JP4232213B2 - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4232213B2
JP4232213B2 JP10494998A JP10494998A JP4232213B2 JP 4232213 B2 JP4232213 B2 JP 4232213B2 JP 10494998 A JP10494998 A JP 10494998A JP 10494998 A JP10494998 A JP 10494998A JP 4232213 B2 JP4232213 B2 JP 4232213B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
angle
lens
light
layer
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10494998A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11297974A (ja
Inventor
秀司 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10494998A priority Critical patent/JP4232213B2/ja
Priority to US09/289,546 priority patent/US6252219B1/en
Priority to KR1019990013420A priority patent/KR100598756B1/ko
Publication of JPH11297974A publication Critical patent/JPH11297974A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4232213B2 publication Critical patent/JP4232213B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば内部に凹レンズ構造(層内レンズ)を形成した固体撮像素子に係わる。
【0002】
【従来の技術】
近年、カラー用固体撮像素子においては、素子の小型化に伴い、素子上部にマイクロレンズを形成した、いわゆるオンチップレンズ構造を採って、入射光をこのマイクロレンズで集光することによりセンサ(受光部)における感度の向上を図っている。
【0003】
そして、上述のオンチップレンズ構造を有する固体撮像素子において、さらに表面のマイクロレンズと受光部との間に、集光する特性を持つ第2のレンズ構造即ちいわゆる層内レンズを設けているものがある。
この層内レンズの構造としては、例えば屈折率が異なる2層の境界面を凹面として、ここに凹レンズを形成する凹レンズ構造等が挙げられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述の層内レンズを形成したCCD固体撮像素子においては、層内レンズの形状を感度が最大となるようにしたいが、カメラのレンズシステムの絞りの値(F値)によって、様々な入射角度の光の入射がある。
【0005】
例えばF値が大きい場合には、入射光が絞られて垂直光に近い状態になる。このとき、入射光量は少なくなる。
一方、F値が小さい場合には、入射光が拡げられ斜め成分が多くなる。このとき、入射光量は多くなる。
【0006】
しかしながら、斜め方向から層内レンズの曲面に光が入射した場合、その入射角度によっては、層内レンズの凹面で光が全反射を起こし、受光部に到達しないことがあり、これにより感度の向上が不十分になってしまうおそれがある。
【0007】
また、同一形状のオンチップレンズに対しても、カメラのF値が変わることにより斜め成分の量が変化するため、感度が異なってくる。
【0008】
このため、感度が最大となる形状を決めるための基準を求めるために、試作を繰り返して試行錯誤を行っていた。
そして、上述のような問題を回避して、充分な感度の向上を得るような層内レンズの形状については、どのような形状が最適であるか、これまでは解明されていなかった。
【0009】
上述の問題の解決のために、本発明においては、入射角度が異なる各種光源に対して、感度を最大にすることができる固体撮像素子を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、受光部上に、層間絶縁層とその上の高屈折率層の界面が凹面となった層内レンズが設けられ、高屈折率層の屈折率が、層間絶縁層の屈折率よりも大きく、基板表面と平行な面に対する層内レンズの曲面の最大傾斜角が、高屈折率層からこの曲面に入射する光に対する全反射の臨界角±10°以内の角度であるものである。
【0011】
上述の本発明の構成によれば、層内レンズの曲面の最大傾斜角を全反射角±10°以内の角度とすることにより、層内レンズの曲面の傾斜角がどの部分でも全反射角を大きく超えることがないため、入射した光が層内レンズの曲面において全反射してしまうことを防ぎ、より多くの光がこの曲面を透過するようにすることができる。また、最大傾斜角が全反射角±10°以内の角度であるため、層内レンズによる集光が高まり、受光部へ多くの光を集光させることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明は、受光部上に、層間絶縁層とその上の高屈折率層の界面が凹面となった層内レンズが設けられ、高屈折率層の屈折率が、層間絶縁層の屈折率よりも大きく、基板表面と平行な面に対する層内レンズの曲面の最大傾斜角が、高屈折率層からこの曲面に入射する光に対する全反射の臨界角±10°以内の角度である固体撮像素子である。
【0014】
また本発明は、上記固体撮像素子において、画素のセンサ開口の短辺方向の断面において、上記層内レンズの曲面の上記最大傾斜角が上記全反射角の臨界角±10°以内の角度とする構成を採る。
また本発明は、上記固体撮像素子において、上記全反射の臨界角が46°である構成を採る。
【0015】
図1は本発明に係る固体撮像素子の実施の形態としてCCD型の固体撮像素子の概略構成図(1画素に対応する素子の断面図)を示す。
【0016】
