JPH1187675A - 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光センサ部への集光効率を高めて感度向上
を図った固体撮像素子と、その製造方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 基体１の表層部に光電変換をなす受光セ
ンサ部２を形成し、基体１上に受光センサ部２以外に光
が入射するのを防ぐための遮光膜１２を形成した固体撮
像素子の製造方法である。まず、基体１上に絶縁膜４を
介して転送電極５を形成し、さらに転送電極５を覆って
層間絶縁膜６を形成した後、この層間絶縁膜６を覆って
平坦化膜７を形成する。次いで、平坦化膜７の、遮光膜
１２を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的
にエッチング除去して凹部９を形成するとともに、受光
センサ部２の周辺部上でかつ転送電極５の側方をエッチ
ングして基体１表面近傍にまで達する深さの溝１１を形
成する。その後、凹部９および溝１１の内部に遮光膜材
料を埋め込んで遮光膜１２を形成する。
を図った固体撮像素子と、その製造方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 基体１の表層部に光電変換をなす受光セ
ンサ部２を形成し、基体１上に受光センサ部２以外に光
が入射するのを防ぐための遮光膜１２を形成した固体撮
像素子の製造方法である。まず、基体１上に絶縁膜４を
介して転送電極５を形成し、さらに転送電極５を覆って
層間絶縁膜６を形成した後、この層間絶縁膜６を覆って
平坦化膜７を形成する。次いで、平坦化膜７の、遮光膜
１２を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的
にエッチング除去して凹部９を形成するとともに、受光
センサ部２の周辺部上でかつ転送電極５の側方をエッチ
ングして基体１表面近傍にまで達する深さの溝１１を形
成する。その後、凹部９および溝１１の内部に遮光膜材
料を埋め込んで遮光膜１２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遮光膜を備えた固
体撮像素子の製造方法と、受光センサ部への集光効率を
高めた固体撮像素子に関する。
体撮像素子の製造方法と、受光センサ部への集光効率を
高めた固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ（電荷結合素子）を代表する固体
撮像素子は、可視光等で形成される像を撮影するもので
あり、シリコン基板等からなる基体の表層部に光電変換
をなす受光センサ部を形成し、基体上に前記受光センサ
部以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜を形成した
ものである。このような固体撮像素子においては、通
常、遮光膜として金属スパッタ膜が用いられている。す
なわち、従来では金属、特にＡｌがスパッタ法で成膜さ
れ、これがフォトレジストマスクを用いたドライエッチ
ングによってパターニングされ、受光センサ部の直上部
分を開口し、これ以外の部分を覆う遮光膜に形成される
のである。
撮像素子は、可視光等で形成される像を撮影するもので
あり、シリコン基板等からなる基体の表層部に光電変換
をなす受光センサ部を形成し、基体上に前記受光センサ
部以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜を形成した
ものである。このような固体撮像素子においては、通
常、遮光膜として金属スパッタ膜が用いられている。す
なわち、従来では金属、特にＡｌがスパッタ法で成膜さ
れ、これがフォトレジストマスクを用いたドライエッチ
ングによってパターニングされ、受光センサ部の直上部
分を開口し、これ以外の部分を覆う遮光膜に形成される
のである。
【０００３】ところで、近年固体撮像素子ではその小型
化や画素の高密度化が一層進み、これに伴って受光セン
サ部領域が縮小され、感度低下やスミア増加などの特性
劣化を招いている。感度低下の対策としては、例えばオ
ンチップレンズを設け、受光センサ部での集光効率を高
めるといったことが提案され、実施されている。また、
スミア対策としては、通常は遮光膜を受光センサ部の直
上にまで張り出して形成するといったことがなされてい
る。
化や画素の高密度化が一層進み、これに伴って受光セン
サ部領域が縮小され、感度低下やスミア増加などの特性
劣化を招いている。感度低下の対策としては、例えばオ
ンチップレンズを設け、受光センサ部での集光効率を高
めるといったことが提案され、実施されている。また、
スミア対策としては、通常は遮光膜を受光センサ部の直
上にまで張り出して形成するといったことがなされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
オンチップレンズを設けて集光効率を上げたものにおい
ても、小型化や画素の高密度化に伴い転送電極等の段差
が相対的に大きくなっていることから、スパッタ法によ
るＡｌで遮光膜を形成した場合にその被覆性が十分とな
らず、特に下地が急俊段差になっている場合など、十分
な遮光を達成できるだけのカバレッジが実現されないこ
とがある。そして、このように画素の高密度化に伴って
カバレッジが不十分になり、遮光機能が十分に達成でき
なくなると、転送電極への光透過成分が増加してスミア
特性の低下を招いてしまう。また、画素の高密度化に伴
って受光センサ部領域の段差が大きくなり、これにより
開口加工の均一性が悪くなってこれがカバレッジをさら
に悪化させてしまい、微小な感度ムラが生じて撮像特性
が悪化してしまう。さらに、ＯＰＢ（オプチカルブラッ
ク）の光透過により、クランプミスを起こすおそれも生
じてしまう。
オンチップレンズを設けて集光効率を上げたものにおい
ても、小型化や画素の高密度化に伴い転送電極等の段差
が相対的に大きくなっていることから、スパッタ法によ
るＡｌで遮光膜を形成した場合にその被覆性が十分とな
らず、特に下地が急俊段差になっている場合など、十分
な遮光を達成できるだけのカバレッジが実現されないこ
とがある。そして、このように画素の高密度化に伴って
カバレッジが不十分になり、遮光機能が十分に達成でき
なくなると、転送電極への光透過成分が増加してスミア
特性の低下を招いてしまう。また、画素の高密度化に伴
って受光センサ部領域の段差が大きくなり、これにより
開口加工の均一性が悪くなってこれがカバレッジをさら
に悪化させてしまい、微小な感度ムラが生じて撮像特性
が悪化してしまう。さらに、ＯＰＢ（オプチカルブラッ
ク）の光透過により、クランプミスを起こすおそれも生
じてしまう。
【０００５】また、遮光膜を受光センサ部の直上にまで
張り出して形成したものについては、このように遮光膜
を張り出して形成すると当然受光センサ部の開口面積が
小さくなってその集光効率が低下してしまい、やはり感
度低下を招いてしまって前述した小型化や画素の高密度
化に対応するのが困難になってしまう。
張り出して形成したものについては、このように遮光膜
を張り出して形成すると当然受光センサ部の開口面積が
小さくなってその集光効率が低下してしまい、やはり感
度低下を招いてしまって前述した小型化や画素の高密度
化に対応するのが困難になってしまう。
【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、受光センサ部への集光効
率を高めて感度向上を図った固体撮像素子と、その製造
方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、受光センサ部への集光効
率を高めて感度向上を図った固体撮像素子と、その製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の固体撮像素子の製造方法では、基体の表層部に光
電変換をなす受光センサ部を形成し、基体上に前記受光
センサ部以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜を形
成した固体撮像素子の製造方法において、基体上に絶縁
膜を介して転送電極を形成し、さらに該転送電極を覆っ
て層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜を覆って平
坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜の、前記遮光膜
を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエ
ッチング除去して凹部を形成する工程と、前記平坦化膜
の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転送電極の
側方をエッチングして前記基体表面近傍にまで達する深
さの溝を形成する工程と、前記凹部および溝の内部に遮
光膜材料を埋め込んで遮光膜を形成する工程と、を備え
たことを前記課題の解決手段とした。
記載の固体撮像素子の製造方法では、基体の表層部に光
電変換をなす受光センサ部を形成し、基体上に前記受光
センサ部以外に光が入射するのを防ぐための遮光膜を形
成した固体撮像素子の製造方法において、基体上に絶縁
膜を介して転送電極を形成し、さらに該転送電極を覆っ
て層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜を覆って平
坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜の、前記遮光膜
を形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエ
ッチング除去して凹部を形成する工程と、前記平坦化膜
の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転送電極の
側方をエッチングして前記基体表面近傍にまで達する深
さの溝を形成する工程と、前記凹部および溝の内部に遮
光膜材料を埋め込んで遮光膜を形成する工程と、を備え
たことを前記課題の解決手段とした。
【０００８】この製造方法によれば、平坦化膜における
遮光領域となる箇所にのみ凹部を形成するとともに、受
光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に基体表面
近傍にまで達する深さの溝を形成し、その後、これら凹
部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜を形
