JPS5956766A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS5956766A JPS5956766A JP57166562A JP16656282A JPS5956766A JP S5956766 A JPS5956766 A JP S5956766A JP 57166562 A JP57166562 A JP 57166562A JP 16656282 A JP16656282 A JP 16656282A JP S5956766 A JPS5956766 A JP S5956766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state image
- light
- image sensor
- photoconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の屈する技術分野]
この発明は固体撮像素子に関ずろ。特に分光感度414
件の異なる複数の光電変換部を有する固体撮像素子にn
+1する。すなわち、1ケの素子から波長感度領域の異
なる複数の画像情報を提供する固体撮像素子に関す7′
、。
件の異なる複数の光電変換部を有する固体撮像素子にn
+1する。すなわち、1ケの素子から波長感度領域の異
なる複数の画像情報を提供する固体撮像素子に関す7′
、。
[従来技術吉その問題へ]
固体撮像素子は従来の撮像管とくらべて小型軽fl)・
高信頼性のカメラが出来る利へかあり、残像が殆んどな
い良質の画像を提供する事ができる。
高信頼性のカメラが出来る利へかあり、残像が殆んどな
い良質の画像を提供する事ができる。
固体撮像素子の殆んどはSIウエノ・上に形成さiする
ため、その分光特性はSiが感度を有する可視領域を中
心に約1μm程度までの赤外部のみである。
ため、その分光特性はSiが感度を有する可視領域を中
心に約1μm程度までの赤外部のみである。
例えば4〜5μnの赤外部に感する固体撮像素子を得る
にはSlウェア+の代わりにIn5hウエノ・を用いる
必要がある。最近では、従来の81の固体撮像素子を走
査部と1−で使用し、その−ヒ部に設けた光導電体等に
て光電変換を行なう素子が提案されている0光導電体の
利料を変える事によりSlとは異な−た分光゛特性をも
つ固体撮像素子が得られる。
にはSlウェア+の代わりにIn5hウエノ・を用いる
必要がある。最近では、従来の81の固体撮像素子を走
査部と1−で使用し、その−ヒ部に設けた光導電体等に
て光電変換を行なう素子が提案されている0光導電体の
利料を変える事によりSlとは異な−た分光゛特性をも
つ固体撮像素子が得られる。
第1図は従来のSiウエノ・によるインターライン転送
形CCD固体撮像素子の断面図である。p形3i基板(
1)にn+の埋め込みチャネルCCDからなる垂直CC
D(2−Xl、b)と同じ<n+、)ホト ・ダイオー
ドに4−a、b)が形成される。図は素子σ)水平走査
方向にほぼ2画素分の断面をとった例であり、それぞれ
の画素にa、bの符号をつけて示す。垂直CCD (2
−a、b)の−+−,rs+sには転送用ゲート′亀(
へとなるポリSl電極(4a 、 b ) i)(%ろ
。これら、lミIJSじ梶湧−及び画素の分離用に5I
02膜などの絶縁膜(5)が全面を覆っている。さらに
垂直CCD (2−a、b)の上部を中心にホトダイオ
ード(:J、−a 、 l) )部にのみ光入射がある
ようにA、(l膜などの光ンールド膜(6−a、b)が
ある。被写体からの入射可視光(7−a、b)&:i:
ホトダイオード部に入り、光電変換により生成したキャ
リヤ(図では電子)にかわり、ホトダイオード部で一定
時間蓄積されたのち所定の信号読み出し手順により外部
