JP2008042024A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】受光部の外側への光漏れを防ぎ、集光効率を高める。
【解決手段】固体撮像装置10は、複数のフォトダイオード11が形成された半導体基板15と、絶縁膜16を介して半導体基板15の上に形成された転送電極17と、この転送電極17を遮光し、フォトダイオード11に合わせた位置に開口18が形成された遮光膜20と、フォトダイオード11の直上に形成されたインナーレンズ22と、このインナーレンズ22の周囲に形成された平坦化層23と、カラーフィルタ24とマイクロレンズ25とを有する。インナーレンズ22は、上凸及び下凸レンズ26,27が形成され、下凸レンズ27の周囲に反射膜28が形成されている。マイクロレンズ25から入射した光は、上凸レンズ26で集光されて反射膜28で反射し、下凸レンズ27の下端部に導かれ、フォトダイオード11へ入射する。
【選択図】図3
【解決手段】固体撮像装置10は、複数のフォトダイオード11が形成された半導体基板15と、絶縁膜16を介して半導体基板15の上に形成された転送電極17と、この転送電極17を遮光し、フォトダイオード11に合わせた位置に開口18が形成された遮光膜20と、フォトダイオード11の直上に形成されたインナーレンズ22と、このインナーレンズ22の周囲に形成された平坦化層23と、カラーフィルタ24とマイクロレンズ25とを有する。インナーレンズ22は、上凸及び下凸レンズ26,27が形成され、下凸レンズ27の周囲に反射膜28が形成されている。マイクロレンズ25から入射した光は、上凸レンズ26で集光されて反射膜28で反射し、下凸レンズ27の下端部に導かれ、フォトダイオード11へ入射する。
【選択図】図3
Description
本発明は、CCD等の固体撮像装置に関するものである。
近年、CCDなどの固体撮像装置を用いて撮像した撮影画像をデジタルの画像データに変換し、内蔵メモリやメモリカードなどの記録媒体に記録するデジタルカメラが普及してきている。このデジタルカメラに設けられているような固体撮像装置では、マトリクス状に配列された受光素子(フォトダイオード)が形成された半導体基板の上面に、各受光素子の位置に合わせた開口を有する遮光膜を形成し、この遮光膜の上方にカラーフイルタを、さらに、固体撮像装置の最上層の位置にいわゆるオンチップマイクロレンズを形成いる。そして、このオンチップマイクロレンズで撮影レンズ光学系からの入射光を集光し、カラーフイルタ、遮光膜の開口を通過させて各受光素子に受光させる。
一方、最近では、固体撮像装置の小型化、高画素化が益々進んできており、これに伴なって受光素子へ入射光を通過させる開口の面積が小さくなってきている。これにより、従来のマイクロレンズだけでは、受光素子への集光効率が不十分となってきている。そこで、特許文献1に記載されている固体撮像装置では、フォトダイオードとカラーフイルタとの間に位置する層の中に形成されたいわゆる層内レンズ構造を有しており、これによって集光効率を高めている。
さらに上記特許文献1記載の固体撮像装置では、凹型に形成された層内レンズ構造の境界面に反射金属膜を形成しており、この反射金属膜で外部光を反射させてフォトダイオード側へ光を導くようにしている。
特開2002−94038号公報
しかしながら、上記特許文献1のような構造の固体撮像装置では、受光素子への集光効率が不十分であり、このような固体撮像装置で撮影を行うと、画像の縦方向に光の筋のようなものが現れるノイズ現象の一種、いわゆるスミアが発生してしまうことになる。すなわち、マイクロレンズから入射した光は、本来遮光膜の開口を通って受光素子へ向かうはずであるが、上述したように集光効率が不十分だと、光がその周囲へ広がってしまうため、転送電極へ光が進入してしまうことがある。このようにして光が進入すると、転送電極が転送する電荷信号に影響を及ぼし、スミアを引き起こす原因となる。