この固体撮像素子20は、半導体基体1内にセンサ(受光部)2が形成され、この受光部2以外の半導体基体1上には、ゲート絶縁膜3を介して転送電極4が形成されている。転送電極4上には層間絶縁膜5を介して遮光膜6が形成され、この遮光膜6は転送電極4への光の入射を防止するものであり、この遮光膜6には受光部2上に開口が設けられて、受光部2に光が入射するようにしている。
また、遮光膜6を覆って、遮光膜6による段差に対応した凹凸を表面に有する例えばBPSG(屈折率n=1.4〜1.5)等からなる層間絶縁層7が形成されている。
【0017】
そして、層間絶縁層7上には、例えばSiN膜(屈折率n=1.9〜2.0)等による高屈折率層8が形成され、これら層間絶縁層7及び高屈折率層8の界面が凹面となり、高屈折率層8内にいわゆる層内レンズ11を構成している。この凹面において、入射光が屈折もしくは反射される。
尚、受光部2上に集光させるために、層間絶縁層7の屈折率よりも、上層の高屈折率層8の屈折率の方が大きくなるように調整されている。
【0018】
この高屈折率層8の上面は平坦化され、これの上に上層絶縁層9が形成されている。この上層絶縁層9内には、例えば図示しないがカラーフィルター等が形成されて構成される。
さらに最上部には、入射光を受光部2上に集光するためのマイクロレンズ11が形成されている。
【0019】
本実施の形態においては、特に、高屈折率層8により構成された層内レンズ11の曲面の基板表面即ち半導体基体1の表面と平行な面に対する最大傾斜角θmaxが、後述するように、全反射の臨界角θc近傍の角度、例えばθc±10°以内の範囲の角度となるように形成する。
【0020】
ここで、図2に層内レンズ11の曲面における、基板表面に垂直な方向の入射光と屈折光の関係の概略図を示す。
基板表面SS に平行な面に対するレンズ曲面SL の傾きを傾斜角θとする。
基板表面SS に対して垂直な方向の入射光(以下垂直入射光とする)LV の屈折を考える。この垂直入射光LV は、レンズ曲面SL の法線nに対して入射角θ1を有する。また、垂直入射光LV と基板表面SS とが垂直であるため、レンズ曲面SL の傾斜角θは、垂直入射光LV の入射角θ1と一致する(θ=θ1)。
【0021】
このとき、入射側の光屈折率層8からなる層内レンズ11の屈折率n1と、屈折側の層間絶縁層7の屈折率n2とから、次の数1に示すスネルの法則により、屈折角θ2を容易に求めることができる。
【0022】
【数1】
n1・sin(θ1)=n2・sin(θ2)
【0023】
ところが、垂直入射光LV の入射角θ1が、次の数2に示す条件に該当するときには、全反射条件となり、垂直入射光LV が層内レンズ11の曲面SL で全て反射されてしまう。
【0024】
【数2】
(n1/n2)sin(θ1)>1
ただしn1>n2
【0025】
ここで、前述したように、実際の入射光は異なる入射角度の入射光成分の集まりとなっていて、絞りのF値の違いによって入射角度の範囲も異なってくる。
F値と感度との関係を考えるために、入射光の集光率について、層内レンズ11の曲面SL の傾斜角θの最大値即ち最大傾斜角θmaxへの依存性を、3つのF値(F=1.2,F=4,F=11)に対して調べた。結果を図3に示す。
【0026】
図3より、絞りが開放されたとき、即ちF=1.2のときには、最大傾斜角θmaxの増大に伴って集光率即ち感度が向上している。
【0027】
一方、絞りが絞られたとき、即ちF=11のときには、傾斜角θがある値までは集光率に変化が少なく傾斜角θの増加に伴い微増する傾向があるが、ある値以上では急激に集光率の減少即ち感度低下を起こしている。
これは、前述の異なる入射角度の入射光成分の集まりのうち、層内レンズ11の曲面SL において全反射条件が成り立つ入射光成分が支配的になるためである。
【0028】
また、図3より、F値が異なっていても、集光率が最大で最大の感度となる傾斜角θは、ほぼ等しくなっている。図3に、この最大の感度となる傾斜角θを最適角θBとして示す。
【0029】
ここで、F値が大きい場合は、入射光がほぼ垂直入射光LV によって代表されるため、垂直入射光LV に対して感度が最大となるように、層内レンズ11の曲面SL の傾斜角θを設定すれば、ほぼ満足する感度が得られる。
【0030】
尚、上層の凸形状のオンチップレンズ10による集光状態によっても、層内レンズ11の曲面SL に入射する角度θ1が様々に変化して存在するが、これは平均化するとほぼ無視できる。
実際、図3の結果は、上層のオンチップレンズ10をある状態に設定した場合を示している。
【0031】
以上のことからまとめると、感度を最大にするためには、垂直入射光LV に対して、感度が最大となるように、層内レンズ11の曲面SL の傾斜角θを、例えば図3に示した最適角θBに設定すればよく、このときF値が小さい場合でもF値が大きい場合と同様に感度がほぼ最大になる。
【0032】
垂直入射光LV に対して感度が最大となる最適角θBは、実際にはほぼ全反射の臨界角θc近傍の角度となる。
【0033】
この全反射の臨界角θcは、前述の数1でθ2=90°となる入射角θ1であり、即ち次の数3に示す条件を満たす角度である。そして、入射角θ1≧θcのとき、入射光は全反射される。
【0034】
【数3】
sinθc=n2/n1(ただしn1>n2)
【0035】
この全反射の臨界角θc近傍で、最大傾斜角θmaxとなる範囲に層内レンズ11の曲面SL の形状を構成するとよいことがわかり、このとき入射角の異なる各種入射光に対して感度が最大となる。
【0036】
例えば、層内レンズ11が屈折率約2.0のプラズマ窒化膜から成り、センサ側の下層の層間絶縁層7がSiO2 系の屈折率1.45の材料から成る場合には、全反射の臨界角θc=sin-1(1.45/2.0)=46°となる。
即ち最大傾斜角θmaxを46°近傍の角度とする。
【0037】
最大傾斜角θmax=46°のとき、固体撮像素子の1画素に対応する素子の断面図は図4のようになる。
【0038】
これに対して、全反射の臨界角θcよりも傾斜角θが大きいと、例えば傾斜角θ=60°とした場合を図5に示すように、層内レンズ11の曲面Sのこの傾斜角θが大きい部分で垂直入射光Lが全反射される。