へ信号表(〜で取り出される。光1]尤変換にlJi基
板中で行なわれるので、分光感度lIi性はSiホトダ
イオードの特性できまり可視から僅かに赤外までの領域
となる。
形CCD固体撮像素子の断面図である。p形3i基板(
1)にn+の埋め込みチャネルCCDからなる垂直CC
D(2−Xl、b)と同じ<n+、)ホト ・ダイオー
ドに4−a、b)が形成される。図は素子σ)水平走査
方向にほぼ2画素分の断面をとった例であり、それぞれ
の画素にa、bの符号をつけて示す。垂直CCD (2
−a、b)の−+−,rs+sには転送用ゲート′亀(
へとなるポリSl電極(4a 、 b ) i)(%ろ
。これら、lミIJSじ梶湧−及び画素の分離用に5I
02膜などの絶縁膜(5)が全面を覆っている。さらに
垂直CCD (2−a、b)の上部を中心にホトダイオ
ード(:J、−a 、 l) )部にのみ光入射がある
ようにA、(l膜などの光ンールド膜(6−a、b)が
ある。被写体からの入射可視光(7−a、b)&:i:
ホトダイオード部に入り、光電変換により生成したキャ
リヤ(図では電子)にかわり、ホトダイオード部で一定
時間蓄積されたのち所定の信号読み出し手順により外部
へ信号表(〜で取り出される。光1]尤変換にlJi基
板中で行なわれるので、分光感度lIi性はSiホトダ
イオードの特性できまり可視から僅かに赤外までの領域
となる。
第2図は光導電体と電荷転送形の固体走査素子を川み合
わせだ固体t1↓角:素子の断1i−+i図を示す。第
11:;lの例と同1.−. < pルニSす(板(1
)に11+の垂直c C1)(2−、l、)))が形成
さノし、同l:、 (nのダイオード部が形lシ、され
るが、第1図み異なりこの部分で光電変換は行なわれず
信号キャリヤを蓄積する役目をもつので蓄積ダイオード
(8−a、l))と名付ける。
わせだ固体t1↓角:素子の断1i−+i図を示す。第
11:;lの例と同1.−. < pルニSす(板(1
)に11+の垂直c C1)(2−、l、)))が形成
さノし、同l:、 (nのダイオード部が形lシ、され
るが、第1図み異なりこの部分で光電変換は行なわれず
信号キャリヤを蓄積する役目をもつので蓄積ダイオード
(8−a、l))と名付ける。
ボ1Jsi電極(4−;1.1))や絶縁膜(5)は第
一図とほぼ同1−措成であるが、絶縁膜(5)の一部を
エンチングにより除去し、蓄積ダイオード(B−a、h
)を露出させた上で、この上部に八4などの下部電極(
9−a。
一図とほぼ同1−措成であるが、絶縁膜(5)の一部を
エンチングにより除去し、蓄積ダイオード(B−a、h
)を露出させた上で、この上部に八4などの下部電極(
9−a。
1) ) jC形成し、さらに光導電体(10)と上部
に透明電(沢013−に形成する。被写体からの入射光
(12−a、b)はSI基板(1)にfd届かず、光導
電体(IQ)中で光電変換され生成されたキャリヤ((
ソ1では電子)を下部屯、極と蓄積ダイメートに一定時
間蓄積したのち、所定の信号読み出し手順により外部へ
信号として取り出される○光!毘変換は)′0導電体に
て行なわれるので、分光感度は光導電体の利料で決まイ
)。例えばI n 、(i i)形rを使え(・f4〜
57z+nの赤外感度が得られる。
に透明電(沢013−に形成する。被写体からの入射光
(12−a、b)はSI基板(1)にfd届かず、光導
電体(IQ)中で光電変換され生成されたキャリヤ((
ソ1では電子)を下部屯、極と蓄積ダイメートに一定時
間蓄積したのち、所定の信号読み出し手順により外部へ
信号として取り出される○光!毘変換は)′0導電体に
て行なわれるので、分光感度は光導電体の利料で決まイ
)。例えばI n 、(i i)形rを使え(・f4〜
57z+nの赤外感度が得られる。
第1(イ1や第2図の固体撮像素子を用いる吉、可視光
