JPH06104417A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH06104417A JPH06104417A JP4248981A JP24898192A JPH06104417A JP H06104417 A JPH06104417 A JP H06104417A JP 4248981 A JP4248981 A JP 4248981A JP 24898192 A JP24898192 A JP 24898192A JP H06104417 A JPH06104417 A JP H06104417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- ion implantation
- implantation region
- gate electrode
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程のマスクずれによる、光電変換部の
電荷の読み出しの劣化をおさえた固体撮像装置を提供す
る。 【構成】 光電変換部形成のためのイオン注入領域２と
読み出しゲート電極３とのマスク合わせ精度よりも、光
電変換部形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲー
ト電極３との重なり寸法を大きくした構造にする。それ
により、両者のマスクの重なりがなくなる方向へマスク
ずれがあっても、重なりＬがあるために、ポテンシャル
バリアが発生せず、光電変換部の信号電荷５のＣＣＤシ
フトレジスタ部への読み出しが劣化しない。
電荷の読み出しの劣化をおさえた固体撮像装置を提供す
る。 【構成】 光電変換部形成のためのイオン注入領域２と
読み出しゲート電極３とのマスク合わせ精度よりも、光
電変換部形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲー
ト電極３との重なり寸法を大きくした構造にする。それ
により、両者のマスクの重なりがなくなる方向へマスク
ずれがあっても、重なりＬがあるために、ポテンシャル
バリアが発生せず、光電変換部の信号電荷５のＣＣＤシ
フトレジスタ部への読み出しが劣化しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ、複写機な
どに用いられる固体撮像装置に関するものである。
どに用いられる固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ファクシミリの家庭への普及など
の市場拡大にともなって、一次元ＣＣＤ固体撮像装置の
需要が伸び、特性の向上が追求されている。
の市場拡大にともなって、一次元ＣＣＤ固体撮像装置の
需要が伸び、特性の向上が追求されている。
【０００３】図２は従来の固体撮像装置である。図２
（ａ）は、従来の一次元ＣＣＤ固体撮像装置の光電変換
部およびＣＣＤシフトレジスタ部への読み出し部の平面
図である。
（ａ）は、従来の一次元ＣＣＤ固体撮像装置の光電変換
部およびＣＣＤシフトレジスタ部への読み出し部の平面
図である。
【０００４】図２（ａ）のＡ−Ｂ間の断面を図２
（ｂ）、信号電荷蓄積時のポテンシャル概念図を図２
（ｃ）、信号電荷読み出し時のポテンシャル概念図を図
２（ｄ）に示す。
（ｂ）、信号電荷蓄積時のポテンシャル概念図を図２
（ｃ）、信号電荷読み出し時のポテンシャル概念図を図
２（ｄ）に示す。
【０００５】図２において、１は基板、２は光電変換部
形成のためのイオン注入領域、３は光電変換部の電荷を
ＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出す読み出しゲート電
極、４はＣＣＤシフトレジスタ部電極、８はＣＣＤシフ
トレジスタ部形成のためのイオン注入領域である。
形成のためのイオン注入領域、３は光電変換部の電荷を
ＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出す読み出しゲート電
極、４はＣＣＤシフトレジスタ部電極、８はＣＣＤシフ
トレジスタ部形成のためのイオン注入領域である。
【０００６】次に、上記従来例の動作を図面を参照しな
がら説明する。まず、読み出しゲート電極３下の読み出
しゲートを閉じた状態にしておき、光を照射する。する
と光電変換部であるイオン注入領域２にフォトキャリア
が生成され、信号電荷５として蓄積される（図２
（ｃ））。
がら説明する。まず、読み出しゲート電極３下の読み出
しゲートを閉じた状態にしておき、光を照射する。する
と光電変換部であるイオン注入領域２にフォトキャリア
が生成され、信号電荷５として蓄積される（図２
（ｃ））。
【０００７】次に、読み出しゲートを開くと、信号電荷
６がＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出される（図２
（ｄ））。
６がＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出される（図２
（ｄ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構造では、図３に示すように製造工程のマスクずれ
によって、光電変換部形成のためのイオン注入領域２と
