JPS6286857A - 放射線用固体撮像素子 - Google Patents
放射線用固体撮像素子Info
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- JPS6286857A JPS6286857A JP60226903A JP22690385A JPS6286857A JP S6286857 A JPS6286857 A JP S6286857A JP 60226903 A JP60226903 A JP 60226903A JP 22690385 A JP22690385 A JP 22690385A JP S6286857 A JPS6286857 A JP S6286857A
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- Japan
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- phosphor layer
- radiation
- photoconductor
- phosphor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は走査回路と放射線、特にＸ線を受光してキャリ
アを発生する光導電層とを積層した放射線用固体撮像素
子に関する。 ［従来の技術］ 従来、放射線用固体撮像素子としては、たとえば特開昭
５１−１２０１８８号に示されているように、光ダイオ
ードの上層に蛍光体層を配置したものが知られている。 すなわち第３図に示すように、半導体基板１に設けた光
ダイオード２上に薄い酸化膜３を介して蛍光体層４が配
置されている。５は反射膜、８．７はＭＯＳスイッチで
ある。放射線８が蛍光体層４に入射すると蛍光体！＃４
は放射線を光に変換し、この光は光ダイオード２に入射
し、電気信号に変換される。 ＭＯＳスイッチ６．７が
導通すると電気信号は出力線８から取り出すことができ
る。 吸収されたＸ線の光への変換は最も変換効率の高いＧｄ
２Ｏ２Ｓ：Ｔｂでもたかだか１５％程であり、このよう
な従来の構造による放射線→光→電気信号という変換系
では高い変換効率が得られなかった。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は上述した従来の欠点を解決し、高い変換効率を
もち、かつ簡単な構造の放射線用固体撮像素子を提供す
ることを目的とする。
アを発生する光導電層とを積層した放射線用固体撮像素
子に関する。 ［従来の技術］ 従来、放射線用固体撮像素子としては、たとえば特開昭
５１−１２０１８８号に示されているように、光ダイオ
ードの上層に蛍光体層を配置したものが知られている。 すなわち第３図に示すように、半導体基板１に設けた光
ダイオード２上に薄い酸化膜３を介して蛍光体層４が配
置されている。５は反射膜、８．７はＭＯＳスイッチで
ある。放射線８が蛍光体層４に入射すると蛍光体！＃４
は放射線を光に変換し、この光は光ダイオード２に入射
し、電気信号に変換される。 ＭＯＳスイッチ６．７が
導通すると電気信号は出力線８から取り出すことができ
る。 吸収されたＸ線の光への変換は最も変換効率の高いＧｄ
２Ｏ２Ｓ：Ｔｂでもたかだか１５％程であり、このよう
な従来の構造による放射線→光→電気信号という変換系
では高い変換効率が得られなかった。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は上述した従来の欠点を解決し、高い変換効率を
もち、かつ簡単な構造の放射線用固体撮像素子を提供す
ることを目的とする。
かかる目的を達成するために、本発明は走査回路部の上
に光導電体層を積層し、さらにその上に蛍光体層を積層
してなることを特徴とする。また蛍光体層の蛍光波長が
前記光導電体層の吸収領域にあることを特徴とする。ま
た蛍光体層が絵素間分離され、かつ前記蛍光体層の上層
および絵素間分離層が光反射層からなることを特徴とす
る。 ［作 用］ 本発明においては、蛍光体層と光導電性を積層させてい
るので、放射線を効率よく電荷に変換できる。また光電
変換層の厚さを蛍光体層のない場合にくらべて薄くでき
、光導電層にかける電界強度を強くすることができるの
で、信号電荷の下地電極への補集効率を上昇させること
ができる。 ［実施例Ｊ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 第１図は走査回路をＷＯ９型とした本発明の実施例の断
面の概略図である。 図において１００は走査回路部、２００は光導電体部で
ある。１１はＳｉなどの半導体基板、１２はソース、１
３はゲート、１４はドレイン、１５は出力線である。１
６は５ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ、 、 りん化シリケー
トガラス、ポリイミドなどからなる絶縁層、１７Ｂは絵
素を区画する２次電極、１７Ａは２次電極とソースを゛
結ぶ１次電極で、１７Ａ 、 １７Ｂで下地電極を形成
する。なお、下地電極はこのように１次電極と２次電極
を分割しない形でもよい。 下地電極（この場合には２次電極１７Ｂ）にはＡｎ、Ａ