r虫や赤外光像がそれぞれイ8)られる。特定の被写体
について可視光像上赤外元値を同時に得だい場合には第
3図に示す如く被写体(13)に対して第1図の可視光
用同体撮像素子α、0を用いたカメラ(1勺により可視
光像をテレビ モニタ(16)に出画し、第2図の赤外
光用固体j]々1象素子(17)を用いたカメラ(喝に
より赤外光像をテレビ・モニタ09)に出画するのが従
来の撮像例である。この場合、固体撮像素子、カメラが
そノ1.ぞれ2抽)1゛(必要であり、かつ被写体を捕
えるカメラ・アングルが若干異なるという欠点が生ず7
、。
r虫や赤外光像がそれぞれイ8)られる。特定の被写体
について可視光像上赤外元値を同時に得だい場合には第
3図に示す如く被写体(13)に対して第1図の可視光
用同体撮像素子α、0を用いたカメラ(1勺により可視
光像をテレビ モニタ(16)に出画し、第2図の赤外
光用固体j]々1象素子(17)を用いたカメラ(喝に
より赤外光像をテレビ・モニタ09)に出画するのが従
来の撮像例である。この場合、固体撮像素子、カメラが
そノ1.ぞれ2抽)1゛(必要であり、かつ被写体を捕
えるカメラ・アングルが若干異なるという欠点が生ず7
、。
一方、第4図は第31り1のカメラ・アングルの欠点を
除くもので、例えばタイクロインク・ミラー(20)を
用いて可視光と赤外光を分R1tするカメラ(2υを用
意すれば良い。しかし、この場合には光軸に対して可視
光用固体撮像素子(1つと赤外光用固体振作素子(17
)を相互に正しいレジストレーションにて配置する配慮
が必要である。贋殊なダイクロイックミラーが必要であ
る小は勿論である。
除くもので、例えばタイクロインク・ミラー(20)を
用いて可視光と赤外光を分R1tするカメラ(2υを用
意すれば良い。しかし、この場合には光軸に対して可視
光用固体撮像素子(1つと赤外光用固体振作素子(17
)を相互に正しいレジストレーションにて配置する配慮
が必要である。贋殊なダイクロイックミラーが必要であ
る小は勿論である。
いずれの方法にても、固体撮像素子i、−P、2個必要
であり、それだれをg動する回路も2個必吸であるO [発明の目的[1 この発明は分光感度特性の異なる複数の光電変換部を有
する固体撮像素子を提供する事を目的とする。さらに、
本発明の新らしい固体撮像素子により、波長感度領域の
異なる複数の画像情報を簡単に11)る事を目的とする
。
であり、それだれをg動する回路も2個必吸であるO [発明の目的[1 この発明は分光感度特性の異なる複数の光電変換部を有
する固体撮像素子を提供する事を目的とする。さらに、
本発明の新らしい固体撮像素子により、波長感度領域の
異なる複数の画像情報を簡単に11)る事を目的とする
。
「発明の概要」
この発明は従来の固体撮像素子が有効画面全面にわたり
、3ヤー〇光電変換材料の構成となっているのに対して
、2種類又はそれ以上の種類の光電変換材料にて素子面
を分割して構成1−1その充電変換材料の種別ご吉の映
像情報を得て2種又はそれ以上の映像を得るものである
。例えば、垂直の奇数列の光電変換材料が基板のSLで
あり、偶数列の光電変換材料がI n S bであって
可視光と赤外光の映像情報が同時に唯一の素子から得ら
れる固体撮像素子である。
、3ヤー〇光電変換材料の構成となっているのに対して
、2種類又はそれ以上の種類の光電変換材料にて素子面
を分割して構成1−1その充電変換材料の種別ご吉の映
像情報を得て2種又はそれ以上の映像を得るものである
。例えば、垂直の奇数列の光電変換材料が基板のSLで
あり、偶数列の光電変換材料がI n S bであって
可視光と赤外光の映像情報が同時に唯一の素子から得ら
れる固体撮像素子である。
[発明の効果]
この発明により、従来のように復数個のカメラを必要と
せずに!J′?、なった種類の画像情報が唯一の固体撮