従って、層内レンズ11の曲面S全体として全反射される割合が増加するため、受光部2に入射する光が減少し、固体撮像素子1の感度が低下する。
【0039】
尚、最大傾斜角θmaxを小さくすると、全反射は起こりにくくなるが、図3に示すF=1.2の場合に、集光率が低下するので好ましくない。
従って、最大傾斜角θmaxは、感度を最大にするためにも、なるべく大きくして、全反射の臨界角θc近傍の角度とする必要がある。
【0040】
上述の本実施の形態によれば、各種の光源に対して、層内レンズ11の形状を感度が最大にできるように形成することができる。
【0041】
そして、層内レンズ11の材料の屈折率と、その下の層間絶縁層7等の層の屈折率により、求める傾斜角θを得ることができるため、傾斜角θを決定するための試作を繰り返す必要がなくなる。
また、所望の特性の固体撮像素子20を再現性良く製造することができる。
【0042】
さらに、層内レンズ11の材料が変更されても、変更した材料の屈折率から最適なレンズ曲面SL の傾斜角及び形状を求めることができるので、容易に最適化を図ることができる。
【0043】
層内レンズ11の曲面SL の最大傾斜角θmaxは、例えば次のような手順により、上述の全反射の臨界角θc近傍の角度に設定する。
【0044】
まず、画素の条件、受光部2の開口幅、アスペクト比(固体撮像素子20の全層厚と受光部2上の開口幅との比)等の条件を考慮する。
そして、下層の層間絶縁層7の材料を選択し、この層間絶縁層7の粘度特性や膜厚、及びリフロー等熱処理の温度を制御することにより、所定の最大傾斜角θmaxが得られるようにする。
例えば層間絶縁層7をBPSG等のガラス材料とした場合には、ガラスの組成によって粘度特性が変化するため、所定の粘度特性が得られるように組成を変更するようにする。
【0045】
また例えば層間絶縁層7の膜厚を薄くすると、遮光膜6の段差に応じて、層内レンズ11の曲面SL の傾斜角θが大きくなる。
一方、層間絶縁層7の膜厚を厚くすると、遮光膜6の段差が埋まるようになり、層内レンズ11の曲面SL の傾斜角θが小さくなる。
【0046】
続いて、本発明による固体撮像素子の他の実施の形態について説明する。
本実施の形態の固体撮像素子は、図6Aに平面図を示すように、センサ(受光部)2の開口12の縦横比が1:1でなく、即ち長辺と短辺とが存在する場合、特に長辺の長さと短辺の長さに明らかな差がある場合である。
【0047】
この場合の、受光部2の開口12の長辺方向の断面図即ち図6AのA−Aにおける断面図を図6Bに示す。
長辺方向では遮光膜6による開口12が広いため、層内レンズ11の下層の層間絶縁層7に用いられる材料の性質から、図6Bに示すように、層間絶縁層7の断面が、遮光膜6に近い部分では傾斜角が大きく垂直に近くなり、一方開口12の中央部付近では傾斜角が小さく水平に近くなる。
即ち層間絶縁膜7の断面形状及び層内レンズ11の曲面SL の形状が、鍋底形状となる。
【0048】
このように層内レンズ11の曲面SL の形状が鍋底形状となる場合には、傾斜角の範囲が水平(傾斜角0°)付近から垂直(傾斜角90°)付近までと非常に広くなり、本発明を適用することが困難である。
しかしながら、受光部2の開口12の長辺方向は、開口12が広いため充分に入射光を受光することができることから、層内レンズ11の集光率を上げる必要性が低く、本発明を適用して層内レンズ11の曲面SL の最大傾斜角θmaxを規定するには及ばない。
【0049】
これに対して、受光部2の開口12の短辺方向は、遮光膜6によって形成される開口12が狭いため、集光率を上げて入射光LV が狭い開口12内に充分集光されるようにする必要が生じる。
【0050】
従って、受光部2の開口12の縦横比が1:1でなく、長辺と短辺とが存在する場合には、受光部2の開口12の短辺方向に対して本発明を適用して、短辺方向の層内レンズ11の曲面SL の最大傾斜角θmaxを、全反射の臨界角θc近傍の角度とする。
このように構成することにより、短辺方向の集光率を高め、固体撮像素子の感度を向上させることができる。
【0051】
本発明の固体撮像素子は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【0052】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、基板表面と平行な面に対する層内レンズの曲面の最大傾斜角が、全反射の臨界角の近傍の角度であることにより、各種の光源に対して感度が最大となるように、層内レンズの形状を形成することができる。
【0053】
そして、層内レンズを構成する材料の屈折率と、その下層の層間絶縁層等の屈折率とにより、求める傾斜角を得ることができるため、傾斜角を決定するための試作を繰り返す必要がなくなり、再現性も良く製造することができる。
【0054】
また、層内レンズの材料が変更されても、屈折率から最適なレンズ曲面の傾斜角及び形状を求めることができるので、容易に最適化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図(断面図)である。
【図2】層内レンズの曲面における、基板表面に垂直な方向の入射光と屈折光の関係の概略図である。
【図3】入射光の集光率の、層内レンズの曲面の傾斜角θ依存性を、3つのF値に対して示す図である。
【図4】層内レンズの曲面の最大傾斜角が、全反射の臨界角近傍である場合(46°)を示す固体撮像素子の断面図である。
【図5】層内レンズの曲面の最大傾斜角が、全反射の臨界角より大きい場合(60°)の垂直入射光の経路を示す固体撮像素子の断面図である。
【図6】A 本発明に係る固体撮像素子の他の実施の形態の受光部の形状を示す平面図である。
B 本発明の受光部の開口の長辺方向の断面図(図6AのA−Aによる断面図)である。
【符号の説明】
1 半導体基体、2 受光部、3 ゲート絶縁膜、4 転送電極、5 層間絶縁膜、6 遮光膜、7 層間絶縁層、8 高屈折率層、9 上層絶縁層、10 オンチップレンズ、11 層内レンズ、12 受光部の開口、20 固体撮像素子、LV 垂直入射光、LD 屈折光、SL 層内レンズの曲面、SS 基板表面、θ 傾斜角、θ1 入射角、θ2 屈折角、θB 最適角、θmax 最大傾斜角、θc 全反射の臨界角

Claims (3)

