JPH04275460A - 密着型固体撮像装置 - Google Patents
密着型固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04275460A JPH04275460A JP3037432A JP3743291A JPH04275460A JP H04275460 A JPH04275460 A JP H04275460A JP 3037432 A JP3037432 A JP 3037432A JP 3743291 A JP3743291 A JP 3743291A JP H04275460 A JPH04275460 A JP H04275460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode sensor
- sensor
- film
- diode
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 9
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画素毎に、例えば非晶
質シリコン層等からなる光電変換膜を上下２枚の電極膜
で挟んだサンドイッチ構造のダイオードセンサが形成さ
れた密着型固体撮像装置に関する。
質シリコン層等からなる光電変換膜を上下２枚の電極膜
で挟んだサンドイッチ構造のダイオードセンサが形成さ
れた密着型固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リニアセンサは、１次元的な画
像情報をアナログ電気信号に変換し、該アナログ電気信
号を時系列順に出力する固体撮像装置である。このリニ
アセンサは、種々のＯＡ機器、例えばファクシミリ、Ｏ
ＣＲ、各種イメージスキャナ、デジタル複写機やカメラ
のオートフォーカス機構等に広く用いられ、１次元状に
並んだ感光部と、該感光部で発生した光電流や電荷を読
み取る走査部及び出力部とから構成されている。そして
、上記リニアセンサは、感光部が原稿幅よりも短く、レ
ンズ系により感光部に原稿を縮小、結像させて画像の読
み取りを行うＩＣ型リニアセンサと、感光部が原稿幅と
同じ長さを有し、等倍的に原稿を読み取る密着型リニア
センサとに分類される。
像情報をアナログ電気信号に変換し、該アナログ電気信
号を時系列順に出力する固体撮像装置である。このリニ
アセンサは、種々のＯＡ機器、例えばファクシミリ、Ｏ
ＣＲ、各種イメージスキャナ、デジタル複写機やカメラ
のオートフォーカス機構等に広く用いられ、１次元状に
並んだ感光部と、該感光部で発生した光電流や電荷を読
み取る走査部及び出力部とから構成されている。そして
、上記リニアセンサは、感光部が原稿幅よりも短く、レ
ンズ系により感光部に原稿を縮小、結像させて画像の読
み取りを行うＩＣ型リニアセンサと、感光部が原稿幅と
同じ長さを有し、等倍的に原稿を読み取る密着型リニア
センサとに分類される。
【０００３】上記リニアセンサのうち、特に密着型リニ
アセンサは、図４に示すように、ガラス基体１１上に、
画素毎に、例えば非晶質シリコン膜を上下２枚の電極膜
１３及び１４で挟んだサンドイッチ構造のダイオードセ
ンサＢが形成されて構成されるのが一般的である。実際
には、非晶質シリコン膜１２に光が入射できるように、
上層の電極膜１３は例えばＩＴＯ膜等の透明電極で形成
される。そして、非晶質シリコン膜１２に入射した光が
該非晶質シリコン膜１２にて光電変換され、上記入射光
量に応じた光電流が例えば一方の電極膜（１３あるいは
１４）を通して読み出される。この場合、光電流値が小
さいことから上記光電流を積分して読み出す、所謂蓄積
モード動作を行うようにしている（テレビジョン学会誌
Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１１（１９８６）１０８６頁〜１
０９２頁”ラインセンサと応用”参照）。
アセンサは、図４に示すように、ガラス基体１１上に、
画素毎に、例えば非晶質シリコン膜を上下２枚の電極膜
１３及び１４で挟んだサンドイッチ構造のダイオードセ
ンサＢが形成されて構成されるのが一般的である。実際
には、非晶質シリコン膜１２に光が入射できるように、
上層の電極膜１３は例えばＩＴＯ膜等の透明電極で形成
される。そして、非晶質シリコン膜１２に入射した光が
該非晶質シリコン膜１２にて光電変換され、上記入射光
量に応じた光電流が例えば一方の電極膜（１３あるいは
１４）を通して読み出される。この場合、光電流値が小
さいことから上記光電流を積分して読み出す、所謂蓄積
モード動作を行うようにしている（テレビジョン学会誌
Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１１（１９８６）１０８６頁〜１
０９２頁”ラインセンサと応用”参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記密着型
リニアセンサにおいて、例えば８ｄｏｔ／ｍｍの読み取
り解像度を得る場合、感光部の各画素のピッチは約１２
