JPH05235317A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH05235317A JPH05235317A JP3069405A JP6940591A JPH05235317A JP H05235317 A JPH05235317 A JP H05235317A JP 3069405 A JP3069405 A JP 3069405A JP 6940591 A JP6940591 A JP 6940591A JP H05235317 A JPH05235317 A JP H05235317A
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- JP
- Japan
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- type
- photodiode
- solid
- state image
- image pickup
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 量子効率が高く、残像や固定パターンノイズ
が少ないという優れた特性を有し、かつ感度も高い固体
撮像素子を提供する。 【構成】 固体撮像素子の画素単位は、埋込フォトダイ
オード（Ｎ型ウエル領域，Ｐ型フォトダイオード領域，
Ｎ型拡散領域７，Ｎ型半導体層，Ｐ型半導体基板）を備
えた光電変換領域２０と、増幅用のＭＯＳ・ＳＩＴ（Ｎ
型ソース領域３，ゲート電極９，Ｎ型ドレイン領域４）
を備えた信号読み出し部３０を有し、光電変換領域２０
と信号読み出し部３０の間には転送ゲート１０が設けら
れている。
が少ないという優れた特性を有し、かつ感度も高い固体
撮像素子を提供する。 【構成】 固体撮像素子の画素単位は、埋込フォトダイ
オード（Ｎ型ウエル領域，Ｐ型フォトダイオード領域，
Ｎ型拡散領域７，Ｎ型半導体層，Ｐ型半導体基板）を備
えた光電変換領域２０と、増幅用のＭＯＳ・ＳＩＴ（Ｎ
型ソース領域３，ゲート電極９，Ｎ型ドレイン領域４）
を備えた信号読み出し部３０を有し、光電変換領域２０
と信号読み出し部３０の間には転送ゲート１０が設けら
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型の固体撮像素子
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像素子は、ＣＣＤ型撮像素
子と増幅型撮像素子とに大別される。ＣＣＤ型撮像素子
の単位画素は、入射光を信号電荷に変換するための光電
変換部としての埋込フォトダイオード（以下ＢＰＤと略
称する）と、信号電荷を転送して読み出すための転送部
とから構成されている。ＢＰＤは、ＰＮ接合領域上に反
対導電型（Ｐ型フォトダイオードであればＮ型、Ｎ型フ
ォトダイオードであればＰ型）の浅い拡散領域が設けら
れた構造をなしている。
子と増幅型撮像素子とに大別される。ＣＣＤ型撮像素子
の単位画素は、入射光を信号電荷に変換するための光電
変換部としての埋込フォトダイオード（以下ＢＰＤと略
称する）と、信号電荷を転送して読み出すための転送部
とから構成されている。ＢＰＤは、ＰＮ接合領域上に反
対導電型（Ｐ型フォトダイオードであればＮ型、Ｎ型フ
ォトダイオードであればＰ型）の浅い拡散領域が設けら
れた構造をなしている。
【０００３】一方、増幅型固体撮像素子の単位画素は、
ＭＯＳ型静電誘導トランジスタ（以下ＭＯＳ・ＳＩＴと
略称する）、接合型電界効果トランジスタ（以下Ｊ・Ｆ
ＥＴと略称する）、バイポーラトランジスタなどのトラ
ンジスタからなり、光電変換部は各トランジスタの構成
要素の一部であるＭＯＳダイオード、ＰＮ接合ダイオー
ドで構成されていた。
ＭＯＳ型静電誘導トランジスタ（以下ＭＯＳ・ＳＩＴと
略称する）、接合型電界効果トランジスタ（以下Ｊ・Ｆ
ＥＴと略称する）、バイポーラトランジスタなどのトラ
ンジスタからなり、光電変換部は各トランジスタの構成
要素の一部であるＭＯＳダイオード、ＰＮ接合ダイオー
ドで構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の固体撮像素子においては次のような問題点があっ
た。まず、ＣＣＤ型撮像素子は、光電変換部に埋込フォ
トダイオードを備えているので、１．量子効率が高い。
２．残像が少ない。３．暗電流が小さく、暗電流のばら
つきによる固定パターンノイズ（以下ＦＰＮという）が
小さい。という長所をもつが、個々の画素単位で信号電
荷が増幅されずに転送されるため増幅型撮像素子に比べ
て感度が低いという問題がある。
従来の固体撮像素子においては次のような問題点があっ
た。まず、ＣＣＤ型撮像素子は、光電変換部に埋込フォ
トダイオードを備えているので、１．量子効率が高い。
２．残像が少ない。３．暗電流が小さく、暗電流のばら
つきによる固定パターンノイズ（以下ＦＰＮという）が
小さい。という長所をもつが、個々の画素単位で信号電
荷が増幅されずに転送されるため増幅型撮像素子に比べ
て感度が低いという問題がある。
【０００５】一方、増幅型撮像素子においては、増幅型
トランジスタの構成要素の一部であるダイオードで光電
変換が行なわれるため、光電変換用の埋込フォトダイオ
ードを備えるＣＣＤ型撮像素子のような優れた光電変換
特性が得られない。例えば、ＭＯＳダイオードでは、ゲ
ート電極となるポリシリコン層の透過率が低いことから
量子効率が小さくなってしまう上、表面リーク電流が大
きいという欠点があり、ＦＰＮが大きくなってしまうこ