像素子を用いたカメラから得られる。被写体を1兆める
カメラ・アングルは画像情報の相違にかかわらず一定で
あり、分光特性の異なる複数画像のレジストレーション
も不要であり、被写体の複数の分光強度の位置や分布の
情報が精確に求められる。また、カメラが一個で良い事
から駆動用TiL源は一式ですむので、カメラ間の同期
調整も不要であり、消費エネルギーも少ない。!I¥に
、限られたスペースにカメラを設置する時には本発明の
同体撮像素子を用いたカメラは従来の?Q数台分のカメ
ラのスペースを必要とせず極めて有用である、し発明の
実施例」 1曲により本発明の実施例を説明す7.)。
せずに!J′?、なった種類の画像情報が唯一の固体撮
像素子を用いたカメラから得られる。被写体を1兆める
カメラ・アングルは画像情報の相違にかかわらず一定で
あり、分光特性の異なる複数画像のレジストレーション
も不要であり、被写体の複数の分光強度の位置や分布の
情報が精確に求められる。また、カメラが一個で良い事
から駆動用TiL源は一式ですむので、カメラ間の同期
調整も不要であり、消費エネルギーも少ない。!I¥に
、限られたスペースにカメラを設置する時には本発明の
同体撮像素子を用いたカメラは従来の?Q数台分のカメ
ラのスペースを必要とせず極めて有用である、し発明の
実施例」 1曲により本発明の実施例を説明す7.)。
2i¥5し1j1本発明による固体撮像素子の一実施例
の断面図を示す。p形Si基板(1)に計の埋め込みチ
ャネルCCI)からなる垂直CCI) (2−a、b
)と同1゛でnの蓄積ダイオード(8−a)(!:ホト
・ダイオード(:(−b )が形成される3、すなわち
、垂直方向に関して、図では2佇類の光電変換イA料と
なるように構成するもので、左f1すに(は光導電体の
光In変換部、右側は従来の姐ウェハ部の光電変換部と
する。このため転仏用のゲート電極となるポリSL電極
(4−,11,h)及び絶縁膜(5)を形成した後に蓄
積ダイオード(8−a)上の絶縁槽(5)の一部に穴明
けを行ないり、l・ンどの下部電極(9a)を隣接のホ
ト・ダイオード(3−h)上を除いて形成す為。1ξu
+−) <光導電体(+U)と透明電4”m Q、1
1をホト・ダイオードの上部を除いて形成する。
の断面図を示す。p形Si基板(1)に計の埋め込みチ
ャネルCCI)からなる垂直CCI) (2−a、b
)と同1゛でnの蓄積ダイオード(8−a)(!:ホト
・ダイオード(:(−b )が形成される3、すなわち
、垂直方向に関して、図では2佇類の光電変換イA料と
なるように構成するもので、左f1すに(は光導電体の
光In変換部、右側は従来の姐ウェハ部の光電変換部と
する。このため転仏用のゲート電極となるポリSL電極
(4−,11,h)及び絶縁膜(5)を形成した後に蓄
積ダイオード(8−a)上の絶縁槽(5)の一部に穴明
けを行ないり、l・ンどの下部電極(9a)を隣接のホ
ト・ダイオード(3−h)上を除いて形成す為。1ξu
+−) <光導電体(+U)と透明電4”m Q、1
1をホト・ダイオードの上部を除いて形成する。
第5図の固体撮像素子ではSIウニ・・基板に形成され
だホト・ダイオード(3−b )が入射光(7−b )
のうち主として可視光に対する分光感度を有し、光導電
体(10)に■n S l)を用いると入射光(12−
、])のうち主として4〜5μmの赤外光に対する分光
感度を有する。同図では下部電極(9−a)が垂直C0
D(2−a、b)の光シールド膜としての役割も果して
いる。なお、赤外光に感するlll5+)等を用いる時
は同体撮像素子全体を770になどの低温に冷却する事
が実際には必要になる。この場合、可視光用の81ウ工
ハ部で1−f、、低温にした事で分光感度は変化せず、
熱的なキャリヤの励起による暗電流が抑えられる利点が
生ずる。