成するので、張り出し部のない遮光膜が形成され、これ
により受光センサ部での集光効率が高くなって感度向上
が図れる。
遮光領域となる箇所にのみ凹部を形成するとともに、受
光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に基体表面
近傍にまで達する深さの溝を形成し、その後、これら凹
部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜を形
成するので、張り出し部のない遮光膜が形成され、これ
により受光センサ部での集光効率が高くなって感度向上
が図れる。
【０００９】請求項７記載の固体撮像素子の製造方法で
は、基体の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形成
し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入射するのを
防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の製造方法に
おいて、基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さ
らに該転送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この
層間絶縁膜を覆って第１の平坦化膜を形成する工程と、
前記第１の平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上で
かつ前記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面
近傍にまで達する深さの溝を形成する工程と、前記溝の
内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成する
工程と、前記第１の遮光膜を覆って前記第１の平坦化膜
の上に第２の平坦化膜を形成する工程と、前記第２の平
坦化膜の、遮光膜を形成するための遮光領域となる箇所
のみを選択的にエッチング除去して前記第１の遮光膜の
上面を外側に臨ませた状態に凹部を形成する工程と、前
記凹部の内部に遮光膜材料を埋め込んで第２の遮光膜を
形成し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮光膜
とから遮光膜を得る工程と、を備えたことを前記課題の
解決手段とした。
は、基体の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形成
し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入射するのを
防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の製造方法に
おいて、基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さ
らに該転送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この
層間絶縁膜を覆って第１の平坦化膜を形成する工程と、
前記第１の平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上で
かつ前記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面
近傍にまで達する深さの溝を形成する工程と、前記溝の
内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成する
工程と、前記第１の遮光膜を覆って前記第１の平坦化膜
の上に第２の平坦化膜を形成する工程と、前記第２の平
坦化膜の、遮光膜を形成するための遮光領域となる箇所
のみを選択的にエッチング除去して前記第１の遮光膜の
上面を外側に臨ませた状態に凹部を形成する工程と、前
記凹部の内部に遮光膜材料を埋め込んで第２の遮光膜を
形成し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮光膜
とから遮光膜を得る工程と、を備えたことを前記課題の
解決手段とした。
【００１０】この製造方法によれば、第１の平坦化膜に
おける受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に
基体表面近傍にまで達する深さの溝を形成してこの溝の
内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成し、
次いで、第２の平坦化膜における遮光領域となる箇所に
のみ凹部を形成し、その後、この凹部の内部に遮光膜材
料を埋め込んで第２の遮光膜を形成し、これにより前記
第１の遮光膜と該第２の遮光膜とから遮光膜を得るの
で、特に溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜によって
張り出し部のない遮光膜が形成され、これにより受光セ
ンサ部での集光効率が高くなって感度向上が図れる。
おける受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に
基体表面近傍にまで達する深さの溝を形成してこの溝の
内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成し、
次いで、第２の平坦化膜における遮光領域となる箇所に
のみ凹部を形成し、その後、この凹部の内部に遮光膜材
料を埋め込んで第２の遮光膜を形成し、これにより前記
第１の遮光膜と該第２の遮光膜とから遮光膜を得るの
で、特に溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜によって
張り出し部のない遮光膜が形成され、これにより受光セ
ンサ部での集光効率が高くなって感度向上が図れる。
【００１１】請求項１３記載の固体撮像素子の製造方法
では、基体の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形
成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入射するの
を防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の製造方法
において、基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、
さらに該転送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、こ
の層間絶縁膜を覆って平坦化膜を形成する工程と、前記
平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転
送電極の側方をエッチングして前記基体表面近傍にまで
達する深さの溝を形成する工程と、前記溝の内部に遮光
膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成する工程と、前
記溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜に接続した状態
に遮光膜材料を成膜する工程と、該遮光膜材料をパター
ニングして前記第１の遮光膜の上端に囲まれた部分を開
口してなる第２の遮光膜を形成し、これにより前記第１
の遮光膜と該第２の遮光膜とから遮光膜を得る工程と、
を備えたことを前記課題の解決手段とした。
では、基体の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形
成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入射するの
を防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の製造方法
において、基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、
さらに該転送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、こ
の層間絶縁膜を覆って平坦化膜を形成する工程と、前記
平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転
送電極の側方をエッチングして前記基体表面近傍にまで
達する深さの溝を形成する工程と、前記溝の内部に遮光
膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成する工程と、前
記溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜に接続した状態
に遮光膜材料を成膜する工程と、該遮光膜材料をパター
ニングして前記第１の遮光膜の上端に囲まれた部分を開
口してなる第２の遮光膜を形成し、これにより前記第１
の遮光膜と該第２の遮光膜とから遮光膜を得る工程と、
を備えたことを前記課題の解決手段とした。
【００１２】この製造方法によれば、平坦化膜における
受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に基体表
面近傍にまで達する深さの溝を形成してこの溝の内部に
遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成し、次い
で、この第１の遮光膜に接続した状態に遮光膜材料を成
膜しさらに該遮光膜材料をパターニングして前記第１の
遮光膜の上端に囲まれた部分を開口してなる第２の遮光
膜を形成し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮
光膜とから遮光膜を得るので、特に溝の内部に埋め込ま
れた第１の遮光膜によって張り出し部のない遮光膜が形
成され、これにより受光センサ部での集光効率が高くな
って感度向上が図れる。
受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方に基体表
面近傍にまで達する深さの溝を形成してこの溝の内部に
遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を形成し、次い
で、この第１の遮光膜に接続した状態に遮光膜材料を成
膜しさらに該遮光膜材料をパターニングして前記第１の
遮光膜の上端に囲まれた部分を開口してなる第２の遮光
膜を形成し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮
光膜とから遮光膜を得るので、特に溝の内部に埋め込ま
れた第１の遮光膜によって張り出し部のない遮光膜が形
成され、これにより受光センサ部での集光効率が高くな
って感度向上が図れる。
【００１３】請求項１９記載の固体撮像素子では、基体
の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形成し、基体
上に前記受光センサ部以外に光が入射するのを防ぐため
の遮光膜を形成した固体撮像素子において、前記遮光膜
が、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転送電極の
側方にて該転送電極の側面を覆って形成された第１の遮
光膜と、転送電極の上面および前記第１の遮光膜の上面
を覆って形成され、かつその端縁部が前記受光センサ部
の直上側に張り出して形成された第２の遮光膜と、から
なることを前記課題の解決手段とした。
の表層部に光電変換をなす受光センサ部を形成し、基体
上に前記受光センサ部以外に光が入射するのを防ぐため
の遮光膜を形成した固体撮像素子において、前記遮光膜
が、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記転送電極の
側方にて該転送電極の側面を覆って形成された第１の遮
光膜と、転送電極の上面および前記第１の遮光膜の上面
を覆って形成され、かつその端縁部が前記受光センサ部
の直上側に張り出して形成された第２の遮光膜と、から
なることを前記課題の解決手段とした。
【００１４】この固体撮像素子によれば、遮光膜が、受
光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方にて該転送
電極の側面を覆って形成された第１の遮光膜と、転送電
極の上面および前記第１の遮光膜の上面を覆って形成さ
れ、かつその端縁部が前記受光センサ部の直上側に張り
出して形成された第２の遮光膜とからなるので、特に溝
の内部に埋め込まれた第１の遮光膜によって基体表面側
には張り出し部のない遮光膜が形成され、これにより受
光センサ部の開口面積が大きくなって集光効率が高くな
る。また、第２の遮光膜に受光センサ部の直上側に張り
出してなる張り出し部を設けたことにより、受光センサ
部上で反射した光が再度この張り出し部で反射して受光
センサ部に入射し、これにより一層集光効率が高くな
る。
光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方にて該転送
電極の側面を覆って形成された第１の遮光膜と、転送電
極の上面および前記第１の遮光膜の上面を覆って形成さ
れ、かつその端縁部が前記受光センサ部の直上側に張り
出して形成された第２の遮光膜とからなるので、特に溝
の内部に埋め込まれた第１の遮光膜によって基体表面側
には張り出し部のない遮光膜が形成され、これにより受
光センサ部の開口面積が大きくなって集光効率が高くな
る。また、第２の遮光膜に受光センサ部の直上側に張り
出してなる張り出し部を設けたことにより、受光センサ
部上で反射した光が再度この張り出し部で反射して受光
センサ部に入射し、これにより一層集光効率が高くな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は本発明における請求項１記載の固
体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説明す
るための図であり、図１（ａ）〜（ｆ）中符号１はシリ
コン基板（基体）である。この例では、まず、従来と同
様にして図１（ａ）に示すようにシリコン基板１の表層
部に受光センサ部２、電荷転送部３、チャネルストップ
（図示略）、読み出し部（図示略）をそれぞれ形成する
とともに、シリコン基板１表面に絶縁膜４を形成し、さ
らに該絶縁膜４上に転送電極５、層間絶縁膜６を形成す
る。
図１（ａ）〜（ｆ）は本発明における請求項１記載の固
体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説明す
るための図であり、図１（ａ）〜（ｆ）中符号１はシリ
コン基板（基体）である。この例では、まず、従来と同
様にして図１（ａ）に示すようにシリコン基板１の表層
部に受光センサ部２、電荷転送部３、チャネルストップ
（図示略）、読み出し部（図示略）をそれぞれ形成する
とともに、シリコン基板１表面に絶縁膜４を形成し、さ
らに該絶縁膜４上に転送電極５、層間絶縁膜６を形成す
る。
【００１６】具体的には、まずシリコン基板１中にイオ
ン注入等によって不純物を注入しさらにこれを拡散さ
せ、電荷転送部３、チャネルストップ（図示略）、読み
出し部（図示略）をそれぞれ形成する。次に、熱酸化法
やＣＶＤ法によってシリコン基板１表面にシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の積層膜からなる
ＯＮＯ構造の絶縁膜４を形成する。なお、この絶縁膜４
についてはＯＮＯ構造のものに代えてシリコン酸化膜の
単層構造としてもよいが、その場合には、このシリコン
酸化膜の上に、後述する溝加工のエッチングの際のエッ
チングストッパとして機能するシリコン窒化膜を形成し
ておくのが好ましい。
ン注入等によって不純物を注入しさらにこれを拡散さ
せ、電荷転送部３、チャネルストップ（図示略）、読み
出し部（図示略）をそれぞれ形成する。次に、熱酸化法
やＣＶＤ法によってシリコン基板１表面にシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の積層膜からなる
ＯＮＯ構造の絶縁膜４を形成する。なお、この絶縁膜４
についてはＯＮＯ構造のものに代えてシリコン酸化膜の
単層構造としてもよいが、その場合には、このシリコン
酸化膜の上に、後述する溝加工のエッチングの際のエッ
チングストッパとして機能するシリコン窒化膜を形成し
ておくのが好ましい。
【００１７】次に、ＣＶＤ法によりポリシリコンを成膜
し、さらにこのポリシリコン膜（図示略）を公知のレジ
スト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術により
パターニングし、転送電極５を形成する。続いて、形成
した転送電極５をマスクにしてイオン注入等によって不
純物を注入しさらにこれを拡散させ、受光センサ部２を
自己整合的に形成する。なお、この受光センサ部２の形
成については、前記の電荷転送部３、チャネルストッ
プ、読み出し部の形成時にこれらの形成に前後してある
いは同時に形成してもよい。
し、さらにこのポリシリコン膜（図示略）を公知のレジ
スト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術により
パターニングし、転送電極５を形成する。続いて、形成
した転送電極５をマスクにしてイオン注入等によって不
純物を注入しさらにこれを拡散させ、受光センサ部２を
自己整合的に形成する。なお、この受光センサ部２の形
成については、前記の電荷転送部３、チャネルストッ
プ、読み出し部の形成時にこれらの形成に前後してある
いは同時に形成してもよい。
【００１８】次いで、ＨＴＯ法やＴＥＯＳを原料とする
減圧ＣＶＤ法などにより、転送電極５を覆った状態にＳ
ｉＯ2 等からなる層間絶縁膜６を形成する。なお、この
転送電極４の形成については、転送電極構造が二層であ
る場合には前記工程を２回繰り返し、三層以上である場
合にはその層数分だけ繰り返す。
減圧ＣＶＤ法などにより、転送電極５を覆った状態にＳ
ｉＯ2 等からなる層間絶縁膜６を形成する。なお、この
転送電極４の形成については、転送電極構造が二層であ
る場合には前記工程を２回繰り返し、三層以上である場
合にはその層数分だけ繰り返す。
【００１９】このようにしてシリコン基板１上に転送電
極５、層間絶縁膜６を形成したら、図１（ｂ）に示すよ
うにこれらを覆って平坦化膜７を形成する。この平坦化
膜７としては、自己平坦性の高い高密度プラズマＣＶＤ
法によるＳｉＮやＳｉＯ膜、あるいはＯ3 −ＴＥＯＳ
ＣＶＤ膜、ＢＰＳＧ ＣＶＤ膜、ＳＯＧ膜等が用いら
れ、これらは成膜された後、リフロー処理等によって十
分な平坦度を有する平坦化膜７とされる。
極５、層間絶縁膜６を形成したら、図１（ｂ）に示すよ
うにこれらを覆って平坦化膜７を形成する。この平坦化
膜７としては、自己平坦性の高い高密度プラズマＣＶＤ
法によるＳｉＮやＳｉＯ膜、あるいはＯ3 −ＴＥＯＳ
ＣＶＤ膜、ＢＰＳＧ ＣＶＤ膜、ＳＯＧ膜等が用いら
れ、これらは成膜された後、リフロー処理等によって十
分な平坦度を有する平坦化膜７とされる。
【００２０】次いで、この平坦化膜７を、公知のレジス
ト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術により図
１（ｃ）に示すようにレジストパターン８をマスクにし
てパターニングし、遮光膜を形成するための遮光領域と
なる箇所のみを選択的にエッチング除去して凹部９を形
成する。続いて、図１（ｄ）に示すように前記レジスト
パターン８と新たに形成したレジストパターン１０とを
マスクにし、あるいはレジストパターン８を一旦除去し
た後新たに形成したレジストパターンをマスクにして平
坦化膜７を再度パターニングし、前記受光センサ部２の
周辺部上でかつ前記転送電極５の側方をエッチングして
前記シリコン基板１表面にまで達する深さの溝１１を形
成する。ここで、レジストパターン１０の合わせ精度に
ついては、図１（ｄ）に示した溝１１の幅寸法に納まる
範囲であればよい。
ト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術により図
１（ｃ）に示すようにレジストパターン８をマスクにし
てパターニングし、遮光膜を形成するための遮光領域と
なる箇所のみを選択的にエッチング除去して凹部９を形
成する。続いて、図１（ｄ）に示すように前記レジスト
パターン８と新たに形成したレジストパターン１０とを
マスクにし、あるいはレジストパターン８を一旦除去し
た後新たに形成したレジストパターンをマスクにして平
坦化膜７を再度パターニングし、前記受光センサ部２の
周辺部上でかつ前記転送電極５の側方をエッチングして
前記シリコン基板１表面にまで達する深さの溝１１を形
成する。ここで、レジストパターン１０の合わせ精度に
ついては、図１（ｄ）に示した溝１１の幅寸法に納まる
範囲であればよい。
【００２１】また、溝１１のエッチングにあたっては、
平坦化膜７がＳｉＯ系である場合に、前述したようにＯ
ＮＯ構造の絶縁膜４におけるシリコン窒化膜をエッチン
グストッパとして機能させることができ、また、平坦化