見−９ｉを用いてもよく、Ｘ線を遮蔽して走査回路部を
保護するためにＮｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂなどの重金
属を用いてもよく、蒸着またはスパッタによって形成す
る。 １Ｂは本発明の特徴をなす光導電体層であッテ、
Ｘ線吸収能の高イＢｉ、２Ｇｅ０２゜、 Ｂ ｉ、□Ｓ
４０．。、 ＰｂＯ。 ＰｂＪ、Ｐｂ５ｅ、ＰｂＴｅなどを用いる。光導電体層
１Ｂは２次電極１７Ｂ上にスパッタ、蒸着によって形成
してもよく、また前述した光導電体の粒状結晶をポリビ
ニールカルバゾールなどの有機光導電体中に分散して塗
布して形成してもよい、さらにポリエステル溶液中にＺ
ｎＯ粉末のような電荷輸送助剤を含んだバインダ中に分
散させたものを塗布して形成することもできる。 前述した各種の光導電体の中でＢｉ１□ＧｅＯ□。はＸ
線のフォトキャリアへの変換効率が高く、厚さ１ｍｍで
はＸ１ｉｌの吸収率は約９０％である。 １８は絵素間のリークや混色などを防止するための絵素
分離層で、光導電体層１８にプラズマエツチングなどに
よって溝を形成し、その溝の中に５ｉ０２，５ｉ３Ｎａ
などの絶縁物をＣＶＤ法などによって形成し、またはポ
リイミドを光硬化法によって充填する。この絵素間分離
法としては、特願昭６０−１８４１５号記載の方法また
は走査回路の上面に素子の全面を覆う電極層を形成して
おいて、電極層上に堆積した光導電層に反応性イオンエ
ツチングで溝を形成し、しかる後電極層の溝の底部に当
る部分をエツチングして溝内に絶縁物を充填する方法を
用いてもよい、２０は透明電極で光導電体層１日、絵素
分離層！８の表面にＩＴＯなどをスパッタまたは蒸着し
たものである。 ２１は蛍光体層で、例えばＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ３など
を用いることができる。２２は絵素間の光反射層で、蛍
光体層２１にプラズマエツチングなどによって溝を設け
、例えばＴｉＯ２やＭｇＯをポリイミド中に分散させた
ものを充填し硬化させて形成することができる。２３は
光反射膜で、Ａ又、ＡＪＩ−Ｓｉなどの金属を蒸着また
はスパッタし、またはＴｉＯ２、ＭｇＯなどの顔料をポ
リイミドなどに分散した塗料を塗布して設けることがで
きる。このように各絵素単位の蛍光体層はその側面と上
面を光反射層２２．光反射膜２３で囲まれているので、
蛍光体層２１に入射した放射線によって、蛍光体層２１
で発生した光は絵素外へ出ることなく、同じ絵素の光導
電層１８に入る。蛍光体層は上述したようなマイクロセ
ル化したものが望ましいが、通常用いられている連続層
でもよい。 蛍光体層２１にＢａＦＢｒを用いた時の発光は３７０ｎ
ｍであり、またＣａ ＷＯ３の発光は４００ｎｍである
。一方、光導電層にＢｉ、１ＦＧｅＯ□。を用いると、
その吸収端は４５０ｎｍなので、これらの蛍光体層の発
光を十分吸収できる。さらにＢ１１２Ｇ８０２０は蛍光
体層２１で吸収されずに入射した放射線をも吸収する。 すなわち光導電層１８は、蛍光体層２１による光と、光
に変換されなかった入射放射線の双方をキャリアに変換
する。 蛍光体層２１および光導電層１８は厚い程変換効率がよ
いが、蛍光体層として３０〜３００ｐｍ程度、光導電層
として３ないし５０ルｍ程度の厚さがあればよい。蛍光
体層２１を設けることによって光導電層１８の厚さを薄
くすることができるので、光導電層１８にかける電界強
度を高めることができる。光反射層２２の深さは深い程
反射量が大きいが、蛍光体層２１の全層に及ぶ必要はな
く、蛍光体層の厚さの２１５以上あればよい、またその
幅は１ないし数Ｊｊ、ｍでよい。 第２図に本発明の他の実施例を示す、この実施例は走査
回路を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で構成した例である
０図において３１は非結晶質シリコン又は非結晶質水素
化シリコンからなるＴＰＴで３２はソース、３３はゲー
ト、３４はドレイン、３θは絶縁層であり、その他は第
１図に示した実施例と同じであるので説明を省略する。 厚い光導電層を蒸着で形成するには長時間を要するので
、光電層として、先に結晶からとりだしたものや、先に
溶解し薄板に整形するなどして作った光導電層上にＴＰ
Ｔを作りつけてもよい。 光導電体層１８を厚くすると、バイアス電圧を大きくす
る必要がある。 ＴＦＴの耐圧はＭＯＳより高いので、
走査回路をＴＰＴとすれば、光導電層１８の厚さをより
厚くすることができ、それだけＸ線から光への変換効率
を高くすることができる。 ［発明の効果コ 以上説明したように本発明においては、蛍光体層と光導
電性を積層させているので、放射線を効率よく電荷に変
換できる。また光電変換層の厚さを蛍光体層のない場合
にくらべて薄くでき、光導電層にかける電界強度を強く
することができるので、信号電荷の下地電極への補集効
率を上昇させることができる。
に光導電体層を積層し、さらにその上に蛍光体層を積層
してなることを特徴とする。また蛍光体層の蛍光波長が
前記光導電体層の吸収領域にあることを特徴とする。ま
た蛍光体層が絵素間分離され、かつ前記蛍光体層の上層