だホト・ダイオード(3−b )が入射光(7−b )
のうち主として可視光に対する分光感度を有し、光導電
体(10)に■n S l)を用いると入射光(12−
、])のうち主として4〜5μmの赤外光に対する分光
感度を有する。同図では下部電極(9−a)が垂直C0
D(2−a、b)の光シールド膜としての役割も果して
いる。なお、赤外光に感するlll5+)等を用いる時
は同体撮像素子全体を770になどの低温に冷却する事
が実際には必要になる。この場合、可視光用の81ウ工
ハ部で1−f、、低温にした事で分光感度は変化せず、
熱的なキャリヤの励起による暗電流が抑えられる利点が
生ずる。
第6図は第5図の本発明の固体撮像素子を用いたカメラ
による撮像方法例を示す。被写体からの光は例えば可視
光・赤外光ともにほぼ同一の光路を経て第5図の構成の
固体撮像素子(2乃を用いたカメラ(2りに入る。得ら
れた信号はそれぞれ分光特性の情報に応じて信号弁別回
Ft8 a−11にて分離されて、テレビモニタ(]6
、19 )に入り、可視光像と赤外光源を表示する。
による撮像方法例を示す。被写体からの光は例えば可視
光・赤外光ともにほぼ同一の光路を経て第5図の構成の
固体撮像素子(2乃を用いたカメラ(2りに入る。得ら
れた信号はそれぞれ分光特性の情報に応じて信号弁別回
Ft8 a−11にて分離されて、テレビモニタ(]6
、19 )に入り、可視光像と赤外光源を表示する。
カメラ・アングルが同一と、なシ対応のつけやずい画1
象が得られる。なお信号弁別回路は固(イζ俸像素子の
チップ内また1jよりメラの内i′16に配置しても良
い。またテレビモニタは2セット使用しプこが、カラー
テレビモニタを1セント用意し、可視光像を緑、赤外光
像を赤にてそれぞれ回−画面上に表示する事もできる。
象が得られる。なお信号弁別回路は固(イζ俸像素子の
チップ内また1jよりメラの内i′16に配置しても良
い。またテレビモニタは2セット使用しプこが、カラー
テレビモニタを1セント用意し、可視光像を緑、赤外光
像を赤にてそれぞれ回−画面上に表示する事もできる。
第7図は1・“11休撮像素子を被写体側から眺めた場
合の素子のil“I成を示す。固体(jik I子素子
の垂直列の奇数列がT nS :1 ’、tどの光導電
体(12−a)で構成され偶数列が81ウエハのホト・
ダイオ−1−’(8−a)で構成された配置となり、列
毎に分光時(gtの異なる画像信号が水平CCDレジス
タ乏プリアンプ(2(i) ’c通して得られる。
合の素子のil“I成を示す。固体(jik I子素子
の垂直列の奇数列がT nS :1 ’、tどの光導電
体(12−a)で構成され偶数列が81ウエハのホト・
ダイオ−1−’(8−a)で構成された配置となり、列
毎に分光時(gtの異なる画像信号が水平CCDレジス
タ乏プリアンプ(2(i) ’c通して得られる。
E、、’(3図は他の配置の変形例であり、市松状に異
、tつた光電変換部が1′I?成された例である。第7
区1の例では)nShの赤外岱の情報は偶数列では得ら
れないが、t181ノ1では垂直解像度は犠件になるが
、偶数列の赤外情報が半分はイ(fられ全体(象として
補足できる信号となる利へかある。これらは赤外像のみ
ならず、可視光についても同様である。なお配置例につ
いては水平方向の行毎に異なるものでも良い。
、tつた光電変換部が1′I?成された例である。第7
区1の例では)nShの赤外岱の情報は偶数列では得ら
れないが、t181ノ1では垂直解像度は犠件になるが
、偶数列の赤外情報が半分はイ(fられ全体(象として
補足できる信号となる利へかある。これらは赤外像のみ
ならず、可視光についても同様である。なお配置例につ
いては水平方向の行毎に異なるものでも良い。
し他の実施例コ
一ヒ記実施例ではS1ウエハを基板として、その上部Q
て光導電体層を形成した。光導電体層は赤外用のみなら