とが問題となっている。また、ＰＮ接合ダイオードで
は、そのリセット動作が不完全であるために残像が発生
してしまう。この残像を減らそうとして、フォトダイオ
ード領域を低濃度化し、完全なリセット動作を実現しよ
うとすると、今度は表面リーク電流が大きくなってしま
うという不都合が生じる。
トランジスタの構成要素の一部であるダイオードで光電
変換が行なわれるため、光電変換用の埋込フォトダイオ
ードを備えるＣＣＤ型撮像素子のような優れた光電変換
特性が得られない。例えば、ＭＯＳダイオードでは、ゲ
ート電極となるポリシリコン層の透過率が低いことから
量子効率が小さくなってしまう上、表面リーク電流が大
きいという欠点があり、ＦＰＮが大きくなってしまうこ
とが問題となっている。また、ＰＮ接合ダイオードで
は、そのリセット動作が不完全であるために残像が発生
してしまう。この残像を減らそうとして、フォトダイオ
ード領域を低濃度化し、完全なリセット動作を実現しよ
うとすると、今度は表面リーク電流が大きくなってしま
うという不都合が生じる。
【０００６】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、量子効率が高く、残像やＦＰＮが少ない固体
撮像素子であって、かつ、感度も高い固体撮像素子を提
供することを目的とするものである。
のであり、量子効率が高く、残像やＦＰＮが少ない固体
撮像素子であって、かつ、感度も高い固体撮像素子を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換部
と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す信号読
み出し部とを有してなり、上記の課題を達成するため
に、前記光電変換部にフォトダイオードを有するととも
に、前記信号読み出し部に前記信号電荷を増幅するため
の増幅用トラランジスタを有し、かつ、前記フォトダイ
オードで発生した信号電荷を前記増幅用トランジスタに
転送する転送手段を備えたものである。
は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換部
と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す信号読
み出し部とを有してなり、上記の課題を達成するため
に、前記光電変換部にフォトダイオードを有するととも
に、前記信号読み出し部に前記信号電荷を増幅するため
の増幅用トラランジスタを有し、かつ、前記フォトダイ
オードで発生した信号電荷を前記増幅用トランジスタに
転送する転送手段を備えたものである。
【０００８】本発明において、光電変換部に設けられる
フォトダイオードは、具体的には埋込フォトダイオード
であることが好ましい。
フォトダイオードは、具体的には埋込フォトダイオード
であることが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明の固体撮像素子においては、増幅型トラ
ンジスタの構成要素の一部であるダイオードで光電変換
を行なうのではなく、光電変換部に専用のフォトダイオ
ード（好ましくは埋込フォトダイオード）が設けられて
いるので、１．量子効率が高い。２．残像が少ない。
３．暗電流によるＦＰＮが小さい。という優れた特性を
有する。
ンジスタの構成要素の一部であるダイオードで光電変換
を行なうのではなく、光電変換部に専用のフォトダイオ
ード（好ましくは埋込フォトダイオード）が設けられて
いるので、１．量子効率が高い。２．残像が少ない。
３．暗電流によるＦＰＮが小さい。という優れた特性を
有する。
【００１０】また、フォトダイオードで発生した信号電
荷は、転送手段によって信号読み出し部に設けられた増
幅用のトランジスタに送られ、個々の画素単位毎に増幅
されてから読み出されるため、高い感度が確保される。
荷は、転送手段によって信号読み出し部に設けられた増
幅用のトランジスタに送られ、個々の画素単位毎に増幅
されてから読み出されるため、高い感度が確保される。
【００１１】
【実施例】図１(a) は本発明実施例による固体撮像素子
の模式的な平面図、図１(b) は図１(a) の固体撮像素子
のＡＡ’断面図である。図１(a) では、便宜上、Ａｌ膜
１３を除去してソース電極８より下方を示し、各領域と
も実線で示す。
の模式的な平面図、図１(b) は図１(a) の固体撮像素子
のＡＡ’断面図である。図１(a) では、便宜上、Ａｌ膜
１３を除去してソース電極８より下方を示し、各領域と
も実線で示す。
【００１２】まず、図１(a) において、固体撮像素子の
単位画素は、埋込フォトダイオードを備えた光電変換部
２０、転送ゲート１０、ＭＯＳ・ＳＩＴを備えた信号読
み出し部３０から構成されており、Ｌ字形に設けられた
光電変換部２０と正方形状の信号読み出し部３０は、転
送ゲート１０で接続されている。
単位画素は、埋込フォトダイオードを備えた光電変換部
２０、転送ゲート１０、ＭＯＳ・ＳＩＴを備えた信号読
み出し部３０から構成されており、Ｌ字形に設けられた
光電変換部２０と正方形状の信号読み出し部３０は、転
送ゲート１０で接続されている。
【００１３】次に、図１(b) において、単位画素の断面
構造を説明する。図において、Ｐ型基板１上にはＮ型半
導体層２が積層されており、Ｎ型半導体層２の表面近傍
にはＮ型ソース領域３とＮ型ドレイン領域４が形成され
ている。Ｎ型ドレイン領域４は、図１(a) に示されるよ
うに、Ｎ型ソース領域３の外側に、単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオードのＮ
型拡散領域７と連続している。また、Ｎ型ソース領域３
にはポリシリコンからなるソース電極８が設けられてい
る。
構造を説明する。図において、Ｐ型基板１上にはＮ型半
導体層２が積層されており、Ｎ型半導体層２の表面近傍
にはＮ型ソース領域３とＮ型ドレイン領域４が形成され
ている。Ｎ型ドレイン領域４は、図１(a) に示されるよ
うに、Ｎ型ソース領域３の外側に、単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオードのＮ
型拡散領域７と連続している。また、Ｎ型ソース領域３
にはポリシリコンからなるソース電極８が設けられてい
る。
【００１４】Ｎ型ソース領域３とＮ型ドレイン領域４の
間の領域上には、絶縁層１４を介してゲート電極９がＮ
型ソース領域３を囲むように設けられ、ゲートライン１
２及び転送ゲートライン１１は、絶縁層１４を介してＮ
型ドレイン領域４上重なるように設けられている。
間の領域上には、絶縁層１４を介してゲート電極９がＮ
型ソース領域３を囲むように設けられ、ゲートライン１
２及び転送ゲートライン１１は、絶縁層１４を介してＮ
型ドレイン領域４上重なるように設けられている。
【００１５】上述したＮ型ソース領域３，ゲート電極
９，Ｎ型ドレイン領域４でＭＯＳ・ＳＩＴが構成されて
いる。本実施例では、ＭＯＳ・ＳＩＴは信号電荷の増幅
専用に設けられているので、ＭＯＳ・ＳＩＴに光が入射
して電荷が発生しないように信号読み出し部３０の最上
層は、遮光用のＡｌ膜１３で覆われている。
９，Ｎ型ドレイン領域４でＭＯＳ・ＳＩＴが構成されて
いる。本実施例では、ＭＯＳ・ＳＩＴは信号電荷の増幅
専用に設けられているので、ＭＯＳ・ＳＩＴに光が入射
して電荷が発生しないように信号読み出し部３０の最上
層は、遮光用のＡｌ膜１３で覆われている。
【００１６】一方、光電変換部２０のＮ型半導体層２に
は、下からＮ型ウエル領域５、Ｐ型フォトダイオード領
域６、浅いＮ型拡散領域７が形成されており、Ｎ型拡散
領域７，Ｐ型フォトダイオード領域６，Ｎ型ウエル領域
５，Ｎ型半導体層２，Ｐ型半導体基板１という縦構造で
ＮＰＮＮＰ型埋込フォトダイオードが構成されている。
は、下からＮ型ウエル領域５、Ｐ型フォトダイオード領
域６、浅いＮ型拡散領域７が形成されており、Ｎ型拡散
領域７，Ｐ型フォトダイオード領域６，Ｎ型ウエル領域
５，Ｎ型半導体層２，Ｐ型半導体基板１という縦構造で
ＮＰＮＮＰ型埋込フォトダイオードが構成されている。
【００１７】光電変換部２０と信号読み出し部３０を接
続する転送ゲート１０は、埋込フォトダイオードのＰ型
フォトダイオード領域６とＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の間に、絶縁層１４を介して又がるように設けられて
おり、フォトダイオードに蓄積された電荷をＭＯＳ・Ｓ
ＩＴのゲート電極９下部に転送する働きをする。
続する転送ゲート１０は、埋込フォトダイオードのＰ型
フォトダイオード領域６とＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の間に、絶縁層１４を介して又がるように設けられて
おり、フォトダイオードに蓄積された電荷をＭＯＳ・Ｓ
ＩＴのゲート電極９下部に転送する働きをする。
【００１８】上述した図１の固体撮像素子の動作は次の
様になる。まず、光電変換部２０で一定時間受光された
入射光は、埋込フォトダイオードで光電変換され、発生
した電荷はフォトダイオード領域６に蓄積される。その
後、転送ゲート電極１０にパルス電圧を加えることによ
り、蓄積されていた電荷はＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の下部に転送される。電荷が転送された後は、フォト
ダイオード領域６には全く電荷が残らないので、残像が
発生することがない。
様になる。まず、光電変換部２０で一定時間受光された
入射光は、埋込フォトダイオードで光電変換され、発生
した電荷はフォトダイオード領域６に蓄積される。その
後、転送ゲート電極１０にパルス電圧を加えることによ
り、蓄積されていた電荷はＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の下部に転送される。電荷が転送された後は、フォト
ダイオード領域６には全く電荷が残らないので、残像が
発生することがない。
【００１９】次にゲート電極９にパルス電圧を加えて、
ＭＯＳ・ＳＩＴを動作状態とすることで、転送された電
荷に応じて、増幅された信号がソース電極８から得られ
る。この際、信号の読出しは非破壊で行なわれるため
（ソース電極８から信号を読み出しても、ゲート電極９
の下部に転送された電荷はそのまま残る）、ゲート電極
９にリセット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出し
てから、次の電荷転送動作に入る。この際、電荷がフォ
トダイオード領域６からゲート電極９の下部に転送され
た後は、フォトダイオード領域６には全く電荷が残らな
いので、残像の発生がない。
ＭＯＳ・ＳＩＴを動作状態とすることで、転送された電
荷に応じて、増幅された信号がソース電極８から得られ
る。この際、信号の読出しは非破壊で行なわれるため
（ソース電極８から信号を読み出しても、ゲート電極９
の下部に転送された電荷はそのまま残る）、ゲート電極
９にリセット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出し