および絵素間分離層が光反射層からなることを特徴とす
る。 ［作 用］ 本発明においては、蛍光体層と光導電性を積層させてい
るので、放射線を効率よく電荷に変換できる。また光電
変換層の厚さを蛍光体層のない場合にくらべて薄くでき
、光導電層にかける電界強度を強くすることができるの
で、信号電荷の下地電極への補集効率を上昇させること
ができる。 ［実施例Ｊ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 第１図は走査回路をＷＯ９型とした本発明の実施例の断
面の概略図である。 図において１００は走査回路部、２００は光導電体部で
ある。１１はＳｉなどの半導体基板、１２はソース、１
３はゲート、１４はドレイン、１５は出力線である。１
６は５ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ、 、 りん化シリケー
トガラス、ポリイミドなどからなる絶縁層、１７Ｂは絵
素を区画する２次電極、１７Ａは２次電極とソースを゛
結ぶ１次電極で、１７Ａ 、 １７Ｂで下地電極を形成
する。なお、下地電極はこのように１次電極と２次電極
を分割しない形でもよい。 下地電極（この場合には２次電極１７Ｂ）にはＡｎ、Ａ
見−９ｉを用いてもよく、Ｘ線を遮蔽して走査回路部を
保護するためにＮｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂなどの重金
属を用いてもよく、蒸着またはスパッタによって形成す
る。 １Ｂは本発明の特徴をなす光導電体層であッテ、
Ｘ線吸収能の高イＢｉ、２Ｇｅ０２゜、 Ｂ ｉ、□Ｓ
４０．。、 ＰｂＯ。 ＰｂＪ、Ｐｂ５ｅ、ＰｂＴｅなどを用いる。光導電体層
１Ｂは２次電極１７Ｂ上にスパッタ、蒸着によって形成
してもよく、また前述した光導電体の粒状結晶をポリビ
ニールカルバゾールなどの有機光導電体中に分散して塗
布して形成してもよい、さらにポリエステル溶液中にＺ
ｎＯ粉末のような電荷輸送助剤を含んだバインダ中に分
散させたものを塗布して形成することもできる。 前述した各種の光導電体の中でＢｉ１□ＧｅＯ□。はＸ
線のフォトキャリアへの変換効率が高く、厚さ１ｍｍで
はＸ１ｉｌの吸収率は約９０％である。 １８は絵素間のリークや混色などを防止するための絵素
分離層で、光導電体層１８にプラズマエツチングなどに
よって溝を形成し、その溝の中に５ｉ０２，５ｉ３Ｎａ
などの絶縁物をＣＶＤ法などによって形成し、またはポ
リイミドを光硬化法によって充填する。この絵素間分離
法としては、特願昭６０−１８４１５号記載の方法また
は走査回路の上面に素子の全面を覆う電極層を形成して
おいて、電極層上に堆積した光導電層に反応性イオンエ
ツチングで溝を形成し、しかる後電極層の溝の底部に当
る部分をエツチングして溝内に絶縁物を充填する方法を
用いてもよい、２０は透明電極で光導電体層１日、絵素
分離層！８の表面にＩＴＯなどをスパッタまたは蒸着し
たものである。 ２１は蛍光体層で、例えばＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ３など
を用いることができる。２２は絵素間の光反射層で、蛍
光体層２１にプラズマエツチングなどによって溝を設け
、例えばＴｉＯ２やＭｇＯをポリイミド中に分散させた
ものを充填し硬化させて形成することができる。２３は
光反射膜で、Ａ又、ＡＪＩ−Ｓｉなどの金属を蒸着また
はスパッタし、またはＴｉＯ２、ＭｇＯなどの顔料をポ
リイミドなどに分散した塗料を塗布して設けることがで
きる。このように各絵素単位の蛍光体層はその側面と上
面を光反射層２２．光反射膜２３で囲まれているので、
蛍光体層２１に入射した放射線によって、蛍光体層２１
で発生した光は絵素外へ出ることなく、同じ絵素の光導
電層１８に入る。蛍光体層は上述したようなマイクロセ
ル化したものが望ましいが、通常用いられている連続層
でもよい。 蛍光体層２１にＢａＦＢｒを用いた時の発光は３７０ｎ
ｍであり、またＣａ ＷＯ３の発光は４００ｎｍである
。一方、光導電層にＢｉ、１ＦＧｅＯ□。を用いると、
その吸収端は４５０ｎｍなので、これらの蛍光体層の発
光を十分吸収できる。さらにＢ１１２Ｇ８０２０は蛍光
体層２１で吸収されずに入射した放射線をも吸収する。 すなわち光導電層１８は、蛍光体層２１による光と、光
に変換されなかった入射放射線の双方をキャリアに変換
する。 蛍光体層２１および光導電層１８は厚い程変換効率がよ
いが、蛍光体層として３０〜３００ｐｍ程度、光導電層
として３ないし５０ルｍ程度の厚さがあればよい。蛍光
体層２１を設けることによって光導電層１８の厚さを薄
くすることができるので、光導電層１８にかける電界強
度を高めることができる。光反射層２２の深さは深い程
反射量が大きいが、蛍光体層２１の全層に及ぶ必要はな
く、蛍光体層の厚さの２１５以上あればよい、またその
幅は１ないし数Ｊｊ、ｍでよい。 第２図に本発明の他の実施例を示す、この実施例は走査
回路を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で構成した例である
０図において３１は非結晶質シリコン又は非結晶質水素