また、特許文献1記載の固体撮像装置では、上述したように凹型の層内レンズ構造の境界面に反射金属膜を形成してフォトダイオード側へ光を導こうとしているが、このような反射金属膜を単に形成しただけでは、光の種類によっては、反射金属膜を透過して受光素子の外側へ光が漏れてしまう可能性があり、やはり集光効率が十分でないため、スミアが発生することとなる。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、層内レンズ構造の境界面から受光部の外側へ光が漏れ出すことを防止するとともに、集光効率を向上することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、複数の受光部が形成された半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一部を覆って遮光し、且つ前記受光部の位置に合わせて開口が形成された遮光層と、前記開口の上方に位置する層内レンズ構造とが形成された固体撮像素子において、前記層内レンズ構造は、上下に向かってそれぞれ凸となる上凸レンズ面及び下凸レンズ面が一体に形成されたインナーレンズからなり、前記上凸レンズ面から入射した光の絞り径が、前記下凸レンズ面の直径よりも小さくなっており、前記下凸レンズ面は、その下端部に位置し、前記上凸レンズ面から入射した光が出射する出射面、及びこの出射面を除く部分で、その外周に反射膜が形成された反射面とからなり、前記上凸レンズ面から入射した光が前記反射膜で反射して前記出射面に導かれ、この出射面から出射した光が前記受光部に入射することを特徴とする。
なお、前記反射膜は、金属からなりスキンデプス以上の膜厚を有することが好ましい。また、前記インナーレンズは、前記受光部で受光する対象となる光の波長をλ、前記インナーレンズの屈折率をn、前記出射面の直径をD、前記開口の内径をLとすると、λ/n<D<Lの関係が成り立つように形成されることが好ましい。さらにまた、前記インナーレンズは、前記下凸レンズ面の下端部から前記受光部へ向かって延びる導波路が一体に形成されていることが好ましい。
本発明の固体撮像装置では、上下に向かってそれぞれ凸となる上凸レンズ面及び下凸レンズ面が一体に形成されたインナーレンズから層内レンズ構造を構成し、上凸レンズ面から入射した光の絞り径が、下凸レンズ面の直径よりも小さくなっており、下凸レンズ面は、下端部を除く外周面に反射膜が形成されており、上凸レンズ面から入射した光が反射膜で反射して下凸レンズ面の下端部に導かれ、この下端部から出射した光が受光部に入射するので、層内レンズ構造の境界面から光が漏れることを防ぎつつ、受光部への集光効率を向上し、転送電極への光の進入を防いでスミアの発生を防ぐことができる。
また、前記反射膜が金属からなりスキンデプス以上の膜厚を有することによって、層内レンズ構造の境界面から光が漏れることを確実に防ぐことが可能となっている。あるいは、前記受光部で受光する対象となる光の波長をλ、前記インナーレンズの屈折率をn、前記出射面の直径をD、前記開口の内径をLとすると、λ/n<D<Lの関係が成り立つように前記インナーレンズを形成しているので、下凸レンズ面の内部で反射した光が確実に受光部へと導かれることから、さらに集光効率を向上させることができる。さらにまた、前記インナーレンズには、前記下凸レンズ面の下端部から前記受光部へ向かって延びる導波路が一体に形成されているので、導波路が光を受光部へと確実に導いて集光効率をさらに向上させることができる。
以下、図面を参照して本発明を適用したCCDの構造について説明する。図1は、平面図、図2は、図1のX−X線(水平転送方向Hと平行)における断面図である。なお、図1においては、マイクロレンズ、カラーフイルタなど一部の上面構造を省略している。CCD10は、撮影領域において、2次元マトリクス状に配列された複数のフォトダイオード(受光部)11を有し、このフォトダイオード11の各列、すなわち垂直転送方向Vに沿って垂直転送路13が設けられて構成されている。
このCCD10の断面構造は、図2に示すように、フォトダイオード11と、このフォトダイオード11を除く部分に垂直転送路13を構成する電荷転送部14が形成された半導体基板15を備えており、電荷転送部14の上には、絶縁膜16を介して転送電極17が形成される。これら電荷転送部14及び転送電極17が垂直転送路13を構成し、フォトダイオード11に蓄積された電荷を垂直転送する。なお、転送電極17はドライエッチング法などによって例えば第1ポリシリコンから形成されている。また、絶縁膜16は、例えば熱酸化法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法などによってSiO2から形成される。
さらに、半導体基板15の上部には、スパッタリング法により例えばアルミニウムなどの金属で形成され、転送電極17を覆って遮光するとともに、フォトダイオード11に合わせた位置に形成された開口18を有する遮光膜20とが形成されている。開口18は、フォトダイオード11よりも1回り小さく、垂直転送方向に沿って長く形成された長方形で、図1に示すように、短辺の寸法をLH、長辺の寸法をLVとしている。