てから、次の電荷転送動作に入る。この際、電荷がフォ
トダイオード領域６からゲート電極９の下部に転送され
た後は、フォトダイオード領域６には全く電荷が残らな
いので、残像の発生がない。
【００２０】なお、上記の実施例においては、増幅用ト
ランジスタとしてＭＯＳ・ＳＩＴを設けているが、例え
ばバイポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用い
ることもできる。バイポーラトランジスタを用いる場合
は、フォトダイオードで発生した電荷をバイポーラトラ
ンジスタのベースに転送する構成をとれば良い。
ランジスタとしてＭＯＳ・ＳＩＴを設けているが、例え
ばバイポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用い
ることもできる。バイポーラトランジスタを用いる場合
は、フォトダイオードで発生した電荷をバイポーラトラ
ンジスタのベースに転送する構成をとれば良い。
【００２１】また、光電変換領域に備えるフォトダイオ
ードは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込フォトダイオ
ードとすることが好ましいものであるが、必ずしも埋込
型に限定されるものではなく、図１(b) のＮ拡散領域７
のないフォトダイオードであっても良い。
ードは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込フォトダイオ
ードとすることが好ましいものであるが、必ずしも埋込
型に限定されるものではなく、図１(b) のＮ拡散領域７
のないフォトダイオードであっても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、光電
変換部にフォトダイオードを備えており、発生した電荷
を信号読み出し部の増幅用トランジスタに転送する構成
をとっているので、量子効率が高く、暗電流に起因する
ＦＰＮが小さいというすぐれた特性を有する。またフォ
トダイオードから増幅用トランジスタへ電荷が転送され
た後は、フォトダイオードには電荷が残らず、完全転送
が可能になるので残像の発生が極めて少ない。さらに、
転送された電荷は、個々の画素単位の増幅用トランジス
タで増幅されてから読み出されるので、高い感度が確保
される。
変換部にフォトダイオードを備えており、発生した電荷
を信号読み出し部の増幅用トランジスタに転送する構成
をとっているので、量子効率が高く、暗電流に起因する
ＦＰＮが小さいというすぐれた特性を有する。またフォ
トダイオードから増幅用トランジスタへ電荷が転送され
た後は、フォトダイオードには電荷が残らず、完全転送
が可能になるので残像の発生が極めて少ない。さらに、
転送された電荷は、個々の画素単位の増幅用トランジス
タで増幅されてから読み出されるので、高い感度が確保
される。
【図１】図１(a) は本発明実施例による固体撮像素子の
単位画素の模式的な平面図、図１(b) は図１(a) の固体
撮像素子のＡＡ’部断面図である。
単位画素の模式的な平面図、図１(b) は図１(a) の固体
撮像素子のＡＡ’部断面図である。
１ Ｐ型半導体基板 ２ Ｎ型半導体層 ３ Ｎ型ソース領域 ４ Ｎ型ドレイン領域 ５ Ｎ型ウエル領域 ６ Ｐ型フォトダイオード領域 ７ Ｎ型拡散領域 ８ ソース電極 ９ ゲート電極 １０ 転送ゲート電極 １１ 転送ゲートライン １２ ゲートライン １３ 遮光用Ａｌ膜
Claims (2)
- 【請求項１】入射光を受光して信号電荷を発生する光電
変換部と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す
信号読み出し部とを有する固体撮像素子において、前記
光電変換部はフォトダイオードを有するとともに、前記
信号読み出し部は前記信号電荷を増幅するための増幅用
トランジスタを有し、かつ、前記フォトダイオードで発
生した信号電荷を前記増幅用トランジスタに転送する転
送手段を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】前記フォトダイオードが埋込フォトダイオ
ードであることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069405A JPH05235317A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069405A JPH05235317A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235317A true JPH05235317A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13401664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069405A Pending JPH05235317A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235317A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471515A (en) * | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
| US5486711A (en) * | 1993-06-25 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor with overlapping split gate electrodes |
