JPS59225564A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS59225564A JPS59225564A JP58101992A JP10199283A JPS59225564A JP S59225564 A JPS59225564 A JP S59225564A JP 58101992 A JP58101992 A JP 58101992A JP 10199283 A JP10199283 A JP 10199283A JP S59225564 A JPS59225564 A JP S59225564A
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- light
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14875—Infrared CCD or CID imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像装置に係り、特にその受光部構造の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
第１図は従来の固体撮像装置の構成を示すブロック図で
、（１）は電荷転送素子（ＣＯＤ）で構成された受光部
、（２）はＣＯＤで構成され受光部（１）と同じ素子数
をもち遮光された蓄積部、（３）はＣＯＤで構成された
読出しレジスタ、（４）はＭＯＳ）ランジスタ（ＭＯ８
Ｔ）で構成された出力部である。
、（１）は電荷転送素子（ＣＯＤ）で構成された受光部
、（２）はＣＯＤで構成され受光部（１）と同じ素子数
をもち遮光された蓄積部、（３）はＣＯＤで構成された
読出しレジスタ、（４）はＭＯＳ）ランジスタ（ＭＯ８
Ｔ）で構成された出力部である。
この従来例では、受光部（１）のＣＯＤに可視光が照
□射されると、ＣＯＤの電極に印加されている電
圧によって光像に対応した電荷パターンが受光部（１）
Ｋ生成される。受光部（１）はＣＯＤで構成されている
ので、一定の時間の受光後、電荷転送によって上記電荷
パターンを一斉に受光部（１）から蓄積部（２）に転送
する。この電荷転送が終了すると、受光部（１）は再び
可視光による電荷の集積を開始する。蓄積部（２）の全
電荷パターンは１ラインずつ読出しレジスタ（３）で水
平方向に転送され、出力部（４）からビデオ信号として
送り出される。蓄積部（２）にあった全信号電荷がビデ
オ記号として読み出されると、再び受光部（１）から蓄
積部（２）への電荷転送が始まり、以上の動作がくシ返
される。
□射されると、ＣＯＤの電極に印加されている電
圧によって光像に対応した電荷パターンが受光部（１）
Ｋ生成される。受光部（１）はＣＯＤで構成されている
ので、一定の時間の受光後、電荷転送によって上記電荷
パターンを一斉に受光部（１）から蓄積部（２）に転送
する。この電荷転送が終了すると、受光部（１）は再び
可視光による電荷の集積を開始する。蓄積部（２）の全
電荷パターンは１ラインずつ読出しレジスタ（３）で水
平方向に転送され、出力部（４）からビデオ信号として
送り出される。蓄積部（２）にあった全信号電荷がビデ
オ記号として読み出されると、再び受光部（１）から蓄
積部（２）への電荷転送が始まり、以上の動作がくシ返
される。
従来の固体撮像装置は以上のように構成されているので
、受光部（１）Ｋおける光吸収は半導体基板の表面付近
における半導体基板の価電子帯から伝導帯への遷移によ
っておこる。このエネルギーφギャップは半導体（例え
ばシ、リコン）では可視光のエネルギー領域となるので
、可視光に対する吸収しか検出できず、赤外線のように
エネルギーの低い光は検出されない。従って、可視光と
赤外線との撮像をしようとすると、それぞれ別個の撮像
装置を準備する必要があシ、多くの費用を要していた。
、受光部（１）Ｋおける光吸収は半導体基板の表面付近
における半導体基板の価電子帯から伝導帯への遷移によ
っておこる。このエネルギーφギャップは半導体（例え
ばシ、リコン）では可視光のエネルギー領域となるので
、可視光に対する吸収しか検出できず、赤外線のように
エネルギーの低い光は検出されない。従って、可視光と
赤外線との撮像をしようとすると、それぞれ別個の撮像
装置を準備する必要があシ、多くの費用を要していた。
−〔発明の概要〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、受
光部に赤外線検出器をも併設することによって、可視光
にも赤外線にも撮像可能な固体撮□。
光部に赤外線検出器をも併設することによって、可視光
にも赤外線にも撮像可能な固体撮□。
像装置を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示すブロック図で
、第１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その説
明はｆｆ１Ｑを避ける。図において、（５）は赤外線検
出器、（６）は赤外線によって肇生じた電荷を受光部（
１）のＣＯＤに移すためのトランス７アゲートである。
、第１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その説
明はｆｆ１Ｑを避ける。図において、（５）は赤外線検
出器、（６）は赤外線によって肇生じた電荷を受光部（
１）のＣＯＤに移すためのトランス７アゲートである。
この実施例においては、可視光で用いるときには、トラ
ンスファゲート（５）をオフ（ＯＦＦ）状態にして、赤
外光検出器（５）と受光部（１）とを切り離す。この状
態では第１図の従来例と全く同様の動作をし、受光部（
１）のＣＯＤに可視光が照射されると、ＣＯＤの電極に
印加される電圧によって、光像に対応した電荷パターン
が生成される。以下、従来例で説明した通り、蓄積部（
２）及び読出しレジスタ（３）を経て出力部（４）から
ビデオ信号として取り出される。
ンスファゲート（５）をオフ（ＯＦＦ）状態にして、赤
外光検出器（５）と受光部（１）とを切り離す。この状
態では第１図の従来例と全く同様の動作をし、受光部（
１）のＣＯＤに可視光が照射されると、ＣＯＤの電極に
印加される電圧によって、光像に対応した電荷パターン
が生成される。以下、従来例で説明した通り、蓄積部（
２）及び読出しレジスタ（３）を経て出力部（４）から
ビデオ信号として取り出される。
次に、との撮像装置に赤外線が照射された場合、受光部
（１）のＣＯＤを構成する半導体基板のエネルギー・ギ
ャップは赤外線のエネルギーより大きいので、受光部（
１）での赤外線の吸収は起こらない。しかし、赤外線は
赤外線検出器（５）によって吸収され光像に対応した電
荷パターンが赤外線検出器（５）群に生成される。一定
時間の受光の後、トランスファ・ゲート（６）をオン（
ＯＮ）状態にして、受光部（１）のＣＯＤに赤外線検出
器（５）で生成された電荷を移九以下可視光の場合と同
様にして、蓄積部（２）及び読出しレジスタ（３）を経
て出力部（４）からビデオ信号として取り出される。勿
論、この場合も赤外線検出器（５）の電荷が受光部（１
）へ移された後は、赤外線検出器（５）は再び赤外線に
よる電荷の蓄積を開始する。
（１）のＣＯＤを構成する半導体基板のエネルギー・ギ
ャップは赤外線のエネルギーより大きいので、受光部（
１）での赤外線の吸収は起こらない。しかし、赤外線は
赤外線検出器（５）によって吸収され光像に対応した電
荷パターンが赤外線検出器（５）群に生成される。一定