５μｍに設定される。このとき、上記ダイオードセンサ
Ｂの電極膜１３及び１４を約１００μｍ×１００μｍの
大面積に形成する（換言すれば、感光領域幅Ｗｂを約１
００μｍにする）ことによって、電荷をより多く集める
ようにしている。蓄積された電荷を読み出す時は、抵抗
負荷に流れる電流を直接読み出す、あるいは該電流を電
圧として読み出すなどの方法がある。
リニアセンサにおいて、例えば８ｄｏｔ／ｍｍの読み取
り解像度を得る場合、感光部の各画素のピッチは約１２
５μｍに設定される。このとき、上記ダイオードセンサ
Ｂの電極膜１３及び１４を約１００μｍ×１００μｍの
大面積に形成する（換言すれば、感光領域幅Ｗｂを約１
００μｍにする）ことによって、電荷をより多く集める
ようにしている。蓄積された電荷を読み出す時は、抵抗
負荷に流れる電流を直接読み出す、あるいは該電流を電
圧として読み出すなどの方法がある。
【０００５】ダイオードセンサＢにおける光感度は、一
般にダイオードセンサＢの容量と配線等の浮遊容量によ
って左右される。即ち、上記光感度を上げるためには、
ダイオードセンサの容量と配線等の浮遊容量が小さいほ
ど良い。
般にダイオードセンサＢの容量と配線等の浮遊容量によ
って左右される。即ち、上記光感度を上げるためには、
ダイオードセンサの容量と配線等の浮遊容量が小さいほ
ど良い。
【０００６】しかしながら、従来の密着型リニアセンサ
においては、電極膜１３及び１４の面積で決まるダイオ
ードセンサの容量が非常に大きいため、上記光感度を向
上させるには限界がある。そこで、電極膜１３及び１４
間の距離ｈを大きくして上記ダイオードセンサの容量を
低減させるという方法が考えられるが、電極膜１３及び
１４間の距離ｈを大きくとると、残像成分が多く発生し
、画質を著しく劣化させるという新たな問題が生じる。
においては、電極膜１３及び１４の面積で決まるダイオ
ードセンサの容量が非常に大きいため、上記光感度を向
上させるには限界がある。そこで、電極膜１３及び１４
間の距離ｈを大きくして上記ダイオードセンサの容量を
低減させるという方法が考えられるが、電極膜１３及び
１４間の距離ｈを大きくとると、残像成分が多く発生し
、画質を著しく劣化させるという新たな問題が生じる。
【０００７】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、電極膜の面積の縮小
化が図れ、光感度の向上を実現させることができる密着
型固体撮像装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、電極膜の面積の縮小
化が図れ、光感度の向上を実現させることができる密着
型固体撮像装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、画素毎に、光
電変換膜３を上下２枚の電極膜２及び４で挟んだサンド
イッチ構造のダイオードセンサＡが形成されてなる密着
型固体撮像装置において、上記ダイオードセンサＡ上に
、レンズ６を形成して構成する。
電変換膜３を上下２枚の電極膜２及び４で挟んだサンド
イッチ構造のダイオードセンサＡが形成されてなる密着
型固体撮像装置において、上記ダイオードセンサＡ上に
、レンズ６を形成して構成する。
【０００９】
【作用】上述の本発明の構成によれば、画素毎に設けら
れたダイオードセンサＡ上にレンズ６を形成するように
したので、入射光ＬをダイオードセンサＡの中央部分に
集光させることができると共に、入射光Ｌに対する電荷
蓄積効率が向上する。その結果、電極膜２及び４の面積
を大幅に縮小化しても、従来（大面積）と同等量の電荷
の蓄積を達成させることができる。このように、電極膜
２及び４の面積の縮小化が図れることから、ダイオード
センサＡの容量Ｃが大幅に低減され、光感度の向上を効
率よく図ることができる。
れたダイオードセンサＡ上にレンズ６を形成するように
したので、入射光ＬをダイオードセンサＡの中央部分に
集光させることができると共に、入射光Ｌに対する電荷
蓄積効率が向上する。その結果、電極膜２及び４の面積
を大幅に縮小化しても、従来（大面積）と同等量の電荷
の蓄積を達成させることができる。このように、電極膜
２及び４の面積の縮小化が図れることから、ダイオード
センサＡの容量Ｃが大幅に低減され、光感度の向上を効
率よく図ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図３を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係る密着型固体撮
像装置の要部、特に画素毎に設けられるダイオードセン
サＡを示す構成図である。
施例を説明する。図１は、本実施例に係る密着型固体撮
像装置の要部、特に画素毎に設けられるダイオードセン
サＡを示す構成図である。
【００１１】このダイオードセンサＡは、図示する如く
、ガラス基板１上に金属層からなる下部電極膜２と、非
晶質シリコン膜３と、ＩＴＯ膜等の透明電極膜からなる
上部電極膜４とが順次積層されて、上記非晶質シリコン
膜３が上下２枚の電極膜２及び４で挟まれたサンドイッ