ず、紫外用あるいはX線用も使える事は勿論である。
て光導電体層を形成した。光導電体層は赤外用のみなら
ず、紫外用あるいはX線用も使える事は勿論である。
第9図は紫外線像と可視光像用の固体撮像素子の他の実
施例を示す。AJr 1図の従来の固体撮像素子を形成
したr々、その一部のホト・ダイオード上に紫外線(2
7−a)に感じて可視領域の光を出す螢光体−を塗イ=
f I、た例であり、変僕し/ζ町視光をホト・ダイオ
ードで受ける。この構成にて可視像と紫外像の二種の画
像情報が得られる。
施例を示す。AJr 1図の従来の固体撮像素子を形成
したr々、その一部のホト・ダイオード上に紫外線(2
7−a)に感じて可視領域の光を出す螢光体−を塗イ=
f I、た例であり、変僕し/ζ町視光をホト・ダイオ
ードで受ける。この構成にて可視像と紫外像の二種の画
像情報が得られる。
なお紫外υ用螢光体(2alの代わりにX線用螢光体を
用いれば、X線像と可視像の二種の画像情報が得られる
。また、これに限らず、塗布する螢光休により各種の画
像情報が得られる事は自明である。
用いれば、X線像と可視像の二種の画像情報が得られる
。また、これに限らず、塗布する螢光休により各種の画
像情報が得られる事は自明である。
第10図は他の実施例を示す。裏面から照射して赤外像
と可視像を得る素子の例である。すなわちホト・ダイオ
ードの一部に白金シリサイドの金属ケ−トC!!I)を
形成し、このンヨノトキ・バリヤの赤外感度を利用し、
裏面から照射される赤外光(3θ−、+) の光TE
変換を行なう。他のホト・ダイオードは可視光用吉同様
であり、回し−Cg面照射の可視光(31−h)に感光
ずろ。なお、可視光の透過を良くするだめにSI基板を
薄くする必要がある。また、白金・ンリザイド部を赤外
光のみに感するキうに赤外フィルタ(3カを一部に設け
、垂直CCD部に余分な光が入らないように光シールド
θ鴫を設けてちる。なお、上部からの光が入らないよう
に全面に光/−ルド膜(6)を形成しである。この種の
固体撮像素子では白金シリサイドに限らず、All屯極
とS1間に形成されるショットキ・バリヤを用いる事も
出来る。
と可視像を得る素子の例である。すなわちホト・ダイオ
ードの一部に白金シリサイドの金属ケ−トC!!I)を
形成し、このンヨノトキ・バリヤの赤外感度を利用し、
裏面から照射される赤外光(3θ−、+) の光TE
変換を行なう。他のホト・ダイオードは可視光用吉同様
であり、回し−Cg面照射の可視光(31−h)に感光
ずろ。なお、可視光の透過を良くするだめにSI基板を
薄くする必要がある。また、白金・ンリザイド部を赤外
光のみに感するキうに赤外フィルタ(3カを一部に設け
、垂直CCD部に余分な光が入らないように光シールド
θ鴫を設けてちる。なお、上部からの光が入らないよう
に全面に光/−ルド膜(6)を形成しである。この種の
固体撮像素子では白金シリサイドに限らず、All屯極
とS1間に形成されるショットキ・バリヤを用いる事も
出来る。
さらに赤外光用として、Stウニ・・中にzn、Tl。
IX、OAなどを、1択的に拡散して、この不純物準位
からの励起による赤外センサがある。拡散する部分を第
7図や第8図のように場所的に選べば赤外光像と可視光
俊の2種類の画像情報が得られる。
からの励起による赤外センサがある。拡散する部分を第
7図や第8図のように場所的に選べば赤外光像と可視光
俊の2種類の画像情報が得られる。
上記実施例ではSL基板を中心に、これに光導電体層表
してInSbの例を主として述べたが、JnSbに限ら
ず赤外用でちればPb8 、 Pb5e 、 Pb’r
e 、 Pb8nTe 。
してInSbの例を主として述べたが、JnSbに限ら
ず赤外用でちればPb8 、 Pb5e 、 Pb’r
e 、 Pb8nTe 。