時間の受光の後、トランスファ・ゲート（６）をオン（
ＯＮ）状態にして、受光部（１）のＣＯＤに赤外線検出
器（５）で生成された電荷を移九以下可視光の場合と同
様にして、蓄積部（２）及び読出しレジスタ（３）を経
て出力部（４）からビデオ信号として取り出される。勿
論、この場合も赤外線検出器（５）の電荷が受光部（１
）へ移された後は、赤外線検出器（５）は再び赤外線に
よる電荷の蓄積を開始する。
以上の動作がくシ返されて撮像動作が行なわれる。
′〔発明の効果〕
以上説□明したように１この発明になる固体撮像装置で
は可視光を吸収して可視光に対応した電荷を生成するＣ
ＯＤからなる受光部の他に赤外線検出器を設け、赤外線
によって生成された電荷の転送を上記受光部のＣＯＤを
介して行うようにしたので、半・導体チップ面積におい
て苛視光専用のものと大差ない大きさで、可視光、赤外
線共用の固体撮像装置が得られる。
は可視光を吸収して可視光に対応した電荷を生成するＣ
ＯＤからなる受光部の他に赤外線検出器を設け、赤外線
によって生成された電荷の転送を上記受光部のＣＯＤを
介して行うようにしたので、半・導体チップ面積におい
て苛視光専用のものと大差ない大きさで、可視光、赤外
線共用の固体撮像装置が得られる。
第１図は従来の固体撮像装置ｄのブロック構成図、第２
図はこの発明の一実施例のブロック構成図である。 図において、（１）は受光部、（２）は蓄積部、（３）
は読出しレジスタ、（４）は出力部、（５）は赤外線検
出器、（６）はトランス７アゲートである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１１図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５８−１０１９９２号２、
発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 つ対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 〕内容 をっぎのとおり計重する。 □ □ １
図はこの発明の一実施例のブロック構成図である。 図において、（１）は受光部、（２）は蓄積部、（３）
は読出しレジスタ、（４）は出力部、（５）は赤外線検
出器、（６）はトランス７アゲートである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１１図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５８−１０１９９２号２、
発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 つ対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 〕内容 をっぎのとおり計重する。 □ □ １
Claims (3)
- （１）同一半導体基板上に受光部、蓄積部及び読出しレ
ジスタ部を有するフレーム転送方式の固体撮像装置にお
いて、上記受光部の可視光検出手段の・他に赤外線検出
器を備えたことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）受光部、蓄積部及び読出しレジスタ部がいずれも
電荷移送素子で構成されたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の固体撮像装置。 - （３）赤外線検出器の出力は受光部を通じて蓄積部へ導
入されるようＫなされたことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記・載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101992A JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101992A JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225564A true JPS59225564A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0259630B2 JPH0259630B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14315322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101992A Granted JPS59225564A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225564A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256369A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Nec Corp | 赤外線センサ |
| EP0605898A1 (en) * | 1993-01-01 | 1994-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
| US5648653A (en) * | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956766A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58101992A patent/JPS59225564A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956766A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256369A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Nec Corp | 赤外線センサ |
| EP0605898A1 (en) * | 1993-01-01 | 1994-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
| US5453611A (en) * | 1993-01-01 | 1995-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip |
| EP0809298A1 (en) * | 1993-01-01 | 1997-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
| US5801373A (en) * | 1993-01-01 | 1998-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device having a plurality of photoelectric conversion elements on a common substrate |
| US5648653A (en) * | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259630B2 (ja) | 1990-12-13 |
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