読み出しゲート電極３との重なり部分がなくなり、両者
の間に間隔が生じると、光電変換部形成のためのイオン
注入領域２と読み出しゲート電極３との間の基板表面
は、光電変換部と導電型が逆の半導体であるため、読み
出しゲートを開いてもポテンシャルを下げることができ
ず、バリアが生じる。
来の構造では、図３に示すように製造工程のマスクずれ
によって、光電変換部形成のためのイオン注入領域２と
読み出しゲート電極３との重なり部分がなくなり、両者
の間に間隔が生じると、光電変換部形成のためのイオン
注入領域２と読み出しゲート電極３との間の基板表面
は、光電変換部と導電型が逆の半導体であるため、読み
出しゲートを開いてもポテンシャルを下げることができ
ず、バリアが生じる。
【０００９】そのため、光電変換部であるイオン注入領
域２で生成された信号電荷５のうち、バリアを乗り越え
られずＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出せない信号電荷
７が残ってしまい、光電変換部の電荷の読み出しが著し
く劣化するという問題点を有していた。
域２で生成された信号電荷５のうち、バリアを乗り越え
られずＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出せない信号電荷
７が残ってしまい、光電変換部の電荷の読み出しが著し
く劣化するという問題点を有していた。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、光電変換部の信号電荷の読み出しのマスクずれ
による劣化をおさえた固体撮像装置を提供することを目
的とするものである。
であり、光電変換部の信号電荷の読み出しのマスクずれ
による劣化をおさえた固体撮像装置を提供することを目
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、光電変換部形成のためのイオン注入領域と
読み出しゲート電極とのマスク合わせ精度よりも光電変
換部形成のためのイオン注入領域と読み出しゲート電極
との重なり寸法を大きくした構造とするものである。
するために、光電変換部形成のためのイオン注入領域と
読み出しゲート電極とのマスク合わせ精度よりも光電変
換部形成のためのイオン注入領域と読み出しゲート電極
との重なり寸法を大きくした構造とするものである。
【００１２】
【作用】本発明は、光電変換部形成のためのイオン注入
領域と読み出しゲート電極との重なりがあるため、読み
出しゲートを開いた時ポテンシャルバリアが発生しな
い。
領域と読み出しゲート電極との重なりがあるため、読み
出しゲートを開いた時ポテンシャルバリアが発生しな
い。
【００１３】その結果、製造工程のマスクずれによって
光電変換部の電荷の読み出しが不十分になるといった特
性の劣化を抑えることができる。
光電変換部の電荷の読み出しが不十分になるといった特
性の劣化を抑えることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１５】図１（ａ）は本発明の一実施例における一
次元ＣＣＤ固体撮像装置の光電変換部およびＣＣＤシフ
トレジスタ部への読み出し部の平面図である。
次元ＣＣＤ固体撮像装置の光電変換部およびＣＣＤシフ
トレジスタ部への読み出し部の平面図である。
【００１６】図１（ａ）のＡ−Ｂ間の断面を図１
（ｂ）、信号電荷蓄積時のポテンシャル概念図を図１
（ｃ），信号電荷読み出し時のポテンシャル概念図を図
１（ｄ）に示す。
（ｂ）、信号電荷蓄積時のポテンシャル概念図を図１
（ｃ），信号電荷読み出し時のポテンシャル概念図を図
１（ｄ）に示す。
【００１７】図１において、１は基板、２は光電変換部
形成のためのイオン注入領域、３は光電変換部の電荷を
ＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出す読み出しゲート電
極、４はＣＣＤシフトレジスタ部電極、Ｌは光電変換部
形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲート電極３
との重なりである。
形成のためのイオン注入領域、３は光電変換部の電荷を
ＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出す読み出しゲート電
極、４はＣＣＤシフトレジスタ部電極、Ｌは光電変換部
形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲート電極３
との重なりである。
【００１８】次に、上記本発明の一実施例である固体撮
像装置の動作を図面を参照しながら説明する。
像装置の動作を図面を参照しながら説明する。
【００１９】まず、読み出しゲート電極３下の読み出し
ゲートを閉じた状態にしておき、光を照射する。すると
光電変換部であるイオン注入領域２にフォトキャリアが
生成され、信号電荷５として蓄積される（図１
（ｃ））。
ゲートを閉じた状態にしておき、光を照射する。すると
光電変換部であるイオン注入領域２にフォトキャリアが
生成され、信号電荷５として蓄積される（図１
（ｃ））。
【００２０】次に、読み出しゲートを開くと、信号電荷
６がＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出される（図１