  1. 受光部上に、層間絶縁層とその上の高屈折率層の界面が凹面となった層内レンズが設けられ、
    上記高屈折率層の屈折率が、上記層間絶縁層の屈折率よりも大きく、
    基板表面と平行な面に対する上記層内レンズの曲面の最大傾斜角が、上記高屈折率層から該曲面に入射する光に対する全反射の臨界角±10°以内の角度である
    ことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 画素のセンサ開口の短辺方向の断面において、上記層内レンズの曲面の上記最大傾斜角が上記全反射の臨界角±10°以内の角度であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 上記全反射の臨界角が46°であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
JP10494998A 1998-04-15 1998-04-15 固体撮像素子 Expired - Lifetime JP4232213B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10494998A JP4232213B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 固体撮像素子
US09/289,546 US6252219B1 (en) 1998-04-15 1999-04-12 Solid-state imaging element
KR1019990013420A KR100598756B1 (ko) 1998-04-15 1999-04-15 고체 촬상 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10494998A JP4232213B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 固体撮像素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11297974A JPH11297974A (ja) 1999-10-29
JP4232213B2 true JP4232213B2 (ja) 2009-03-04

Family

ID=14394359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10494998A Expired - Lifetime JP4232213B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 固体撮像素子

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6252219B1 (ja)
JP (1) JP4232213B2 (ja)
KR (1) KR100598756B1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3620237B2 (ja) * 1997-09-29 2005-02-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP2001068658A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
KR20020042098A (ko) * 2000-11-30 2002-06-05 박종섭 이미지센서 및 그 제조 방법
KR100872289B1 (ko) * 2002-07-19 2008-12-05 매그나칩 반도체 유한회사 수광특성을 향상시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법
US6737719B1 (en) * 2002-10-25 2004-05-18 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having combination color filter and concave-shaped micro-lenses
US7115853B2 (en) * 2003-09-23 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices
US20060169870A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Silsby Christopher D Image sensor with embedded optical element
US20060198008A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Micron Technology, Inc. Formation of micro lens by using flowable oxide deposition
DE102005033005A1 (de) * 2005-07-14 2007-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Chip
JP2007059834A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
JP2007180156A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP2008042024A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Fujifilm Corp 固体撮像装置
US8003425B2 (en) * 2008-05-14 2011-08-23 International Business Machines Corporation Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors
US7759755B2 (en) 2008-05-14 2010-07-20 International Business Machines Corporation Anti-reflection structures for CMOS image sensors