| US5563429A (en) * | 1994-06-14 | 1996-10-08 | Nikon Corp. | Solid state imaging device |
| WO1997028558A3 (en) * | 1996-01-22 | 1997-10-02 | California Inst Of Techn | Active pixel sensor array with electronic shuttering |
| US5847381A (en) * | 1996-03-18 | 1998-12-08 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion apparatus having a light-shielding shunt line and a light-shielding dummy line |
| US5942774A (en) * | 1995-02-24 | 1999-08-24 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion apparatus |
| US6021172A (en) * | 1994-01-28 | 2000-02-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| US6486503B1 (en) | 1994-01-28 | 2002-11-26 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with electronic shuttering |
| JP2011142344A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP3069405A patent/JPH05235317A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486711A (en) * | 1993-06-25 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor with overlapping split gate electrodes |
| US6665013B1 (en) | 1994-01-28 | 2003-12-16 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| US6021172A (en) * | 1994-01-28 | 2000-02-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| US6101232A (en) * | 1994-01-28 | 2000-08-08 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
| US6486503B1 (en) | 1994-01-28 | 2002-11-26 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with electronic shuttering |
| US5471515A (en) * | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
| US6744068B2 (en) | 1994-01-28 | 2004-06-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
| US7105371B2 (en) | 1994-01-28 | 2006-09-12 | California Institute Of Technology | Method of acquiring an image from an optical structure having pixels with dedicated readout circuits |
| US5563429A (en) * | 1994-06-14 | 1996-10-08 | Nikon Corp. | Solid state imaging device |
| US5942774A (en) * | 1995-02-24 | 1999-08-24 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion apparatus |
| WO1997028558A3 (en) * | 1996-01-22 | 1997-10-02 | California Inst Of Techn | Active pixel sensor array with electronic shuttering |
| US5847381A (en) * | 1996-03-18 | 1998-12-08 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion apparatus having a light-shielding shunt line and a light-shielding dummy line |
| JP2011142344A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000530 |