（ｄ））。
６がＣＣＤシフトレジスタ部へ読み出される（図１
（ｄ））。
【００２１】しかし、本発明の実施例によれば、光電変
換部形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲート電
極３との重なりＬを光電変換部形成のためのイオン注入
領域２と読み出しゲート電極３とのマスク合わせ精度よ
りも大きくなるように設定しているため、マスクずれが
あっても光電変換部形成のためのイオン注入領域２と読
み出しゲート電極３との重なりＬがあるために、読み出
しゲートを開いた時、ポテンシャルバリアが発生せず、
光電変換部の信号電荷５をすべてＣＣＤシフトレジスタ
部へ読み出すことができる。
換部形成のためのイオン注入領域２と読み出しゲート電
極３との重なりＬを光電変換部形成のためのイオン注入
領域２と読み出しゲート電極３とのマスク合わせ精度よ
りも大きくなるように設定しているため、マスクずれが
あっても光電変換部形成のためのイオン注入領域２と読
み出しゲート電極３との重なりＬがあるために、読み出
しゲートを開いた時、ポテンシャルバリアが発生せず、
光電変換部の信号電荷５をすべてＣＣＤシフトレジスタ
部へ読み出すことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置は、光電変換部形
成のためのイオン注入領域と読み出しゲート電極とのマ
スク合わせ精度よりも光電変換部形成のためのイオン注
入領域と読み出しゲート電極との重なり寸法を大きくし
た構造とすることにより、マスクずれによる光電変換部
の電荷の読み出しの劣化をおさえた優れたＣＣＤ固体撮
像装置を実現できるという効果を有する。
成のためのイオン注入領域と読み出しゲート電極とのマ
スク合わせ精度よりも光電変換部形成のためのイオン注
入領域と読み出しゲート電極との重なり寸法を大きくし
た構造とすることにより、マスクずれによる光電変換部
の電荷の読み出しの劣化をおさえた優れたＣＣＤ固体撮
像装置を実現できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例における一次元ＣＣＤ固体撮
像装置を示す平面図
像装置を示す平面図
【図２】従来の一次元ＣＣＤ固体撮像装置を示す平面図
【図３】従来の一次元ＣＣＤ固体撮像装置を示す平面図
１ 基板 ２ イオン注入領域 ３ 読み出しゲート電極 ４ ＣＣＤシフトレジスタ部電極 ５〜７ 信号電荷 ８ イオン注入領域 Ｌ 重なり
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換部と、シフトレジスタ部と、読み
出しゲート部とを備え、前記光電変換部形成のためのイ
オン注入領域と前記読み出しゲート部の電極とのマスク
合わせ精度よりも、前記光電変換部形成のためのイオン
注入領域と前記読み出しゲート部の前記電極との重なり
寸法を大きくしたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248981A JPH06104417A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248981A JPH06104417A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104417A true JPH06104417A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17186258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248981A Pending JPH06104417A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104417A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035494A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2019117949A (ja) * | 2019-04-08 | 2019-07-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4248981A patent/JPH06104417A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035494A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| US10483302B2 (en) | 2014-09-01 | 2019-11-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device |
| JP2019117949A (ja) * | 2019-04-08 | 2019-07-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
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