チ構造に形成されている。この場合、非晶質シリコン膜
３が下部電極２上からガラス基板１上に連続して形成さ
れることから、このダイオードセンサＡにおける感光領
域幅Ｗａは上部電極膜４の端部から非晶質シリコン膜３
のガラス基板１側端部までの距離になる。
、ガラス基板１上に金属層からなる下部電極膜２と、非
晶質シリコン膜３と、ＩＴＯ膜等の透明電極膜からなる
上部電極膜４とが順次積層されて、上記非晶質シリコン
膜３が上下２枚の電極膜２及び４で挟まれたサンドイッ
チ構造に形成されている。この場合、非晶質シリコン膜
３が下部電極２上からガラス基板１上に連続して形成さ
れることから、このダイオードセンサＡにおける感光領
域幅Ｗａは上部電極膜４の端部から非晶質シリコン膜３
のガラス基板１側端部までの距離になる。
【００１２】しかして、本例においては、上部電極膜４
、非晶質シリコン膜３及び下部電極膜２の３層構造で構
成されるダイオードセンサＡ上に例えばＰ−ＳｉＮから
なる保護膜５を形成し、更に、該保護膜５上に透明樹脂
からなるオンチップレンズ６を形成して構成される。 このオンチップレンズ６は上記ダイオードセンサＡに対
応して形成される。このとき、オンチップレンズ６の底
部幅（口径）Ｗは約１００μｍ程度であり、ダイオード
センサＡの感光領域幅Ｗａは約５０μｍ程度である。ま
た、電極膜間の距離ｈは残像率の低下並びに暗電流の抑
圧を図って約０．８〜１．０μｍ程度に設定してある。
、非晶質シリコン膜３及び下部電極膜２の３層構造で構
成されるダイオードセンサＡ上に例えばＰ−ＳｉＮから
なる保護膜５を形成し、更に、該保護膜５上に透明樹脂
からなるオンチップレンズ６を形成して構成される。 このオンチップレンズ６は上記ダイオードセンサＡに対
応して形成される。このとき、オンチップレンズ６の底
部幅（口径）Ｗは約１００μｍ程度であり、ダイオード
センサＡの感光領域幅Ｗａは約５０μｍ程度である。ま
た、電極膜間の距離ｈは残像率の低下並びに暗電流の抑
圧を図って約０．８〜１．０μｍ程度に設定してある。
【００１３】また、上記オンチップレンズ６の形成方法
としては、例えば、保護膜５上に透明樹脂層を形成した
のち、パターニングし、その後、熱工程にてパターニン
グ後の透明樹脂層を山状になだらかにして形成する方法
やレジストマスクを介して等方性エッチングにて形成す
る方法や貼り合わせにて形成する方法等がある。
としては、例えば、保護膜５上に透明樹脂層を形成した
のち、パターニングし、その後、熱工程にてパターニン
グ後の透明樹脂層を山状になだらかにして形成する方法
やレジストマスクを介して等方性エッチングにて形成す
る方法や貼り合わせにて形成する方法等がある。
【００１４】次に、上記本例に係る密着型固体撮像装置
の動作を図２及び図３に基いて説明する。図２は、ダイ
オードセンサＡと読み出し回路を示す回路図であり、上
記ダイオードセンサＡは、ダイオードＤとセンサ容量Ｃ
とが並列に接続されたことと等価になり、一方の電極膜
（上部電極膜２あるいは下部電極膜４）に共通電源Ｖｃ
ｏｍが供給される。また、この図において、Ｔｒｓは入
力端子φｒを介してゲートにリセットパルスＰｒが印加
され、ドレインが所定のリセット電圧Ｖｒに固定された
リセット用トランジスタであり、７はＴｒａ及びＴｒｒ
からなるソースフォロア回路である。
の動作を図２及び図３に基いて説明する。図２は、ダイ
オードセンサＡと読み出し回路を示す回路図であり、上
記ダイオードセンサＡは、ダイオードＤとセンサ容量Ｃ
とが並列に接続されたことと等価になり、一方の電極膜
（上部電極膜２あるいは下部電極膜４）に共通電源Ｖｃ
ｏｍが供給される。また、この図において、Ｔｒｓは入
力端子φｒを介してゲートにリセットパルスＰｒが印加
され、ドレインが所定のリセット電圧Ｖｒに固定された
リセット用トランジスタであり、７はＴｒａ及びＴｒｒ
からなるソースフォロア回路である。
【００１５】ここで、Ｔｒａは、ゲートにダイオードセ
ンサＡからの電位変化が接点ａを介して供給され、ドレ
インにソースフォロア電源Ｖｄｄが供給される増幅用ト
ランジスタであり、Ｔｒｒは、入力端子φｇを介してゲ
ートに制御電圧Ｖｇｇが印加され、ソースが接地電位Ｖ
ｓｓに固定された負荷抵抗用トランジスタである。そし
て、上記ダイオードセンサＡにて生じる入射光量に応じ
た電位変化が、ソースフォロア回路７にて増幅され、出
力信号Ｖｏｕｔとして出力端子φｏｕｔより読み出され
る。
ンサＡからの電位変化が接点ａを介して供給され、ドレ
インにソースフォロア電源Ｖｄｄが供給される増幅用ト
ランジスタであり、Ｔｒｒは、入力端子φｇを介してゲ
ートに制御電圧Ｖｇｇが印加され、ソースが接地電位Ｖ
ｓｓに固定された負荷抵抗用トランジスタである。そし
て、上記ダイオードセンサＡにて生じる入射光量に応じ
た電位変化が、ソースフォロア回路７にて増幅され、出
力信号Ｖｏｕｔとして出力端子φｏｕｔより読み出され
る。
【００１６】まず、図３のｔ１ 時において、リセット
用トランジスタＴｒｓにリセットパルスＰｒが印加され
ることにより、接点ａの電圧Ｖｓがリセット電圧Ｖｒに
持ち上げられ、ソースフォロア回路７の出力端子φｏｕ
