、光の通路の下部であるフォトダイオード22と接触する部分にはシリコン酸化膜などの絶縁膜33がCVD法などにより形成されており、この絶縁膜33及びパッシベーション膜26の上に有機樹脂などからなるカラーフィルタ平坦化膜34が形成されている。
【0019】
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、シリコン酸化膜からなる絶縁膜33の表面部分に形成される。図に示すように、光の通路に設けられた絶縁膜33の表面には反射防止構造体として微細突起27が形成されている。反射防止構造体を構成する微細突起27の配列周期は、フォトダイオード22に入射する光の波長より小さくすると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのカラーフィルタ平坦化膜(屈折率n=略1.5)と、これと接するシリコン酸化膜からなる絶縁膜(n=1.45)とは屈折率がその差は小さくとも異なっており、反射が起きる環境にあるものの、その界面の下層の絶縁膜に入射光の波長以下の所定の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、絶縁膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
【0020】
なお、パッシベーション膜に開口部を形成するには、パッシベーション膜を堆積させてから、これを選択的にエッチングして開口形成をする場合と、最初から所定の部分を開口部形状にマスクしてパッシベーション膜を堆積する場合の2通りの方法を用いることができる。
図5に示す固体撮像装置は、パッシベーション膜に開口部が形成されている。しかし、この実施例では、パッシベーション膜に開口部を形成しないでそのまま使用することもできる。図6は、開口部のないパッシベーション膜を用いた例である。この例ではパッシベーション膜に開口部を形成する工程が省略できる。
【0021】
次に、図7を参照して第3の実施例を説明する。
図7は、固体撮像装置の断面図である。この実施例をCCDエリアイメージセンサを一例にして説明する。このエリアイメージセンサは、例えば、p型半導体基板41に形成される。半導体基板41の表面領域には、複数のn型不純物拡散領域が形成されている。その一部は、複数のフォトダイオード(PD)42を構成し、半導体基板41の所定の領域にマトリックス状に配列されている。フォトダイオード(画素)42は、光電変換部を構成している。フォトダイオード42は、マトリックス状に配列されているので、複数の列からなり、各列を画素列という。各画素列間にはCCDレジスタ51を構成するフォトダイオードとは異なるn型不純物拡散領域が形成されている。CCDレジスタ51の上には、SiO2 などからなる絶縁膜43を介して積層された電極44が形成されている。積層された電極44の内、CCDレジスタ51の直上にはポリシリコンなどからなる第1の電極441が形成され、その上に絶縁膜43を介してポリシリコンなどからなる第2の電極442が形成されている。電極44及びCCDレジスタ51は、垂直電荷転送レジスタを構成している。フォトダイオード42(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極441によりCCDレジスタ51へシフトされ、第2の電極442により垂直電荷転送レジスタ内を転送されて水平電荷転送レジスタ(図示しない)に送られ、さらに水平電荷転送レジスタから外部へ出力される。
【0022】
フォトダイオード42、水平及び垂直電荷転送レジスタが被覆されるように半導体基板41上にCVD法などにより前述の絶縁膜43が堆積される。この絶縁膜43上に、水平及び垂直電荷転送レジスタを被覆するように、そして、フォトダイオード42を被覆しないように、アルミニウムなどからなる遮光膜45が選択的に形成されている。次に、遮光膜45及び絶縁膜43を被覆するように半導体基板41上にシリコン窒化膜(SiN)などからなるパッシベーション膜46が形成されている。このパッシベーション膜46上に赤(R)、緑(G)、青 (B)のカラーフィルタ48が形成されている。カラーフィルタ48は、有機樹脂よりなる絶縁膜49で固定され、絶縁膜49上には、マイクロレンズ50が形成されている。カラーフィルタ48及びマイクロレンズ50は、フォトダイオード42を覆うように配置されている。
【0023】
第2の実施例と同様に外部からの光が通る路は、パッシベーション膜がシリコン窒化膜(SiN)の場合、屈折率nが他の膜より大きく(n=1.9〜2.0)、入射光が反射する機会が多くなり、感度特性を劣化させる原因の1つとなっているために、この実施例ではこの部分のパッシベーション膜を除去し、パッシベーション膜46に膜のない部分(開口部461)を形成する。そして、カラーフィルタが置かれる下地が平坦であるように、パッシベーション膜46の上にカラーフィルタ平坦化膜54を形成する。平坦化膜54は、屈折率nが1.5程度の有機樹脂を用いている。遮光膜45は、電極44を被覆する絶縁膜43を包むように、光の通路の側面をも被覆して遮光効果を高くしている。さらに、光の通路の下部であるフォトダイオード42と接触する部分にはシリコン酸化膜などの絶縁膜53がCVD法などにより形成されており、この絶縁膜53及びパッシベーション膜46上に前述のカラーフィルタ平坦化膜54が形成されている。
この実施例では、本発明の特徴である反射防止構造体は、シリコンからなる半導体基板41の表面部分に形成される。図に示すように、光の通路に露出するフォトダイオード42の表面に反射防止構造体として微細突起47が形成されている。反射防止構造体を構成する微細突起47の配列周期は、フォトダイオード42に入射する光の波長より小さくすると効率良い反射防止作用が得られる。したがって、この実施例では、微細突起は0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の内から所定の値を選択して配列形成される。しかし、微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列し、ランダムにアスペクト比を変化するように構成することもできる。
【0024】
半導体基板上に形成されたカラーフィルタ平坦化膜と接するシリコン酸化膜からなる絶縁膜(n=1.45)53と半導体基板(n>3)41とは屈折率が大きく異なっており、反射が起きる環境にあるものの、その界面の下層の半導体基板41のフォトダイオード42に入射光の波長以下の所定の周期でアスペクト比1以上の微細突起47を形成したことにより、半導体基板で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができた。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDエリアイメージセンサが得られる。
なお、パッシベーション膜に開口部を形成する方法は、第2の実施例で説明した通りである。