■nAs5b p CdHg’reが応用できる。マた
、逆にTnSb基板を用いたモノリシック赤外センサ上
の一部に可視光に感度があるa −Si 、Sb2S3
.PbO,CdSe、Se −AS −Te 、ZnC
d’J”e系などの光導電体をのせだ固体撮像素子でも
良い事は勿論である。
、逆にTnSb基板を用いたモノリシック赤外センサ上
の一部に可視光に感度があるa −Si 、Sb2S3
.PbO,CdSe、Se −AS −Te 、ZnC
d’J”e系などの光導電体をのせだ固体撮像素子でも
良い事は勿論である。
さらに、第5図の赤外光用と第9し1の紫外光用の組み
合わせや赤外とX線、紫外とX線などの分光感度特性を
もった固体撮像素子が考えられる。
合わせや赤外とX線、紫外とX線などの分光感度特性を
もった固体撮像素子が考えられる。
また光導電体からなる光電変換部の構成にて、下部電極
−光導電体−透明電極といわば縦方向の伝導を用いたが
、これに限らず特開昭56−89174にあるような、
いわゆる横方向伝導型の固体撮像素子にも適用できる。
−光導電体−透明電極といわば縦方向の伝導を用いたが
、これに限らず特開昭56−89174にあるような、
いわゆる横方向伝導型の固体撮像素子にも適用できる。
なお、上記例では2種炉の分光感度特性について述べた
が、これに限らず3種類のものでも良い事は勿論である
。画像の解像度が得られる範囲内で複数以上の分光感度
特性をもつ固体撮像素子を得ても[1い。
が、これに限らず3種類のものでも良い事は勿論である
。画像の解像度が得られる範囲内で複数以上の分光感度
特性をもつ固体撮像素子を得ても[1い。
固体撮像素子では画素が分離されてt′旬戊され、かつ
その信号出力が画素位置に見合って正しい時間系列で現
われる事が本発明の新しい固体撮像素子を可能にしてい
る。
その信号出力が画素位置に見合って正しい時間系列で現
われる事が本発明の新しい固体撮像素子を可能にしてい
る。
実施例では固体撮像素子としてインターライン転送形C
CDにで説明したが、MOS形、CPD形CID杉の固
体撮像素子やフレーム転送形CC1)の固体撮像素子に
も適用できる。まだ二次元のみならず一次元センサにも
適用できる。
CDにで説明したが、MOS形、CPD形CID杉の固
体撮像素子やフレーム転送形CC1)の固体撮像素子に
も適用できる。まだ二次元のみならず一次元センサにも
適用できる。
第1図はインターライン転送形CCT)断ili図、イ
52図は光導「11休吉戊荷転送形の固体走査素子を組
み合わすた固体(@像素子の断面図、;@ 3 [−<
lと第4図は従来の固体撮像素子を用いた撮r印方法を
示す[すl、第5図e土本発明に係る固体撮像素子の一
実施例の断面図、第61ン1は本発明の固体撮像素子(
(よる撮像方法を示す図、1117図及び第8図は木兄
DJJの固体撮像素子の分光感度特fVの異なる光電変
示す図でちる。 ■・・・p形Si糸板、2−a 、 b−@直CCD、
3− a 、 +1・・・ホト ・ダイヤード、4−a
、b・・・ポリ81η帽祇、5・・・絶縁11L 6
−a、b・・光シールドrl”¥、7−a、b・・入射
光、8 a、I)・蓄積ダイポード、9−a、b 下
74B電イベ、10−・・光導電体、11・・・透明電
極、12−a、b・入射光、13・・彼写体、14・・
・可視光用固体撮像素子、J5・・カメラ、16・・・
テレビ・モニタ、17・・・赤外尤用固(1り撮像素子
、I8・カメラ、」9・・・テレビ・モニタ。 20 ・ダイクロイック・ミラー、21・・カメラ、
22・・固体撮像素子、n・カメラ、 ツー・・信号弁別回路、25・・水子CCI)レジスタ
、26・・・フリアノフ、27−a・・紫外、線、謔・
・螢光体、29−・白金ソリサイド、30−a・・赤外
光、31−b・・可視光、+2・・・赤外フィルタ1.