ｔから最大電圧Ｖｍが出力信号Ｖｏｕｔとして出力され
る。これは、次のｔ２ 時、即ちリセットパルスの立ち
下がり時まで継続される（リセット期間）。
用トランジスタＴｒｓにリセットパルスＰｒが印加され
ることにより、接点ａの電圧Ｖｓがリセット電圧Ｖｒに
持ち上げられ、ソースフォロア回路７の出力端子φｏｕ
ｔから最大電圧Ｖｍが出力信号Ｖｏｕｔとして出力され
る。これは、次のｔ２ 時、即ちリセットパルスの立ち
下がり時まで継続される（リセット期間）。
【００１７】次のｔ２ 時からｔ３ 時（次のリセット
パルスの立ち上がり時）までの期間（受光期間）におい
て、ダイオードセンサＡに入射した光が該センサＡにて
光電変換されて、該入射光量に応じた電荷がセンサ容量
Ｃに蓄積され、その蓄積量の増加に伴って接点ａの電圧
Ｖｓが徐々に低下する。従って、ソースフォロア回路７
の出力端子φｏｕｔからは時間の経過に伴って振幅が徐
々に低下する電圧Ｖｎが出力信号Ｖｏｕｔとして出力さ
れる。
パルスの立ち上がり時）までの期間（受光期間）におい
て、ダイオードセンサＡに入射した光が該センサＡにて
光電変換されて、該入射光量に応じた電荷がセンサ容量
Ｃに蓄積され、その蓄積量の増加に伴って接点ａの電圧
Ｖｓが徐々に低下する。従って、ソースフォロア回路７
の出力端子φｏｕｔからは時間の経過に伴って振幅が徐
々に低下する電圧Ｖｎが出力信号Ｖｏｕｔとして出力さ
れる。
【００１８】そして、例えば外部のサンプリングホール
ド回路（図示せず）にて、出力タイミングが例えば各受
光期間の最終部分の期間とされたクロックパルスＰｃに
基いて上記受光期間における出力信号Ｖｏｕｔ（Ｖｎ）
をサンプリングホールドし、後段の信号処理回路に撮像
信号として供給する。
ド回路（図示せず）にて、出力タイミングが例えば各受
光期間の最終部分の期間とされたクロックパルスＰｃに
基いて上記受光期間における出力信号Ｖｏｕｔ（Ｖｎ）
をサンプリングホールドし、後段の信号処理回路に撮像
信号として供給する。
【００１９】上述のように、本例によれば、画素毎に設
けられたダイオードセンサＡ上にオンチップレンズ６を
形成するようにしたので、入射光Ｌをダイオードセンサ
Ａの中央部分に集光させることができると共に、入射光
Ｌに対する電荷蓄積効率が向上する。その結果、ダイオ
ードセンサＡの感光領域幅Ｗａを従来の感光領域幅Ｗｂ
（図４参照）の１／２程度に縮小設定しても、従来と同
等量の電荷の蓄積を達成させることができ、電極膜４及
び２の面積の縮小化が実現できる。
けられたダイオードセンサＡ上にオンチップレンズ６を
形成するようにしたので、入射光Ｌをダイオードセンサ
Ａの中央部分に集光させることができると共に、入射光
Ｌに対する電荷蓄積効率が向上する。その結果、ダイオ
ードセンサＡの感光領域幅Ｗａを従来の感光領域幅Ｗｂ
（図４参照）の１／２程度に縮小設定しても、従来と同
等量の電荷の蓄積を達成させることができ、電極膜４及
び２の面積の縮小化が実現できる。
【００２０】一般に、ダイオードセンサＡの光感度は、
ダイオードセンサＡのセンサ容量Ｃ及び配線等の浮遊容
量Ｃｐ（図２参照）が小さくなればなるほど良好となる
。従って、本例の場合、上記のように、電極膜４及び２
の面積の縮小化が図れることから、ダイオードセンサＡ
のセンサ容量Ｃが大幅に低減されるため、ダイオードセ
ンサＡの光感度の向上を効率よく図ることができる。
ダイオードセンサＡのセンサ容量Ｃ及び配線等の浮遊容
量Ｃｐ（図２参照）が小さくなればなるほど良好となる
。従って、本例の場合、上記のように、電極膜４及び２
の面積の縮小化が図れることから、ダイオードセンサＡ
のセンサ容量Ｃが大幅に低減されるため、ダイオードセ
ンサＡの光感度の向上を効率よく図ることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る密着型固体撮像装置によれ
ば、ダイオードセンサにおける電極膜の面積の縮小化を
図ることができ、ダイオードセンサの光感度の向上を実
現させることができる。
ば、ダイオードセンサにおける電極膜の面積の縮小化を
図ることができ、ダイオードセンサの光感度の向上を実
現させることができる。
【図１】本実施例に係る密着型固体撮像装置の要部、特
にそのダイオードセンサを示す構成図。
にそのダイオードセンサを示す構成図。
【図２】本実施例に係る密着型固体撮像装置の信号読出
しを示す回路図。
しを示す回路図。
【図３】本実施例に係る密着型固体撮像装置の信号処理
を示す波形図。
を示す波形図。
【図４】従来例に係る密着型固体撮像装置のダイオード
センサを示す構成図。
センサを示す構成図。
Ａ ダイオードセンサ
１ ガラス基板
２ 下部電極膜
３ 非晶質シリコン膜
４ 上部電極膜
５ 保護膜
６ オンチップレンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 画素毎に、光電変換膜を上下２枚の電
極膜で挟んだサンドイッチ構造のダイオードセンサが形
成されてなる密着型固体撮像装置において、上記ダイオ
ードセンサ上に、レンズが形成されていることを特徴と