第2の実施例及び第3の実施例では、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減する反射防止構造体をそれぞれ1か所に形成しているが、本発明では屈折率の異なる界面において、環境が悪い場所が複数あれば全てに適用することが可能である。例えば、第2の実施例と第3の実施例を合わせるように2か所に反射防止構造体を設けることができる。
【0025】
次に、図8を参照して第4の実施例を説明する。
図8は、固体撮像装置の断面図である。この実施例では固体撮像装置としてCCDリニアイメージセンサを説明する。リニアイメージセンサは、光電変換部のフォトダイオード(画素)が1次元に配列している。半導体基板61に、光電変換部となるフォトダイオード62をリニアに設け、第1の実施例と同様の方法で、第1の電極641、第2の電極642から構成されたポリシリコンなどからなる電極64を形成し、アルミニウム遮光膜65をシリコン酸化膜からなる絶縁膜63を介して形成した。電極64の下の半導体基板61の表面領域には電極64と共に電荷転送レジスタを構成するCCDレジスタ(n型不純物拡散領域)68が形成されている。最上部の膜となるパッシベーション膜66には、リンドープのシリコン酸化膜(PSG)を厚さ400nmに形成した。
フォトダイオード62(光電変換部)で変換された電荷は、第1の電極641によりCCDレジスタ68へシフトされ、第2の電極642により電荷転送レジスタ内を転送され、ここから外部へ出力される。
【0026】
第1の実施例と同様に、EB描画によりフォトダイオード62上のPSGパッシベーション膜66にRIEにより微細突起67のパターンを形成した。ここでは、微細突起67の上部にカラーフィルタは形成せず、白黒用途とした。表面のPSGと空気との界面反射が抑制でき、従来構造のCCDリニアイメージセンサと比較して感度特性が4%向上した。
半導体基板上に形成されたCCDエリアイメージセンサのパッシベーション膜(屈折率n=1.9〜2.0)とその表面に接触している空気(n=略1)とは屈折率が異なるものの、その界面の下層の絶縁膜(パッシベーション膜)に入射光の波長以下の周期でアスペクト比1以上の微細突起を形成したことにより、パッシベーション膜で起きる光の反射を極めて小さくできる。したがって、入射光量の損失が小さく感度特性に優れたCCDリニアイメージセンサが得られる。このように、パッシベーション膜に微細突起を形成することにより、400nm〜700nmの可視光領域の全域において、パッシベーション膜の表面反射率を2%以下にまで低減することができる。この方法によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減できるので、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れたCCDリニアイメージセンサが得られる。
【0027】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、多層干渉膜の形成等の方法を使わずに、屈折率の異なる界面で起こる入射光の反射を低減でき、既存の膜構成を大きく変えることなく感度特性に優れた固体撮像装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図2】図1の固体撮像装置の製造工程断面図。
【図3】図1の固体撮像装置のフォトダイオード(光電変換部)及び電極を説明する半導体基板の平面図。
【図4】図1の固体撮像装置のカラーフィルタを説明する半導体基板の平面図。
【図5】本発明の第2の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図6】本発明の第2の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図7】本発明の第3の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図8】本発明の第4の実施例に係る固体撮像装置の断面図。
【図9】従来の固体撮像装置であるCCDエリアイメージセンサの断面図。
【符号の説明】
1、21、41、61、101・・・半導体基板
2、22、42、62、102・・・フォトダイオード(光電変換部)
3、23、33、43、53、63、103・・・絶縁膜
4、24、44、64、104・・・電極
5、25、45、65、105・・・遮光膜
6、26、46、66、106・・・パッシベーション膜
7、27、47、67・・・微細突起(反射防止構造体)
8、28、48、108・・・カラーフィルタ
9、29、49、109・・・有機樹脂よりなる絶縁膜
10、30、50、110・・・マイクロレンズ
11、31、51、68、111・・・CCDレジスタ
12・・・水平電荷転送レジシタ
13・・・周辺回路 14・・・レジストパターン
34、54、112・・・カラーフィルタ平坦化膜
41、141、241、441、641・・・第1の電極
42、142、242、442、642・・・第2の電極
261、461・・・開口部
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部と、
前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部及び前記電荷転送部を被覆するパッシベーション膜とを具備し、
前記パッシベーション膜は、その表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期、1以上のアスペクト比で配列形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記反射防止構造体を構成する微細突起は、0.05〜1μmの周期及び1以上のアスペクト比の範囲内でランダムに配列され、ランダムにアスペクト比が変化することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、
前記光電変換部は、その表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さいことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部から生成された電荷を転送する電荷転送部とを具備し、
前記光電変換部の上層には透明な材質からなる多層の絶縁膜が形成され、この多層の絶縁膜のうち、異なる屈折率からなる絶縁膜の界面において、その下層側の絶縁膜は、その表面に微細突起が配列形成された反射防止構造体を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記反射防止構造体を構成する微細突起の配列周期は、前記光電変換部に入射して電荷を生成する入射光の波長より小さいことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。
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