膜７がＳｉＮ系である場合に、絶縁膜４中のシリコン酸
化膜をエッチングストッパとして機能させることができ
る。したがって、このように絶縁膜４をエッチングスト
ッパとすることにより、溝１１についてはその深さをシ
リコン基板１表面にほぼ到達する深さとなるように精度
良く形成することができる。
平坦化膜７がＳｉＯ系である場合に、前述したようにＯ
ＮＯ構造の絶縁膜４におけるシリコン窒化膜をエッチン
グストッパとして機能させることができ、また、平坦化
膜７がＳｉＮ系である場合に、絶縁膜４中のシリコン酸
化膜をエッチングストッパとして機能させることができ
る。したがって、このように絶縁膜４をエッチングスト
ッパとすることにより、溝１１についてはその深さをシ
リコン基板１表面にほぼ到達する深さとなるように精度
良く形成することができる。
【００２２】このようにして凹部９、溝１１を形成した
ら、前記レジストパターン８、１０を除去し、その後、
これら凹部９および溝１１の内部に遮光膜材料を埋め込
む。そして、このようにして埋め込んだ遮光膜材料に化
学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるいはエッチバック法を施
し、図１（ｅ）に示すように受光センサ部２の直上部分
における受光領域上の遮光膜材料を選択的に除去し、遮
光膜１２を形成する。ここで、遮光膜材料としてはリフ
ローの可能な金属材料、具体的にはＡｌ（あるいはＡｌ
−Ｓｉ等の合金またはその化合物）、Ｗ（あるいはその
合金またはその化合物）、Ｃｕ（あるいはＣｕ−Ｓｉ等
の合金またはその化合物）などの高段差被覆性を有する
金属材料が好適に用いられる。また、その埋め込みにあ
たっては、埋め込み性が良くカバレッジに優れたＣＶＤ
法で自己リフロー的に埋め込み成膜される。なお、自己
リフローが不十分な場合には、遮光膜材料を埋め込み成
膜した後、熱処理を行ってリフロー処理を施すようにし
てもよい。
ら、前記レジストパターン８、１０を除去し、その後、
これら凹部９および溝１１の内部に遮光膜材料を埋め込
む。そして、このようにして埋め込んだ遮光膜材料に化
学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるいはエッチバック法を施
し、図１（ｅ）に示すように受光センサ部２の直上部分
における受光領域上の遮光膜材料を選択的に除去し、遮
光膜１２を形成する。ここで、遮光膜材料としてはリフ
ローの可能な金属材料、具体的にはＡｌ（あるいはＡｌ
−Ｓｉ等の合金またはその化合物）、Ｗ（あるいはその
合金またはその化合物）、Ｃｕ（あるいはＣｕ−Ｓｉ等
の合金またはその化合物）などの高段差被覆性を有する
金属材料が好適に用いられる。また、その埋め込みにあ
たっては、埋め込み性が良くカバレッジに優れたＣＶＤ
法で自己リフロー的に埋め込み成膜される。なお、自己
リフローが不十分な場合には、遮光膜材料を埋め込み成
膜した後、熱処理を行ってリフロー処理を施すようにし
てもよい。
【００２３】このようにリフロー可能な金属材料を用い
てこれをＣＶＤ法で埋め込み成膜し、さらにリフローを
行うことにより、凹部９、溝１１の内部には遮光膜材料
がボイドを生じることなく確実に埋め込まれ、かつ得ら
れた遮光膜材料からなる膜はその表面が十分に平坦化し
たものとなる。したがって、この膜にＣＭＰ法あるいは
エッチバック法を施し、遮光膜１２を形成することによ
り、得られた遮光膜１２は転送電極５の上面側および側
面側を共に確実に覆ったものとなる。なお、このような
遮光膜１２の形成に際しては、これと同時に、すなわち
同一のプロセスにより、製造する固体撮像素子の配線部
（図示略）における金属部分の形成を行い、固体撮像素
子の製造プロセスの簡略化を図る。
てこれをＣＶＤ法で埋め込み成膜し、さらにリフローを
行うことにより、凹部９、溝１１の内部には遮光膜材料
がボイドを生じることなく確実に埋め込まれ、かつ得ら
れた遮光膜材料からなる膜はその表面が十分に平坦化し
たものとなる。したがって、この膜にＣＭＰ法あるいは
エッチバック法を施し、遮光膜１２を形成することによ
り、得られた遮光膜１２は転送電極５の上面側および側
面側を共に確実に覆ったものとなる。なお、このような
遮光膜１２の形成に際しては、これと同時に、すなわち
同一のプロセスにより、製造する固体撮像素子の配線部
（図示略）における金属部分の形成を行い、固体撮像素
子の製造プロセスの簡略化を図る。
【００２４】このようにして遮光膜１２を形成したら、
図１（ｆ）に示すように従来と同様にプラズマＣＶＤ法
でＰ−ＳｉＮ膜などを遮光膜１２を覆った状態に形成
し、これをパッシベーション膜１３とする。その後、必
要に応じて従来と同様に平坦化膜（図示略）を形成し、
さらにその上にカラーフィルタ（図示略）、オンチップ
レンズ（図示略）を形成し、固体撮像素子を得る。
図１（ｆ）に示すように従来と同様にプラズマＣＶＤ法
でＰ−ＳｉＮ膜などを遮光膜１２を覆った状態に形成
し、これをパッシベーション膜１３とする。その後、必
要に応じて従来と同様に平坦化膜（図示略）を形成し、
さらにその上にカラーフィルタ（図示略）、オンチップ
レンズ（図示略）を形成し、固体撮像素子を得る。
【００２５】このような固体撮像素子の製造方法にあっ
ては、平坦化膜７における遮光領域となる箇所にのみ凹
部９を形成するとともに、受光センサ部２の周辺部上で
かつ転送電極５の側方にシリコン基板１表面にまで達す
る深さの溝１１を形成し、その後、これら凹部９および
溝１１の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜１２を形
成するので、得られた遮光膜１２が受光センサ部２の直
上にて張り出し部のないものとなり、これにより受光セ
ンサ部２での集光効率を高くすることができ、よって感
度の向上を図ることができるとともに、スミア特性の向
上も図ることができる。
ては、平坦化膜７における遮光領域となる箇所にのみ凹
部９を形成するとともに、受光センサ部２の周辺部上で
かつ転送電極５の側方にシリコン基板１表面にまで達す
る深さの溝１１を形成し、その後、これら凹部９および
溝１１の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜１２を形
成するので、得られた遮光膜１２が受光センサ部２の直
上にて張り出し部のないものとなり、これにより受光セ
ンサ部２での集光効率を高くすることができ、よって感
度の向上を図ることができるとともに、スミア特性の向
上も図ることができる。
【００２６】また、リフロー可能な金属材料からなる遮
光膜材料をＣＶＤ法で埋め込み成膜し、さらにリフロー
を行うようにしたので、凹部９、溝１１の内部に埋め込
まれて形成された遮光膜１２が、転送電極５の上面側お
よび側面側を共に確実に覆い、かつボイドのないものと
なる。したがって、該遮光膜１２がその機能を十分に発
揮して転送電極５に光が入射するのを確実に防ぐことが
でき、これによりスミア特性を向上することができる。
光膜材料をＣＶＤ法で埋め込み成膜し、さらにリフロー
を行うようにしたので、凹部９、溝１１の内部に埋め込
まれて形成された遮光膜１２が、転送電極５の上面側お
よび側面側を共に確実に覆い、かつボイドのないものと
なる。したがって、該遮光膜１２がその機能を十分に発
揮して転送電極５に光が入射するのを確実に防ぐことが
でき、これによりスミア特性を向上することができる。
【００２７】さらに、溝１１をシリコン基板１表面にま
で達する深さに形成し、この溝１１を埋め込んで遮光膜
１２を形成したので、入射光が受光センサ部２の表面で
反射してシリコン基板１表面と遮光膜１２の下端との間
に入り込み、そのまま転送電極５に入射するのを抑える
ことができ、これによりスミア特性をより一層向上する
ことができる。
で達する深さに形成し、この溝１１を埋め込んで遮光膜
１２を形成したので、入射光が受光センサ部２の表面で
反射してシリコン基板１表面と遮光膜１２の下端との間
に入り込み、そのまま転送電極５に入射するのを抑える
ことができ、これによりスミア特性をより一層向上する
ことができる。
【００２８】また、遮光膜１２の形成を、凹部９および
溝１１のエッチング加工と遮光膜材料の埋め込みと、Ｃ
ＭＰ法あるいはエッチバック法とで行うことから、開口
加工が均一になって遮光膜１２の形状およびそのカバレ
ッジ性を均一にすることができ、これにより微小な感度
ムラを抑えることができる。また、特に平坦化膜７をＣ
ＶＤ法によるＢＰＳＧやＰ−ＳｉＮから形成すれば、水
素化を促進してダーク成分の低減化を図ることができ、
これにより撮像画のダーク画質を向上することができ
る。
溝１１のエッチング加工と遮光膜材料の埋め込みと、Ｃ
ＭＰ法あるいはエッチバック法とで行うことから、開口
加工が均一になって遮光膜１２の形状およびそのカバレ
ッジ性を均一にすることができ、これにより微小な感度
ムラを抑えることができる。また、特に平坦化膜７をＣ
ＶＤ法によるＢＰＳＧやＰ−ＳｉＮから形成すれば、水
素化を促進してダーク成分の低減化を図ることができ、
これにより撮像画のダーク画質を向上することができ
る。
【００２９】なお、図１（ａ）〜（ｆ）に示した実施形
態例では、凹部９を形成した後、この凹部９内に溝１１
を形成するようにしたが、本発明はこれに限定されるこ
となく、先に溝１１を、受光センサ部２の周辺部上でか
つ転送電極５の側方に形成し、その後、この溝１１の内
側あるいはこれを含んだ状態で遮光領域となる箇所のみ
を選択的にエッチング除去し、凹部９を形成するように
してもよい。
態例では、凹部９を形成した後、この凹部９内に溝１１
を形成するようにしたが、本発明はこれに限定されるこ
となく、先に溝１１を、受光センサ部２の周辺部上でか
つ転送電極５の側方に形成し、その後、この溝１１の内
側あるいはこれを含んだ状態で遮光領域となる箇所のみ
を選択的にエッチング除去し、凹部９を形成するように
してもよい。
【００３０】図２（ａ）〜（ｆ）は本発明における請求
項７記載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工
程順に説明するための図である。図２（ａ）〜（ｆ）に
示した製造方法が図１（ａ）〜（ｆ）に示した製造方法
と異なるところは、凹部９と溝１１とを形成した後、こ
れらに一括して遮光膜材料を埋め込むのでなく、溝を形
成してこれに遮光膜材料を埋め込み、その後、凹部を形
成してこれに遮光膜材料を埋め込む点にある。
項７記載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工
程順に説明するための図である。図２（ａ）〜（ｆ）に
示した製造方法が図１（ａ）〜（ｆ）に示した製造方法