JP2010093081A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2011100900A (ja) 2009-11-06 2011-05-19 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法
JP2950714B2 (ja) * 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US5633527A (en) * 1995-02-06 1997-05-27 Sandia Corporation Unitary lens semiconductor device
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US5711890A (en) * 1996-03-11 1998-01-27 Eastman Kodak Company Method for forming cylindrical lens arrays for solid state imager
US5734190A (en) * 1996-03-11 1998-03-31 Eastman Kodak Company Imager having a plurality of cylindrical lenses
JP3674209B2 (ja) * 1997-01-23 2005-07-20 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR100244295B1 (ko) * 1997-03-13 2000-02-01 김영환 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
JP3447510B2 (ja) * 1997-04-09 2003-09-16 Necエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
JPH11103036A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Sony Corp 固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
US6252219B1 (en) 2001-06-26
JPH11297974A (ja) 1999-10-29
KR100598756B1 (ko) 2006-07-11
KR19990083228A (ko) 1999-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4232213B2 (ja) 固体撮像素子
US6614479B1 (en) Solid-state image pickup device in-layer lens with antireflection film with intermediate index of refraction
KR100590124B1 (ko) 고체촬상소자
US20060060896A1 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
US6259083B1 (en) Solid state imaging device and manufacturing method thereof
US9087761B2 (en) Solid-state imaging device including an on-chip lens with two inorganic films thereon
TWI399849B (zh) 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法,及電子設備
KR970002120B1 (ko) 고체영상픽업장치
JP4281132B2 (ja) 固体撮像素子
JPH11284158A (ja) 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法
JP2009016574A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR960043255A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP2008091771A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20040262705A1 (en) Solid-state image sensor and method of manufacturing solid-state image sensor
JP2004079932A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP3044734B2 (ja) 固体撮像素子
JP4923357B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN102881700A (zh) 一种cmos图像传感器及其制造方法
JP3677970B2 (ja) 固体撮像素子とその製造方法
JP3467434B2 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPH11103036A (ja) 固体撮像素子
JPH10154805A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
CN103022068A (zh) 一种cmos图像传感器及其制造方法
WO2007097062A1 (ja) 固体撮像装置
JPH1187673A (ja) 固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070703

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term