さらに、フォトダイオード11の上方にはインナーレンズ22が形成されており、このインナーレンズ22の周りを囲むように平坦化層23が形成されている。平坦化層23は、その上面が平坦化されるように形成されており、さらのその上面にはカラーフイルタ24、マイクロレンズ層25が形成されている。平坦化層23は、例えばBPSG(ホウ素リンシリケートガラス;屈折率n1=1.4〜1.5)などからなり、インナーレンズ22は、例えば、SiN(窒化シリコン;屈折率n2=1.9〜2.0)などからなる。また、カラーフイルタ24は、3色(R,G,B)又は4色(R,G,B+中間色)の色に対応する色素がそれぞれ含まれたレジスト材などからなる。マイクロレンズ層25には凸レンズ面25aが形成されており、外部から入射した光をフォトダイオード11へ向かって集光する。
インナーレンズ22は、その上面に、上方へ向かってすなわちフォトダイオード11から離反する方向に沿って突出する上凸レンズ面26が形成され、下面には、下方へ向かって、すなわちフォトダイオード11に近接する方向に沿って突出する下凸レンズ面27が形成されている。上凸レンズ面26及び下凸レンズ面27は、いわゆる層内レンズ構造を構成し、上方から上凸レンズ面26へ入射した光を集光して下凸レンズ面27へと導く。
下凸レンズ面27は、図3に示すように、開口18の内部へと延びるように形成され、その下端部が出射面27a、この出射面27aを除く部分が反射面27bとなっており、出射面27aがフォトダイオード11に近接する位置となっている。さらに、下凸レンズ面27のうち、反射面27bの外周には、遮光膜20と同様に金属などによって形成された反射膜28が形成されている。これによって、下凸レンズ面27から外側へ向かう光をこの反射膜28で反射させて、フォトダイオード11へと導く。なお、遮光膜20を形成する金属としては、例えば金Au,銀Ag,銅Cu,アルミニウムAlなどが使用される。
本実施形態においては、詳しくは図3に示すように、上凸レンズ面26は、その焦点位置f1が、下凸レンズ面27の上端付近に位置するように形成されている。上凸レンズ面26には収差があり、上凸レンズ面26に光が入射するときの位置及び方向によって焦点位置が異なるため、一点には収束せず、図3の絞り径W1で示す範囲内が凸レンズ面25の焦点位置f1となる。
上述した上凸レンズ面26による光束の絞り径W1は、下凸レンズ面27の最大直径R1よりも小さくなっている。これによって、上凸レンズ面26からインナーレンズ22の内部へ入射する光は、焦点位置f1で絞り径W1に絞り込まれて下凸レンズ面27へ確実に入射する。下凸レンズ面27へ入射した光は、下凸レンズ面27の出射面27aから出射してフォトダイオード11へと入射する。
また、本実施形態では、反射膜28の膜厚T1をスキンデプス(浸透深さ)以上にして形成している。これによって、反射面27bから反射膜28へ入射した光が外側へ漏れ出すことを防止することができる。なお、この膜厚T1は、本実施形態においては、T1=20〜30nmとしている。
さらにまた、本実施形態では、空気中での光の波長をλ、インナーレンズ22の屈折率をn、開口18の短辺長さLH、下凸レンズ面27の出射面27aの直径をDとすると、光の波長は、屈折率nの媒質(インナーレンズ22)中ではλ/nとなり、本実施形態では、λ/n<D<LH‥(1)の関係が成り立つようにインナーレンズ22を形成する。これによって、下凸レンズ面27の反射面27bで反射した光が効率良く出射面27aから出射し、且つ出射面27aから出射した光をフォトダイオード11に確実に入射させることができる。
なお、上記式(1)で使用する光の波長λは、フォトダイオード11で受光する対象となる光の種類に合わせるようにすればよい。例えば、カラーフイルタ24が3色(R,G,B)又は4色(R,G,B+中間色)のうちのいずれかの色に設定されている場合、そのカラーフィルタ24の色に対応した波長λとすればよい。あるいは、カラーフィルタ24との対応に関係なく、全ての下凸レンズ面27の寸法、及び開口18の寸法を同じにしたいときには、可視光領域の中心となる波長λにしたり、R,G,Bのうち、最も波長の長いG光の波長λに合わせるようにすればよい。