と異なるところは、凹部９と溝１１とを形成した後、こ
れらに一括して遮光膜材料を埋め込むのでなく、溝を形
成してこれに遮光膜材料を埋め込み、その後、凹部を形
成してこれに遮光膜材料を埋め込む点にある。
【００３１】すなわち、この例においても、まず、図１
（ａ）〜（ｆ）に示した例と同様にして図２（ａ）に示
すようにシリコン基板１の表層部に受光センサ部２、電
荷転送部３、チャネルストップ（図示略）、読み出し部
（図示略）をそれぞれ形成するとともに、シリコン基板
１表面に絶縁膜４を形成し、さらに該絶縁膜４上に転送
電極５、層間絶縁膜６を形成し、その後この層間絶縁膜
６を覆って第１の平坦化膜２０を形成する。この第１の
平坦化膜２０については、先の例に示した平坦化膜７と
同様に、リフロー処理等によって十分な平坦度を有する
膜となる材質のものが用いられる。
（ａ）〜（ｆ）に示した例と同様にして図２（ａ）に示
すようにシリコン基板１の表層部に受光センサ部２、電
荷転送部３、チャネルストップ（図示略）、読み出し部
（図示略）をそれぞれ形成するとともに、シリコン基板
１表面に絶縁膜４を形成し、さらに該絶縁膜４上に転送
電極５、層間絶縁膜６を形成し、その後この層間絶縁膜
６を覆って第１の平坦化膜２０を形成する。この第１の
平坦化膜２０については、先の例に示した平坦化膜７と
同様に、リフロー処理等によって十分な平坦度を有する
膜となる材質のものが用いられる。
【００３２】次いで、図２（ｂ）に示すようにレジスト
パターン２１をマスクにして第１の平坦化膜２０をパタ
ーニングし、前記受光センサ部２の周辺部上でかつ前記
転送電極５の側方をエッチングして前記シリコン基板１
表面にまで達する深さの溝２２を形成する。そして、レ
ジストパターン２１を除去した後、溝２２の内部に遮光
膜材料を埋め込み、さらにこの埋め込んだ遮光膜材料に
化学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるいはエッチバック法を
施し、図２（ｃ）に示すように溝２２内にのみ遮光膜材
料を残してこれから第１の遮光膜２３を形成する。
パターン２１をマスクにして第１の平坦化膜２０をパタ
ーニングし、前記受光センサ部２の周辺部上でかつ前記
転送電極５の側方をエッチングして前記シリコン基板１
表面にまで達する深さの溝２２を形成する。そして、レ
ジストパターン２１を除去した後、溝２２の内部に遮光
膜材料を埋め込み、さらにこの埋め込んだ遮光膜材料に
化学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるいはエッチバック法を
施し、図２（ｃ）に示すように溝２２内にのみ遮光膜材
料を残してこれから第１の遮光膜２３を形成する。
【００３３】ここで、遮光膜材料としては、先に示した
例と同様にリフローの可能な金属材料が好適に用いられ
る。また、その埋め込みにあたっては、埋め込み性が良
くカバレッジに優れたＣＶＤ法で自己リフロー的に埋め
込み成膜される。なお、自己リフローが不十分な場合に
は、遮光膜材料を埋め込み成膜した後、熱処理を行って
リフロー処理を施すようにしてもよい。
例と同様にリフローの可能な金属材料が好適に用いられ
る。また、その埋め込みにあたっては、埋め込み性が良
くカバレッジに優れたＣＶＤ法で自己リフロー的に埋め
込み成膜される。なお、自己リフローが不十分な場合に
は、遮光膜材料を埋め込み成膜した後、熱処理を行って
リフロー処理を施すようにしてもよい。
【００３４】このようにして第１の遮光膜２３を形成し
たら、図２（ｄ）に示すように、この第１の遮光膜２３
を覆って前記第１の平坦化膜２０の上に第２の平坦化膜
２４を形成する。この第２の平坦化膜２４についても、
前記第１の平坦化膜２０と同様に、リフロー処理等によ
って十分な平坦度を有する膜となる材質のものが用いら
れる。
たら、図２（ｄ）に示すように、この第１の遮光膜２３
を覆って前記第１の平坦化膜２０の上に第２の平坦化膜
２４を形成する。この第２の平坦化膜２４についても、
前記第１の平坦化膜２０と同様に、リフロー処理等によ
って十分な平坦度を有する膜となる材質のものが用いら
れる。
【００３５】続いて、図２（ｅ）に示すようにこの第２
の平坦化膜２４上にレジストパターン２５を形成し、さ
らにこのレジストパターン２５をマスクにして遮光膜を
形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエッ
チング除去し、前記第１の遮光膜２３の上面を外側に臨
ませた状態に凹部２６を形成する。ここで、凹部２６に
ついては、その内側面の位置が前記第１の遮光膜２３の
受光センサ部２の中心側の側面の位置より、少し受光セ
ンサ部２の中心側に張り出すように、前記レジストパタ
ーン２５のパターニングを行っておく。
の平坦化膜２４上にレジストパターン２５を形成し、さ
らにこのレジストパターン２５をマスクにして遮光膜を
形成するための遮光領域となる箇所のみを選択的にエッ
チング除去し、前記第１の遮光膜２３の上面を外側に臨
ませた状態に凹部２６を形成する。ここで、凹部２６に
ついては、その内側面の位置が前記第１の遮光膜２３の
受光センサ部２の中心側の側面の位置より、少し受光セ
ンサ部２の中心側に張り出すように、前記レジストパタ
ーン２５のパターニングを行っておく。
【００３６】そして、レジストパターン２５を除去した
後、凹部２６の内部に遮光膜材料を埋め込み、さらにこ
の埋め込んだ遮光膜材料に化学機械研磨法（ＣＭＰ法）
あるいはエッチバック法を施し、図２（ｆ）に示すよう
に凹部２６内にのみ遮光膜材料を残してこれから第２の
遮光膜２７を形成し、これにより前記第１の遮光膜２３
と該第２の遮光膜２７とから遮光膜２８を得る。
後、凹部２６の内部に遮光膜材料を埋め込み、さらにこ
の埋め込んだ遮光膜材料に化学機械研磨法（ＣＭＰ法）
あるいはエッチバック法を施し、図２（ｆ）に示すよう
に凹部２６内にのみ遮光膜材料を残してこれから第２の
遮光膜２７を形成し、これにより前記第１の遮光膜２３
と該第２の遮光膜２７とから遮光膜２８を得る。
【００３７】このようにして遮光膜２８を形成すると、
第１の遮光膜２３は転送電極５の側面側を覆うととも
に、受光センサ部２の周辺部上において筒状をなすもの
となり、一方、第２の遮光膜２７は、転送電極５の上面
側を覆うとともに、その端縁部が前記受光センサ部２の
直上側に張り出す張り出し部２７ａを形成したものとな
る。
第１の遮光膜２３は転送電極５の側面側を覆うととも
に、受光センサ部２の周辺部上において筒状をなすもの
となり、一方、第２の遮光膜２７は、転送電極５の上面
側を覆うとともに、その端縁部が前記受光センサ部２の
直上側に張り出す張り出し部２７ａを形成したものとな
る。
【００３８】なお、この第２の遮光膜２７形成に用いる
遮光膜材料としても、第１の遮光膜２３形成に用いたも
のと同様に、リフローの可能な金属材料が好適に用いら
れる。また、その埋め込みにあたっても、第１の遮光膜
２３の場合と同様に、ＣＶＤ法で自己リフロー的に埋め
込み成膜される。さらに、第１の遮光膜２３あるいは第
２の遮光膜２７の形成に際しては、いずれかの処理と同
時に、すなわち同一のプロセスにより、製造する固体撮
像素子の配線部（図示略）における金属部分の形成を行
い、固体撮像素子の製造プロセスの簡略化を図る。
遮光膜材料としても、第１の遮光膜２３形成に用いたも
のと同様に、リフローの可能な金属材料が好適に用いら
れる。また、その埋め込みにあたっても、第１の遮光膜
２３の場合と同様に、ＣＶＤ法で自己リフロー的に埋め
込み成膜される。さらに、第１の遮光膜２３あるいは第
２の遮光膜２７の形成に際しては、いずれかの処理と同
時に、すなわち同一のプロセスにより、製造する固体撮
像素子の配線部（図示略）における金属部分の形成を行
い、固体撮像素子の製造プロセスの簡略化を図る。
【００３９】このようにして遮光膜２８を形成したら、
先に示した例と同様にＰ−ＳｉＮ膜などからパッシベー
ション膜（図示略）を形成し、さらにその上に平坦化膜
（図示略）、カラーフィルタ（図示略）、オンチップレ
ンズ（図示略）をこの順に形成して本発明における請求
項１９記載の発明の一実施形態例となる固体撮像素子を
得る。
先に示した例と同様にＰ−ＳｉＮ膜などからパッシベー
ション膜（図示略）を形成し、さらにその上に平坦化膜
（図示略）、カラーフィルタ（図示略）、オンチップレ
ンズ（図示略）をこの順に形成して本発明における請求
項１９記載の発明の一実施形態例となる固体撮像素子を
得る。
【００４０】このようにして得られた固体撮像素子にあ
っては、遮光膜２８が第１の遮光膜２３と第２の遮光膜
２７とからなるので、特に溝２２の内部に埋め込まれた
第１の遮光膜２３がシリコン基板１の表面側に張り出し
部を形成しないことにより、受光センサ部２の開口面積
を大きくして集光効率を高くすることができる。また、
第２の遮光膜２７に受光センサ部２の直上側に張り出す
張り出し部２７ａを設けたので、受光センサ部２上で反
射した光を再度この張り出し部２７ａで反射させて受光
センサ部２に入射させることができ、これにより集光効
率を一層高くすることができる。よって、このように集
光効率を高めることができることにより、この固体撮像
素子は感度が向上したものとなる。
っては、遮光膜２８が第１の遮光膜２３と第２の遮光膜
２７とからなるので、特に溝２２の内部に埋め込まれた
第１の遮光膜２３がシリコン基板１の表面側に張り出し
部を形成しないことにより、受光センサ部２の開口面積
を大きくして集光効率を高くすることができる。また、
第２の遮光膜２７に受光センサ部２の直上側に張り出す
張り出し部２７ａを設けたので、受光センサ部２上で反
射した光を再度この張り出し部２７ａで反射させて受光
センサ部２に入射させることができ、これにより集光効
率を一層高くすることができる。よって、このように集
光効率を高めることができることにより、この固体撮像
素子は感度が向上したものとなる。
【００４１】また、このような固体撮像素子の製造方法
にあっては、溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込んで第
１の遮光膜２３を形成することにより、シリコン基板１
の表面側に張り出し部のない遮光膜２８を形成すること
ができ、これにより受光センサ部２での集光効率を高く
して感度向上を図ることができるとともに、スミア特性
の向上も図ることができる。また、第２の遮光膜２７に
受光センサ部２の直上側に張り出す張り出し部２７ａを
形成するようにしたので、受光センサ部２上で反射した
光を再度この張り出し部２７ａで反射させて受光センサ
部２に入射させることができ、これにより集光効率を一
層高くして感度向上を図ることができる。