する密着型固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037432A JPH04275460A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 密着型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037432A JPH04275460A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 密着型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275460A true JPH04275460A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12497356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037432A Pending JPH04275460A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 密着型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04275460A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3037432A patent/JPH04275460A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| US8729650B2 (en) | 1999-08-27 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1302986B1 (en) | Photodetector with high dynamic range and increased operating temperature | |
| JPH08149376A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09233392A (ja) | 光電変換装置 | |
| KR101335142B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| US5162644A (en) | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source | |
| US4271435A (en) | Scanning type readout device | |
| EP2271075A2 (en) | Photoelectric conversion element driven by a current mirror circuit | |
| JPS59108457A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6642561B2 (en) | Solid imaging device and method for manufacturing the same | |
| JPH02100363A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US4945418A (en) | Solid state image pickup apparatus with charge storage device | |
| JPS58221562A (ja) | 原稿読取装置 | |
| JP4300654B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04275460A (ja) | 密着型固体撮像装置 | |
| JPH03240379A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0590557A (ja) | 光電変換装置及び情報処理装置 | |
| JP4345145B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0964332A (ja) | Ｍｏｓ増幅型撮像装置 | |
| JP2002290835A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP7257300B2 (ja) | 撮像システム | |
| JPS6111505B2 (ja) | ||
| JP2500211B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2001218111A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06178046A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06252179A (ja) | 信号電荷検出装置 |