化シリコンからなるＴＰＴで３２はソース、３３はゲー
ト、３４はドレイン、３θは絶縁層であり、その他は第
１図に示した実施例と同じであるので説明を省略する。 厚い光導電層を蒸着で形成するには長時間を要するので
、光電層として、先に結晶からとりだしたものや、先に
溶解し薄板に整形するなどして作った光導電層上にＴＰ
Ｔを作りつけてもよい。 光導電体層１８を厚くすると、バイアス電圧を大きくす
る必要がある。 ＴＦＴの耐圧はＭＯＳより高いので、
走査回路をＴＰＴとすれば、光導電層１８の厚さをより
厚くすることができ、それだけＸ線から光への変換効率
を高くすることができる。 ［発明の効果コ 以上説明したように本発明においては、蛍光体層と光導
電性を積層させているので、放射線を効率よく電荷に変
換できる。また光電変換層の厚さを蛍光体層のない場合
にくらべて薄くでき、光導電層にかける電界強度を強く
することができるので、信号電荷の下地電極への補集効
率を上昇させることができる。
第１図は本発明の実施例の断面の概要図、第２図は本発
明の他の実施例の断面の概要図、第３図は従来の放射線
固体撮像素子の断面図である。 １．１１・・・基板、２・・・光ダイオード、４・・・
蛍光体層、１７Ｂ・・・２次電極、 １Ｂ・・・光導電
体層、ｌθ・・・絵素分離層、２０・・・透明電極、２
１・・・蛍光体層、２２・・・光反射層、２３・・・光
反射膜、ｉｏｏ・・・走査回路部、２００・・・光導電
体部。 １１１図 第２図 第３図 手続補正書 昭和６１年２月１３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭１３０−２２８９０３号 ２、発明の名称 放射線用固体撮像素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 富士写真フィルム株式会社 ４、代理人 住所〒１０２ 東京都千代田区平河町２−５−２ メゾン平河３Ｆ 電話（０３）２３９−５７５０６、
補正の対象 明細書の「３、発明の詳細な説明」の欄７、補正の内容 １）明細書第６頁第１２行目ないし第１３行目の「例え
ばＢａＦＢｒｅＣａＷ０３などを用いることができる。 」を「例えばＣａＷＯ３などを用いることができる。用
いる蛍光体については特願昭８Ｏ−１７Ｅｉ３９４号を
参考にすることができる。」に訂正する。 ２）同第７頁第８行目の「でもよい、」の後に「マイク
ロセル化した蛍光体層については、特願昭８０−１７８
３９４号を参考にすることができる。」を加入する。 ３）同第７頁第９行目ないし第１Ｏ行目の「蛍光体層２
１にＢａＦＢｒを用いた時の９発光は３７０ｆｉｌｌ
テあり、またＧａＷＯ３の発光は４００ｍｍである。」
を「蛍光体層２１にＣａＷＯ３を用いた時の発光は４０
０ｎｍである。」に訂正する。 以 上
明の他の実施例の断面の概要図、第３図は従来の放射線
固体撮像素子の断面図である。 １．１１・・・基板、２・・・光ダイオード、４・・・
蛍光体層、１７Ｂ・・・２次電極、 １Ｂ・・・光導電
体層、ｌθ・・・絵素分離層、２０・・・透明電極、２
１・・・蛍光体層、２２・・・光反射層、２３・・・光
反射膜、ｉｏｏ・・・走査回路部、２００・・・光導電
体部。 １１１図 第２図 第３図 手続補正書 昭和６１年２月１３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭１３０−２２８９０３号 ２、発明の名称 放射線用固体撮像素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 富士写真フィルム株式会社 ４、代理人 住所〒１０２ 東京都千代田区平河町２−５−２ メゾン平河３Ｆ 電話（０３）２３９−５７５０６、
補正の対象 明細書の「３、発明の詳細な説明」の欄７、補正の内容 １）明細書第６頁第１２行目ないし第１３行目の「例え
ばＢａＦＢｒｅＣａＷ０３などを用いることができる。 」を「例えばＣａＷＯ３などを用いることができる。用
いる蛍光体については特願昭８Ｏ−１７Ｅｉ３９４号を
参考にすることができる。」に訂正する。 ２）同第７頁第８行目の「でもよい、」の後に「マイク
ロセル化した蛍光体層については、特願昭８０−１７８
３９４号を参考にすることができる。」を加入する。 ３）同第７頁第９行目ないし第１Ｏ行目の「蛍光体層２
１にＢａＦＢｒを用いた時の９発光は３７０ｆｉｌｌ
テあり、またＧａＷＯ３の発光は４００ｍｍである。」
を「蛍光体層２１にＣａＷＯ３を用いた時の発光は４０
０ｎｍである。」に訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）走査回路部の上に光導電体層を積層し、さらにその
上に蛍光体層を積層してなることを特徴とする放射線用
固体撮像素子。 ２）前記蛍光体層の蛍光波長が前記光導電体層の吸収領
域にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放射線用固体撮像素子。 ３）前記蛍光体層が絵素間分離され、かつ前記蛍光体層
の上層および絵素間分離層が光反射層からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の放射
線用固体撮像素子。 ４）前記走査回路部が薄膜トランジスタ回路で構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の放射線用固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226903A JPS6286857A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 放射線用固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226903A JPS6286857A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 放射線用固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286857A true JPS6286857A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16852400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226903A Pending JPS6286857A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 放射線用固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286857A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439579A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Toshiba Corp | X-ray detector |
| US6064069A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Solid state camera element |
| JP2003086827A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
| WO2004073067A1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and radiation image pickup device |
| JP2004265933A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| JP2009212377A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60226903A patent/JPS6286857A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439579A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Toshiba Corp | X-ray detector |
| US6064069A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Solid state camera element |
| JP2003086827A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
| WO2004073067A1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and radiation image pickup device |
| JP2004265933A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP2004265934A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| US7535506B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and radiation image pickup device suitable for use in a flat panel detector |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| US8154641B2 (en) | 2003-02-14 | 2012-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and radiation image pickup device |
| JP2009212377A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 |
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