にあっては、溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込んで第
１の遮光膜２３を形成することにより、シリコン基板１
の表面側に張り出し部のない遮光膜２８を形成すること
ができ、これにより受光センサ部２での集光効率を高く
して感度向上を図ることができるとともに、スミア特性
の向上も図ることができる。また、第２の遮光膜２７に
受光センサ部２の直上側に張り出す張り出し部２７ａを
形成するようにしたので、受光センサ部２上で反射した
光を再度この張り出し部２７ａで反射させて受光センサ
部２に入射させることができ、これにより集光効率を一
層高くして感度向上を図ることができる。
【００４２】また、この製造方法においても、リフロー
可能な金属材料からなる遮光膜材料をＣＶＤ法で埋め込
み成膜し、さらにリフローを行うようにしたので、溝２
２、凹部２６の内部に埋め込まれて形成された第１の遮
光膜２３と第２の遮光膜２７とからなる遮光膜２８が、
転送電極５の上面側および側面側を共に確実に覆い、か
つボイドのないものとなる。したがって、該遮光膜２８
がその機能を十分に発揮して転送電極５に光が入射する
のを確実に防ぐことができ、これによりスミア特性を向
上することができる。
可能な金属材料からなる遮光膜材料をＣＶＤ法で埋め込
み成膜し、さらにリフローを行うようにしたので、溝２
２、凹部２６の内部に埋め込まれて形成された第１の遮
光膜２３と第２の遮光膜２７とからなる遮光膜２８が、
転送電極５の上面側および側面側を共に確実に覆い、か
つボイドのないものとなる。したがって、該遮光膜２８
がその機能を十分に発揮して転送電極５に光が入射する
のを確実に防ぐことができ、これによりスミア特性を向
上することができる。
【００４３】さらに、溝２２をシリコン基板１表面にま
で達する深さに形成し、この溝２２を埋め込んで遮光膜
２８（第１の遮光膜２３）を形成したので、入射光が受
光センサ部２の表面で反射してシリコン基板１表面と遮
光膜２８の下端との間に入り込み、そのまま転送電極５
に入射するのを抑えることができ、これによりスミア特
性をより一層向上することができる。
で達する深さに形成し、この溝２２を埋め込んで遮光膜
２８（第１の遮光膜２３）を形成したので、入射光が受
光センサ部２の表面で反射してシリコン基板１表面と遮
光膜２８の下端との間に入り込み、そのまま転送電極５
に入射するのを抑えることができ、これによりスミア特
性をより一層向上することができる。
【００４４】また、第１の遮光膜２３および第２の遮光
膜２７の形成を、溝２２および凹部２６のエッチング加
工と遮光膜材料の埋め込みと、ＣＭＰ法あるいはエッチ
バック法とで行うことから、開口加工が均一になって遮
光膜２８の形状およびそのカバレッジ性を均一にするこ
とができ、これにより微小な感度ムラを抑えることがで
きる。また、特に第１の平坦化膜２３をＣＶＤ法による
ＢＰＳＧやＰ−ＳｉＮから形成すれば、水素化を促進し
てダーク成分の低減化を図ることができ、これにより撮
像画のダーク画質を向上することができる。
膜２７の形成を、溝２２および凹部２６のエッチング加
工と遮光膜材料の埋め込みと、ＣＭＰ法あるいはエッチ
バック法とで行うことから、開口加工が均一になって遮
光膜２８の形状およびそのカバレッジ性を均一にするこ
とができ、これにより微小な感度ムラを抑えることがで
きる。また、特に第１の平坦化膜２３をＣＶＤ法による
ＢＰＳＧやＰ−ＳｉＮから形成すれば、水素化を促進し
てダーク成分の低減化を図ることができ、これにより撮
像画のダーク画質を向上することができる。
【００４５】なお、図２（ａ）〜（ｆ）に示した実施形
態例では、第２の遮光膜２７に張り出し部２７ａを設け
たが、本発明はこれに限定されることなく、第２の遮光
膜の側端面と第１の遮光膜２３の受光センサ部２中心側
の面とを略面一にするようにしてもよい。
態例では、第２の遮光膜２７に張り出し部２７ａを設け
たが、本発明はこれに限定されることなく、第２の遮光
膜の側端面と第１の遮光膜２３の受光センサ部２中心側
の面とを略面一にするようにしてもよい。
【００４６】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明における請求
項１３記載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を
工程順に説明するための図である。図３（ａ）〜（ｃ）
に示した製造方法が図２（ａ）〜（ｆ）に示した製造方
法と異なるところは、溝を形成してこれに遮光膜材料を
埋め込み、第１の遮光膜を形成した後、再度遮光膜材料
を堆積してこれを成膜・加工し、第２の遮光膜を形成す
る点にある。
項１３記載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を
工程順に説明するための図である。図３（ａ）〜（ｃ）
に示した製造方法が図２（ａ）〜（ｆ）に示した製造方
法と異なるところは、溝を形成してこれに遮光膜材料を
埋め込み、第１の遮光膜を形成した後、再度遮光膜材料
を堆積してこれを成膜・加工し、第２の遮光膜を形成す
る点にある。
【００４７】すなわち、この例においても、まず、図２
（ａ）、（ｂ）に示したように、シリコン基板１の表層
部に受光センサ部２、電荷転送部３、チャネルストップ
（図示略）、読み出し部（図示略）をそれぞれ形成する
とともに、シリコン基板１表面に絶縁膜４を形成し、さ
らに該絶縁膜４上に転送電極５、層間絶縁膜６を形成
し、その後この層間絶縁膜６を覆って平坦化膜２０を形
成する。次いで、レジストパターン２１をマスクにして
平坦化膜２０をパターニングし、前記受光センサ部２の
周辺部上でかつ前記転送電極５の側方をエッチングして
前記シリコン基板１表面にまで達する深さの溝２２を形
成する。そして、レジストパターン２１を除去した後、
溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込み、さらにこの埋め
込んだ遮光膜材料に化学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるい
はエッチバック法を施し、図３（ａ）に示すように溝２
２内にのみ遮光膜材料を残してこれから第１の遮光膜２
３を形成する。
（ａ）、（ｂ）に示したように、シリコン基板１の表層
部に受光センサ部２、電荷転送部３、チャネルストップ
（図示略）、読み出し部（図示略）をそれぞれ形成する
とともに、シリコン基板１表面に絶縁膜４を形成し、さ
らに該絶縁膜４上に転送電極５、層間絶縁膜６を形成
し、その後この層間絶縁膜６を覆って平坦化膜２０を形
成する。次いで、レジストパターン２１をマスクにして
平坦化膜２０をパターニングし、前記受光センサ部２の
周辺部上でかつ前記転送電極５の側方をエッチングして
前記シリコン基板１表面にまで達する深さの溝２２を形
成する。そして、レジストパターン２１を除去した後、
溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込み、さらにこの埋め
込んだ遮光膜材料に化学機械研磨法（ＣＭＰ法）あるい
はエッチバック法を施し、図３（ａ）に示すように溝２
２内にのみ遮光膜材料を残してこれから第１の遮光膜２
３を形成する。
【００４８】このようにして第１の遮光膜２３を形成し
たら、図３（ｂ）に示すように溝２２の内部に埋め込ま
れた第１の遮光膜２３に接続した状態で全面に遮光膜材
料を成膜し、遮光層３０を形成する。続いて、公知のレ
ジスト技術、リソグラフィー技術によってレジストパタ
ーン（図示略）を形成する。次いで、このレジストパタ
ーンをマスクにしてこの遮光層３０をパターニングし、
図３（ｃ）に示すように第１の遮光膜２３の上端に囲ま
れた部分を開口してなる第２の遮光膜３１を形成する。
そして、これにより前記第１の遮光膜２３と第２の遮光
膜３１とから遮光膜３２を得る。
たら、図３（ｂ）に示すように溝２２の内部に埋め込ま
れた第１の遮光膜２３に接続した状態で全面に遮光膜材
料を成膜し、遮光層３０を形成する。続いて、公知のレ
ジスト技術、リソグラフィー技術によってレジストパタ
ーン（図示略）を形成する。次いで、このレジストパタ
ーンをマスクにしてこの遮光層３０をパターニングし、
図３（ｃ）に示すように第１の遮光膜２３の上端に囲ま
れた部分を開口してなる第２の遮光膜３１を形成する。
そして、これにより前記第１の遮光膜２３と第２の遮光
膜３１とから遮光膜３２を得る。
【００４９】このようにして遮光膜３１を形成すると、
図２（ａ）〜（ｆ）に示した先の例と同様に、第１の遮
光膜２３は転送電極５の側面側を覆うとともに、受光セ
ンサ部２の周辺部上において筒状をなすものとなり、一
方、第２の遮光膜３１は、転送電極５の上面側を覆うと
ともに、その端縁部が前記受光センサ部２の直上側に張
り出す張り出し部３１ａを形成したものとなる。
図２（ａ）〜（ｆ）に示した先の例と同様に、第１の遮
光膜２３は転送電極５の側面側を覆うとともに、受光セ
ンサ部２の周辺部上において筒状をなすものとなり、一
方、第２の遮光膜３１は、転送電極５の上面側を覆うと
ともに、その端縁部が前記受光センサ部２の直上側に張
り出す張り出し部３１ａを形成したものとなる。
【００５０】そして、このような遮光膜３２の形成後レ
ジストパターン（図示略）を除去し、さらに、先に示し
た例と同様にＰ−ＳｉＮ膜などからパッシベーション膜
（図示略）を形成し、その上に平坦化膜（図示略）、カ
ラーフィルタ（図示略）、オンチップレンズ（図示略）
をこの順に形成して本発明における請求項１９記載の発
明の他の実施形態例となる固体撮像素子を得る。
ジストパターン（図示略）を除去し、さらに、先に示し
た例と同様にＰ−ＳｉＮ膜などからパッシベーション膜
（図示略）を形成し、その上に平坦化膜（図示略）、カ
ラーフィルタ（図示略）、オンチップレンズ（図示略）
をこの順に形成して本発明における請求項１９記載の発
明の他の実施形態例となる固体撮像素子を得る。
【００５１】このようにして得られた固体撮像素子にあ
っても、遮光膜３２が第１の遮光膜２３と第２の遮光膜
３１とからなるので、特に溝２２の内部に埋め込まれた
第１の遮光膜２３がシリコン基板１の表面側に張り出し
部を形成しないことにより、受光センサ部２の開口面積
を大きくして集光効率を高くすることができる。また、
第２の遮光膜３１に受光センサ部２の直上側に張り出す
張り出し部３１ａを設けたので、受光センサ部２上で反
射した光を再度この張り出し部３１ａで反射させて受光
センサ部２に入射させることができ、これにより集光効
率を一層高くすることができる。よって、このように集