33・九/−ルド。 第 1 図 第 2 図 / l−(:l 3−(l r−5ご−ひ
第 3 図 第 4 図 第 5 図 第 7 図 第 8 図
52図は光導「11休吉戊荷転送形の固体走査素子を組
み合わすた固体(@像素子の断面図、;@ 3 [−<
lと第4図は従来の固体撮像素子を用いた撮r印方法を
示す[すl、第5図e土本発明に係る固体撮像素子の一
実施例の断面図、第61ン1は本発明の固体撮像素子(
(よる撮像方法を示す図、1117図及び第8図は木兄
DJJの固体撮像素子の分光感度特fVの異なる光電変
示す図でちる。 ■・・・p形Si糸板、2−a 、 b−@直CCD、
3− a 、 +1・・・ホト ・ダイヤード、4−a
、b・・・ポリ81η帽祇、5・・・絶縁11L 6
−a、b・・光シールドrl”¥、7−a、b・・入射
光、8 a、I)・蓄積ダイポード、9−a、b 下
74B電イベ、10−・・光導電体、11・・・透明電
極、12−a、b・入射光、13・・彼写体、14・・
・可視光用固体撮像素子、J5・・カメラ、16・・・
テレビ・モニタ、17・・・赤外尤用固(1り撮像素子
、I8・カメラ、」9・・・テレビ・モニタ。 20 ・ダイクロイック・ミラー、21・・カメラ、
22・・固体撮像素子、n・カメラ、 ツー・・信号弁別回路、25・・水子CCI)レジスタ
、26・・・フリアノフ、27−a・・紫外、線、謔・
・螢光体、29−・白金ソリサイド、30−a・・赤外
光、31−b・・可視光、+2・・・赤外フィルタ1.
33・九/−ルド。 第 1 図 第 2 図 / l−(:l 3−(l r−5ご−ひ
第 3 図 第 4 図 第 5 図 第 7 図 第 8 図
Claims (1)
- 同一の被写体から複数の画像情報をイυる固体撮像素子
において、該固体撮像素子の光′社変換部が列または行
の縞状画素群あるいは市松状の画素群の配置表なるよう
に異なった分光感度特性の光電変換材料により措成され
ている事を特徴上する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57166562A JPS5956766A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57166562A JPS5956766A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5956766A true JPS5956766A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15833559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57166562A Pending JPS5956766A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5956766A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59225564A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JPS6018073A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPS62299067A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Nec Corp | 赤外線検出装置 |
JPS6413734U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
WO1999000848A1 (de) * | 1997-06-25 | 1999-01-07 | Boehm Markus | Hybride tfa-sensoren mit strahlungssensitiven asic-bauelementen |
US6064069A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Solid state camera element |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2012070005A (ja) * | 2011-12-22 | 2012-04-05 | Renesas Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57166562A patent/JPS5956766A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59225564A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JPH0259630B2 (ja) * | 1983-06-06 | 1990-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPS6018073A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPS62299067A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Nec Corp | 赤外線検出装置 |
JPS6413734U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
US6064069A (en) * | 1996-11-18 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Solid state camera element |
WO1999000848A1 (de) * | 1997-06-25 | 1999-01-07 | Boehm Markus | Hybride tfa-sensoren mit strahlungssensitiven asic-bauelementen |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
US9159759B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-10-13 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
JP2012070005A (ja) * | 2011-12-22 | 2012-04-05 | Renesas Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11776978B2 (en) | Solid-state image pickup device and electronic apparatus having a separation wall between the first photodiode and the second photodiode | |
KR100830587B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 표시 방법 | |
US10192920B2 (en) | Solid-state imaging device | |
US8476573B2 (en) | Photoelectric conversion film-stacked type solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
US20170162615A1 (en) | Image pickup apparatus having photoelectric conversion function | |
US20110233707A1 (en) | Solid-state image pickup element, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US20060119724A1 (en) | Imaging device, signal processing method on solid-state imaging element, digital camera and controlling method therefor and color image data generating method | |
US4040092A (en) | Smear reduction in ccd imagers | |
US9287302B2 (en) | Solid-state imaging device | |
KR20090066227A (ko) | 고체 촬상 장치 및 카메라 | |
US20090045415A1 (en) | Backside-illuminated imaging device | |
US7164444B1 (en) | Vertical color filter detector group with highlight detector | |
JPS5956766A (ja) | 固体撮像素子 | |
CN104170088B (zh) | 固态成像设备和电子装置 | |
US20050104989A1 (en) | Dual-type solid state color image pickup apparatus and digital camera | |
JP2021114538A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
US20130300902A1 (en) | Color image sensor pixel array | |
JPH05175471A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2016009739A (ja) | 撮像素子、電子機器 | |
JP2006210497A (ja) | 光電変換層積層型固体撮像素子及びその信号補正方法 | |
JPH06104418A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS62206878A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH04218965A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS5969964A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2674524B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 |