以下、上記構成の作用について説明する。上述したように、インナーレンズ22は、上凸レンズ面26、及び下凸レンズ面27が形成されており、且つ上凸レンズ面26による光束の絞り径W1が下凸レンズ面27の最大直径R1よりも小さくなっており、さらに下凸レンズ面27の反射面27aの外周に反射膜28を形成しているので、外部からマイクロレンズ層25、カラーフィルタ24、及び平坦化層23を通って上凸レンズ面26へ入射した光は、インナーレンズ22の内部で集光されて下凸レンズ面27に導かれ、下凸レンズ面27の出射面27aから高い集光効率でフォトダイオード11へと入射される。さらに、反射膜28をスキンデプス以上の厚みに形成しており、下凸レンズ面27の反射面27bから外側へ光が漏れることがないので、フォトダイオード11の周囲に位置する転送電極17へ進入することを防ぐことができる。よってスミアの発生を防止し、フォトダイオード11へ効率良く集光することができる。
なお、上記実施形態では、上凸レンズ面及び下凸レンズ面を一体に形成したインナーレンズ構造を用いた構成を例に上げて説明しているが、本発明はこれに限るものではなく、図4及び図5に示すように、CCD50を構成するインナーレンズ55には、上凸レンズ面56と、下凸レンズ面57と、下凸レンズ面57の下端部からフォトダイオード11へと延びる導波路58とが一体に形成されているものでもよい。なお、図4及び図5に示すCCD50では、上記実施形態と同様の構造を用いているものについては同符号を付して説明を省略する。この図4及び図5に示すように、下凸レンズ面57及び導波路58の外周には、反射膜59が形成されており、下凸レンズ面57および導波路58から外側へ光が漏れることを防止している。上凸レンズ面56は、上記実施形態と同様に光を絞り径W2に集光して下凸レンズ面57へと導く。なお、上凸レンズ面56の絞り径絞り径W2は、下凸レンズ面57の最大直径R2より小さく形成されているので、上凸レンズ面56から入射する光は、焦点位置f2で絞り径W2に絞り込まれて確実に下凸レンズ面25へ入射する。そして、下凸レンズ面57では、反射膜59によって反射した光が導波路58へと進入する。下凸レンズ面57から進入した光は導波路58によって下方へ導かれてフォトダイオード11に入射するので、集光効率が向上する。なお、反射膜59の膜厚T2は、上記実施形態と同様20〜30nmであり、スキンデプス以上の厚みがあればよい。
本発明の固体撮像装置は、デジタルカメラや携帯電話用のカメラ部等の各種撮像装置に適用される他、電子内視鏡等の医療機器にも適用される。
10,50 CCD(固体撮像装置)
11 フォトダイオード(受光部)
15 半導体基板
17 転送電極
18 開口
20 遮光膜
22,55 インナーレンズ
26,56 上凸レンズ面
27,57 下凸レンズ面
28,59 反射膜
58 導波路
11 フォトダイオード(受光部)
15 半導体基板
17 転送電極
18 開口
20 遮光膜
22,55 インナーレンズ
26,56 上凸レンズ面
27,57 下凸レンズ面
28,59 反射膜
58 導波路
Claims (4)
- 複数の受光部が形成された半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一部を覆って遮光し、且つ前記受光部の位置に合わせて開口が形成された遮光層と、前記開口の上方に位置する層内レンズ構造とが形成された固体撮像装置において、
前記層内レンズ構造は、上下に向かってそれぞれ凸となる上凸レンズ面及び下凸レンズ面が一体に形成されたインナーレンズからなり、前記上凸レンズ面から入射した光の絞り径が、前記下凸レンズ面の直径よりも小さくなっており、前記下凸レンズ面は、その下端部に位置し、前記上凸レンズ面から入射した光が出射する出射面、及びこの出射面を除く部分で、その外周に反射膜が形成された反射面とからなり、前記上凸レンズ面から入射した光が前記反射膜で反射して前記出射面に導かれ、この出射面から出射した光が前記受光部に入射することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記反射膜は、金属からなりスキンデプス以上の膜厚を有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記インナーレンズは、前記受光部で受光する対象となる光の波長をλ、前記インナーレンズの屈折率をn、前記出射面の直径をD、前記開口の内径をLとすると、λ/n<D<Lの関係が成り立つように形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 前記インナーレンズは、前記下凸レンズ面の下端部から前記受光部へ向かって延びる導波路が一体に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の固体撮像装置。
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