光効率を高めることができることにより、この固体撮像
素子は感度が向上したものとなる。
っても、遮光膜３２が第１の遮光膜２３と第２の遮光膜
３１とからなるので、特に溝２２の内部に埋め込まれた
第１の遮光膜２３がシリコン基板１の表面側に張り出し
部を形成しないことにより、受光センサ部２の開口面積
を大きくして集光効率を高くすることができる。また、
第２の遮光膜３１に受光センサ部２の直上側に張り出す
張り出し部３１ａを設けたので、受光センサ部２上で反
射した光を再度この張り出し部３１ａで反射させて受光
センサ部２に入射させることができ、これにより集光効
率を一層高くすることができる。よって、このように集
光効率を高めることができることにより、この固体撮像
素子は感度が向上したものとなる。
【００５２】また、このような固体撮像素子の製造方法
にあっても、先の例と同様の効果を得ることができる。
例えば、溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の
遮光膜２３を形成することにより、シリコン基板１の表
面側に張り出し部のない遮光膜２８を形成することがで
き、これにより受光センサ部２での集光効率を高くして
感度向上を図ることができるとともに、スミア特性の向
上も図ることができる。また、第２の遮光膜３１に受光
センサ部２の直上側に張り出す張り出し部３１ａを形成
するようにしたので、受光センサ部２上で反射した光を
再度この張り出し部で反射させて受光センサ部２に入射
させることができ、これにより集光効率を一層高くして
感度向上を図ることができる。
にあっても、先の例と同様の効果を得ることができる。
例えば、溝２２の内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の
遮光膜２３を形成することにより、シリコン基板１の表
面側に張り出し部のない遮光膜２８を形成することがで
き、これにより受光センサ部２での集光効率を高くして
感度向上を図ることができるとともに、スミア特性の向
上も図ることができる。また、第２の遮光膜３１に受光
センサ部２の直上側に張り出す張り出し部３１ａを形成
するようにしたので、受光センサ部２上で反射した光を
再度この張り出し部で反射させて受光センサ部２に入射
させることができ、これにより集光効率を一層高くして
感度向上を図ることができる。
【００５３】なお、図３（ａ）〜（ｃ）に示した実施形
態例でも、第２の遮光膜３１に張り出し部３１ａを設け
たが、本発明はこれに限定されることなく、第２の遮光
膜の側端面と第１の遮光膜２３の受光センサ部２中心側
の面とを略面一にするようにしてもよい。
態例でも、第２の遮光膜３１に張り出し部３１ａを設け
たが、本発明はこれに限定されることなく、第２の遮光
膜の側端面と第１の遮光膜２３の受光センサ部２中心側
の面とを略面一にするようにしてもよい。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における請
求項１記載の発明の固体撮像素子の製造方法は、平坦化
膜における遮光領域となる箇所にのみ凹部を形成すると
ともに、受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方
に基体表面近傍にまで達する深さの溝を形成し、その
後、これら凹部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込ん
で遮光膜を形成する方法であるから、得られる遮光膜が
受光センサ部の直上にて張り出し部のないものとなり、
これにより受光センサ部での集光効率を高くすることが
でき、よって感度の向上を図ることができるとともに、
スミア特性の向上も図ることができる。したがって、固
体撮像素子の小型化や画素の高密度化を進めることがで
き、これによりＨＤ（High difinition ）用途などの民
生用の小型ビデオカメラの製造に好適な方法となる。
求項１記載の発明の固体撮像素子の製造方法は、平坦化
膜における遮光領域となる箇所にのみ凹部を形成すると
ともに、受光センサ部の周辺部上でかつ転送電極の側方
に基体表面近傍にまで達する深さの溝を形成し、その
後、これら凹部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込ん
で遮光膜を形成する方法であるから、得られる遮光膜が
受光センサ部の直上にて張り出し部のないものとなり、
これにより受光センサ部での集光効率を高くすることが
でき、よって感度の向上を図ることができるとともに、
スミア特性の向上も図ることができる。したがって、固
体撮像素子の小型化や画素の高密度化を進めることがで
き、これによりＨＤ（High difinition ）用途などの民
生用の小型ビデオカメラの製造に好適な方法となる。
【００５５】請求項７記載の発明の固体撮像素子の製造
方法、および請求項１３記載の発明の固体撮像素子の製
造方法は、共に、溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで第
１の遮光膜を形成するようにしたものであるから、基体
の表面側に張り出し部のない遮光膜を形成することがで
き、これにより受光センサ部での集光効率を高くして感
度向上を図ることができるとともに、スミア特性の向上
も図ることができる。
方法、および請求項１３記載の発明の固体撮像素子の製
造方法は、共に、溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで第
１の遮光膜を形成するようにしたものであるから、基体
の表面側に張り出し部のない遮光膜を形成することがで
き、これにより受光センサ部での集光効率を高くして感
度向上を図ることができるとともに、スミア特性の向上
も図ることができる。
【００５６】請求項１９記載の発明の固体撮像素子は、
遮光膜が第１の遮光膜と第２の遮光膜とからなるもので
あり、特に溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜が基体
の表面側に張り出し部を形成しないものであるから、受
光センサ部の開口面積が大きくなって集光効率が高くな
る。また、第２の遮光膜に受光センサ部の直上側に張り
出す張り出し部が設けられているので、受光センサ部上
で反射した光が再度この張り出し部で反射して受光セン
サ部に入射し、これにより集光効率が一層高くなる。よ
って、このように集光効率が高まることから、この固体
撮像素子は感度が向上したものとなり、これにより小型
化や画素の高密度化に対応し得るものとなる。
遮光膜が第１の遮光膜と第２の遮光膜とからなるもので
あり、特に溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜が基体
の表面側に張り出し部を形成しないものであるから、受
光センサ部の開口面積が大きくなって集光効率が高くな
る。また、第２の遮光膜に受光センサ部の直上側に張り
出す張り出し部が設けられているので、受光センサ部上
で反射した光が再度この張り出し部で反射して受光セン
サ部に入射し、これにより集光効率が一層高くなる。よ
って、このように集光効率が高まることから、この固体
撮像素子は感度が向上したものとなり、これにより小型
化や画素の高密度化に対応し得るものとなる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明における請求項１記載
の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説
明するための要部側断面図である。
の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説
明するための要部側断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明における請求項７記載
の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説
明するための要部側断面図である。
の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に説
明するための要部側断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明における請求項１３記
載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に
説明するための要部側断面図である。
載の固体撮像素子の製造方法の一実施形態例を工程順に
説明するための要部側断面図である。
１…シリコン基板（基体）、２…受光センサ部、３…電
荷転送部、４…絶縁膜、５…転送電極、６…層間絶縁
膜、７…平坦化膜、９，２６…凹部、１１，２２…溝、
１２，２８、３２…遮光膜、２０…第１の平坦化膜（平
坦化膜）、２３…第１の遮光膜、２４…第２の平坦化
膜、２７，３１…第２の遮光膜、３０…遮光層
荷転送部、４…絶縁膜、５…転送電極、６…層間絶縁
膜、７…平坦化膜、９，２６…凹部、１１，２２…溝、
１２，２８、３２…遮光膜、２０…第１の平坦化膜（平
坦化膜）、２３…第１の遮光膜、２４…第２の平坦化
膜、２７，３１…第２の遮光膜、３０…遮光層
Claims (19)
- 【請求項１】 基体の表層部に光電変換をなす受光セン
サ部を形成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入
射するのを防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の
製造方法において、 基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さらに該転
送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁
膜を覆って平坦化膜を形成する工程と、 前記平坦化膜の、前記遮光膜を形成するための遮光領域
となる箇所のみを選択的にエッチング除去して凹部を形
成する工程と、 前記平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前
記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面近傍に
まで達する深さの溝を形成する工程と、 前記凹部および溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光
膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記凹部および溝の内部に遮光膜材料を
埋め込んで遮光膜を形成する工程が、凹部および溝の内
部に遮光膜材料を埋め込んだ後、研磨法あるいはエッチ
バック法によって前記受光センサ部の直上部分における
受光領域上の遮光膜材料を選択的に除去し、遮光膜を形
成する工程であることを特徴とする請求項１記載の固体
撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記遮光膜材料としてリフローの可能な
材料を用い、該遮光膜材料を埋め込んで遮光膜を形成す
る際、自己リフロー的に成膜し、あるいは成膜後熱処理
を行うことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜が少なくともシリコン窒化膜
を含んで形成され、前記平坦化膜がシリコン酸化膜から
なることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製
造方法。 - 【請求項５】 前記遮光膜の形成を、遮光膜材料をＣＶ
Ｄ法によって埋め込むことにより行うことを特徴とする
請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項６】 遮光膜材料として金属材料を用い、遮光
膜の形成を固体撮像素子の配線部における金属部分の形
成と同時に行うことを特徴とする請求項１記載の固体撮
像素子の製造方法。 - 【請求項７】 基体の表層部に光電変換をなす受光セン
サ部を形成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が入
射するのを防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子の
製造方法において、 基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さらに該転
送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁
膜を覆って第１の平坦化膜を形成する工程と、 前記第１の平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上で
かつ前記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面
近傍にまで達する深さの溝を形成する工程と、 前記溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を
形成する工程と、 前記第１の遮光膜を覆って前記第１の平坦化膜の上に第
２の平坦化膜を形成する工程と、 前記第２の平坦化膜の、遮光膜を形成するための遮光領
域となる箇所のみを選択的にエッチング除去して前記第
１の遮光膜の上面を外側に臨ませた状態に凹部を形成す
る工程と、 前記凹部の内部に遮光膜材料を埋め込んで第２の遮光膜
を形成し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮光
膜とから遮光膜を得る工程と、を備えたことを特徴とす
る固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで
第１の遮光膜を形成する工程が、溝の内部に遮光膜材料
を埋め込んだ後、研磨法あるいはエッチバック法によっ
て溝内部以外の遮光膜材料を選択的に除去し、第１の遮
光膜を形成する工程であり、 前記凹部の内部に遮光膜材料を埋め込んで遮光膜を形成
する工程が、凹部の内部に遮光膜材料を埋め込んだ後、
研磨法あるいはエッチバック法によって前記受光センサ
部の直上部分における受光領域上の遮光膜材料を選択的
に除去し、第２の遮光膜を形成する工程であることを特
徴とする請求項７記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記遮光膜材料としてリフローの可能な
材料を用い、該遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜、
第２の遮光膜を形成する際、自己リフロー的に成膜し、
あるいは成膜後熱処理を行うことによって形成すること
を特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記絶縁膜が少なくともシリコン窒化
膜を含んで形成され、前記第１の平坦化膜がシリコン酸
化膜からなることを特徴とする請求項７記載の固体撮像
素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１の遮光膜、第２の遮光膜の形
成を、遮光膜材料をＣＶＤ法によって埋め込むことによ
り行うことを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項１２】 遮光膜材料として金属材料を用い、第
１の遮光膜の形成、あるいは第２の遮光膜の形成を固体
撮像素子の配線部における金属部分の形成と同時に行う
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の製造方
法。 - 【請求項１３】 基体の表層部に光電変換をなす受光セ
ンサ部を形成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が
入射するのを防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子
の製造方法において、 基体上に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さらに該転
送電極を覆って層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁
膜を覆って平坦化膜を形成する工程と、 前記平坦化膜の、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前
記転送電極の側方をエッチングして前記基体表面近傍に
まで達する深さの溝を形成する工程と、 前記溝の内部に遮光膜材料を埋め込んで第１の遮光膜を
形成する工程と、 前記溝の内部に埋め込まれた第１の遮光膜に接続した状
態に遮光膜材料を成膜する工程と、 該遮光膜材料をパターニングして前記第１の遮光膜の上
端に囲まれた部分を開口してなる第２の遮光膜を形成
し、これにより前記第１の遮光膜と該第２の遮光膜とか
ら遮光膜を得る工程と、を備えたことを特徴とする固体
撮像素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記溝の内部に遮光膜材料を埋め込ん
で第１の遮光膜を形成する工程が、溝の内部に遮光膜材
料を埋め込んだ後、研磨法あるいはエッチバック法によ
って溝内部以外の遮光膜材料を選択的に除去し、第１の
遮光膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１
３記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１の遮光膜形成用の遮光膜材料
としてリフローの可能な材料を用い、該遮光膜材料を埋
め込んで第１の遮光膜を形成する際、自己リフロー的に
成膜し、あるいは成膜後熱処理を行うことによって形成
することを特徴とする請求項１３記載の固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記絶縁膜が少なくともシリコン窒化
膜を含んで形成され、前記平坦化膜がシリコン酸化膜か
らなることを特徴とする請求項１３記載の固体撮像素子
の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第１の遮光膜、第２の遮光膜の形
成を、遮光膜材料をＣＶＤ法によって埋め込むことによ
り行うことを特徴とする請求項１３記載の固体撮像素子
の製造方法。 - 【請求項１８】 遮光膜材料として金属材料を用い、第
１の遮光膜の形成、あるいは第２の遮光膜の形成を固体
撮像素子の配線部における金属部分の形成と同時に行う
ことを特徴とする請求項１３記載の固体撮像素子の製造
方法。 - 【請求項１９】 基体の表層部に光電変換をなす受光セ
ンサ部を形成し、基体上に前記受光センサ部以外に光が
入射するのを防ぐための遮光膜を形成した固体撮像素子
において、 前記遮光膜が、前記受光センサ部の周辺部上でかつ前記
転送電極の側方にて該転送電極の側面を覆って形成され
た第１の遮光膜と、転送電極の上面および前記第１の遮
光膜の上面を覆って形成され、かつその端縁部が前記受
光センサ部の直上側に張り出して形成された第２の遮光
膜と、からなることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9254548A JPH1187675A (ja) | 1997-07-16 | 1997-09-19 | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
| US09/116,120 US6569703B1 (en) | 1997-07-16 | 1998-07-16 | Method of manufacturing solid-state image sensing device |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP19082097 | 1997-07-16 | ||
| JP9-190820 | 1997-07-16 | ||
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|---|---|
| JPH1187675A true JPH1187675A (ja) | 1999-03-30 |
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ID=26506332
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| JP (1) | JPH1187675A (ja) |
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1997
- 1997-09-19 JP JP9254548A patent/JPH1187675A/ja active Pending
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1998
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